Artigos de revistas sobre o tema "Mott materials"
Crie uma referência precisa em APA, MLA, Chicago, Harvard, e outros estilos
Veja os 50 melhores artigos de revistas para estudos sobre o assunto "Mott materials".
Ao lado de cada fonte na lista de referências, há um botão "Adicionar à bibliografia". Clique e geraremos automaticamente a citação bibliográfica do trabalho escolhido no estilo de citação de que você precisa: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.
Você também pode baixar o texto completo da publicação científica em formato .pdf e ler o resumo do trabalho online se estiver presente nos metadados.
Veja os artigos de revistas das mais diversas áreas científicas e compile uma bibliografia correta.
Kiffner, Martin, Jonathan Coulthard, Frank Schlawin, Arzhang Ardavan e Dieter Jaksch. "Mott polaritons in cavity-coupled quantum materials". New Journal of Physics 21, n.º 7 (31 de julho de 2019): 073066. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/ab31c7.
Texto completo da fonteFurukawa, Tetsuya, Kazuya Miyagawa, Hiromi Taniguchi, Reizo Kato e Kazushi Kanoda. "Quantum criticality of Mott transition in organic materials". Nature Physics 11, n.º 3 (9 de fevereiro de 2015): 221–24. http://dx.doi.org/10.1038/nphys3235.
Texto completo da fonteFeng, Dong-Lai. "Mott physics — one of main themes in quantum materials". Acta Physica Sinica 72, n.º 23 (2023): 237101. http://dx.doi.org/10.7498/aps.72.20231508.
Texto completo da fonteWang, Yue, Kyung-Mun Kang, Minjae Kim, Hong-Sub Lee, Rainer Waser, Dirk Wouters, Regina Dittmann, J. Joshua Yang e Hyung-Ho Park. "Mott-transition-based RRAM". Materials Today 28 (setembro de 2019): 63–80. http://dx.doi.org/10.1016/j.mattod.2019.06.006.
Texto completo da fonteInoue, Isao H., e Marcelo J. Rozenberg. "Taming the Mott Transition for a Novel Mott Transistor". Advanced Functional Materials 18, n.º 16 (22 de agosto de 2008): 2289–92. http://dx.doi.org/10.1002/adfm.200800558.
Texto completo da fonteGavrichkov, Vladimir A. "A simple metal–insulator criterion for the doped Mott–Hubbard materials". Solid State Communications 208 (abril de 2015): 11–14. http://dx.doi.org/10.1016/j.ssc.2015.02.014.
Texto completo da fonteTan, Yuting, Vladimir Dobrosavljević e Louk Rademaker. "How to Recognize the Universal Aspects of Mott Criticality?" Crystals 12, n.º 7 (30 de junho de 2022): 932. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12070932.
Texto completo da fonteBrandow, Baird. "The physics of Mott electron localization". Journal of Alloys and Compounds 181, n.º 1-2 (abril de 1992): 377–96. http://dx.doi.org/10.1016/0925-8388(92)90334-6.
Texto completo da fonteLaGasse, Samuel W., Prathamesh Dhakras, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi e Ji Ung Lee. "Schottky-Mott Limit: Gate-Tunable Graphene-WSe2 Heterojunctions at the Schottky-Mott Limit (Adv. Mater. 24/2019)". Advanced Materials 31, n.º 24 (junho de 2019): 1970169. http://dx.doi.org/10.1002/adma.201970169.
Texto completo da fonteH�fner, S. "Mott insulation in transition metal compounds". Zeitschrift f�r Physik B Condensed Matter 61, n.º 2 (junho de 1985): 135–38. http://dx.doi.org/10.1007/bf01307767.
Texto completo da fonteCuono, Giuseppe, e Carmine Autieri. "Mott Insulator Ca2RuO4 under External Electric Field". Materials 15, n.º 19 (26 de setembro de 2022): 6657. http://dx.doi.org/10.3390/ma15196657.
Texto completo da fontePorai-Koshits, E. A. "Recipient of the 1988 Mott Award". Journal of Non-Crystalline Solids 111, n.º 1 (setembro de 1989): v. http://dx.doi.org/10.1016/0022-3093(89)90413-4.
Texto completo da fonteEric Spear, Walter, e Robert A. Weeks. "Recipient of the 1989 Mott award". Journal of Non-Crystalline Solids 124, n.º 2-3 (outubro de 1990): i. http://dx.doi.org/10.1016/0022-3093(90)90250-p.
Texto completo da fonteLashley, J. C., K. Gofryk, B. Mihaila, J. L. Smith e E. K. H. Salje. "Thermal avalanches near a Mott transition". Journal of Physics: Condensed Matter 26, n.º 3 (18 de dezembro de 2013): 035701. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/26/3/035701.
Texto completo da fonteHuda, Muhammad N., Mowafak M. Al-Jassim e John A. Turner. "Mott insulators: An early selection criterion for materials for photoelectrochemical H2 production". Journal of Renewable and Sustainable Energy 3, n.º 5 (setembro de 2011): 053101. http://dx.doi.org/10.1063/1.3637367.
Texto completo da fontePesin, Dmytro, e Leon Balents. "Mott physics and band topology in materials with strong spin–orbit interaction". Nature Physics 6, n.º 5 (21 de março de 2010): 376–81. http://dx.doi.org/10.1038/nphys1606.
Texto completo da fonteScheiderer, Philipp, Matthias Schmitt, Judith Gabel, Michael Zapf, Martin Stübinger, Philipp Schütz, Lenart Dudy et al. "Tailoring Materials for Mottronics: Excess Oxygen Doping of a Prototypical Mott Insulator". Advanced Materials 30, n.º 25 (7 de maio de 2018): 1706708. http://dx.doi.org/10.1002/adma.201706708.
Texto completo da fontePollak, Michael. "Electrons in Anderson–Mott insulators". European Physical Journal Special Topics 227, n.º 15-16 (28 de janeiro de 2019): 2221–40. http://dx.doi.org/10.1140/epjst/e2018-800055-9.
Texto completo da fonteNichols, Matthew A., Lawrence W. Cheuk, Melih Okan, Thomas R. Hartke, Enrique Mendez, T. Senthil, Ehsan Khatami, Hao Zhang e Martin W. Zwierlein. "Spin transport in a Mott insulator of ultracold fermions". Science 363, n.º 6425 (6 de dezembro de 2018): 383–87. http://dx.doi.org/10.1126/science.aat4387.
Texto completo da fonteRajbhandari, A., K. Manandhar e R. R. Pradhananga. "Mott-Schottky Analysis of Laboratory Prepared Ag2S-AgI Membrane Electrode". Journal of Nepal Chemical Society 28 (23 de maio de 2013): 89–93. http://dx.doi.org/10.3126/jncs.v28i0.8113.
Texto completo da fonteZheng, Ming, e Pengfei Guan. "Coupled straintronic–optoelectronic effect in Mott oxide films". Nanoscale 14, n.º 14 (2022): 5545–50. http://dx.doi.org/10.1039/d2nr01099b.
Texto completo da fonteMarianetti, C. A., G. Kotliar e G. Ceder. "A first-order Mott transition in LixCoO2". Nature Materials 3, n.º 9 (22 de agosto de 2004): 627–31. http://dx.doi.org/10.1038/nmat1178.
Texto completo da fonteManuel, L. O., C. J. Gazza, A. E. Feiguin e A. E. Trumper. "The spectral function for Mott insulating surfaces". Journal of Physics: Condensed Matter 15, n.º 17 (22 de abril de 2003): 2435–40. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/15/17/301.
Texto completo da fonteCasado, J. M., J. H. Harding e G. J. Hyland. "Small-polaron hopping in Mott-insulating UO2". Journal of Physics: Condensed Matter 6, n.º 25 (20 de junho de 1994): 4685–98. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/6/25/007.
Texto completo da fonteStefanovich, G., A. Pergament e D. Stefanovich. "Electrical switching and Mott transition in VO2". Journal of Physics: Condensed Matter 12, n.º 41 (26 de setembro de 2000): 8837–45. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/12/41/310.
Texto completo da fonteLogan, David E., Martin R. Galpin e Jonathan Mannouch. "Mott transitions in the periodic Anderson model". Journal of Physics: Condensed Matter 28, n.º 45 (12 de setembro de 2016): 455601. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/28/45/455601.
Texto completo da fonteLogan, David E., e Martin R. Galpin. "Mott insulators and the doping-induced Mott transition within DMFT: exact results for the one-band Hubbard model". Journal of Physics: Condensed Matter 28, n.º 2 (11 de dezembro de 2015): 025601. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/28/2/025601.
Texto completo da fonteCiorciaro, L., T. Smoleński, I. Morera, N. Kiper, S. Hiestand, M. Kroner, Y. Zhang et al. "Kinetic magnetism in triangular moiré materials". Nature 623, n.º 7987 (15 de novembro de 2023): 509–13. http://dx.doi.org/10.1038/s41586-023-06633-0.
Texto completo da fonteBelitz, D., e T. R. Kirkpatrick. "Order parameter description of the Anderson-Mott transition". Zeitschrift f�r Physik B Condensed Matter 98, n.º 4 (dezembro de 1995): 513–26. http://dx.doi.org/10.1007/bf01320853.
Texto completo da fonteBrazovskii, S., P. Monceau e F. Nad. "The ferroelectric Mott-Hubbard phase in organic conductors". Synthetic Metals 137, n.º 1-3 (abril de 2003): 1331–33. http://dx.doi.org/10.1016/s0379-6779(02)01076-7.
Texto completo da fonteKawasugi, Yoshitaka, Kazuhiro Seki, Satoshi Tajima, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Seiji Yunoki, Hiroshi M. Yamamoto e Reizo Kato. "Two-dimensional ground-state mapping of a Mott-Hubbard system in a flexible field-effect device". Science Advances 5, n.º 5 (maio de 2019): eaav7282. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aav7282.
Texto completo da fonteIoffe, L. B., e A. J. Millis. "D-wave superconductivity in doped Mott insulators". Journal of Physics and Chemistry of Solids 63, n.º 12 (dezembro de 2002): 2259–68. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-3697(02)00254-8.
Texto completo da fonteGrzybowski, Przemysław R., e Ravindra W. Chhajlany. "Hubbard-I approach to the Mott transition". physica status solidi (b) 249, n.º 11 (6 de agosto de 2012): 2231–38. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201248194.
Texto completo da fonteHansmann, P., A. Toschi, G. Sangiovanni, T. Saha-Dasgupta, S. Lupi, M. Marsi e K. Held. "Mott-Hubbard transition in V2 O3 revisited". physica status solidi (b) 250, n.º 7 (20 de março de 2013): 1251–64. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201248476.
Texto completo da fonteBaskaran, Ganapathy. "Impurity band Mott insulators: a new route to highTcsuperconductivity". Science and Technology of Advanced Materials 9, n.º 4 (dezembro de 2008): 044104. http://dx.doi.org/10.1088/1468-6996/9/4/044104.
Texto completo da fonteMartelo, L. M., M. Dzierzawa, L. Siffert e D. Baeriswyl. "Mott-Hubbard transition and antiferromagnetism on the honeycomb lattice". Zeitschrift für Physik B Condensed Matter 103, n.º 2 (junho de 1996): 335–38. http://dx.doi.org/10.1007/s002570050384.
Texto completo da fontePustogow, A., M. Bories, A. Löhle, R. Rösslhuber, E. Zhukova, B. Gorshunov, S. Tomić et al. "Quantum spin liquids unveil the genuine Mott state". Nature Materials 17, n.º 9 (6 de agosto de 2018): 773–77. http://dx.doi.org/10.1038/s41563-018-0140-3.
Texto completo da fonteSipos, B., A. F. Kusmartseva, A. Akrap, H. Berger, L. Forró e E. Tutiš. "From Mott state to superconductivity in 1T-TaS2". Nature Materials 7, n.º 12 (9 de novembro de 2008): 960–65. http://dx.doi.org/10.1038/nmat2318.
Texto completo da fonteNAYAK, CHETAN, e FRANK WILCZEK. "POSSIBLE ELECTRONIC STRUCTURE OF DOMAIN WALLS IN MOTT INSULATORS". International Journal of Modern Physics B 10, n.º 17 (30 de julho de 1996): 2125–36. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979296000970.
Texto completo da fonteCraco, L., M. S. Laad e E. Müller-Hartmann. "Metallizing the Mott insulator TiOCl by electron doping". Journal of Physics: Condensed Matter 18, n.º 48 (17 de novembro de 2006): 10943–53. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/18/48/021.
Texto completo da fonteSaket, Abhinav, e Rajarshi Tiwari. "Orbital Mott transition in two dimensional pyrochlore lattice". Journal of Physics: Condensed Matter 32, n.º 25 (30 de março de 2020): 255601. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/ab7a4b.
Texto completo da fonteSuzuki, Yuta, Seiji Shibasaki, Yoshihiro Kubozono e Takashi Kambe. "Antiferromagnetic resonance in the Mott insulator fcc-Cs3C60". Journal of Physics: Condensed Matter 25, n.º 36 (8 de agosto de 2013): 366001. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/25/36/366001.
Texto completo da fonteJanotti, A., L. Bjaalie, B. Himmetoglu e C. G. Van de Walle. "Band alignment at band-insulator/Mott-insulator interfaces". physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters 8, n.º 6 (14 de maio de 2014): 577–82. http://dx.doi.org/10.1002/pssr.201409088.
Texto completo da fonteMitra, Sanchali, e Santanu Mahapatra. "Schottky–Mott limit in graphene inserted 2D semiconductor–metal interfaces". Journal of Applied Physics 132, n.º 14 (14 de outubro de 2022): 145301. http://dx.doi.org/10.1063/5.0106620.
Texto completo da fonteGrimes, Robin W., e C. Richard A. Catlow. "Modeling Localized Defects in Ionic Materials Using Mott-Littleton and Embedded Quantum Cluster Methodology". Journal of the American Ceramic Society 73, n.º 11 (novembro de 1990): 3251–56. http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1990.tb06446.x.
Texto completo da fonteHo, Chang-Ming, V. N. Muthukumar, Masao Ogata e P. W. Anderson. "Nature of Spin Excitations in Two-Dimensional Mott Insulators: Undoped Cuprates and Other Materials". Physical Review Letters 86, n.º 8 (19 de fevereiro de 2001): 1626–29. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.86.1626.
Texto completo da fonteShore, K. Alan. "Electronic Processes in Non-crystalline Materials (Second Edition), by N.F. Mott and E.A. Davis". Contemporary Physics 55, n.º 4 (25 de junho de 2014): 337. http://dx.doi.org/10.1080/00107514.2014.933254.
Texto completo da fonteNagaosa, N., T. K. Lee, C. M. Ho, T. Tohyama e S. Maekawa. "Theory of slightly doped Mott insulator". Physica C: Superconductivity 388-389 (maio de 2003): 15–18. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-4534(02)02604-7.
Texto completo da fonteKohno, Masanori, Xiao Hu e Masashi Tachiki. "Charge dynamics in doped Mott insulators". Physica C: Superconductivity 412-414 (outubro de 2004): 82–85. http://dx.doi.org/10.1016/j.physc.2003.11.077.
Texto completo da fontevan Loon, Erik G. C. P., Malte Schüler, Daniel Springer, Giorgio Sangiovanni, Jan M. Tomczak e Tim O. Wehling. "Coulomb engineering of two-dimensional Mott materials". npj 2D Materials and Applications 7, n.º 1 (6 de julho de 2023). http://dx.doi.org/10.1038/s41699-023-00408-x.
Texto completo da fonte