Artigos de revistas sobre o tema "Technologie III-V"
Crie uma referência precisa em APA, MLA, Chicago, Harvard, e outros estilos
Veja os 50 melhores artigos de revistas para estudos sobre o assunto "Technologie III-V".
Ao lado de cada fonte na lista de referências, há um botão "Adicionar à bibliografia". Clique e geraremos automaticamente a citação bibliográfica do trabalho escolhido no estilo de citação de que você precisa: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.
Você também pode baixar o texto completo da publicação científica em formato .pdf e ler o resumo do trabalho online se estiver presente nos metadados.
Veja os artigos de revistas das mais diversas áreas científicas e compile uma bibliografia correta.
Perret, C., C. Lallement e A. Belleville. "Le Moulinet d'hydrométrie à axe horizontal à travers l'expérience française. Quel avenir pour cette technique ?" La Houille Blanche, n.º 5-6 (outubro de 2018): 75–86. http://dx.doi.org/10.1051/lhb/2018054.
Texto completo da fonteČULÍK, J., V. KELLNER, B. ŠPINAR, J. PROKEŠ e G. BASAŘOVÁ. "Volatile N-nitrosamines in malt. III. Effect of barley germination on the formation of natural precursors of N-nitrosodimethylamine in green malt and final malt." Kvasny Prumysl 36, n.º 6 (1 de junho de 1990): 162–65. http://dx.doi.org/10.18832/kp1990020.
Texto completo da fonteKawanami, H. "Heteroepitaxial technologies of III–V on Si". Solar Energy Materials and Solar Cells 66, n.º 1-4 (fevereiro de 2001): 479–86. http://dx.doi.org/10.1016/s0927-0248(00)00209-9.
Texto completo da fonteDutta, Nlloy K. "III-V Device Technologies for Lightwave Applications". AT&T Technical Journal 68, n.º 1 (2 de janeiro de 1989): 5–18. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00642.x.
Texto completo da fonteShah, Nitin J., e Shin-Shem Pei. "III-V Device Technologies for Electronic Applications". AT&T Technical Journal 68, n.º 1 (2 de janeiro de 1989): 19–28. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00643.x.
Texto completo da fonteTakagi, S., R. Zhang, S. H. Kim, M. Yokoyama e M. Takenaka. "(Invited) Performance Enhancement Technologies in III-V/Ge MOSFETs". ECS Transactions 58, n.º 9 (31 de agosto de 2013): 137–48. http://dx.doi.org/10.1149/05809.0137ecst.
Texto completo da fonteHeinecke, Harald, e Eberhard Veuhoff. "Evaluation of III–V growth technologies for optoelectronic applications". Materials Science and Engineering: B 21, n.º 2-3 (novembro de 1993): 120–29. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(93)90334-j.
Texto completo da fonteRaj, Vidur, Tuomas Haggren, Wei Wen Wong, Hark Hoe Tan e Chennupati Jagadish. "Topical review: pathways toward cost-effective single-junction III–V solar cells". Journal of Physics D: Applied Physics 55, n.º 14 (3 de dezembro de 2021): 143002. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac3aa9.
Texto completo da fonteCaimi, D., H. Schmid, T. Morf, P. Mueller, M. Sousa, K. E. Moselund e C. B. Zota. "III-V-on-Si transistor technologies: Performance boosters and integration". Solid-State Electronics 185 (novembro de 2021): 108077. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2021.108077.
Texto completo da fonteTakagi, S., M. Kim, M. Noguchi, K. Nishi e M. Takenaka. "(Invited) Tunneling FET Technologies Using III-V and Ge Materials". ECS Transactions 69, n.º 10 (2 de outubro de 2015): 99–108. http://dx.doi.org/10.1149/06910.0099ecst.
Texto completo da fonteTakagi, S., e M. Takenaka. "(Invited) III-V/Ge MOS Transistor Technologies for Future ULSI". ECS Transactions 54, n.º 1 (28 de junho de 2013): 39–54. http://dx.doi.org/10.1149/05401.0039ecst.
Texto completo da fonteTomioka, Katsuhiro, Hironori Gamo e Junichi Motohisa. "(Invited) Vertical Tunnel FET Technologies Using III-V/Si Heterojunction". ECS Transactions 92, n.º 4 (3 de julho de 2019): 71–78. http://dx.doi.org/10.1149/09204.0071ecst.
Texto completo da fonteNedelcu, Alexandru, Cyrille Bonvalot, Rachid Taalat, Jérôme Fantini, Thierry Colin, Philippe Muller, Odile Huet et al. "III-V detector technologies at Sofradir: Dealing with image quality". Infrared Physics & Technology 94 (novembro de 2018): 273–79. http://dx.doi.org/10.1016/j.infrared.2018.09.027.
Texto completo da fonteTongesayi, Tsanangurayi, e Ronald B. Smart. "Arsenic Speciation: Reduction of Arsenic(V) to Arsenic(III) by Fulvic Acid". Environmental Chemistry 3, n.º 2 (2006): 137. http://dx.doi.org/10.1071/en05095.
Texto completo da fonteCHANG, M. F., e P. M. ASBECK. "III-V HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS FOR HIGH-SPEED APPLICATIONS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 01, n.º 03n04 (setembro de 1990): 245–301. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156490000137.
Texto completo da fonteTakagi, Shinichi, Rui Zhang, Junkyo Suh, Sang-Hyeon Kim, Masafumi Yokoyama, Koichi Nishi e Mitsuru Takenaka. "III–V/Ge channel MOS device technologies in nano CMOS era". Japanese Journal of Applied Physics 54, n.º 6S1 (7 de maio de 2015): 06FA01. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.06fa01.
Texto completo da fonteKAMIMURA, Ryuichiro, e Kanji FURUTA. "Dry Etching Technologies of Optical Device and III-V Compound Semiconductors". IEICE Transactions on Electronics E100.C, n.º 2 (2017): 150–55. http://dx.doi.org/10.1587/transele.e100.c.150.
Texto completo da fonteTakagi, S., C. Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke, J. H. Han e M. Takenaka. "(Invited) MOS Interface Control Technologies for Advanced III-V/ Ge Devices". ECS Transactions 69, n.º 5 (2 de outubro de 2015): 37–51. http://dx.doi.org/10.1149/06905.0037ecst.
Texto completo da fonteTakagi, Shinichi, Rui Zhang, Takuya Hoshii, Noriyuki Taoka e Mitsuru Takenaka. "(Invited) MOS Interface Control Technologies for III-V/Ge Channel MOSFETs". ECS Transactions 41, n.º 3 (16 de dezembro de 2019): 3–20. http://dx.doi.org/10.1149/1.3633015.
Texto completo da fonteTakagi, Shinichi, Masafumi Yokoyama, Sang-Hyeon Kim, Rui Zhang e Mitsuru Takenaka. "(Invited) Device and Integration Technologies of III-V/Ge Channel CMOS". ECS Transactions 41, n.º 7 (16 de dezembro de 2019): 203–18. http://dx.doi.org/10.1149/1.3633300.
Texto completo da fonteTakagi, Shinichi, Dae-Hwan Ahn, Munetaka Noguchi, Sanghee Yoon, Takahiro Gotow, Koichi Nishi, Minsoo Kim et al. "(Invited) Low Power Tunneling FET Technologies Using Ge/III-V Materials". ECS Transactions 80, n.º 4 (1 de agosto de 2017): 115–24. http://dx.doi.org/10.1149/08004.0115ecst.
Texto completo da fonteTakagi, S., M. Noguchi, M. Kim, S. H. Kim, C. Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke e M. Takenaka. "III-V/Ge MOS device technologies for low power integrated systems". Solid-State Electronics 125 (novembro de 2016): 82–102. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2016.07.002.
Texto completo da fonteHeyns, Marc M., Marc M. Meuris e Matty R. Caymax. "Ge and III/V as Enabling Materials for Future CMOS Technologies". ECS Transactions 3, n.º 7 (21 de dezembro de 2019): 511–18. http://dx.doi.org/10.1149/1.2355848.
Texto completo da fonteDautremont-Smith, William C., R. J. McCoy, Randolph H. Burton e Albert G. Baca. "Fabrication Technologies for III-V Compound Semiconductor Photonic and Electronic Devices". AT&T Technical Journal 68, n.º 1 (2 de janeiro de 1989): 64–82. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00647.x.
Texto completo da fonteZeng, Cong, Donghui Fu, Yunjiang Jin e Yu Han. "Recent Progress in III–V Photodetectors Grown on Silicon". Photonics 10, n.º 5 (14 de maio de 2023): 573. http://dx.doi.org/10.3390/photonics10050573.
Texto completo da fonteKühn, G. "Landolt-Börnstein. Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenschaften und Technik, Neue Serie, Gruppe III: Kristall- und Festkörperphysik Bd. 17: Halbleiter, Teilband d: Technologie von III—V, II—VI und nicht-tetraedrisch gebundenen Verbindungen. Herausgegeben von M. Schulz und H. Weiss. Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo, 429 Seiten, 446 Abbildungen, zahlreiche Tabellen und Literaturzitate. Preis: DM 750.00. ISBN 3–540–11779–2". Crystal Research and Technology 20, n.º 7 (julho de 1985): 898. http://dx.doi.org/10.1002/crat.2170200705.
Texto completo da fonteSimon, John, Kevin Schulte, Kelsey Horowitz, Timothy Remo, David Young e Aaron Ptak. "III-V-Based Optoelectronics with Low-Cost Dynamic Hydride Vapor Phase Epitaxy". Crystals 9, n.º 1 (20 de dezembro de 2018): 3. http://dx.doi.org/10.3390/cryst9010003.
Texto completo da fonteLan, Luis E., Fernando D. Reina, Graciela E. De Seta, Jorge M. Meichtry e Marta I. Litter. "Comparison between Different Technologies (Zerovalent Iron, Coagulation-Flocculation, Adsorption) for Arsenic Treatment at High Concentrations". Water 15, n.º 8 (11 de abril de 2023): 1481. http://dx.doi.org/10.3390/w15081481.
Texto completo da fonteAkram, Sabahat, Hajra Faraqat e Saadia Bano Hashmi. "Examining the Impact of Information and Communication Technologies on Female Economic Participation in Pakistan". Global Economics Review V, n.º III (30 de setembro de 2020): 118–30. http://dx.doi.org/10.31703/ger.2020(v-iii).11.
Texto completo da fonteTakagi, S., M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Zhang, R. Suzuki, N. Taoka e M. Takenaka. "(Invited) III-V/Ge CMOS Device Technologies for High Performance Logic Applications". ECS Transactions 53, n.º 3 (2 de maio de 2013): 85–96. http://dx.doi.org/10.1149/05303.0085ecst.
Texto completo da fonteZhao, Lixia. "Studies of III-V Semiconductor Materials and Devices Using Different Analytical Technologies". Journal of Surface Analysis 26, n.º 2 (2019): 136–37. http://dx.doi.org/10.1384/jsa.26.136.
Texto completo da fonteClaeys, C., P.-C. Hsu, L. He, Y. Mols, R. Langer, N. Waldron, G. Eneman, N. Collaert, M. Heyns e E. Simoen. "Are Extended Defects a Show Stopper for Future III-V CMOS Technologies". Journal of Physics: Conference Series 1190 (maio de 2019): 012001. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1190/1/012001.
Texto completo da fonteTakagi, S., S. H. Kim, M. Yokoyama, R. Zhang, N. Taoka, Y. Urabe, T. Yasuda et al. "High mobility CMOS technologies using III–V/Ge channels on Si platform". Solid-State Electronics 88 (outubro de 2013): 2–8. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2013.04.020.
Texto completo da fonteKerio, Ghulam Ali, Naimatullah Keeryo e Anjum Bano Kazimi. "A Qualitative Study on Classroom Management of Undergraduate Students: A Case of Information Technologies Class". Global Regional Review V, n.º III (30 de setembro de 2020): 91–100. http://dx.doi.org/10.31703/grr.2020(v-iii).10.
Texto completo da fonteWattoo, Rashid Minas, Muhammad Latif e Namra Munir. "Information Communication Technologies Hauling Out University Students' Effective Learning during COVID-19: A Qualitative Study". Global Social Sciences Review V, n.º III (30 de setembro de 2020): 351–57. http://dx.doi.org/10.31703/gssr.2020(v-iii).37.
Texto completo da fonteSeo, Jung-Hun. "Editorial for the Special Issue on Wide Bandgap Semiconductor Based Micro/Nano Devices". Micromachines 10, n.º 3 (26 de março de 2019): 213. http://dx.doi.org/10.3390/mi10030213.
Texto completo da fonteBrennan, B., S. McDonnell, D. Zhernokletov, H. Dong, C. L. Hinkle, J. Kim e R. M. Wallace. "In Situ Studies of III-V Surfaces and High-K Atomic Layer Deposition". Solid State Phenomena 195 (dezembro de 2012): 90–94. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.195.90.
Texto completo da fonteDu, Yong, Buqing Xu, Guilei Wang, Yuanhao Miao, Ben Li, Zhenzhen Kong, Yan Dong, Wenwu Wang e Henry H. Radamson. "Review of Highly Mismatched III-V Heteroepitaxy Growth on (001) Silicon". Nanomaterials 12, n.º 5 (22 de fevereiro de 2022): 741. http://dx.doi.org/10.3390/nano12050741.
Texto completo da fonteTakenaka, Mitsuru, e Shinichi Takagi. "III-V/Ge Device Engineering for CMOS Photonics". Materials Science Forum 783-786 (maio de 2014): 2028–33. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.783-786.2028.
Texto completo da fonteGAO, GUANG-BO, S. NOOR MOHAMMAND, GREGORY A. MARTIN e HADIS MORKOÇ. "FUNDAMENTALS, PERFORMANCE AND RELIABILITY OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 06, n.º 01 (março de 1995): 1–89. http://dx.doi.org/10.1142/s012915649500002x.
Texto completo da fonteMuhammad, Rehan, Shahid Nawaz e Muhammad Hammad Hussain Shah. "Teachers' Perceptions about the Use of Information Communication Technologies (ICTs) in Second Language Learning at Higher Secondary Level". Global Mass Communication Review V, n.º III (30 de setembro de 2020): 164–74. http://dx.doi.org/10.31703/gmcr.2020(v-iii).14.
Texto completo da fonteYoon, Jongseung. "III-V Nanomembranes for High Performance, Cost-Competitive Photovoltaics". MRS Advances 2, n.º 30 (2017): 1591–96. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.139.
Texto completo da fonteBerd, David, Takami Sato, Henry C. Maguire, John Kairys e Michael J. Mastrangelo. "Immunopharmacologic Analysis of an Autologous, Hapten-Modified Human Melanoma Vaccine". Journal of Clinical Oncology 22, n.º 3 (1 de fevereiro de 2004): 403–15. http://dx.doi.org/10.1200/jco.2004.06.043.
Texto completo da fonteKong, Shu Qiong, Yan Xin Wang, Cheng Wang, Li Ling Jin, Ming Liang Liu e Mei Yu. "Nanoscale Iron-Manganese Binary Oxide for As(III) Removal in Synthesized Groundwater". Applied Mechanics and Materials 319 (maio de 2013): 209–12. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.319.209.
Texto completo da fonteFeng, Qi, Wenqi Wei, Bin Zhang, Hailing Wang, Jianhuan Wang, Hui Cong, Ting Wang e Jianjun Zhang. "O-Band and C/L-Band III-V Quantum Dot Lasers Monolithically Grown on Ge and Si Substrate". Applied Sciences 9, n.º 3 (23 de janeiro de 2019): 385. http://dx.doi.org/10.3390/app9030385.
Texto completo da fonteJi, Chunnuan, Rongjun Qu, Qinghua Tang, Xiguang Liu, Hou Chen, Changmei Sun e Peng Yin. "Removal of trace As(V) from aqueous solution by Fe(III)-loaded porous amidoximated polyacrylonitrile". Water Supply 16, n.º 6 (18 de maio de 2016): 1603–13. http://dx.doi.org/10.2166/ws.2016.085.
Texto completo da fonteXi, Jianhong, e Mengchang He. "Removal of Sb(III) and Sb(V) from aqueous media by goethite". Water Quality Research Journal 48, n.º 3 (1 de agosto de 2013): 223–31. http://dx.doi.org/10.2166/wqrjc.2013.030.
Texto completo da fonteNayak, Bishwajit, Md Amir Hossain, Mrinal Kumar Sengupta, Saad Ahamed, Bhaskar Das, Arup Pal e Amitava Mukherjee. "Adsorption Studies with Arsenic onto Ferric Hydroxide Gel in a Non-oxidizing Environment: the Effect of Co-occurring Solutes and Speciation". Water Quality Research Journal 41, n.º 3 (1 de agosto de 2006): 333–40. http://dx.doi.org/10.2166/wqrj.2006.037.
Texto completo da fonteLiu, Chun Tong, Li Bing, Wang Tao e Hong Cai Li. "Key Technologies Research of New Generation Concentrating Photovoltaic". Advanced Materials Research 724-725 (agosto de 2013): 171–75. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.724-725.171.
Texto completo da fonteBakkers, Erik P. A. M., Magnus T. Borgström e Marcel A. Verheijen. "Epitaxial Growth of III-V Nanowires on Group IV Substrates". MRS Bulletin 32, n.º 2 (fevereiro de 2007): 117–22. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2007.43.
Texto completo da fonte