Artigos de revistas sobre o tema "Couloir de mobilité"
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Bovey, Laurent. "De la classe spéciale à la classe régulière". Revue suisse de pédagogie spécialisée 14, n.º 01 (7 de março de 2024): 13–19. http://dx.doi.org/10.57161/r2024-01-03.
Texto completo da fonteNagy, Raluca. "Tourisme et migration dans le Maramureş". Ethnologies 31, n.º 1 (9 de novembro de 2009): 111–26. http://dx.doi.org/10.7202/038502ar.
Texto completo da fontePotbhare, Siddharth, Gary Pennington, Neil Goldsman, Aivars J. Lelis, Daniel B. Habersat, F. Barry McLean e J. M. McGarrity. "Using a First Principles Coulomb Scattering Mobility Model for 4H-SiC MOSFET Device Simulation". Materials Science Forum 527-529 (outubro de 2006): 1321–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1321.
Texto completo da fontePérez-Tomás, Amador, Michael R. Jennings, Philip A. Mawby, James A. Covington, Phillippe Godignon, José Millan e Narcis Mestres. "SiC MOSFET Channel Mobility Dependence on Substrate Doping and Temperature Considering High Density of Interface Traps". Materials Science Forum 556-557 (setembro de 2007): 835–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.556-557.835.
Texto completo da fonteJi, Qizheng, Jun Liu, Ming Yang, Xiaofeng Hu, Guangfu Wang, Menglin Qiu e Shanghe Liu. "Influence of Proton Irradiation Energy on Gate–Channel Low-Field Electron Mobility in AlGaN/GaN HEMTs". Electronics 12, n.º 6 (20 de março de 2023): 1473. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12061473.
Texto completo da fontePérez-Tomás, Amador, Miquel Vellvehi, Narcis Mestres, José Millan, P. Vennegues e J. Stoemenos. "Modelling of the Anomalous Field-Effect Mobility Peak of O-Ta2Si/4H-SiC High-k MOSFETs Measured in Strong Inversion". Materials Science Forum 527-529 (outubro de 2006): 1059–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1059.
Texto completo da fonteChen, W. P. N., Pin Su e K. I. Goto. "Investigation of Coulomb Mobility in Nanoscale Strained PMOSFETs". IEEE Transactions on Nanotechnology 7, n.º 5 (setembro de 2008): 538–43. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2008.2004771.
Texto completo da fonteDriussi, Francesco, e David Esseni. "Simulation Study of Coulomb Mobility in Strained Silicon". IEEE Transactions on Electron Devices 56, n.º 9 (setembro de 2009): 2052–59. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2009.2026394.
Texto completo da fonteWalczak, Jakub, e Bogdan Majkusiak. "Scattering mechanisms in MOS/SOI devices with ultrathin semiconductor layers". Journal of Telecommunications and Information Technology, n.º 1 (30 de março de 2004): 39–49. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2004.1.230.
Texto completo da fonteIhlenborg, Marvin, Ann-Kathrin Schuster, Jürgen Grotemeyer e Frank Gunzer. "Measuring the effects of Coulomb repulsion via signal decay in an atmospheric pressure laser ionization ion mobility spectrometer". European Journal of Mass Spectrometry 24, n.º 4 (2 de março de 2018): 330–36. http://dx.doi.org/10.1177/1469066718761585.
Texto completo da fonteSanquer, M., M. Specht, L. Ghenim, S. Deleonibus e G. Guegan. "Coulomb blockade in low-mobility nanometer size Si MOSFET’s". Physical Review B 61, n.º 11 (15 de março de 2000): 7249–52. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.61.7249.
Texto completo da fonteVincens, Marion, Marie-Hélène Vandersmissen e Marius Thériault. "Impacts de la restructuration du réseau d’autobus de la ville de Québec sur l’accessibilité aux emplois des femmes et sur leur mobilité professionnelle". Cahiers de géographie du Québec 51, n.º 144 (19 de fevereiro de 2008): 419–46. http://dx.doi.org/10.7202/017628ar.
Texto completo da fonteCui, Peng, e Yuping Zeng. "Effect of Device Scaling on Electron Mobility in Nanoscale GaN HEMTs with Polarization Charge Modulation". Nanomaterials 12, n.º 10 (18 de maio de 2022): 1718. http://dx.doi.org/10.3390/nano12101718.
Texto completo da fonteMatocha, Kevin, e Vinayak Tilak. "Understanding the Inversion-Layer Properties of the 4H-SiC/SiO2 Interface". Materials Science Forum 679-680 (março de 2011): 318–25. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.318.
Texto completo da fonteMortet, V., E. Bedel-Pereira, J. F. Bobo, F. Cristiano, Christian Strenger, V. Uhnevionak, A. Burenkov e A. J. Bauer. "Hall Effect Characterization of 4H-SiC MOSFETs: Influence of Nitrogen Channel Implantation". Materials Science Forum 740-742 (janeiro de 2013): 525–28. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.525.
Texto completo da fonteRao, R. Ramakrishna, Kevin Matocha e Vinayak Tilak. "Quasi-Charge-Sheet Model for Inversion Layer Mobility in 4H-SiC MOSFETs". Materials Science Forum 615-617 (março de 2009): 797–800. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.797.
Texto completo da fonteLiu, Dongyang, Jiawei Wang, Chong Bi, Mengmeng Li, Nianduan Lu, Zhekai Chen e Ling Li. "Lattice Relaxation Forward Negative Coulomb Drag in Hopping Regime". Electronics 11, n.º 8 (17 de abril de 2022): 1273. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11081273.
Texto completo da fonteStrenger, Christian, Viktoryia Uhnevionak, Vincent Mortet, Guillermo Ortiz, Tobias Erlbacher, Alexander Burenkov, A. J. Bauer et al. "Systematic Analysis of the High- and Low-Field Channel Mobility in Lateral 4H-SiC MOSFETs". Materials Science Forum 778-780 (fevereiro de 2014): 583–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.583.
Texto completo da fonteLiu, Yan, Zhao-Jun Lin, Ming Yang, Chong-Biao Luan, Yu-Tang Wang, Yuan-Jie Lv e Zhi-Hong Feng. "Effect of polarization Coulomb field scattering on low temperature electron mobility in strained AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors". Modern Physics Letters B 30, n.º 35 (20 de dezembro de 2016): 1650411. http://dx.doi.org/10.1142/s021798491650411x.
Texto completo da fonteKutsuki, Katsuhiro, Sachiko Kawaji, Yukihiko Watanabe, Shinichiro Miyahara e Jun Saito. "Improved Evaluation Method for Channel Mobility in SiC Trench MOSFETs". Materials Science Forum 821-823 (junho de 2015): 757–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.757.
Texto completo da fonteRudenko, Tamara, R. Yu, S. Barraud, K. Cherkaoui, P. Razavi, G. Fagas e A. N. Nazarov. "On the Mobility Behavior in Highly Doped Junctionless Nanowire SOI MOSFETs". Advanced Materials Research 854 (novembro de 2013): 35–43. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.854.35.
Texto completo da fonteYang, Yu, Franz A. Koeck, Xingye Wang e Robert J. Nemanich. "Surface transfer doping of MoO3 on hydrogen terminated diamond with an Al2O3 interfacial layer". Applied Physics Letters 120, n.º 19 (9 de maio de 2022): 191602. http://dx.doi.org/10.1063/5.0083971.
Texto completo da fonteYang, Yongxiong, Yuanjie Lv, Zhaojun Lin, Guangyuan Jiang e Yang Liu. "Application of Polarization Coulomb Field Scattering to a Physics-Based Compact Model for AlGaN/GaN HFETs with I–V Characteristics". Electronics 9, n.º 10 (19 de outubro de 2020): 1719. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9101719.
Texto completo da fonteChen, Siheng, Peng Cui, Mingsheng Xu, Zhaojun Lin, Xiangang Xu, Yuping Zeng e Jisheng Han. "Improved Electrical Performance of InAlN/GaN High Electron Mobility Transistors with Post Bis(trifluoromethane) Sulfonamide Treatment". Crystals 12, n.º 11 (26 de outubro de 2022): 1521. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12111521.
Texto completo da fonteHatakeyama, Tetsuo, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto e Shinsuke Harada. "Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs". Journal of Applied Physics 131, n.º 14 (14 de abril de 2022): 145701. http://dx.doi.org/10.1063/5.0086172.
Texto completo da fonteZhao, Yi, Mitsuru Takenaka e Shinichi Takagi. "Comprehensive Understanding of Coulomb Scattering Mobility in Biaxially Strained-Si pMOSFETs". IEEE Transactions on Electron Devices 56, n.º 5 (maio de 2009): 1152–56. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2009.2015170.
Texto completo da fonteHarrysson Rodrigues, Isabel, Andrey Generalov, Miika Soikkeli, Anton Murros, Sanna Arpiainen e Andrei Vorobiev. "Geometrical magnetoresistance effect and mobility in graphene field-effect transistors". Applied Physics Letters 121, n.º 1 (4 de julho de 2022): 013502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0088564.
Texto completo da fonteCHEN, YONG-CONG. "A DILUTE NEUTRAL-CLUSTER APPROXIMATION FOR THE QUANTUM WASHBOARD POTENTIAL". International Journal of Modern Physics B 07, n.º 22 (10 de outubro de 1993): 3907–26. http://dx.doi.org/10.1142/s021797929300353x.
Texto completo da fonteLee, K., Benedetto Buono, Martin Domeij e Jimmy Franchi. "TCAD Modeling of a 1200 V SiC MOSFET". Materials Science Forum 924 (junho de 2018): 689–92. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.689.
Texto completo da fonteOKTYABRSKY, S., P. NAGAIAH, V. TOKRANOV, M. YAKIMOV, R. KAMBHAMPATI, S. KOVESHNIKOV, D. VEKSLER, N. GOEL e G. BERSUKER. "ELECTRON SCATTERING IN BURIED InGaAs/HIGH-K MOS CHANNELS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 20, n.º 01 (março de 2011): 95–103. http://dx.doi.org/10.1142/s012915641100643x.
Texto completo da fonteGOLD, A., e O. ANTONIE. "MAGNETORESISTANCE OF A SILICON MOSFET ON THE (111) SURFACE IN A PARALLEL MAGNETIC FIELD". International Journal of Modern Physics B 21, n.º 08n09 (10 de abril de 2007): 1529–34. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979207043142.
Texto completo da fonteДавыдов, С. Ю., e А. А. Лебедев. "Влияние адсорбированной макромолекулы на подвижность носителей в однослойном графене: модель оборванных связей". Физика и техника полупроводников 57, n.º 5 (2023): 392. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2023.05.56210.4958.
Texto completo da fonteHan, Kai, Xiaolei Wang, Jinjuan Xiang, Lixing Zhou, Jiazhen Zhang, Yanrong Wang, Xueli Ma et al. "Evaluation of hole mobility degradation by remote Coulomb scattering in Ge pMOSFETs". Semiconductor Science and Technology 34, n.º 7 (12 de junho de 2019): 075009. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ab2167.
Texto completo da fonteCurran, Anya, Farzan Gity, Agnieszka Gocalinska, Enrica Mura, Roger E. Nagle, Michael Schmidt, Brendan Sheehan, Emanuele Pelucchi, Colm O’Dwyer e Paul K. Hurley. "High Hole Mobility Polycrystalline GaSb Thin Films". Crystals 11, n.º 11 (5 de novembro de 2021): 1348. http://dx.doi.org/10.3390/cryst11111348.
Texto completo da fonteTsujimura, Masatoshi, Hidenori Kitai, Hiromu Shiomi, Kazutoshi Kojima, Kenji Fukuda, Kunihiro Sakamoto, Kimiyoshi Yamasaki, Shin-Ichi Takagi e Hajime Okumura. "Analysis of Gate Oxide Nitridation Effect on SiC MOSFETs by Using Hall Measurement and Split C–V Measurement". Materials Science Forum 858 (maio de 2016): 441–44. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.441.
Texto completo da fonteZhou, Lixing, Jinjuan Xiang, Xiaolei Wang e Wenwu Wang. "Investigation on the passivation, band alignment, gate charge, and mobility degradation of the Ge MOSFET with a GeO x /Al2O3 gate stack by ozone oxidation". Journal of Semiconductors 43, n.º 1 (1 de janeiro de 2022): 013101. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/1/013101.
Texto completo da fonteKittler, Martin, Manfred Reiche e Hans Michael Krause. "Charge Carrier Transport along Grain Boundaries in Silicon". Solid State Phenomena 205-206 (outubro de 2013): 293–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.205-206.293.
Texto completo da fonteПоклонский, Н. А., С. А. Вырко e А. Н. Деревяго. "Квазиклассическая модель статической электропроводности сильно легированных вырожденных полупроводников при низких температурах". Физика и техника полупроводников 52, n.º 6 (2018): 544. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.06.45913.8651.
Texto completo da fonteTilak, Vinayak, Kevin Matocha, Greg Dunne, Fredrik Allerstam e Einar Ö. Sveinbjörnsson. "Scattering Mechanisms in Silicon Carbide MOSFETs with Gate Oxides Fabricated Using Sodium Enhanced Oxidation Technique". Materials Science Forum 600-603 (setembro de 2008): 687–90. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.687.
Texto completo da fonteПротасов, Д. Ю., А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев e К. С. Журавлев. "Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля delta-n-слоев". Физика и техника полупроводников 52, n.º 1 (2018): 48. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.01.45318.8610.
Texto completo da fonteMamatrishat, M., M. Kouda, T. Kawanago, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, Y. Kataoka et al. "The effect of remote Coulomb scattering on electron mobility in La2O3gate stacked MOSFETs". Semiconductor Science and Technology 27, n.º 4 (14 de março de 2012): 045014. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/27/4/045014.
Texto completo da fonteEsseni, D., e A. Abramo. "Modeling of electron mobility degradation by remote coulomb scattering in ultrathin oxide MOSFETs". IEEE Transactions on Electron Devices 50, n.º 7 (julho de 2003): 1665–74. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2003.814973.
Texto completo da fonteArokianathan, C. R., J. H. Davies e A. Asenov. "Ab-initio Coulomb Scattering in Atomistic Device Simulation". VLSI Design 8, n.º 1-4 (1 de janeiro de 1998): 331–35. http://dx.doi.org/10.1155/1998/76027.
Texto completo da fonteOhata, Akiko, Romain Ritzenthaler, Olivier Faynot e Sorin Cristoloveanu. "Special size effects in advanced single-gate and multiple-gate SOI transistors". Journal of Telecommunications and Information Technology, n.º 2 (25 de junho de 2023): 14–24. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2007.2.804.
Texto completo da fonteZhou, Heng, Yuanjie Lv, Mingyan Wang, Peng Cui e Zhaojun Lin. "Study of electrical transport properties of GaN-based side-gate heterostructure transistors". Applied Physics Letters 121, n.º 21 (21 de novembro de 2022): 212107. http://dx.doi.org/10.1063/5.0124626.
Texto completo da fonteCretu, Bogdan, Abderrahim Tahiat, Anabela Veloso e Eddy Simoen. "(Invited) In-Depth DC and Low Frequency Noise Characterization of Nanosheet FETs at Room and Cryogenic Temperatures". ECS Transactions 111, n.º 1 (19 de maio de 2023): 197–208. http://dx.doi.org/10.1149/11101.0197ecst.
Texto completo da fonteRozen, John, Xing Guang Zhu, Ayayi Claude Ahyi, John R. Williams e Leonard C. Feldman. "The Limits of Post Oxidation Annealing in NO". Materials Science Forum 645-648 (abril de 2010): 693–96. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.693.
Texto completo da fonteBonnefoy, Baptiste. "À l’origine des milices de couleur : mobilité sociale et ségrégation dans les villes de l’empire espagnol". Genèses 123, n.º 2 (12 de maio de 2021): 90–114. http://dx.doi.org/10.3917/gen.123.0090.
Texto completo da fonteMamatrishat, Mamat, Miyuki Kouda, Kuniyuki Kakushima, Parhat Ahmet, Kazuo Tsutsui, Nobuyuki Sugii, Kenji Natori, Takeo Hattori e Hiroshi Iwai. "Analysis of Remote Coulomb Scattering Limited Mobility in MOSFET with CeO2/La2O3 Gate Stacks". ECS Transactions 25, n.º 7 (17 de dezembro de 2019): 253–57. http://dx.doi.org/10.1149/1.3203963.
Texto completo da fonteChen, William P. N., Pin Su e K. Goto. "Impact of Process-Induced Strain on Coulomb Scattering Mobility in Short-Channel n-MOSFETs". IEEE Electron Device Letters 29, n.º 7 (julho de 2008): 768–70. http://dx.doi.org/10.1109/led.2008.2000909.
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