Bibliografias temáticas / AgGaGeS4

Literatura científica selecionada sobre o tema "AgGaGeS4"

Autor: Grafiati

Publicado: 25 de maio de 2024

Crie uma referência precisa em APA, MLA, Chicago, Harvard, e outros estilos

Selecione um tipo de fonte:

Índice

Artigos de revistas
Teses / dissertações
Capítulos de livros
Trabalhos de conferências

Consulte a lista de atuais artigos, livros, teses, anais de congressos e outras fontes científicas relevantes para o tema "AgGaGeS4".

Ao lado de cada fonte na lista de referências, há um botão "Adicionar à bibliografia". Clique e geraremos automaticamente a citação bibliográfica do trabalho escolhido no estilo de citação de que você precisa: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

Você também pode baixar o texto completo da publicação científica em formato .pdf e ler o resumo do trabalho online se estiver presente nos metadados.

Artigos de revistas sobre o assunto "AgGaGeS4"

МИРОНЧУК, Галина, Тарас МЕЛЬНИЧУК, Ярослав ЄНДРИКА e Вайдотас КАЖУКАУСКАС. "ОПТИЧНІ ТА НЕЛІНІЙНО-ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ AgGaGeS4, ЛЕГОВАНИХ Er". Physics and educational technology, n.º 1 (31 de outubro de 2022): 41–47. http://dx.doi.org/10.32782/pet-2022-1-5.

Texto completo da fonte

Resumo:

У роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGeS4 легованого Er. Для оцінки ширини забороненої зони проведено дослідження спектрального розподілу коефіцієнта поглинання в області краю фундаментального поглинання. Оцінена ширина забороненої зони на рівні α = 350 см-1 при Т=300 К становить 2,83 та 2,91 еВ для AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er відповідно. Встановлено, що введення рідкоземельного елементу (Er) до AgGaGeS4 сприяє збільшенню ширини забороненої зони досліджуваної сполуки. Внаслідок нецентросиметричності кристалічної структури кристали AgGaGeS4, леговані рідкоземельними металами, викликають інтерес внаслідок потенційного їх використання в електрооптичних та нелінійно-оптичних пристроях. З огляду на це нами проведено дослідження генерації другої гармоніки. Встановлено, що інтенсивність генерації другої гармоніки в легованих кристалах є меншою в порівнянні з такою в нелегованих зразках. Важливим є те, що при збільшенні розміру зерен інтенсивність SGH збільшується як у кристалах AgGaGeS4, так і в AgGaGe3Se8:Er Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваним AgGaS2.

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

Мирончук, Г. Л., Г. Є. Давидюк, О. В. Парасюк, М. В. Шевчук, О. В. Якимчук e С. П. Данильчук. "Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4". Ukrainian Journal of Physics 57, n.º 10 (5 de dezembro de 2021): 1050. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.10.1050.

Texto completo da fonte

Resumo:

Досліджено монокристали твердих розчинів 50 мол.% AgGaGeS4 + 50 мол.% AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної ґратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну і термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність (Eg ≈ 2,30 еВ при T ≈ 300 К). Монокристали розчину AgGaGe2Se4 виявилися фоточутливиминапівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня Фермі біля середини забороненої зони. Досліджено особливості електропровідностіі спектрального розподілу фотопровідності зразків розчину. Запропоновано несуперечливу фізичну модель, яка дозволяє пояснитиекспериментально одержані результати.

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

Мирончук Д.Б., студент., Кот Ю.О., студент, Мирончук Г.Л. к.ф.м.н., доц. e Замуруєва О.В., к.ф.-м.н. "ВПЛИВ РОЗМІРІВ ЗЕРЕН КРИСТАЛІЧНОГО ПОРОШКУ НА ІНТЕНСИВНІСТЬ ГЕНЕРАЦІЇ ДРУГОЇ ГАРМОНІКИ". Перспективні технології та прилади, n.º 14 (4 de dezembro de 2019): 94–97. http://dx.doi.org/10.36910/6775-2313-5352-2019-14-16.

Texto completo da fonte

Resumo:

У даній роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8. Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваними AgGaS2 та AgGaSe2.

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

Valakh, Mykhailo, Alexander P. Litvinchuk, Yevhenii Havryliuk, Volodymyr Yukhymchuk, Volodymyr Dzhagan, Dmytro Solonenko, Sergei A. Kulinich et al. "Raman- and Infrared-Active Phonons in Nonlinear Semiconductor AgGaGeS4". Crystals 13, n.º 1 (14 de janeiro de 2023): 148. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13010148.

Texto completo da fonte

Resumo:

AgGaGeS4 is an emerging material with promising nonlinear properties in the near- and mid-infrared spectral ranges. Here, the experimental phonon spectra of AgGaGeS4 single crystals synthesized by a modified Bridgman method are presented. The infrared absorption spectra are reported. They are obtained from the fitting of reflectivity to a model dielectric function comprising a series of harmonic phonon oscillators. In the Raman spectra, several modes are registered, which were not detected in previous works. The analysis of the experimental vibrational bands is performed on the basis of a comparison with reported data on structurally related binary, ternary, and quaternary metal chalcogenides. The temperature dependence of the Raman spectra between room temperature and 15 K is also investigated.

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

Vu, Tuan V., Vo D. Dat, A. A. Lavrentyev, B. V. Gabrelian, Nguyen N. Hieu, G. L. Myronchuk e O. Y. Khyzhun. "Electronic and optical properties of thiogermanate AgGaGeS₄: theory and experiment". RSC Advances 13, n.º 2 (2023): 881–87. http://dx.doi.org/10.1039/d2ra07639j.

Texto completo da fonte

Resumo:

The electronic and optical properties of a AgGaGeS4 crystal were studied by first-principles calculations, and experimental X-ray photoelectron and emission spectra were measured to verify the theoretical data.

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

Vasil’eva, I. G., e R. E. Nikolaev. "Saturated vapor pressure over AgGaGeS4 crystals". Inorganic Materials 42, n.º 12 (dezembro de 2006): 1299–301. http://dx.doi.org/10.1134/s002016850612003x.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

Vasilyeva, Inga G., e Ruslan E. Nikolaev. "Non-stoichiometry and point native defects in non-oxide non-linear optical large single crystals: advantages and problems". CrystEngComm 24, n.º 8 (2022): 1495–506. http://dx.doi.org/10.1039/d1ce01423d.

Texto completo da fonte

Resumo:

Advances and limitations in the field of growing large, high optical quality single crystals of AgGaS2 (AGS), AgGaGeS4 (AGGS), ZnGeP2 (ZGP), LiInS2 (LIS), LiGaS2 (LGS), LiInSe2 (LISe), LiGaSe2 (LGSe) and LiGaTe2 (LGT) are considered in this article.

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

Davydyuk, G. Ye, G. L. Myronchuk, G. Lakshminarayana, O. V. Yakymchuk, A. H. Reshak, A. Wojciechowski, P. Rakus et al. "IR-induced features of AgGaGeS4 crystalline semiconductors". Journal of Physics and Chemistry of Solids 73, n.º 3 (março de 2012): 439–43. http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2011.11.026.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

Yurchenko, O. M., I. D. Olekseyuk, O. V. Parasyuk e V. Z. Pankevich. "Single crystal growth and properties of AgGaGeS4". Journal of Crystal Growth 275, n.º 1-2 (fevereiro de 2005): e1983-e1985. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.319.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

Adamenko, D., A. Say, O. Parasyuk, I. Martynyuk-Lototska e R. Vlokh. "Magnetooptic rotation and thermal expansion of AgGaGeS4 crystals". Ukrainian Journal of Physical Optics 17, n.º 3 (2016): 105. http://dx.doi.org/10.3116/16091833/17/3/105/2016.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

Mais fontes

Teses / dissertações sobre o assunto "AgGaGeS4"

Кримусь, А. С., Г. Л. Мирончук, О. М. Кльоц e К. В. Каплявка. "Дослідження коефіцієнта поглинання світла у монокристалах сполук Ag[0.95]Cu[0.05]GaGe[3]Se[8], AgGa[0.95]In[0.05]Ge[3]Se[8] та AgGaGe[2.85]Sn[0.15]Se[8]". Thesis, Сумський державний університет, 2016. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45786.

Texto completo da fonte

Resumo:

Розраховано значення сили електрон-фононної взаємодії (g), яке дорівнює 1.04, 1.06 та 1.08 для кристалів легованих Сu, In та Sn відповідно, що є типовим для кристалів, що мають дефекти стехіометрії у катіонних підрешітках.

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

Capítulos de livros sobre o assunto "AgGaGeS4"

Eckardt, R. C. "Infrared Frequency Generation in Chalcopyrite Crystals AgGaS2 and AgGaGe2". In Tunable Solid State Lasers for Remote Sensing, 138–40. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1985. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-39765-6_37.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

Trabalhos de conferências sobre o assunto "AgGaGeS4"

Rame, J., J. Petit, Q. Clement, J. M. Melkonian e B. Viana. "Chemical synthesis and crystal growth of AgGaGeS4, a material for mid-IR nonlinear laser applications". In SPIE LASE, editado por Konstantin L. Vodopyanov. SPIE, 2015. http://dx.doi.org/10.1117/12.2075582.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

Rame, Jérémy, Johan Petit e Bruno Viana. "Synthesis and growth of AgGaGeS4, a promising material for the frequency conversion in the mid-IR range". In Advanced Solid State Lasers. Washington, D.C.: OSA, 2013. http://dx.doi.org/10.1364/assl.2013.am4a.32.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

Miyata, K., V. Petrov, N. Umemura, K. Kato, N. Saito e S. Wada. "New experimental results for SHG and DFG in AgGaGeS 4". In Lasers and Applications in Science and Engineering, editado por Peter E. Powers. SPIE, 2007. http://dx.doi.org/10.1117/12.698079.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

Andreev, Yuri M., Pavel P. Geiko, Valery V. Badikov, Vladimir L. Panyutin, Galina S. Shevyrdayeva, Maxim V. Ivaschenko, Alexander I. Karapuzikov e Igor V. Sherstov. "Parametric frequency converters with LiInSe 2 , AgGaGeS 4 , HgGa 2 S 4 and Hg 0.65 Cd 0.35 Ga 2 S 4 crystals". In Ninth Joint International Symposium on Atmospheric and Ocean Optics/Atmospheric Physics, editado por Gennadii G. Matvienko e Vladimir P. Lukin. SPIE, 2003. http://dx.doi.org/10.1117/12.497306.

Texto completo da fonte

Estilos ABNT, Harvard, Vancouver, APA, etc.

Oferecemos descontos em todos os planos premium para autores cujas obras estão incluídas em seleções literárias temáticas. Contate-nos para obter um código promocional único!