Artigos de revistas sobre o tema "C54-TiSi2"
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Cabral, C., L. A. Clevenger, J. M. E. Harper, F. M. d'Heurle, R. A. Roy, K. L. Saenger, G. L. Miles e R. W. Mann. "Lowering the formation temperature of the C54-TiSi2 phase using a metallic interfacial layer". Journal of Materials Research 12, n.º 2 (fevereiro de 1997): 304–7. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1997.0040.
Texto completo da fonteCheng, S. L., J. J. Jou, L. J. Chen e B. Y. Tsui. "Formation of C54–TiSi2 in titanium on nitrogen-ion-implanted (001)Si with a thin interposing Mo layer". Journal of Materials Research 14, n.º 5 (maio de 1999): 2061–69. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1999.0278.
Texto completo da fonteQuintero, A., M. Libera, C. Cabral, C. Lavoie e J. M. Harper. "Templating Effects On C54-Tisi2 Formation In Ternary Reactions." Microscopy and Microanalysis 4, S2 (julho de 1998): 666–67. http://dx.doi.org/10.1017/s143192760002345x.
Texto completo da fonteZhang, Z.-B., S.-L. Zhang, D.-Z. Zhu, H.-J. Xu e Y. Chen. "Different routes to the formation of C54 TiSi2 in the presence of surface and interface molybdenum: A transmission electron microscopy study". Journal of Materials Research 17, n.º 4 (abril de 2002): 784–89. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2002.0115.
Texto completo da fonteQuintero, A., M. Libera, C. Cabral, C. Lavoie e J. M. E. Harper. "Mechanisms for enhanced C54–TiSi2 formation in Ti–Ta alloy films on single-crystal Si". Journal of Materials Research 14, n.º 12 (dezembro de 1999): 4690–700. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1999.0635.
Texto completo da fonteWang, Ming-Jun, Wen-Tai Lin e F. M. Pan. "Effects of an interposed Cu layer on the enhanced thermal stability of C49 TiSi2". Journal of Materials Research 17, n.º 2 (fevereiro de 2002): 343–47. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2002.0048.
Texto completo da fonteClevenger, L. A., R. A. Roy, C. Cabral, K. L. Saenger, S. Brauer, G. Morales, K. F. Ludwig et al. "A comparison of C54-TiSi2 formation in blanket and submicron gate structures using in situ x-ray diffraction during rapid thermal annealing". Journal of Materials Research 10, n.º 9 (setembro de 1995): 2355–59. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1995.2355.
Texto completo da fonteRajan, Krishna. "Twin boundaries in C54-TiSi2". Metallurgical Transactions A 21, n.º 9 (setembro de 1990): 2317–22. http://dx.doi.org/10.1007/bf02646978.
Texto completo da fontePico, C. A., e M. G. Lagally. "Angular correlation between grains of metastable TiSi2". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 46 (1988): 888–89. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100106508.
Texto completo da fonteNemanich, R. J., Hyeongtag Jeon, J. W. Honeycutt, C. A. Sukow e G. A. Rozgonyi. "Interface structure of epitaxial TiSi2 on Si(lll)". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 50, n.º 2 (agosto de 1992): 1354–55. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100131401.
Texto completo da fonteOttaviani, G., R. Tonini, D. Giubertoni, A. Sabbadini, T. Marangon, G. Queirolo e F. La Via. "Investigation of C49–C54 TiSi2 transformation kinetics". Microelectronic Engineering 50, n.º 1-4 (janeiro de 2000): 153–58. http://dx.doi.org/10.1016/s0167-9317(99)00276-2.
Texto completo da fonteChen, Chih-Yen, Yu-Kai Lin, Chia-Wei Hsu, Chiu-Yen Wang, Yu-Lun Chueh, Lih-Juann Chen, Shen-Chuan Lo e Li-Jen Chou. "Coaxial Metal-Silicide Ni2Si/C54-TiSi2 Nanowires". Nano Letters 12, n.º 5 (9 de abril de 2012): 2254–59. http://dx.doi.org/10.1021/nl204459z.
Texto completo da fonteMakogon, Yu N., O. P. Pavlova, Sergey I. Sidorenko, G. Beddies e A. V. Mogilatenko. "Influence of Annealing Environment and Film Thickness on the Phase Formation in the Ti/Si(100) and (Ti +Si)/Si(100) Thin Film Systems". Defect and Diffusion Forum 264 (abril de 2007): 159–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.264.159.
Texto completo da fonteMouroux, Aliette, e Shi-Li Zhang. "Alternative pathway for the formation of C54 TiSi2". Journal of Applied Physics 86, n.º 1 (julho de 1999): 704–6. http://dx.doi.org/10.1063/1.370789.
Texto completo da fonteLi, K., S. Y. Chen e Z. X. Shen. "Identification of refractory-metal-free C40 TiSi2 for low temperature C54 TiSi2 formation". Applied Physics Letters 78, n.º 25 (18 de junho de 2001): 3989–91. http://dx.doi.org/10.1063/1.1378309.
Texto completo da fonteThomas, O., F. M. d'Heurle e S. Delage. "Some titanium germanium and silicon compounds: Reaction and properties". Journal of Materials Research 5, n.º 7 (julho de 1990): 1453–62. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1990.1453.
Texto completo da fonteQuintero, A., M. Libera, C. Cabrai, C. Lavoie e J. M. E. Harper. "Silicide Identification in Rta-Processed Ti Salicide by Analytical Electron Microscopy". Microscopy and Microanalysis 3, S2 (agosto de 1997): 453–54. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600009156.
Texto completo da fonteYu, T., S. C. Tan, Z. X. Shen, L. W. Chen, J. Y. Lin e A. K. See. "Structural study of refractory-metal-free C40 TiSi2 and its transformation to C54 TiSi2". Applied Physics Letters 80, n.º 13 (abril de 2002): 2266–68. http://dx.doi.org/10.1063/1.1466521.
Texto completo da fonteCabral, C., L. A. Clevenger, J. M. E. Harper, F. M. d’Heurle, R. A. Roy, C. Lavoie, K. L. Saenger, G. L. Miles, R. W. Mann e J. S. Nakos. "Low temperature formation of C54–TiSi2 using titanium alloys". Applied Physics Letters 71, n.º 24 (15 de dezembro de 1997): 3531–33. http://dx.doi.org/10.1063/1.120401.
Texto completo da fonteAmorsolo, A. V., P. D. Funkenbusch e A. M. Kadin. "A parametric study of titanium silicide formation by rapid thermal processing". Journal of Materials Research 11, n.º 2 (fevereiro de 1996): 412–21. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1996.0050.
Texto completo da fonteBarmak, K., L. E. Levine, D. A. Smith e Y. Komemt. "In situ tEM observation of C49 to C54 TiSi2 transformation". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 50, n.º 2 (agosto de 1992): 1356–57. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100131413.
Texto completo da fonteZHANG, LIN, YONG KEUN LEE e HUN SUB PARK. "FORMATION ENHANCEMENT OF THE C54-TiSi2 BY A MULTI-CYCLE PRE-COOLING TREATMENT". International Journal of Modern Physics B 16, n.º 01n02 (20 de janeiro de 2002): 213–18. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979202009664.
Texto completo da fonteXu, Jianguang, Menglan Jin, Xinlu Shi, Qiuyu Li, Chengqiang Gan e Wei Yao. "Preparation of TiSi2 Powders with Enhanced Lithium-Ion Storage via Chemical Oven Self-Propagating High-Temperature Synthesis". Nanomaterials 11, n.º 9 (2 de setembro de 2021): 2279. http://dx.doi.org/10.3390/nano11092279.
Texto completo da fonteZHANG, ZHIBIN, SHILI ZHANG, DEZHANG ZHU, HONGJIE XU e YI CHEN. "FORMATION OF C54 TiSi2 ON Si(100) USING Ti/Mo AND Mo/Ti BILAYERS". International Journal of Modern Physics B 16, n.º 01n02 (20 de janeiro de 2002): 205–12. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979202009652.
Texto completo da fonteWANG, TAO, JI-AN CHEN, XING LING, YONG-BING DAI e QING-YUAN DAI. "PSEUDOPOTENTIAL INVESTIGATION OF ELECTRONIC PROPERTIES OF C54- AND C49-TiSi2". Modern Physics Letters B 20, n.º 07 (20 de março de 2006): 343–51. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984906010639.
Texto completo da fonteEngqvist, Jan, Ulf Jansson, Jun Lu e Jan‐Otto Carlsson. "C49/C54 phase transformation during chemical vapor deposition of TiSi2". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 12, n.º 1 (janeiro de 1994): 161–68. http://dx.doi.org/10.1116/1.578914.
Texto completo da fonteWang, T., Y. B. Dai, S. K. Ouyang, H. S. Shen, Q. K. Wang e J. S. Wu. "Investigation of vacancy in C54 TiSi2 using ab initio method". Materials Letters 59, n.º 8-9 (abril de 2005): 885–88. http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2004.11.038.
Texto completo da fonteMann, R. W., e L. A. Clevenger. "The C49 to C54 Phase Transformation in TiSi2 Thin Films". Journal of The Electrochemical Society 141, n.º 5 (1 de maio de 1994): 1347–50. http://dx.doi.org/10.1149/1.2054921.
Texto completo da fonteMohadjeri, B., K. Maex, R. A. Donaton e H. Bender. "Ion‐Induced Amorphization and Regrowth of C49 and C54 TiSi2". Journal of The Electrochemical Society 146, n.º 3 (1 de março de 1999): 1122–29. http://dx.doi.org/10.1149/1.1391732.
Texto completo da fonteWang, Tao, Soon-Young Oh, Won-Jae Lee, Yong-Jin Kim e Hi-Deok Lee. "Ab initio comparative study of C54 and C49 TiSi2 surfaces". Applied Surface Science 252, n.º 14 (maio de 2006): 4943–50. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2005.07.029.
Texto completo da fonteMa, Z., L. H. Allen e D. D. J. Allman. "Effect of dimension scaling on the nucleation of C54 TiSi2". Thin Solid Films 253, n.º 1-2 (dezembro de 1994): 451–55. http://dx.doi.org/10.1016/0040-6090(94)90365-4.
Texto completo da fonteJin, S., M. Aindow, Z. Zhang e L. J. Chen. "Formation and microstructural development of TiSi2 in (111)Si by Ti ion implantation and annealing at 950 °C". Journal of Materials Research 10, n.º 4 (abril de 1995): 891–99. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1995.0891.
Texto completo da fonteEsposito, L., S. Kerdilès, M. Gregoire, P. Benigni, K. Dabertrand, J. G. Mattei e D. Mangelinck. "Impact of nanosecond laser energy density on the C40-TiSi2 formation and C54-TiSi2 transformation temperature". Journal of Applied Physics 128, n.º 8 (agosto de 2020): 085305. http://dx.doi.org/10.1063/5.0016091.
Texto completo da fonteKáňa, T., Mojmír Šob e V. Vitek. "Transformation Paths in Transition-Metal Disilicides". Key Engineering Materials 465 (janeiro de 2011): 61–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.465.61.
Texto completo da fonteDavid Theodore, N., Andre Vantomme e Peter Crazier. "TEM study of Cosi2 formation via annealing of Co-Ti bilayers on Si". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 53 (13 de agosto de 1995): 464–65. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100138695.
Texto completo da fonteSuh, You-Seok, Dae-Gyu Park, Se-Aug Jang, Sang-Hyeob Lee, Tae-Kyun Kim, In-Seok Yeo, Sam-Dong Kim e Chung-Tae Kim. "Retarded C54 transformation and suppressed agglomeration by precipitates in TiSi2 films". Journal of Applied Physics 87, n.º 6 (15 de março de 2000): 2760–64. http://dx.doi.org/10.1063/1.372252.
Texto completo da fonteInui, H., M. Moriwaki, N. Okamoto e M. Yamaguchi. "Plastic deformation of single crystals of TiSi2 with the C54 structure". Acta Materialia 51, n.º 5 (março de 2003): 1409–20. http://dx.doi.org/10.1016/s1359-6454(02)00533-5.
Texto completo da fonteSvilan, V., J. M. E. Harper, C. Cahral e L. A. Clevengeri. "Stress Evolution During the Formation and Transformation of Titanium Silicide". MRS Proceedings 356 (1994). http://dx.doi.org/10.1557/proc-356-167.
Texto completo da fonteCheng, S. L., S. M. Chang, H. Y. Huang, Y. C. Peng, L. J. Chen, B. Y. Tsui, C. J. Tsai e S. S. Guo. "The Influence Of Stress on The Growth of Titanium Silicide Thin Films on (001) Silicon Substrates". MRS Proceedings 564 (1999). http://dx.doi.org/10.1557/proc-564-9.
Texto completo da fonteKappius, L., e R. T. Tung. "On the Template Mechanism of Enhanced C54-TiSi2 Formation". MRS Proceedings 611 (2000). http://dx.doi.org/10.1557/proc-611-c8.2.1.
Texto completo da fonteMatsubara, Y., K. Noguchi e K. Okumura. "Activation Energy for the C49-TO-C54 Phase Transition of Polycrystalline TiSi2 Films with under 30nm Thickness". MRS Proceedings 311 (1993). http://dx.doi.org/10.1557/proc-311-263.
Texto completo da fonteGanapathiraman, Ramanath, S. Koh, Z. Ma, L. H. Allen e S. Lee. "Formation of TiSi2 During Rapid Thermal Annealing: In Situ Resistance Measurements at Heating Rates From 1°C/S to 100°C/S." MRS Proceedings 303 (1993). http://dx.doi.org/10.1557/proc-303-63.
Texto completo da fonteNakamura, T., K. Ikeda, H. Tomita, S. Komiya e K. Nakajima. "C49-TiSi2 Epitaxial Orientation Dependence of the C49-to-C54 Phase Transformation Rate". MRS Proceedings 514 (1998). http://dx.doi.org/10.1557/proc-514-213.
Texto completo da fonteFujii, K., R. T. Tung, D. J. Eaglesham, K. Kikuta e T. Kikkawa. "Phase Transformation of Titanium Disilicide Induced by High-Temperature Sputtering". MRS Proceedings 402 (1995). http://dx.doi.org/10.1557/proc-402-83.
Texto completo da fonteRoux, M., A. Mouroux e S. L. Zhang. "The Formation of C54 TiSi2 in The Presence of Implanted or Deposited Molybdenum". MRS Proceedings 564 (1999). http://dx.doi.org/10.1557/proc-564-53.
Texto completo da fonteJung, Bokhee, Young Do Kim, Woochul Yang, R. J. Nemanich e Hyeongtag Jeon. "Reduction of The Phase Transition Temperature of TiSi2 on Si(111) Using a Ta Interlayer". MRS Proceedings 564 (1999). http://dx.doi.org/10.1557/proc-564-59.
Texto completo da fonteMa, Z., G. Ramanath e L. H. Allen. "Kinetics and Mechanism of the C49 to C54 Titanium Disilicide Polymorphic Transformation". MRS Proceedings 320 (1993). http://dx.doi.org/10.1557/proc-320-361.
Texto completo da fonteLibera, M., e A. Quintero. "Effect of Boron Doping on the C49 TO C54 Phase Transformation in Ti/Si (100) Bilayers". MRS Proceedings 441 (1996). http://dx.doi.org/10.1557/proc-441-303.
Texto completo da fonteClevenger, L. A., C. Cabral, R. A. Roy, C. Lavoie, R. Viswanathan, K. L. Saenger, J. Jordan-Sweet, G. Morales, K. L. Ludwig e G. B. Stephenson. "In Situ Analysis of the Formation of thin TISI2, (>50 nm) Contacts in Submicron Cmos Structures during Rapid Thermal Annealing". MRS Proceedings 402 (1995). http://dx.doi.org/10.1557/proc-402-257.
Texto completo da fonteOhmi, S., e R. T. Tung. "Facilitated C54-TiSi2 Formation With Elevated Deposition Temperature: A Study of CO-Deposited Layers". MRS Proceedings 564 (1999). http://dx.doi.org/10.1557/proc-564-47.
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