Artigos de revistas sobre o tema "Light emitters in silicon"
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Kittler, M., M. Reiche, T. Arguirov, W. Seifert e X. Yu. "Silicon-based light emitters". physica status solidi (a) 203, n.º 4 (março de 2006): 802–9. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200564518.
Texto completo da fonteHelm, M., J. M. Sun, J. Potfajova, T. Dekorsy, B. Schmidt e W. Skorupa. "Efficient silicon based light emitters". Microelectronics Journal 36, n.º 11 (novembro de 2005): 957–62. http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.002.
Texto completo da fonteKittler, Martin, Teimuraz Mchedlidze, Tzanimir Arguirov, Winfried Seifert, Manfred Reiche e Thomas Wilhelm. "Silicon based IR light emitters". physica status solidi (c) 6, n.º 3 (março de 2009): 707–15. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200880713.
Texto completo da fonteKasper, Erich, e Michael Oehme. "Germanium tin light emitters on silicon". Japanese Journal of Applied Physics 54, n.º 4S (27 de março de 2015): 04DG11. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.04dg11.
Texto completo da fonteGuha, Supratik, e Nestor A. Bojarczuk. "Multicolored light emitters on silicon substrates". Applied Physics Letters 73, n.º 11 (14 de setembro de 1998): 1487–89. http://dx.doi.org/10.1063/1.122181.
Texto completo da fonteFauchet, P. M. "Progress toward nanoscale silicon light emitters". IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 4, n.º 6 (1998): 1020–28. http://dx.doi.org/10.1109/2944.736103.
Texto completo da fonteKittler, M., T. Arguirov, W. Seifert, X. Yu, G. Jia, O. F. Vyvenko, T. Mchedlidze, M. Reiche, J. Sha e D. Yang. "Silicon nanostructures for IR light emitters". Materials Science and Engineering: C 27, n.º 5-8 (setembro de 2007): 1252–59. http://dx.doi.org/10.1016/j.msec.2006.09.034.
Texto completo da fonteMakarova, Maria, Jelena Vuckovic, Hiroyuki Sanda e Yoshio Nishi. "Silicon-based photonic crystal nanocavity light emitters". Applied Physics Letters 89, n.º 22 (27 de novembro de 2006): 221101. http://dx.doi.org/10.1063/1.2396903.
Texto completo da fonteKveder, Vitaly V., e Martin Kittler. "Dislocations in Silicon and D-Band Luminescence for Infrared Light Emitters". Materials Science Forum 590 (agosto de 2008): 29–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.590.29.
Texto completo da fonteLourenço, M. A., e K. P. Homewood. "Dislocation-engineered silicon light emitters for photonic integration". Semiconductor Science and Technology 23, n.º 6 (12 de maio de 2008): 064005. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/23/6/064005.
Texto completo da fontePavesi, L. "Silicon-Based Light Sources for Silicon Integrated Circuits". Advances in Optical Technologies 2008 (30 de junho de 2008): 1–12. http://dx.doi.org/10.1155/2008/416926.
Texto completo da fonteGonzález-Fernández, Alfredo A., Mariano Aceves-Mijares, Oscar Pérez-Díaz, Joaquin Hernández-Betanzos e Carlos Domínguez. "Embedded Silicon Nanoparticles as Enabler of a Novel CMOS-Compatible Fully Integrated Silicon Photonics Platform". Crystals 11, n.º 6 (31 de maio de 2021): 630. http://dx.doi.org/10.3390/cryst11060630.
Texto completo da fonteKOLODZEY, J., T. N. ADAM, R. T. TROEGER, P. C. LV, S. K. RAY, I. YASSIEVICH, M. ODNOBLYUDOV e M. KAGAN. "TERAHERTZ EMITTERS AND DETECTORS BASED ON SiGe NANOSTRUCTURES". International Journal of Nanoscience 03, n.º 01n02 (fevereiro de 2004): 171–76. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x0400195x.
Texto completo da fonteChen, Chengzhao, Cheng Li, Shihao Huang, Yuanyu Zheng, Hongkai Lai e Songyan Chen. "Epitaxial Growth of Germanium on Silicon for Light Emitters". International Journal of Photoenergy 2012 (2012): 1–8. http://dx.doi.org/10.1155/2012/768605.
Texto completo da fonteSasani Ghamsari, Morteza. "Chip-Scale Quantum Emitters". Quantum Reports 3, n.º 4 (29 de setembro de 2021): 615–42. http://dx.doi.org/10.3390/quantum3040039.
Texto completo da fonteKittler, Martin, Tzanimir Arguirov, Winfried Seifert, X. Yu e Manfred Reiche. "Silicon Based Light Emitters for On-Chip Optical Interconnects". Solid State Phenomena 108-109 (dezembro de 2005): 749–54. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.108-109.749.
Texto completo da fonteTsintzos, Symeon I., Konstantinos Tsimvrakidis, James C. Gates, Ali W. Elshaari, Peter G. R. Smith, Val Zwiller e Christos Riziotis. "Coupling Nanowire Quantum Dots to Optical Waveguides by Microsphere-Induced Photonic Nanojet". Photonics 11, n.º 4 (9 de abril de 2024): 343. http://dx.doi.org/10.3390/photonics11040343.
Texto completo da fonteLockwood, David J., e Leonid Tsybeskov. "Self-assembled silicon-germanium nanostructures for CMOS compatible light emitters". physica status solidi (c) 8, n.º 9 (2 de maio de 2011): 2870–74. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201084032.
Texto completo da fonteHou, Guozhi, Qingyuan Wang, Yu Zhu, Zhangbo Lu, Jun Xu e Kunji Chen. "Tunable Narrowband Silicon-Based Thermal Emitter with Excellent High-Temperature Stability Fabricated by Lithography-Free Methods". Nanomaterials 11, n.º 7 (13 de julho de 2021): 1814. http://dx.doi.org/10.3390/nano11071814.
Texto completo da fontePearson, Andrew J., Trevor Plint, Saul T. E. Jones, Benoit H. Lessard, Dan Credgington, Timothy P. Bender e Neil C. Greenham. "Silicon phthalocyanines as dopant red emitters for efficient solution processed OLEDs". Journal of Materials Chemistry C 5, n.º 48 (2017): 12688–98. http://dx.doi.org/10.1039/c7tc03946h.
Texto completo da fonteSung, Min Jae, Hiroya Chubachi, Ryo Sato, Min-Ki Shin, Soon-Ki Kwon, Yong-Jin Pu e Yun-Hi Kim. "Dimethylsilyl-linked anthracene–pyrene dimers and their efficient triplet–triplet annihilation in organic light emitting diodes". Journal of Materials Chemistry C 5, n.º 5 (2017): 1090–94. http://dx.doi.org/10.1039/c6tc05308d.
Texto completo da fonteJannesari, R., M. Schatzl, F. Hackl, M. Glaser, K. Hingerl, T. Fromherz e F. Schäffler. "Commensurate germanium light emitters in silicon-on-insulator photonic crystal slabs". Optics Express 22, n.º 21 (10 de outubro de 2014): 25426. http://dx.doi.org/10.1364/oe.22.025426.
Texto completo da fonteTsybeskov, Leonid, e David J. Lockwood. "Silicon-Germanium Nanostructures for Light Emitters and On-Chip Optical Interconnects". Proceedings of the IEEE 97, n.º 7 (julho de 2009): 1284–303. http://dx.doi.org/10.1109/jproc.2009.2020711.
Texto completo da fonteKůsová, Kateřina. "Silicon nanocrystals as fast and efficient light emitters for optical gain". Journal of Non-Crystalline Solids 358, n.º 17 (setembro de 2012): 2130–33. http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2011.11.027.
Texto completo da fonteSomogyi, Bálint, Viktor Zólyomi e Adam Gali. "Introducing Color Centers to Silicon Carbide Nanocrystals for In Vivo Biomarker Applications: A First Principles Study". Materials Science Forum 740-742 (janeiro de 2013): 641–44. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.641.
Texto completo da fonteArguirov, T., M. Kittler, W. Seifert e X. Yu. "Enhanced silicon band edge related radiation: Origin and applicability for light emitters". Materials Science and Engineering: B 124-125 (dezembro de 2005): 431–34. http://dx.doi.org/10.1016/j.mseb.2005.08.107.
Texto completo da fonteGartman, Alexandra D., Alexander S. Shorokhov e Andrey A. Fedyanin. "Efficient Light Coupling and Purcell Effect Enhancement for Interlayer Exciton Emitters in 2D Heterostructures Combined with SiN Nanoparticles". Nanomaterials 13, n.º 12 (8 de junho de 2023): 1821. http://dx.doi.org/10.3390/nano13121821.
Texto completo da fonteChen, Fangqi, Xiaojie Liu, Yanpei Tian, Jon Goldsby e Yi Zheng. "Refractory All-Ceramic Thermal Emitter for High-Temperature Near-Field Thermophotovoltaics". Energies 15, n.º 5 (2 de março de 2022): 1830. http://dx.doi.org/10.3390/en15051830.
Texto completo da fonteZhang, Rong-An, Ting-Sheng Lin, Wai-Ting Liu, Shih-Hsiang Hsu e Che-Chang Chang. "Grating Lobe-Free Beam Steering through Optical Phase Array Using Phase-Compensated Two Index-Mismatched Silicon Wires-Based Emitters". Applied Sciences 10, n.º 4 (11 de fevereiro de 2020): 1225. http://dx.doi.org/10.3390/app10041225.
Texto completo da fonteTsybeskov, L., E. K. Lee, H. Y. Chang, B. V. Kamenev, D. J. Lockwood, J. M. Baribeau e T. I. Kamins. "Three-Dimensional Silicon-Germanium Nanostructures for CMOS Compatible Light Emitters and Optical Interconnects". Advances in Optical Technologies 2008 (12 de junho de 2008): 1–16. http://dx.doi.org/10.1155/2008/218032.
Texto completo da fonteMa, Qing Yu, Rui Fang Guan e Guo Zhong Li. "Two Novel Tetrahedrally Silicon-Based Benzimidazole Derivatives: Potentials as Blue Emitters for OLEDs". Advanced Materials Research 306-307 (agosto de 2011): 206–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.306-307.206.
Texto completo da fonteLinder, K. K., J. Phillips, O. Qasaimeh, P. Bhattacharya e J. C. Jiang. "In(Ga)As/GaAs self-organized quantum dot light emitters grown on silicon substrates". Journal of Crystal Growth 201-202 (maio de 1999): 1186–89. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0248(99)00024-x.
Texto completo da fonteXia, J. S., K. Nemoto, Y. Ikegami, Y. Shiraki e N. Usami. "Silicon-based light emitters fabricated by embedding Ge self-assembled quantum dots in microdisks". Applied Physics Letters 91, n.º 1 (2 de julho de 2007): 011104. http://dx.doi.org/10.1063/1.2754356.
Texto completo da fonteChaisakul, Papichaya, Vladyslav Vakarin, Jacopo Frigerio, Daniel Chrastina, Giovanni Isella, Laurent Vivien e Delphine Marris-Morini. "Recent Progress on Ge/SiGe Quantum Well Optical Modulators, Detectors, and Emitters for Optical Interconnects". Photonics 6, n.º 1 (1 de março de 2019): 24. http://dx.doi.org/10.3390/photonics6010024.
Texto completo da fonteГрудинкин, С. А., Н. А. Феоктистов, К. В. Богданов, А. В. Баранов e В. Г. Голубев. "Источники двухволнового узкополосного излучения на основе алмазных наночастиц с введенными одновременно центрами окраски германий-вакансия и кремний-вакансия". Письма в журнал технической физики 46, n.º 17 (2020): 37. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2020.17.49892.18320.
Texto completo da fonteFait, Jan, Marián Varga, Karel Hruška, Zdeněk Remeš, Vlastimil Jurka, Alexander Kromka, Bohuslav Rezek e Lukáš Ondič. "Maximized vertical photoluminescence from optical material with losses employing resonant excitation and extraction of photonic crystal modes". Nanophotonics 8, n.º 6 (17 de maio de 2019): 1041–50. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2019-0042.
Texto completo da fonteShmagin, V. B., S. N. Vdovichev, E. E. Morozova, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Shengurov e Z. F. Krasilnik. "Electroluminescence from MIS silicon-based light emitters with arrays of self-assembled Ge(Si) nanoislands". Semiconductors 50, n.º 11 (novembro de 2016): 1475–78. http://dx.doi.org/10.1134/s1063782616110245.
Texto completo da fonteInglese, Alessandro, Hannu S. Laine, Ville Vähänissi e Hele Savin. "Cu gettering by phosphorus-doped emitters in p-type silicon: Effect on light-induced degradation". AIP Advances 8, n.º 1 (janeiro de 2018): 015112. http://dx.doi.org/10.1063/1.5012680.
Texto completo da fonteGlinka, Yu D., A. S. Zyubin, A. M. Mebel, S. H. Lin, L. P. Hwang e Y. T. Chen. "Photoluminescence from mesoporous silica akin to that from nanoscale silicon: the nature of light-emitters". Chemical Physics Letters 358, n.º 3-4 (maio de 2002): 180–86. http://dx.doi.org/10.1016/s0009-2614(02)00400-1.
Texto completo da fonteGonzalez-Fernandez, Alfredo Abelardo, Joan Juvert, Mariano Aceves-Mijares, Andreu Llobera e Carlos Dominguez. "Influence by Layer Structure on the Output EL of CMOS Compatible Silicon-Based Light Emitters". IEEE Transactions on Electron Devices 60, n.º 6 (junho de 2013): 1971–74. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2013.2258158.
Texto completo da fonteRebohle, L., T. Gebel, R. A. Yankov, T. Trautmann, W. Skorupa, J. Sun, G. Gauglitz e R. Frank. "Microarrays of silicon-based light emitters for novel biosensor and lab-on-a-chip applications". Optical Materials 27, n.º 5 (fevereiro de 2005): 1055–58. http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2004.08.062.
Texto completo da fonteMehta, S. C., D. A. Smith, M. R. Libera, J. Ott, G. Tompa e E. Forsythe. "Nucleation and growth of Si quantum nanocrystals in silicon-rich oxide films". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 54 (11 de agosto de 1996): 234–35. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100163630.
Texto completo da fonteKhokhar, Megha, Nitesh Singh e Rajesh V. Nair. "Stacked metasurfaces for enhancing the emission and extraction rate of single nitrogen-vacancy centers in nanodiamond". Journal of Optics 24, n.º 2 (12 de janeiro de 2022): 024008. http://dx.doi.org/10.1088/2040-8986/ac3f95.
Texto completo da fonteBornacelli, J., J. A. Reyes-Esqueda, L. Rodríguez-Fernández, J. L. Ruvalcaba-Sil, F. J. Jaimes e A. Oliver. "Enhancing Hydrogen Diffusion in Silica Matrix by Using Metal Ion Implantation to Improve the Emission Properties of Silicon Nanocrystals". Journal of Nanotechnology 2014 (2014): 1–8. http://dx.doi.org/10.1155/2014/863184.
Texto completo da fonteDe Groote, Andreas, Paolo Cardile, Ananth Z. Subramanian, Alin M. Fecioru, Christopher Bower, Danae Delbeke, Roel Baets e Günther Roelkens. "Transfer-printing-based integration of single-mode waveguide-coupled III-V-on-silicon broadband light emitters". Optics Express 24, n.º 13 (13 de junho de 2016): 13754. http://dx.doi.org/10.1364/oe.24.013754.
Texto completo da fonteImamura, S., R. Watahiki, R. Miura, T. Shimada e Y. K. Kato. "Optical control of individual carbon nanotube light emitters by spectral double resonance in silicon microdisk resonators". Applied Physics Letters 102, n.º 16 (22 de abril de 2013): 161102. http://dx.doi.org/10.1063/1.4802930.
Texto completo da fonteFauchet, Philippe M. "The integration of nanoscale porous silicon light emitters: materials science, properties, and integration with electronic circuitry". Journal of Luminescence 80, n.º 1-4 (dezembro de 1998): 53–64. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-2313(98)00070-2.
Texto completo da fonteHaws, Cori, Biswarup Guha, Edgar Perez, Marcelo Davanco, Jin Dong Song, Kartik Srinivasan e Luca Sapienza. "Thermal release tape-assisted semiconductor membrane transfer process for hybrid photonic devices embedding quantum emitters". Materials for Quantum Technology 2, n.º 2 (19 de abril de 2022): 025003. http://dx.doi.org/10.1088/2633-4356/ac603e.
Texto completo da fontePritchin, Sergey, Alexey Bobryshev, Aleksandr Sorokun e Tymur Zhumatii. "SOFTWARE AND HARDWARE AUTOMATED CONTROL COMPLEX FOR THE FORMATION OF A CRACKED LAYER ON SEMICONDUCTOR PLATES". Transactions of Kremenchuk Mykhailo Ostrohradskyi National University, n.º 6(131) (26 de dezembro de 2021): 128–32. http://dx.doi.org/10.30929/1995-0519.2021.6.128-132.
Texto completo da fonteElizondo, L. A., Y. Li, A. Sow, R. Kamana, H. Z. Wu, S. Mukherjee, F. Zhao, Z. Shi e P. J. McCann. "Optically pumped mid-infrared light emitter on silicon". Journal of Applied Physics 101, n.º 10 (15 de maio de 2007): 104504. http://dx.doi.org/10.1063/1.2729467.
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