Artigos de revistas sobre o tema "ZnGeP2"
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Voevodin, Vladimir, Svetlana Bereznaya, Yury S. Sarkisov, Nikolay N. Yudin e Sergey Yu Sarkisov. "Terahertz Generation by Optical Rectification of 780 nm Laser Pulses in Pure and Sc-Doped ZnGeP2 Crystals". Photonics 9, n.º 11 (16 de novembro de 2022): 863. http://dx.doi.org/10.3390/photonics9110863.
Texto completo da fonteNing, Jing, Rong Dai, Qiao Wu, Lei Zhang, Tingting Shao e Fuchun Zhang. "Density Functional Theory Study of Infrared Nonlinear Optical Crystal ZnGeP2". Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 16, n.º 10 (1 de outubro de 2021): 1544–53. http://dx.doi.org/10.1166/jno.2021.3110.
Texto completo da fonteZhao, Xin, Shi Fu Zhu e Yong Qiang Sun. "Growth of ZnGeP2 Single Crystal by Three-Temperature-Zone Furnace". Advanced Materials Research 179-180 (janeiro de 2011): 945–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.179-180.945.
Texto completo da fontePal, S., D. Sharma, M. Chandra, M. Mittal, P. Singh, M. Lal e A. S. Verma. "Thermodynamic properties of chalcogenide and pnictide ternary tetrahedral semiconductors". Chalcogenide Letters 21, n.º 1 (1 de janeiro de 2024): 1–9. http://dx.doi.org/10.15251/cl.2024.211.1.
Texto completo da fonteYudin, Nikolay N., Andrei Khudoley, Mikhail Zinovev, Elena Slyunko, Sergey Podzyvalov, Vladimir Kuznetsov, Gennady Gorodkin et al. "Experimental Investigation of Laser Damage Limit for ZPG Infrared Single Crystal Using Deep Magnetorheological Polishing of Working Surfaces". Crystals 14, n.º 1 (27 de dezembro de 2023): 32. http://dx.doi.org/10.3390/cryst14010032.
Texto completo da fonteYudin, Nikolai, Oleg Antipov, Ilya Eranov, Alexander Gribenyukov, Galina Verozubova, Zuotao Lei, Mikhail Zinoviev et al. "Laser-Induced Damage Threshold of Single Crystal ZnGeP2 at 2.1 µm: The Effect of Crystal Lattice Quality at Various Pulse Widths and Repetition Rates". Crystals 12, n.º 5 (2 de maio de 2022): 652. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12050652.
Texto completo da fonteVoevodin, Vladimir I., Valentin N. Brudnyi, Yury S. Sarkisov, Xinyang Su e Sergey Yu Sarkisov. "Electrical Relaxation and Transport Properties of ZnGeP2 and 4H-SiC Crystals Measured with Terahertz Spectroscopy". Photonics 10, n.º 7 (16 de julho de 2023): 827. http://dx.doi.org/10.3390/photonics10070827.
Texto completo da fonteYudin, Nikolai, Andrei Khudoley, Mikhail Zinoviev, Sergey Podzvalov, Elena Slyunko, Elena Zhuravleva, Maxim Kulesh, Gennadij Gorodkin, Pavel Kumeysha e Oleg Antipov. "The Influence of Angstrom-Scale Roughness on the Laser-Induced Damage Threshold of Single-Crystal ZnGeP2". Crystals 12, n.º 1 (8 de janeiro de 2022): 83. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12010083.
Texto completo da fonteYudin, Nikolay, Mikhail Zinoviev, Vladimir Kuznetsov, Elena Slyunko, Sergey Podzvalov, Vladimir Voevodin, Alexey Lysenko et al. "Effect of Dopants on Laser-Induced Damage Threshold of ZnGeP2". Crystals 13, n.º 3 (3 de março de 2023): 440. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13030440.
Texto completo da fonteSchnepf, Rekha R., Andrea Crovetto, Prashun Gorai, Anna Park, Megan Holtz, Karen N. Heinselman, Sage R. Bauers et al. "Reactive phosphine combinatorial co-sputtering of cation disordered ZnGeP2 films". Journal of Materials Chemistry C 10, n.º 3 (2022): 870–79. http://dx.doi.org/10.1039/d1tc04695k.
Texto completo da fonteSchunemann, Peter G., e Thomas M. Pollak. "Ultralow Gradient HGF-Grown ZnGeP2 and CdGeAs2 and Their Optical Properties". MRS Bulletin 23, n.º 7 (julho de 1998): 23–27. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400029043.
Texto completo da fonteDyomin, Victor, Alexander Gribenyukov, Sergey Podzyvalov, Nikolay Yudin, Mikhail Zinoviev, Igor Polovtsev, Alexandra Davydova e Alexey Olshukov. "Application of Infrared Digital Holography for Characterization of Inhomogeneities and Voluminous Defects of Single Crystals on the Example of ZnGeP2". Applied Sciences 10, n.º 2 (7 de janeiro de 2020): 442. http://dx.doi.org/10.3390/app10020442.
Texto completo da fonteMoldovan, M., e N. C. Giles. "Broad-band photoluminescence from ZnGeP2". Journal of Applied Physics 87, n.º 10 (15 de maio de 2000): 7310–15. http://dx.doi.org/10.1063/1.372985.
Texto completo da fonteVerozubova, G. A., A. I. Gribenyukov e Yu P. Mironov. "Two-temperature synthesis of ZnGeP2". Inorganic Materials 43, n.º 10 (outubro de 2007): 1040–45. http://dx.doi.org/10.1134/s0020168507100020.
Texto completo da fonteKalygina, Vera, Sergey Podzyvalov, Nikolay Yudin, Elena Slyunko, Mikhail Zinoviev, Vladimir Kuznetsov, Alexey Lysenko et al. "Effect of UV and IR Radiation on the Electrical Characteristics of Ga2O3/ZnGeP2 Hetero-Structures". Crystals 13, n.º 8 (2 de agosto de 2023): 1203. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13081203.
Texto completo da fonteZinovev, Mikhail, Nikolay N. Yudin, Igor Kinyaevskiy, Sergey Podzyvalov, Vladimir Kuznetsov, Elena Slyunko, Houssain Baalbaki e Denis Vlasov. "Multispectral Anti-Reflection Coatings Based on YbF3/ZnS Materials on ZnGeP2 Substrate by the IBS Method for Mid-IR Laser Applications". Crystals 12, n.º 10 (5 de outubro de 2022): 1408. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12101408.
Texto completo da fonteBairamov, B. H., V. Yu Rud' e Yu V. Rud'. "Properties of Dopants in ZnGeP2, CdGeAs2, AgGaS2 and AgGaSe2". MRS Bulletin 23, n.º 7 (julho de 1998): 41–44. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400029080.
Texto completo da fonteYudin, N. N., O. L. Antipov, A. I. Gribenyukov, V. V. Dyomin, M. M. Zinoviev, S. N. Podzivalov, E. S. Slyunko et al. "Influence of line-by-line processing technology on the optical breakthreshold of a ZnGeP2 single crystal". Izvestiya vysshikh uchebnykh zavedenii. Fizika, n.º 11 (2021): 102–7. http://dx.doi.org/10.17223/00213411/64/11/102.
Texto completo da fonteCollins, Sean M., Jeanne M. Hankett, Azhar I. Carim e Stephen Maldonado. "Preparation of photoactive ZnGeP2 nanowire films". Journal of Materials Chemistry 22, n.º 14 (2012): 6613. http://dx.doi.org/10.1039/c2jm16453a.
Texto completo da fonteZapol, Peter, Ravindra Pandey, Mel Ohmer e Julian Gale. "Atomistic calculations of defects in ZnGeP2". Journal of Applied Physics 79, n.º 2 (1996): 671. http://dx.doi.org/10.1063/1.360811.
Texto completo da fonteWang, Lijun, Lihua Bai, K. T. Stevens, N. Y. Garces, N. C. Giles, S. D. Setzler, P. G. Schunemann e T. M. Pollak. "Luminescence associated with copper in ZnGeP2". Journal of Applied Physics 92, n.º 1 (julho de 2002): 77–81. http://dx.doi.org/10.1063/1.1481971.
Texto completo da fonteVerozubova, G. A., e A. I. Gribenyukov. "Growth of ZnGeP2 crystals from melt". Crystallography Reports 53, n.º 1 (janeiro de 2008): 158–63. http://dx.doi.org/10.1134/s1063774508010215.
Texto completo da fonteVerozubova, G. A., A. I. Gribenyukov, V. V. Korotkova e M. P. Ruzaikin. "ZnGeP2 synthesis and growth from melt". Materials Science and Engineering: B 48, n.º 3 (agosto de 1997): 191–97. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(97)00046-9.
Texto completo da fonteXing, G. C., K. J. Bachmann e J. B. Posthill. "High‐pressure vapor transport of ZnGeP2". Applied Physics Letters 56, n.º 3 (15 de janeiro de 1990): 271–73. http://dx.doi.org/10.1063/1.103285.
Texto completo da fonteMason, P. D., D. J. Jackson e E. K. Gorton. "CO2 laser frequency doubling in ZnGeP2". Optics Communications 110, n.º 1-2 (agosto de 1994): 163–66. http://dx.doi.org/10.1016/0030-4018(94)90190-2.
Texto completo da fonteKaravaev, P. M., V. M. Abusev e G. A. Medvedkin. "Photorefractive effect in ZnGeP2 single crystal". Technical Physics Letters 32, n.º 6 (junho de 2006): 498–500. http://dx.doi.org/10.1134/s1063785006060149.
Texto completo da fonteShimony, Y., O. Raz, G. Kimmel e M. P. Dariel. "On defects in tetragonal ZnGeP2 crystals". Optical Materials 13, n.º 1 (outubro de 1999): 101–9. http://dx.doi.org/10.1016/s0925-3467(99)00018-x.
Texto completo da fonteBacewicz, R., A. Pietnoczka, W. Gehlhoff e V. G. Voevodin. "Local order in ZnGeP2:Mn crystals". physica status solidi (a) 204, n.º 7 (julho de 2007): 2296–301. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200622598.
Texto completo da fonteTyuterev, V. G. "Electron short-wave phonon scattering in crystals with chalcopyrite lattice". Canadian Journal of Physics 98, n.º 8 (agosto de 2020): 818–23. http://dx.doi.org/10.1139/cjp-2019-0523.
Texto completo da fonteZinovev, Mikhail, Nikolay N. Yudin, Vladimir Kuznetsov, Sergey Podzyvalov, Andrey Kalsin, Elena Slyunko, Alexey Lysenko, Denis Vlasov e Houssain Baalbaki. "High-Strength Optical Coatings for Single-Crystal ZnGeP2 by the IBS Method Using Selenide and Oxide Materials". Ceramics 6, n.º 1 (13 de fevereiro de 2023): 514–24. http://dx.doi.org/10.3390/ceramics6010030.
Texto completo da fonteVasilyeva, Inga G., e Ruslan E. Nikolaev. "Non-stoichiometry and point native defects in non-oxide non-linear optical large single crystals: advantages and problems". CrystEngComm 24, n.º 8 (2022): 1495–506. http://dx.doi.org/10.1039/d1ce01423d.
Texto completo da fontePosthill, J. B., G. C. Xing, G. S. Solomon, K. J. Bachmann e M. L. Timmons. "Phase identification and defect structures in II-IV-V2 heteroepitaxial semiconductor thin films grown on III-V substrates". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 47 (6 de agosto de 1989): 582–83. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100154883.
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Texto completo da fonteRablau, C. I., e N. C. Giles. "Sharp-line luminescence and absorption in ZnGeP2". Journal of Applied Physics 90, n.º 7 (outubro de 2001): 3314–18. http://dx.doi.org/10.1063/1.1399028.
Texto completo da fonteKrivosheeva, A. V., V. L. Shaposhnikov, V. V. Lyskouski, V. E. Borisenko, F. Arnaud d’Avitaya e J. L. Lazzari. "Prospects on Mn-doped ZnGeP2 for spintronics". Microelectronics Reliability 46, n.º 9-11 (setembro de 2006): 1747–49. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2006.08.006.
Texto completo da fonteVerozubova, G. A., A. O. Okunev, A. I. Gribenyukov, A. Yu Trofimiv, E. M. Trukhanov e A. V. Kolesnikov. "Growth and defect structure of ZnGeP2 crystals". Journal of Crystal Growth 312, n.º 8 (abril de 2010): 1122–26. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2009.11.009.
Texto completo da fonteCheng, Jiang, Shifu Zhu, Beijun Zhao, Baojun Chen, Zhiyu He, Qiang Fan e Ting Xu. "Chemical etching orientation of ZnGeP2 single crystals". Journal of Crystal Growth 318, n.º 1 (março de 2011): 729–32. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.11.008.
Texto completo da fonteYang, Yongjuan, Yujun Zhang, Qingtian Gu, Huaijin Zhang e Xutang Tao. "Growth and annealing characterization of ZnGeP2 crystal". Journal of Crystal Growth 318, n.º 1 (março de 2011): 721–24. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.11.039.
Texto completo da fonteShimony, Y., R. Fledman, I. Dahan e G. Kimmel. "Anti-phase domain boundaries in ZnGeP2 (ZGP)". Optical Materials 16, n.º 1-2 (fevereiro de 2001): 119–23. http://dx.doi.org/10.1016/s0925-3467(00)00067-7.
Texto completo da fonteKataev, Yu G., I. A. Bobrovnikova, V. G. Voevodin, E. I. Drigolenko, L. G. Nesteryuk e M. P. Yakubenya. "Preparation and properties of epitaxial ZnGeP2 films". Soviet Physics Journal 31, n.º 4 (abril de 1988): 321–23. http://dx.doi.org/10.1007/bf00892644.
Texto completo da fonteRud’, V. Yu, e Yu V. Rud’. "ZnGeP2 heterocontact with layered III–VI semiconductors". Technical Physics Letters 23, n.º 6 (junho de 1997): 415–16. http://dx.doi.org/10.1134/1.1261718.
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Texto completo da fonteXie, Hu, Bei Jun Zhao, Shi Fu Zhu, Bao Jun Chen, Zhi Yu He, Deng Hui Yang, Wei Huang, Wei Liu e Zhang Rui Zhao. "Characterization and Vertical Elements Distribution of ZnGeP2 Single Crystals". Key Engineering Materials 680 (fevereiro de 2016): 493–97. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.680.493.
Texto completo da fonteGrechin, Sergey G., e Ilyia A. Muravev. "Crystal ZnGeP2 for Nonlinear Frequency Conversion: Physical Parameters, Phase-Matching and Nonlinear Properties: Revision". Photonics 11, n.º 5 (11 de maio de 2024): 450. http://dx.doi.org/10.3390/photonics11050450.
Texto completo da fonteVerozubova, G. A., A. Yu Trofimov, E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov, A. O. Okunev, Yu F. Ivanov, P. R. J. Galtier e S. A. Said Hassani. "Melt nonstoichiometry and defect structure of ZnGeP2 crystals". Crystallography Reports 55, n.º 1 (janeiro de 2010): 65–70. http://dx.doi.org/10.1134/s1063774510010116.
Texto completo da fonteSetzler, S. D., P. G. Schunemann, T. M. Pollak, M. C. Ohmer, J. T. Goldstein, F. K. Hopkins, K. T. Stevens, L. E. Halliburton e N. C. Giles. "Characterization of defect-related optical absorption in ZnGeP2". Journal of Applied Physics 86, n.º 12 (15 de dezembro de 1999): 6677–81. http://dx.doi.org/10.1063/1.371743.
Texto completo da fonteMengyan, P. W., B. B. Baker, R. L. Lichti, K. H. Chow, Y. G. Celebi, K. T. Zawilski e P. G. Schunemann. "Hyperfine spectroscopy and characterization of muonium in ZnGeP2". Physica B: Condensed Matter 404, n.º 23-24 (dezembro de 2009): 5121–24. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.212.
Texto completo da fonteTitov, K. S., e V. N. Brudnyi. "Structure Defects in a Triple Semiconducting Compound ZnGeP2". Russian Physics Journal 57, n.º 1 (maio de 2014): 50–54. http://dx.doi.org/10.1007/s11182-014-0206-x.
Texto completo da fonteBrudnyi, V. N., V. A. Novikov e E. A. Popova. "Electrical and optical properties of electron-irradiated ZnGeP2". Soviet Physics Journal 29, n.º 8 (agosto de 1986): 679–86. http://dx.doi.org/10.1007/bf00894036.
Texto completo da fonteApollonov, V. V., Yu A. Shakir e A. I. Gribenyukov. "Modelling half-cycle pulse generation in ZnGeP2 crystal". Journal of Physics D: Applied Physics 35, n.º 13 (18 de junho de 2002): 1477–80. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/35/13/304.
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