Artigos de revistas sobre o tema "Bit Erasable"
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Lutkenhaus, Norbert, Ashutosh Marwah e Dave Touchette. "Erasable Bit Commitment From Temporary Quantum Trust". IEEE Journal on Selected Areas in Information Theory 1, n.º 2 (agosto de 2020): 536–54. http://dx.doi.org/10.1109/jsait.2020.3017054.
Texto completo da fonteYamada, Noboru. "Erasable Phase-Change Optical Materials". MRS Bulletin 21, n.º 9 (setembro de 1996): 48–50. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400036368.
Texto completo da fonteLibera, Matthew, e Martin Chen. "Multilayered Thin-Film Materials for Phase-Change Erasable Storage". MRS Bulletin 15, n.º 4 (abril de 1990): 40–45. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400059947.
Texto completo da fonteRensner, Gary D., David A. Eckhardt e Michael Page. "Nuclear Radiation Response of Intel 64k-Bit and 128k-Bit HMOS Ultraviolet Erasable Programmable Read Only Memories (UVEPROMs)". IEEE Transactions on Nuclear Science 32, n.º 6 (1985): 4056–60. http://dx.doi.org/10.1109/tns.1985.4334068.
Texto completo da fonteXu, Meili, Weihao Qi, Wenfa Xie e Wei Wang. "High-speed, low-voltage programmable/erasable flexible 2-bit organic transistor nonvolatile memory with a monolayer buffered ferroelectric terpolymer insulator". Applied Physics Letters 121, n.º 8 (22 de agosto de 2022): 083502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0105190.
Texto completo da fonteHerrojo, Cristian, Javier Mata-Contreras, Ferran Paredes, Alba Nunez, Eloi Ramon e Ferran Martin. "Near-Field Chipless-RFID System With Erasable/Programmable 40-bit Tags Inkjet Printed on Paper Substrates". IEEE Microwave and Wireless Components Letters 28, n.º 3 (março de 2018): 272–74. http://dx.doi.org/10.1109/lmwc.2018.2802718.
Texto completo da fonteJeon, Jin-Kwan, In-Won Hwang, Hyun-Jun Lee e Younho Lee. "Improving the Performance of RLizard on Memory-Constraint IoT Devices with 8-Bit ATmega MCU". Electronics 9, n.º 9 (22 de setembro de 2020): 1549. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9091549.
Texto completo da fonteLibera, Matthew R., e Martin Chen. "The effect of an aluminum heat-sink layer on the laser-induced amorphization of SiOx/TeGeSn/SiOx phase-change recording films". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 47 (6 de agosto de 1989): 574–75. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100154846.
Texto completo da fonteArima, Hideaki, Natuo Ajika, Makoto Ohi, Takayuki Matsukawa e Natsuro Tsubouchi. "A High Density High Performance Cell for 4M Bit Full Feature Electrically Erasable / Programmable Read-Only Memory". Japanese Journal of Applied Physics 30, Part 2, No. 3A (1 de março de 1991): L334—L337. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.30.l334.
Texto completo da fonteDay, Daniel, Min Gu e Andrew Smallridge. "Use of two-photon excitation for erasable–rewritable three-dimensional bit optical data storage in a photorefractive polymer". Optics Letters 24, n.º 14 (15 de julho de 1999): 948. http://dx.doi.org/10.1364/ol.24.000948.
Texto completo da fonteRokeakh, A. I., e M. Yu Artyomov. "Precision Hall Effect magnetometer". Review of Scientific Instruments 94, n.º 3 (1 de março de 2023): 034702. http://dx.doi.org/10.1063/5.0131896.
Texto completo da fonteHoltzman, Roi, Geva Arwas e Oren Raz. "Hamiltonian memory: An erasable classical bit". Physical Review Research 3, n.º 1 (12 de março de 2021). http://dx.doi.org/10.1103/physrevresearch.3.013232.
Texto completo da fonteHoucine, Naim, Hassini Abdelatif, Benabadji Noureddine, Falil Fatima Zohra e Bouadi Abed. "Realization of an Inexpensive Embedded Mini-Datalogger for Measuring and Controlling Photovoltaic System". Journal of Solar Energy Engineering 137, n.º 2 (1 de abril de 2015). http://dx.doi.org/10.1115/1.4029232.
Texto completo da fonteDing, Yin, Qingling Xu, Haitian Wei, Jing Su e Wei Wang. "High-Speed, Low-Voltage Programmable/ Erasable Flexible Two-Bit Organic Transistor Nonvolatile Memories Base on Ultraviolet-Ozone Treated Terpolymer Ferroelectric Gate". IEEE Electron Device Letters, 2023, 1. http://dx.doi.org/10.1109/led.2023.3337822.
Texto completo da fonteZhang, Ruiting, Yahong Jin, Yanmei Li, Haoyi Wu e Yihua Hu. "Bi3+/Sm3+ co-doped LiTaO3 photochromic perovskites: An ultrafast erasable optical information storage medium". Inorganic Chemistry Frontiers, 2023. http://dx.doi.org/10.1039/d3qi00956d.
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