Literatura científica selecionada sobre o tema "C40-TiSi2"
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Artigos de revistas sobre o assunto "C40-TiSi2"
Zhang, Z.-B., S.-L. Zhang, D.-Z. Zhu, H.-J. Xu e Y. Chen. "Different routes to the formation of C54 TiSi2 in the presence of surface and interface molybdenum: A transmission electron microscopy study". Journal of Materials Research 17, n.º 4 (abril de 2002): 784–89. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2002.0115.
Texto completo da fonteChen, S. Y., Z. X. Shen, K. Li, A. K. See e L. H. Chan. "Synthesis and characterization of pure C40 TiSi2". Applied Physics Letters 77, n.º 26 (25 de dezembro de 2000): 4395–97. http://dx.doi.org/10.1063/1.1329864.
Texto completo da fonteQuintero, A., M. Libera, C. Cabral, C. Lavoie e J. M. E. Harper. "Mechanisms for enhanced C54–TiSi2 formation in Ti–Ta alloy films on single-crystal Si". Journal of Materials Research 14, n.º 12 (dezembro de 1999): 4690–700. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1999.0635.
Texto completo da fonteLi, K., S. Y. Chen e Z. X. Shen. "Identification of refractory-metal-free C40 TiSi2 for low temperature C54 TiSi2 formation". Applied Physics Letters 78, n.º 25 (18 de junho de 2001): 3989–91. http://dx.doi.org/10.1063/1.1378309.
Texto completo da fonteYu, T., S. C. Tan, Z. X. Shen, L. W. Chen, J. Y. Lin e A. K. See. "Structural study of refractory-metal-free C40 TiSi2 and its transformation to C54 TiSi2". Applied Physics Letters 80, n.º 13 (abril de 2002): 2266–68. http://dx.doi.org/10.1063/1.1466521.
Texto completo da fonteQuintero, A., M. Libera, C. Cabral, C. Lavoie e J. M. Harper. "Templating Effects On C54-Tisi2 Formation In Ternary Reactions." Microscopy and Microanalysis 4, S2 (julho de 1998): 666–67. http://dx.doi.org/10.1017/s143192760002345x.
Texto completo da fonteEsposito, L., S. Kerdilès, M. Gregoire, P. Benigni, K. Dabertrand, J. G. Mattei e D. Mangelinck. "Impact of nanosecond laser energy density on the C40-TiSi2 formation and C54-TiSi2 transformation temperature". Journal of Applied Physics 128, n.º 8 (agosto de 2020): 085305. http://dx.doi.org/10.1063/5.0016091.
Texto completo da fonteWang, R. N., J. Y. Feng e Y. Huang. "Effects of intermediate phase C40 TiSi2 on the formation temperature of C54 TiSi2 with a Ta interlayer". Journal of Crystal Growth 253, n.º 1-4 (junho de 2003): 280–85. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0248(03)01012-1.
Texto completo da fonteKáňa, T., Mojmír Šob e V. Vitek. "Transformation Paths in Transition-Metal Disilicides". Key Engineering Materials 465 (janeiro de 2011): 61–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.465.61.
Texto completo da fonteVia, F. La, F. Mammoliti e M. G. Grimaldi. "Reaction of the Si/Ta/Ti system: C40 TiSi2 phase formation andin situkinetics". Journal of Applied Physics 91, n.º 2 (15 de janeiro de 2002): 633–38. http://dx.doi.org/10.1063/1.1421212.
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