Literatura científica selecionada sobre o tema "Light emitters in silicon"
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Artigos de revistas sobre o assunto "Light emitters in silicon"
Kittler, M., M. Reiche, T. Arguirov, W. Seifert e X. Yu. "Silicon-based light emitters". physica status solidi (a) 203, n.º 4 (março de 2006): 802–9. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200564518.
Texto completo da fonteHelm, M., J. M. Sun, J. Potfajova, T. Dekorsy, B. Schmidt e W. Skorupa. "Efficient silicon based light emitters". Microelectronics Journal 36, n.º 11 (novembro de 2005): 957–62. http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.002.
Texto completo da fonteKittler, Martin, Teimuraz Mchedlidze, Tzanimir Arguirov, Winfried Seifert, Manfred Reiche e Thomas Wilhelm. "Silicon based IR light emitters". physica status solidi (c) 6, n.º 3 (março de 2009): 707–15. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200880713.
Texto completo da fonteKasper, Erich, e Michael Oehme. "Germanium tin light emitters on silicon". Japanese Journal of Applied Physics 54, n.º 4S (27 de março de 2015): 04DG11. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.04dg11.
Texto completo da fonteGuha, Supratik, e Nestor A. Bojarczuk. "Multicolored light emitters on silicon substrates". Applied Physics Letters 73, n.º 11 (14 de setembro de 1998): 1487–89. http://dx.doi.org/10.1063/1.122181.
Texto completo da fonteFauchet, P. M. "Progress toward nanoscale silicon light emitters". IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 4, n.º 6 (1998): 1020–28. http://dx.doi.org/10.1109/2944.736103.
Texto completo da fonteKittler, M., T. Arguirov, W. Seifert, X. Yu, G. Jia, O. F. Vyvenko, T. Mchedlidze, M. Reiche, J. Sha e D. Yang. "Silicon nanostructures for IR light emitters". Materials Science and Engineering: C 27, n.º 5-8 (setembro de 2007): 1252–59. http://dx.doi.org/10.1016/j.msec.2006.09.034.
Texto completo da fonteMakarova, Maria, Jelena Vuckovic, Hiroyuki Sanda e Yoshio Nishi. "Silicon-based photonic crystal nanocavity light emitters". Applied Physics Letters 89, n.º 22 (27 de novembro de 2006): 221101. http://dx.doi.org/10.1063/1.2396903.
Texto completo da fonteKveder, Vitaly V., e Martin Kittler. "Dislocations in Silicon and D-Band Luminescence for Infrared Light Emitters". Materials Science Forum 590 (agosto de 2008): 29–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.590.29.
Texto completo da fonteLourenço, M. A., e K. P. Homewood. "Dislocation-engineered silicon light emitters for photonic integration". Semiconductor Science and Technology 23, n.º 6 (12 de maio de 2008): 064005. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/23/6/064005.
Texto completo da fonteTeses / dissertações sobre o assunto "Light emitters in silicon"
Shakoor, Abdul. "Silicon nanocavity light emitters at 1.3-1.5 µm wavelength". Thesis, University of St Andrews, 2013. http://hdl.handle.net/10023/3673.
Texto completo da fonteGermer, Susette. "Design and analysis of integrated waveguide structures and their coupling to silicon-based light emitters". Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2015. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-172306.
Texto completo da fontePotfajova, J. "Silicon based microcavity enhanced light emitting diodes". Forschungszentrum Dresden-Rossendorf, 2010. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:d120-qucosa-27756.
Texto completo da fonteZabel, Thomas [Verfasser], Gerhard [Akademischer Betreuer] Abstreiter, Jonathan J. [Akademischer Betreuer] Finley e Bougeard [Akademischer Betreuer] Dominique. "Study on silicon-germanium nanoislands as emitters for a monolithic silicon light source / Thomas Zabel. Gutachter: Jonathan J. Finley ; Bougeard Dominique ; Gerhard Abstreiter. Betreuer: Gerhard Abstreiter". München : Universitätsbibliothek der TU München, 2012. http://d-nb.info/103155176X/34.
Texto completo da fontePotfajova, J. "Silicon based microcavity enhanced light emitting diodes". Forschungszentrum Dresden-Rossendorf, 2009. https://hzdr.qucosa.de/id/qucosa%3A21604.
Texto completo da fontePotfajova, Jaroslava. "Silicon based microcavity enhanced light emitting diodes". Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2010. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-25451.
Texto completo da fonteGermer, Susette [Verfasser], Lars [Akademischer Betreuer] Rebohle, Wolfgang [Akademischer Betreuer] Skorupa, Johannes [Akademischer Betreuer] Heitmann e Manfred [Akademischer Betreuer] Helm. "Design and analysis of integrated waveguide structures and their coupling to silicon-based light emitters / Susette Germer. Gutachter: Johannes Heitmann ; Manfred Helm. Betreuer: Lars Rebohle ; Wolfgang Skorupa". Dresden : Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2015. http://d-nb.info/1075123712/34.
Texto completo da fonteGermer, Susette Verfasser], Lars [Akademischer Betreuer] [Rebohle, Wolfgang [Akademischer Betreuer] Skorupa, Johannes [Akademischer Betreuer] Heitmann e Manfred [Akademischer Betreuer] Helm. "Design and analysis of integrated waveguide structures and their coupling to silicon-based light emitters / Susette Germer. Gutachter: Johannes Heitmann ; Manfred Helm. Betreuer: Lars Rebohle ; Wolfgang Skorupa". Dresden : Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2015. http://d-nb.info/1075123712/34.
Texto completo da fonteArciniegas, Carlos Andres Gonzalez. "Properties of the light emitted by a silicon on-chip optical parametric oscillator (OPO)". Universidade de São Paulo, 2017. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-22112017-153330/.
Texto completo da fonteO oscilador paramétrico ótico (OPO) tem sido uma fonte muito versátil de estados não clássicos da luz. A configuração usual destes OPOs consiste em um cristal macroscópico com não linearidade de segunda ordem no interior de uma cavidade ótica. Recentemente, devido ao desenvolvimento da fotonica de silício, foi possível a implementação de micro- cavidades óticas e OPOs que possuem varias vantagens sobre OPOs usuais. Não entanto a não linearidade destes sistemas é de terceira ordem. Neste trabalho, descrevemos teoricamente as propriedades quânticas da luz gerada num OPO com não linearidade de terceira ordem. Mostra-se que os efeitos de modulação de fase (não presentes na não linearidade de segunda ordem) e a dispersão são determinantes para a geração e o emaranhamento produzido no sistema. Emaranhamento bi e tri partito foi predito teoricamente usando o formalismo de modos de Schmidt. Também foi feita uma descrição quando mais modos da cavidade são excitados gerando um pente de frequência. Nesta situação. e utilizando novamente o formalismo de modos de Schmidt, foi predito emaranhamento multimodo destes sistemas.
Lai, Jiun-Hong. "Development of low-cost high-efficiency commercial-ready advanced silicon solar cells". Diss., Georgia Institute of Technology, 2014. http://hdl.handle.net/1853/52234.
Texto completo da fonteLivros sobre o assunto "Light emitters in silicon"
Shur, Michael S., e Artūras Žukauskas, eds. UV Solid-State Light Emitters and Detectors. Dordrecht: Springer Netherlands, 2004. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4020-2103-9.
Texto completo da fonteNATO Advanced Research Workshop (2003 Vilnius, Lithuania). UV solid-state light emitters and detectors. Boston: Kluwer Academic Publishers, 2004.
Encontre o texto completo da fonteAG, Siemens. Silicon photodetectors and infrared emitters data book 1985/86. Mu nchen: Siemens Aktiengesellschaft, 1985.
Encontre o texto completo da fonteSymposium E on Light Emission from Silicon (1993 Strasbourg, France). Light emission from silicon. Amsterdam: North-Holland, 1994.
Encontre o texto completo da fonteWoodhead, Christopher. Enhancing the Light Output of Solid-State Emitters. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-95013-6.
Texto completo da fonteLing, Bo. Nanorod fabrications and its potential application in light emitters. Hauppauge, N.Y: Nova Science Pub., 2011.
Encontre o texto completo da fonteGardelis, S. Light emission from porous silicon. Manchester: UMIST, 1993.
Encontre o texto completo da fonteOssicini, Stefano, Lorenzo Pavesi e Francesco Priolo. Light Emitting Silicon for Microphotonics. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2003. http://dx.doi.org/10.1007/b13588.
Texto completo da fonteNakamura, Shuji. The blue laser diode: GaN based light emitters and lasers. Berlin: Springer, 1997.
Encontre o texto completo da fonteOhtsu, Motoichi. Silicon Light-Emitting Diodes and Lasers. Cham: Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-42014-1.
Texto completo da fonteCapítulos de livros sobre o assunto "Light emitters in silicon"
Zimmermann, Horst. "Silicon Light Emitters". In Springer Series in Optical Sciences, 237–56. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-01521-2_9.
Texto completo da fonteZimmermann, Horst. "Silicon Light Emitters". In Springer Series in Photonics, 187–201. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2000. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-04018-8_9.
Texto completo da fontePellegrino, Paolo, Olivier Jambois, Se-Young Seo e Blas Garrido. "Chapter 13 Nanostructured Silicon Light Emitters". In Silicon Nanophotonics: Basic Principles, Present Status, and Perspectives, 2nd Ed, 393–428. Penthouse Level, Suntec Tower 3, 8 Temasek Boulevard, Singapore 038988: Pan Stanford Publishing Pte. Ltd., 2016. http://dx.doi.org/10.1201/9781315364797-14.
Texto completo da fonteStange, D., C. Schulte-Braucks, N. von den Driesch, S. Wirths, G. Mussler, S. Lenk, T. Stoica et al. "High Sn-Content GeSn Light Emitters for Silicon Photonics". In Future Trends in Microelectronics, 181–93. Hoboken, NJ, USA: John Wiley & Sons, Inc., 2016. http://dx.doi.org/10.1002/9781119069225.ch2-6.
Texto completo da fonteKittler, Martin, T. Arguirov, Winfried Seifert, X. Yu e M. Reiche. "Silicon Based Light Emitters for On-Chip Optical Interconnects". In Solid State Phenomena, 749–54. Stafa: Trans Tech Publications Ltd., 2005. http://dx.doi.org/10.4028/3-908451-13-2.749.
Texto completo da fonteLockwood, D. J., e L. Tsybeskov. "Three-Dimensional Silicon–Germanium Nanostructures for CMOS-Compatible Light Emitters". In Nanotechnology for Electronics, Photonics, and Renewable Energy, 41–84. New York, NY: Springer New York, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-7454-9_2.
Texto completo da fonteFauchet, P. M., S. Chan, H. A. Lopez e K. D. Hirschman. "Silicon Light Emitters: Preparation, Properties, Limitations, and Integration with Microelectronic Circuitry". In Frontiers of Nano-Optoelectronic Systems, 99–119. Dordrecht: Springer Netherlands, 2000. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-010-0890-7_7.
Texto completo da fontePalomino, Javier, Deepak Varshney, Brad R. Weiner e Gerardo Morell. "Silicon nanowires as electron field emitters". In Silicon Nanomaterials Sourcebook, 435–54. Boca Raton, FL: CRC Press, Taylor & Francis Group, [2017] | Series: Series in materials science and engineering: CRC Press, 2017. http://dx.doi.org/10.4324/9781315153544-22.
Texto completo da fonteHa, J. S. "GaN and ZnO Light Emitters". In Oxide and Nitride Semiconductors, 415–57. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-88847-5_9.
Texto completo da fonteLange, Marlene A., Tim Kolbe e Martin Jekel. "Ultraviolet Light-Emitting Diodes for Water Disinfection". In III-Nitride Ultraviolet Emitters, 267–91. Cham: Springer International Publishing, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-24100-5_10.
Texto completo da fonteTrabalhos de conferências sobre o assunto "Light emitters in silicon"
Simons, A. J. "Solid-state electroluminescence from porous silicon". In IEE Colloquium on Wide Bandgap Semiconductor Light Emitters. IEE, 1996. http://dx.doi.org/10.1049/ic:19961225.
Texto completo da fonteKasper, E., e M. Oehme. "Germanium Tin Light Emitters on Silicon". In 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2014. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2014.b-1-1.
Texto completo da fonteBuca, Dan, Detlev Gruetzmacher, Moustafa El Kurdi, Daniela Stange, Zoran Ikonic, Nils von den Driesch, Denis Rainko, Hans Sigg e Jean-Michel Hartmann. "Strain engineering in SiGeSn/GeSn heterostructures for light emitters (Conference Presentation)". In Silicon Photonics XIV, editado por Graham T. Reed e Andrew P. Knights. SPIE, 2019. http://dx.doi.org/10.1117/12.2511367.
Texto completo da fonteMakarova, Maria, Jelena Vuckovic, Hiroyuki Sanda e Yoshio Nishi. "Silicon-based photonic crystal nanocavity light emitters". In 2006 IEEE LEOS Annual Meeting. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/leos.2006.279018.
Texto completo da fonteMakarova, Maria, Jelena Vuckovic, Hiroyuki Sanda e Yoshio Nishi. "Two-dimensional porous silicon photonic crystal light emitters". In 2006 Conference on Lasers and Electro-Optics and 2006 Quantum Electronics and Laser Science Conference. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/cleo.2006.4627619.
Texto completo da fonteBogalecki, Alfons W., Monuko du Plessis, Petrus J. Venter e Christo Janse van Rensburg. "Spectral characteristics of electroluminescent silicon CMOS light emitters". In SPIE OPTO, editado por Joel Kubby e Graham T. Reed. SPIE, 2012. http://dx.doi.org/10.1117/12.907923.
Texto completo da fonteBayram, C., e R. Liu. "Cubic phase light emitters hetero-integrated on silicon". In 2017 IEEE Photonics Conference (IPC). IEEE, 2017. http://dx.doi.org/10.1109/ipcon.2017.8115994.
Texto completo da fonteGoosen, Marius E., Petrus J. Venter, Monuko du Plessis, Ilse J. Nell, Alfons W. Bogalecki e Pieter Rademeyer. "High-speed CMOS optical communication using silicon light emitters". In SPIE OPTO, editado por Alexei L. Glebov e Ray T. Chen. SPIE, 2011. http://dx.doi.org/10.1117/12.875112.
Texto completo da fontePavesi, Lorenzo. "Silicon light emitters and amplifiers: state of the art". In Integrated Optoelectronic Devices 2006, editado por Joel A. Kubby e Graham T. Reed. SPIE, 2006. http://dx.doi.org/10.1117/12.651026.
Texto completo da fonteSchmiedeke, Paul, Nitin Mukhundhan, Andreas Thurn, Akhil Ajay, Thomas Stettner, Jochen Bissinger, Hyowon Jeong et al. "Heterogeneous III-V Nanowire Lasers and Quantum Dot Emitters on Silicon Photonic Circuits". In Integrated Photonics Research, Silicon and Nanophotonics. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 2022. http://dx.doi.org/10.1364/iprsn.2022.itu3b.4.
Texto completo da fonteRelatórios de organizações sobre o assunto "Light emitters in silicon"
Vladimir Dmitriev. Ultra High p-doping Material Research for GaN Based Light Emitters. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), junho de 2007. http://dx.doi.org/10.2172/966358.
Texto completo da fonteMa, Xuedan. Investigation of light-matter interactions: Photoluminescence properties of individual quantum emitters. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), setembro de 2014. http://dx.doi.org/10.2172/1156834.
Texto completo da fonteSPIRE CORP BEDFORD MA. Silicon-Based Blue Light Emitting Diode. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, dezembro de 1993. http://dx.doi.org/10.21236/ada282382.
Texto completo da fonteFigiel, Jeffrey James, Mary Hagerott Crawford, Michael Anthony Banas, Darcie Farrow, Andrew M. Armstrong, Darwin Keith Serkland, Andrew Alan Allerman e Randal L. Schmitt. Final LDRD report : development of advanced UV light emitters and biological agent detection strategies. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), dezembro de 2007. http://dx.doi.org/10.2172/950095.
Texto completo da fonteRonzhin, Anatoly. Silicon timing response to different laser light. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), janeiro de 2017. http://dx.doi.org/10.2172/1395486.
Texto completo da fonteShih, Y. C. Formation of amorphous silicon by light ion damage. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), dezembro de 1985. http://dx.doi.org/10.2172/6144257.
Texto completo da fonteSafavi-Naeini, Amir H., Simon Groeblacher, Jeff T. Hill, Jasper Chan, Markus Aspelmeyer e Oskar Painter. Squeezing of Light via Reflection from a Silicon Micromechanical Resonator. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, março de 2013. http://dx.doi.org/10.21236/ada584019.
Texto completo da fonteHall, R. B., J. A. Rand, D. H. Ford e A. E. Ingram. Light-trapped, interconnected, Silicon-Film{trademark} modules. Final technical status report. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), abril de 1998. http://dx.doi.org/10.2172/653971.
Texto completo da fonteBragg-Sitton, Shannon M. Light Water Reactor Sustainability Program Status of Silicon Carbide Joining Technology Development. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), setembro de 2013. http://dx.doi.org/10.2172/1122120.
Texto completo da fonteCheng, Hung H., G. Sun e R. S. Soref. Development of Mid-infrared GeSn Light Emitting Diodes on a Silicon Substrate. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, abril de 2015. http://dx.doi.org/10.21236/ada615859.
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