Artigos de revistas sobre o tema "Ultrathin oxides"
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Bec, Romulad B., Andrzej Jakubowsk, Lidia Łukasiak e Michał Korwin-Pawłowski. "Challenges in ultrathin oxide layers formation". Journal of Telecommunications and Information Technology, n.º 1 (30 de março de 2001): 27–34. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2001.1.46.
Texto completo da fonteTaylor, Seth T., John Mardinly e Michael A. O'Keefe. "HRTEM Image Simulations for the Study of Ultrathin Gate Oxides". Microscopy and Microanalysis 8, n.º 5 (outubro de 2002): 412–21. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927602020123.
Texto completo da fonteMorgen, P., A. Bahari, U. Robenhagen, J. F. Andersen, J. K. Hansen, K. Pedersen, M. G. Rao e Z. S. Li. "Roads to ultrathin silicon oxides". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 23, n.º 1 (janeiro de 2005): 201–7. http://dx.doi.org/10.1116/1.1842113.
Texto completo da fonteHuang, Feng, W. J. Liu, J. F. Sullivan, J. A. Barnard e M. L. Weaver. "Room-temperature oxidation of ultrathin TiB2 films". Journal of Materials Research 17, n.º 4 (abril de 2002): 805–13. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2002.0118.
Texto completo da fonteZhu, Jianhui, Jian Jiang, Wei Ai, Zhanxi Fan, Xintang Huang, Hua Zhang e Ting Yu. "Encapsulation of nanoscale metal oxides into an ultra-thin Ni matrix for superior Li-ion batteries: a versatile strategy". Nanoscale 6, n.º 21 (2014): 12990–3000. http://dx.doi.org/10.1039/c4nr03661a.
Texto completo da fonteWang, Kai, Bolong Huang, Weiyu Zhang, Fan Lv, Yi Xing, Wenshu Zhang, Jinhui Zhou et al. "Ultrathin RuRh@(RuRh)O2 core@shell nanosheets as stable oxygen evolution electrocatalysts". Journal of Materials Chemistry A 8, n.º 31 (2020): 15746–51. http://dx.doi.org/10.1039/d0ta03213a.
Texto completo da fonteTing, D. Z. Y. "Tunneling characteristics of nonuniform ultrathin oxides". Applied Physics Letters 73, n.º 19 (9 de novembro de 1998): 2769–71. http://dx.doi.org/10.1063/1.122585.
Texto completo da fonteLobinsky, A. A., e V. I. Popkov. "Ultrathin 2D nanosheets of transition metal (hydro)oxides as prospective materials for energy storage devices: A short review". Electrochemical Materials and Technologies 1, n.º 1 (2022): 20221008. http://dx.doi.org/10.15826/elmattech.2022.1.008.
Texto completo da fonteRotondaro, A. L. Pacheco, R. T. Laaksonen e S. P. Singh. "Impact of the Nitrogen Concentration of Sub-1.3 nm Gate Oxides on 65 nm Technology Transistor Parameters". Journal of Integrated Circuits and Systems 2, n.º 2 (17 de novembro de 2007): 63–66. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v2i2.265.
Texto completo da fonteChari, K. S., e S. Kar. "Interface Characteristics of Metal‐Oxide‐Semiconductor Capacitors with Ultrathin Oxides". Journal of The Electrochemical Society 138, n.º 7 (1 de julho de 1991): 2046–49. http://dx.doi.org/10.1149/1.2085921.
Texto completo da fonteTing, D. Z. Y., Erik S. Daniel e T. C. Mcgill. "Interface Roughness Effects in Ultra-Thin Tunneling Oxides". VLSI Design 8, n.º 1-4 (1 de janeiro de 1998): 47–51. http://dx.doi.org/10.1155/1998/23567.
Texto completo da fonteChoi, B. D., e D. K. Schroder. "Degradation of ultrathin oxides by iron contamination". Applied Physics Letters 79, n.º 16 (15 de outubro de 2001): 2645–47. http://dx.doi.org/10.1063/1.1410363.
Texto completo da fonteDonggun Park e Chenming Hu. "Plasma charging damage on ultrathin gate oxides". IEEE Electron Device Letters 19, n.º 1 (janeiro de 1998): 1–3. http://dx.doi.org/10.1109/55.650333.
Texto completo da fonteWen, H. J., e R. Ludeke. "Localized degradation studies of ultrathin gate oxides". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 16, n.º 3 (maio de 1998): 1735–40. http://dx.doi.org/10.1116/1.581293.
Texto completo da fonteEng, J., R. L. Opila, J. M. Rosamilia, B. J. Sapjeta, Y. J. Chabal, T. Boone, R. Masaitis, Thomas Sorsch e Martin L. Green. "The Evolution of Chemical Oxides Into Ultrathin Oxides: A Spectroscopic Characterization". Solid State Phenomena 76-77 (janeiro de 2001): 145–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.76-77.145.
Texto completo da fonteTakeda, Mikako, Takeshi Ohwaki, Hideo Fujii, Eisuke Kusumoto, Yoshiyuki Kaihara, Yoshizo Takai e Ryuichi Shimizu. "Influence of Native Oxides on the Reliability of Ultrathin Gate Oxide". Japanese Journal of Applied Physics 37, Part 1, No. 2 (15 de fevereiro de 1998): 397–401. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.37.397.
Texto completo da fonteHamed, Mai Hussein, David N. Mueller e Martina Müller. "Thermal phase design of ultrathin magnetic iron oxide films: from Fe3O4 to γ-Fe2O3 and FeO". Journal of Materials Chemistry C 8, n.º 4 (2020): 1335–43. http://dx.doi.org/10.1039/c9tc05921k.
Texto completo da fonteHardy, An, Sven Van Elshocht, Jan D’Haen, Olivier Douhéret, Stefan De Gendt, Christoph Adelmann, Matty Caymax et al. "Aqueous chemical solution deposition of ultrathin lanthanide oxide dielectric films". Journal of Materials Research 22, n.º 12 (dezembro de 2007): 3484–93. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2007.0433.
Texto completo da fonteLiao, Zhaoliang, e Jiandi Zhang. "Metal-to-Insulator Transition in Ultrathin Manganite Heterostructures". Applied Sciences 9, n.º 1 (3 de janeiro de 2019): 144. http://dx.doi.org/10.3390/app9010144.
Texto completo da fonteChen, Zongkun, Minghua Huang e Helmut Cölfen. "Synthesis of ultrathin metal oxide and hydroxide nanosheets using formamide in water at room temperature". CrystEngComm 23, n.º 21 (2021): 3794–801. http://dx.doi.org/10.1039/d1ce00277e.
Texto completo da fonteFukuda, Masatoshi, Wataru Mizubayashi, Atsushi Kohno, Seiichi Miyazaki e Masataka Hirose. "Analysis of Tunnel Current through Ultrathin Gate Oxides". Japanese Journal of Applied Physics 37, Part 2, No. 12B (15 de dezembro de 1998): L1534—L1536. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.37.l1534.
Texto completo da fonteChen, C. C., C. Y. Chang, C. H. Chien, T. Y. Huang, H. C. Lin e M. S. Liang. "Temperature-accelerated dielectric breakdown in ultrathin gate oxides". Applied Physics Letters 74, n.º 24 (14 de junho de 1999): 3708–10. http://dx.doi.org/10.1063/1.123228.
Texto completo da fonteHori, Takashi, Hiroshi Iwasaki, Takuichi Ohmura, Atsuko Samizo, Minoru Sato e Yoshiaki Yoshioka. "Compositional study of ultrathin rapidly reoxidized nitrided oxides". Journal of Applied Physics 65, n.º 2 (15 de janeiro de 1989): 629–35. http://dx.doi.org/10.1063/1.343095.
Texto completo da fonteHattori, Takeo, Hiroshi Nohira e Kensuke Takahashi. "The initial growth steps of ultrathin gate oxides". Microelectronic Engineering 48, n.º 1-4 (setembro de 1999): 17–24. http://dx.doi.org/10.1016/s0167-9317(99)00329-9.
Texto completo da fonteContaret, T., G. Ghibaudo, A. Ferron e F. Bœuf. "Excess drain noise simulation in ultrathin oxides MOSFETs". Journal of Computational Electronics 5, n.º 2-3 (julho de 2006): 187–92. http://dx.doi.org/10.1007/s10825-006-8842-1.
Texto completo da fonteZander, D., F. Saigne, C. Petit e A. Meinertzhagen. "Electrical stress effects on ultrathin (2.3 nm) oxides". Journal of Non-Crystalline Solids 280, n.º 1-3 (fevereiro de 2001): 86–91. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-3093(00)00393-8.
Texto completo da fonteChang, Chun-Yen, Chi-Chun Chen, Horng-Chih Lin, Mong-Song Liang, Chao-Hsin Chien e Tiao-Yuan Huang. "Reliability of ultrathin gate oxides for ULSI devices". Microelectronics Reliability 39, n.º 5 (maio de 1999): 553–66. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(99)00037-2.
Texto completo da fonteGiustino, Feliciano, e Alfredo Pasquarello. "Infrared properties of ultrathin oxides on Si(100)". Microelectronic Engineering 80 (junho de 2005): 420–23. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2005.04.025.
Texto completo da fonteZhang, Xinyu, Yongwei Wang, Fenghua Cheng, Zhiping Zheng e Yaping Du. "Ultrathin lanthanide oxides nanomaterials: synthesis, properties and applications". Science Bulletin 61, n.º 18 (setembro de 2016): 1422–34. http://dx.doi.org/10.1007/s11434-016-1155-2.
Texto completo da fonteVereecke, G., E. Röhr, R. J. Carter, T. Conard, H. De Witte e M. M. Heyns. "Investigation of fluorine in dry ultrathin silicon oxides". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 19, n.º 6 (2001): 2108. http://dx.doi.org/10.1116/1.1414050.
Texto completo da fonteCellere, G., L. Larcher, M. G. Valentini e A. Paccagnella. "Micro breakdown in small-area ultrathin gate oxides". IEEE Transactions on Electron Devices 49, n.º 8 (agosto de 2002): 1367–74. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2002.801443.
Texto completo da fonteLundgren, P., M. O. Andersson, K. R. Farmer e O. Engström. "Electrical instability of ultrathin thermal oxides on silicon". Microelectronic Engineering 28, n.º 1-4 (junho de 1995): 67–70. http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(95)00017-3.
Texto completo da fonteWu, E. Y., D. L. Harmon e Liang-Kai Han. "Interrelationship of voltage and temperature dependence of oxide breakdown for ultrathin oxides". IEEE Electron Device Letters 21, n.º 7 (julho de 2000): 362–64. http://dx.doi.org/10.1109/55.847381.
Texto completo da fonteChen, Ming-Jer, Ting-Kuo Kang, Chuan-Hsi Liu, Yih J. Chang e Kuan-Yu Fu. "Oxide thinning percolation statistical model for soft breakdown in ultrathin gate oxides". Applied Physics Letters 77, n.º 4 (24 de julho de 2000): 555–57. http://dx.doi.org/10.1063/1.127042.
Texto completo da fonteBruyère, S., F. Guyader, W. De Coster, E. Vincent, M. Saadeddine, N. Revil e G. Ghibaudo. "Wet or dry ultrathin oxides: impact on gate oxide and device reliability". Microelectronics Reliability 40, n.º 4-5 (abril de 2000): 691–95. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(99)00273-5.
Texto completo da fonteLin, M.-T., R. J. Jaccodine e T. J. Delph. "Planar oxidation of strained silicon substrates". Journal of Materials Research 16, n.º 3 (março de 2001): 728–33. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2001.0112.
Texto completo da fontevon Bardeleben, Hans Jürgen, J. L. Cantin, I. Vickridge, Yong Wei Song, S. Dhar, Leonard C. Feldman, John R. Williams et al. "Modification of the Oxide/Semiconductor Interface by High Temperature NO Treatments: A Combined EPR, NRA and XPS Study on Oxidized Porous and Bulk n-Type 4H-SiC". Materials Science Forum 483-485 (maio de 2005): 277–80. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.277.
Texto completo da fonteSUÑE, JORDI, DAVID JIMENEZ e ENRIQUE MIRANDA. "BREAKDOWN MODES AND BREAKDOWN STATISTICS OF ULTRATHIN SiO2 GATE OXIDES". International Journal of High Speed Electronics and Systems 11, n.º 03 (setembro de 2001): 789–848. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156401001003.
Texto completo da fonteGao, Xinlong, Wenhui Shi, Pengchao Ruan, Jinxiu Feng, Dong Zheng, Linhai Yu, Min Xue et al. "Ultrathin carbon boosted sodium storage performance in aqueous electrolyte". Functional Materials Letters 13, n.º 05 (julho de 2020): 2030002. http://dx.doi.org/10.1142/s1793604720300029.
Texto completo da fonteIstomin, A. V., e S. G. Kolyshev. "ELECTROSTATIC METHOD OF FORMING ULTRATHIN FIBERS OF REFRACTORY OXIDES". «Aviation Materials and Technologies», n.º 2 (2019): 40–46. http://dx.doi.org/10.18577/2071-9140-2019-0-2-40-46.
Texto completo da fonteVereecke, Guy, Erika Röhr, R. J. Carter, Thierry Conard, H. De Witte e Marc M. Heyns. "The Origins of Fluorine in Dry Ultrathin Silicon Oxides". Solid State Phenomena 76-77 (janeiro de 2001): 153–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.76-77.153.
Texto completo da fonteArienzo, Maurizio, Leonello Dori e Thomas N. Szabo. "Effect of post‐oxidation anneal on ultrathin SiO2gate oxides". Applied Physics Letters 49, n.º 16 (20 de outubro de 1986): 1040–42. http://dx.doi.org/10.1063/1.97465.
Texto completo da fonteOellig, Eva M., E. G. Michel, M. C. Asensio e R. Miranda. "Ultrathin gate oxides formed by catalytic oxidation of silicon". Applied Physics Letters 50, n.º 23 (8 de junho de 1987): 1660–62. http://dx.doi.org/10.1063/1.97760.
Texto completo da fonteLiao, Wei-Jian, Yi-Lin Yang, Shun-Cheng Chuang e Jenn-Gwo Hwu. "Growth-Then-Anodization Technique for Reliable Ultrathin Gate Oxides". Journal of The Electrochemical Society 151, n.º 9 (2004): G549. http://dx.doi.org/10.1149/1.1783907.
Texto completo da fonteFair, Richard B. "Physical Models of Boron Diffusion in Ultrathin Gate Oxides". Journal of The Electrochemical Society 144, n.º 2 (1 de fevereiro de 1997): 708–17. http://dx.doi.org/10.1149/1.1837473.
Texto completo da fonteThompson, W. Howard, Zain Yamani, Laila AbuHassan, Osman Gurdal e Munir Nayfeh. "The effect of ultrathin oxides on luminescent silicon nanocrystallites". Applied Physics Letters 73, n.º 6 (10 de agosto de 1998): 841–43. http://dx.doi.org/10.1063/1.122019.
Texto completo da fonteMadsen, Jon M., Zhenjiang Cui e Christos G. Takoudis. "Low temperature oxidation of SiGe in ozone: Ultrathin oxides". Journal of Applied Physics 87, n.º 4 (15 de fevereiro de 2000): 2046–51. http://dx.doi.org/10.1063/1.372134.
Texto completo da fonteMukhopadhyay, M., S. K. Ray, D. K. Nayak e C. K. Maiti. "Ultrathin oxides using N2O on strained Si1−xGex layers". Applied Physics Letters 68, n.º 9 (26 de fevereiro de 1996): 1262–64. http://dx.doi.org/10.1063/1.115946.
Texto completo da fontePennetta, C., L. Reggiani e Gy Trefán. "A percolative model of soft breakdown in ultrathin oxides". Physica B: Condensed Matter 314, n.º 1-4 (março de 2002): 400–403. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-4526(01)01408-9.
Texto completo da fonteBeck, Romuald B. "Formation of ultrathin silicon oxides—modeling and technological constraints". Materials Science in Semiconductor Processing 6, n.º 1-3 (fevereiro de 2003): 49–57. http://dx.doi.org/10.1016/s1369-8001(03)00071-4.
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