Conecte-se

Bibliografias temáticas / AgGaGeS4 / Artigos de revistas

Artigos de revistas sobre o tema "AgGaGeS4"

Siga este link para ver outros tipos de publicações sobre o tema: AgGaGeS4.

Autor: Grafiati

Publicado: 25 de maio de 2024

Crie uma referência precisa em APA, MLA, Chicago, Harvard, e outros estilos

Selecione um tipo de fonte:

Veja os 38 melhores artigos de revistas para estudos sobre o assunto "AgGaGeS4".

Ao lado de cada fonte na lista de referências, há um botão "Adicionar à bibliografia". Clique e geraremos automaticamente a citação bibliográfica do trabalho escolhido no estilo de citação de que você precisa: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

Você também pode baixar o texto completo da publicação científica em formato .pdf e ler o resumo do trabalho online se estiver presente nos metadados.

Veja os artigos de revistas das mais diversas áreas científicas e compile uma bibliografia correta.

1

МИРОНЧУК, Галина, Тарас МЕЛЬНИЧУК, Ярослав ЄНДРИКА e Вайдотас КАЖУКАУСКАС. "ОПТИЧНІ ТА НЕЛІНІЙНО-ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ AgGaGeS4, ЛЕГОВАНИХ Er". Physics and educational technology, n.º 1 (31 de outubro de 2022): 41–47. http://dx.doi.org/10.32782/pet-2022-1-5.

Texto completo da fonte

Resumo:

У роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGeS4 легованого Er. Для оцінки ширини забороненої зони проведено дослідження спектрального розподілу коефіцієнта поглинання в області краю фундаментального поглинання. Оцінена ширина забороненої зони на рівні α = 350 см-1 при Т=300 К становить 2,83 та 2,91 еВ для AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er відповідно. Встановлено, що введення рідкоземельного елементу (Er) до AgGaGeS4 сприяє збільшенню ширини забороненої зони досліджуваної сполуки. Внаслідок нецентросиметричності кристалічної структури кристали AgGaGeS4, леговані рідкоземельними металами, викликають інтерес внаслідок потенційного їх використання в електрооптичних та нелінійно-оптичних пристроях. З огляду на це нами проведено дослідження генерації другої гармоніки. Встановлено, що інтенсивність генерації другої гармоніки в легованих кристалах є меншою в порівнянні з такою в нелегованих зразках. Важливим є те, що при збільшенні розміру зерен інтенсивність SGH збільшується як у кристалах AgGaGeS4, так і в AgGaGe3Se8:Er Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваним AgGaS2.

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

2

Мирончук, Г. Л., Г. Є. Давидюк, О. В. Парасюк, М. В. Шевчук, О. В. Якимчук e С. П. Данильчук. "Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4". Ukrainian Journal of Physics 57, n.º 10 (5 de dezembro de 2021): 1050. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.10.1050.

Texto completo da fonte

Resumo:

Досліджено монокристали твердих розчинів 50 мол.% AgGaGeS4 + 50 мол.% AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної ґратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну і термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність (Eg ≈ 2,30 еВ при T ≈ 300 К). Монокристали розчину AgGaGe2Se4 виявилися фоточутливиминапівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня Фермі біля середини забороненої зони. Досліджено особливості електропровідностіі спектрального розподілу фотопровідності зразків розчину. Запропоновано несуперечливу фізичну модель, яка дозволяє пояснитиекспериментально одержані результати.

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

3

Мирончук Д.Б., студент., Кот Ю.О., студент, Мирончук Г.Л. к.ф.м.н., доц. e Замуруєва О.В., к.ф.-м.н. "ВПЛИВ РОЗМІРІВ ЗЕРЕН КРИСТАЛІЧНОГО ПОРОШКУ НА ІНТЕНСИВНІСТЬ ГЕНЕРАЦІЇ ДРУГОЇ ГАРМОНІКИ". Перспективні технології та прилади, n.º 14 (4 de dezembro de 2019): 94–97. http://dx.doi.org/10.36910/6775-2313-5352-2019-14-16.

Texto completo da fonte

Resumo:

У даній роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8. Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваними AgGaS2 та AgGaSe2.

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

4

Valakh, Mykhailo, Alexander P. Litvinchuk, Yevhenii Havryliuk, Volodymyr Yukhymchuk, Volodymyr Dzhagan, Dmytro Solonenko, Sergei A. Kulinich et al. "Raman- and Infrared-Active Phonons in Nonlinear Semiconductor AgGaGeS4". Crystals 13, n.º 1 (14 de janeiro de 2023): 148. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13010148.

Texto completo da fonte

Resumo:

AgGaGeS4 is an emerging material with promising nonlinear properties in the near- and mid-infrared spectral ranges. Here, the experimental phonon spectra of AgGaGeS4 single crystals synthesized by a modified Bridgman method are presented. The infrared absorption spectra are reported. They are obtained from the fitting of reflectivity to a model dielectric function comprising a series of harmonic phonon oscillators. In the Raman spectra, several modes are registered, which were not detected in previous works. The analysis of the experimental vibrational bands is performed on the basis of a comparison with reported data on structurally related binary, ternary, and quaternary metal chalcogenides. The temperature dependence of the Raman spectra between room temperature and 15 K is also investigated.

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

5

Vu, Tuan V., Vo D. Dat, A. A. Lavrentyev, B. V. Gabrelian, Nguyen N. Hieu, G. L. Myronchuk e O. Y. Khyzhun. "Electronic and optical properties of thiogermanate AgGaGeS₄: theory and experiment". RSC Advances 13, n.º 2 (2023): 881–87. http://dx.doi.org/10.1039/d2ra07639j.

Texto completo da fonte

Resumo:

The electronic and optical properties of a AgGaGeS4 crystal were studied by first-principles calculations, and experimental X-ray photoelectron and emission spectra were measured to verify the theoretical data.

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

6

Vasil’eva, I. G., e R. E. Nikolaev. "Saturated vapor pressure over AgGaGeS4 crystals". Inorganic Materials 42, n.º 12 (dezembro de 2006): 1299–301. http://dx.doi.org/10.1134/s002016850612003x.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

7

Vasilyeva, Inga G., e Ruslan E. Nikolaev. "Non-stoichiometry and point native defects in non-oxide non-linear optical large single crystals: advantages and problems". CrystEngComm 24, n.º 8 (2022): 1495–506. http://dx.doi.org/10.1039/d1ce01423d.

Texto completo da fonte

Resumo:

Advances and limitations in the field of growing large, high optical quality single crystals of AgGaS2 (AGS), AgGaGeS4 (AGGS), ZnGeP2 (ZGP), LiInS2 (LIS), LiGaS2 (LGS), LiInSe2 (LISe), LiGaSe2 (LGSe) and LiGaTe2 (LGT) are considered in this article.

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

8

Davydyuk, G. Ye, G. L. Myronchuk, G. Lakshminarayana, O. V. Yakymchuk, A. H. Reshak, A. Wojciechowski, P. Rakus et al. "IR-induced features of AgGaGeS4 crystalline semiconductors". Journal of Physics and Chemistry of Solids 73, n.º 3 (março de 2012): 439–43. http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2011.11.026.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

9

Yurchenko, O. M., I. D. Olekseyuk, O. V. Parasyuk e V. Z. Pankevich. "Single crystal growth and properties of AgGaGeS4". Journal of Crystal Growth 275, n.º 1-2 (fevereiro de 2005): e1983-e1985. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.319.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

10

Adamenko, D., A. Say, O. Parasyuk, I. Martynyuk-Lototska e R. Vlokh. "Magnetooptic rotation and thermal expansion of AgGaGeS4 crystals". Ukrainian Journal of Physical Optics 17, n.º 3 (2016): 105. http://dx.doi.org/10.3116/16091833/17/3/105/2016.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

11

Martynyuk-Lototska, I., O. Parasyuk e R. Vlokh. "Acoustic and elastic anisotropies of acoustooptic AgGaGeS4 crystals". Ukrainian Journal of Physical Optics 17, n.º 4 (2016): 141. http://dx.doi.org/10.3116/16091833/17/4/141/2016.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

12

Schunemann, Peter G., Kevin T. Zawilski e Thomas M. Pollak. "Horizontal gradient freeze growth of AgGaGeS4 and AgGaGe5Se12". Journal of Crystal Growth 287, n.º 2 (janeiro de 2006): 248–51. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.11.017.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

13

Wu, Haixin, Youbao Ni, Chen Lin, Mingsheng Mao, Ganchao Cheng e Zhenyou Wang. "Growth of large size AgGaGeS4 crystal for infrared conversion". Frontiers of Optoelectronics in China 4, n.º 2 (12 de maio de 2011): 137–40. http://dx.doi.org/10.1007/s12200-011-0155-8.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

14

Nikolaev, R. E., e I. G. Vasilyeva. "A new way of phase identification, of AgGaGeS4∙nGeS2 crystals". Journal of Solid State Chemistry 203 (julho de 2013): 340–44. http://dx.doi.org/10.1016/j.jssc.2013.05.002.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

15

Lin, Changgui, Haizheng Tao, Ruikun Pan, Xiaolin Zheng, Guoping Dong, Haochun Zang e Xiujian Zhao. "Permanent second-harmonic generation in AgGaGeS4 bulk-crystallized chalcogenide glasses". Chemical Physics Letters 460, n.º 1-3 (julho de 2008): 125–28. http://dx.doi.org/10.1016/j.cplett.2008.05.094.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

16

Shevchuk, M. V., V. V. Atuchin, A. V. Kityk, A. O. Fedorchuk, Y. E. Romanyuk, S. CaŁus, O. M. Yurchenko e O. V. Parasyuk. "Single crystal preparation and properties of the AgGaGeS4–AgGaGe3Se8 solid solution". Journal of Crystal Growth 318, n.º 1 (março de 2011): 708–12. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.10.038.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

17

Huang, Wei, Zhiyu He, Beijun Zhao, Shifu Zhu, Baojun Chen e Ying Wu. "Effect of Thermal Annealing Treatment and Defect Analysis on AgGaGeS4 Single Crystals". Inorganic Chemistry 58, n.º 16 (30 de julho de 2019): 10846–55. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.9b01162.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

18

Petrov, V., V. Badikov, G. Shevyrdyaeva, V. Panyutin e V. Chizhikov. "Phase-matching properties and optical parametric amplification in single crystals of AgGaGeS4". Optical Materials 26, n.º 3 (agosto de 2004): 217–22. http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2004.04.007.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

19

Rame, Jérémy, Johan Petit, Denis Boivin, Nicolas Horezan, Jean Michel Melkonian, Antoine Godard e Bruno Viana. "Homogeneity characterization in AgGaGeS4, a single crystal for nonlinear mid-IR laser applications". Journal of Crystal Growth 548 (outubro de 2020): 125814. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125814.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

20

Huang, Wei, Zhiyu He, Beijun Zhao, Shifu Zhu e Baojun Chen. "Crystal growth, structure, and optical properties of new quaternary chalcogenide nonlinear optical crystal AgGaGeS4". Journal of Alloys and Compounds 796 (agosto de 2019): 138–45. http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.05.066.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

21

Wu, Jun, Wei Huang, Hong-gang Liu, Zhiyu He, Baojun Chen, Shifu Zhu, Beijun Zhao, Yuxing Lei e Xiaonan Zhou. "Investigation of the Thermal Properties and Crystal Growth of the Nonlinear Optical Crystals AgGaS2 and AgGaGeS4". Crystal Growth & Design 20, n.º 5 (19 de março de 2020): 3140–53. http://dx.doi.org/10.1021/acs.cgd.0c00018.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

22

Huang, Changbao, Mingsheng Mao, Haixin Wu e Jiaren Ma. "Pressure-Assisted Method for the Preparations of High-Quality AaGaS2 and AgGaGeS4 Crystals for Mid-Infrared Laser Applications". Inorganic Chemistry 57, n.º 23 (9 de novembro de 2018): 14866–71. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.8b02626.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

23

Dang, Junhui, Naizheng Wang, Jiyong Yao, Yuandong Wu, Zheshuai Lin e Dajiang Mei. "AgGaGeSe4: An Infrared Nonlinear Quaternary Selenide with Good Performance". Symmetry 14, n.º 7 (12 de julho de 2022): 1426. http://dx.doi.org/10.3390/sym14071426.

Texto completo da fonte

Resumo:

The symmetry of crystals is an extremely important property of crystals. Crystals can be divided into centrosymmetric and non-centrosymmetric crystals. In this paper, an infrared (IR) nonlinear optical (NLO) material AgGaGeSe4 was synthesized. The related performance analysis, nonlinear optical properties, and first-principle calculation of AgGaGeSe4 were also introduced in detail. In the AgGaGeSe4 structure, Ge4+ was replaced with Ga3+ and produced the same number of vacancies at the Ag+ position. The low content of Ge doping kept the original chalcopyrite structure and improved its optical properties such as the band gap. The UV-Vis diffuse reflection spectrum shows that the experimental energy band gap of AgGaGeSe4 is 2.27 eV, which is 0.48 eV larger than that of AgGaSe2 (1.79 eV). From the perspective of charge-transfer engineering strategy, the introduction of Group IV Ge elements into the crystal structure of AgGaSe2 effectively improves its band gap. The second harmonic generation (SHG) effect of AgGaGeSe4 is similar to that of AgGaSe2, and at 1064 nm wavelength, the birefringence of AgGaGeSe4 is 0.03, which is greater than that of AgGaSe2 (∆n = 0.02). The results show that AgGaGeSe4 possessed better optical properties than AgGaSe2, and can been broadly applied as a good infrared NLO material.

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

24

Miyata, Kentaro, Valentin Petrov e Kiyoshi Kato. "Phase-matching properties for AgGaGeS_4". Applied Optics 46, n.º 23 (8 de agosto de 2007): 5728. http://dx.doi.org/10.1364/ao.46.005728.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

25

Miyata, Kentaro, Valentin Petrov e Kiyoshi Kato. "Phase-matching properties for AgGaGeS_4: erratum". Applied Optics 46, n.º 27 (20 de setembro de 2007): 6848. http://dx.doi.org/10.1364/ao.46.006848.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

26

De-Ming, Ren, Huang Jin-Zhe, Qu Yan-Chen, Hu Xiao-Yong, Andreev Yuri, Geiko Pavel, Badikov Valerii e Shaiduko Anna. "Optical properties and frequency conversion with AgGaGeS 4 crystal". Chinese Physics 13, n.º 9 (setembro de 2004): 1468–73. http://dx.doi.org/10.1088/1009-1963/13/9/019.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

27

Huang, Wei, Beijun Zhao, Shifu Zhu, Zhiyu He, Baojun Chen, Yunxiao Pu, Li Lin, Zhangrui Zhao e Yikai Zhong. "Synthesis of AgGaGeS 4 polycrystalline materials by vapor transporting and mechanical oscillation method". Journal of Crystal Growth 468 (junho de 2017): 469–72. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.12.027.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

28

Kuznik, Wojciech, Piotr Rakus, Katarzyna Ozga, Oleh V. Parasyuk, Anatolii O. Fedorchuk, Lyudmyla V. Piskach, Andriy Krymus e Iwan V. Kityk. "Laser-induced piezoelectricity in AgGaGe3–xSixSe8chalcogenide single crystals". European Physical Journal Applied Physics 70, n.º 3 (junho de 2015): 30501. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2015150103.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

29

Tsubouchi, Masaaki, e Takamasa Momose. "Cross-correlation frequency-resolved optical gating for mid-infrared femtosecond laser pulses by an AgGaGeS_4 crystal". Optics Letters 34, n.º 16 (7 de agosto de 2009): 2447. http://dx.doi.org/10.1364/ol.34.002447.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

30

Kuznik, W., P. Rakus, O. V. Parasyuk, V. Kozer, A. O. Fedorchuk e V. A. Franiv. "Growth of AgGaGe3−xSnxSe8 single crystals with light-operated piezoelectricity". Materials Letters 161 (dezembro de 2015): 705–7. http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2015.09.071.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

31

Wang, Tie-Jun, Zhi-Hui Kang, Hong-Zhi Zhang, Zhi-Shu Feng, Yun Jiang, Jin-Yue Gao, Yury M. Andreev, Gregory V. Lanskii e Anna V. Shaiduko. "Model and experimental investigation of frequency conversion in AgGaGexS2(1 +x)(x= 0, 1) crystals". Journal of Physics D: Applied Physics 40, n.º 5 (16 de fevereiro de 2007): 1357–62. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/40/5/008.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

32

El-Naggar, A. M., A. A. Albassam, O. Parasyuk, I. V. Kityk, G. Myronchuk, O. Zamuruyeva, Yu Kot et al. "Optical and non-linear optical properties of the solid solutions AgGaGe3(1–x)Si3xSe8". Optik 168 (setembro de 2018): 397–402. http://dx.doi.org/10.1016/j.ijleo.2018.04.095.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

33

Krymus, A. S., G. L. Myronchuk e O. V. Parasyuk. "Influence of Cu-, Sn-, and In-Doping on Optical Properties of AgGaGe3 Se8 Single Crystals". Ukrainian Journal of Physics 61, n.º 7 (julho de 2016): 606–12. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe61.07.0606.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

34

Kityk, I. V., G. L. Myronchuk, O. V. Parasyuk, A. S. Krymus, P. Rakus, A. M. El-Naggar, A. A. Albassam, G. Lakshminarayana e A. O. Fedorchuk. "Specific features of photoconductivity and photoinduced piezoelectricity in AgGaGe 3 Se 8 doped crystals". Optical Materials 63 (janeiro de 2017): 197–206. http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2016.05.029.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

35

ANDREEV, YU, P. P. GEIKO, V. V. BADIKOV, G. C. BHAR, DAS S. e A. K. CHAUDHURY. "NONLINEAR OPTICAL PROPERTIES OF DEFECT TETRAHEDRAL CRYSTALS HgGa 2 S 4 AND AgGaGeS 4 AND MIXED CHALCOPYRITE CRYSTAL Cd (0.4) Hg (0.6) Ga 2 S 4". Nonlinear Optics 29, n.º 1 (1 de janeiro de 2002): 19–27. http://dx.doi.org/10.1080/10587260213932.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

36

Huang, Wei, Zhiyu He, Shifu Zhu, Beijun Zhao, Baojun Chen e Sijia Zhu. "Polycrystal Synthesis, Crystal Growth, Structure, and Optical Properties of AgGaGenS2(n+1) (n = 2, 3, 4, and 5) Single Crystals for Mid-IR Laser Applications". Inorganic Chemistry 58, n.º 9 (12 de abril de 2019): 5865–74. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.9b00191.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

37

El Radaf, I. M., e H. Y. S. Al-Zahrani. "Study of morphological, structural, optical, and optoelectrical properties of novel AgGaGeS4 thin films synthesized by thermal evaporation procedure". Journal of Materials Science: Materials in Electronics 34, n.º 8 (março de 2023). http://dx.doi.org/10.1007/s10854-023-10086-6.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

38

Liu, Xinyao, Jing Peng, Xiao Xiao, Zhengbin Xiong, Gaohai Huang, Baojun Chen, Zhiyu He e Wei Huang. "Crystal Growth, Characterization, and Thermal Annealing of Nonlinear Optical Crystals AgGaGe_nSe_2(n+1) (n = 1.5, 1.75, 2, 3, 4, 5, and 9) for Mid-infrared Applications". Inorganic Chemistry, 15 de abril de 2022. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.2c00417.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

Oferecemos descontos em todos os planos premium para autores cujas obras estão incluídas em seleções literárias temáticas. Contate-nos para obter um código promocional único!