Artykuły w czasopismach na temat „ZnGeP2”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „ZnGeP2”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Voevodin, Vladimir, Svetlana Bereznaya, Yury S. Sarkisov, Nikolay N. Yudin i Sergey Yu Sarkisov. "Terahertz Generation by Optical Rectification of 780 nm Laser Pulses in Pure and Sc-Doped ZnGeP2 Crystals". Photonics 9, nr 11 (16.11.2022): 863. http://dx.doi.org/10.3390/photonics9110863.
Pełny tekst źródłaNing, Jing, Rong Dai, Qiao Wu, Lei Zhang, Tingting Shao i Fuchun Zhang. "Density Functional Theory Study of Infrared Nonlinear Optical Crystal ZnGeP2". Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 16, nr 10 (1.10.2021): 1544–53. http://dx.doi.org/10.1166/jno.2021.3110.
Pełny tekst źródłaZhao, Xin, Shi Fu Zhu i Yong Qiang Sun. "Growth of ZnGeP2 Single Crystal by Three-Temperature-Zone Furnace". Advanced Materials Research 179-180 (styczeń 2011): 945–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.179-180.945.
Pełny tekst źródłaPal, S., D. Sharma, M. Chandra, M. Mittal, P. Singh, M. Lal i A. S. Verma. "Thermodynamic properties of chalcogenide and pnictide ternary tetrahedral semiconductors". Chalcogenide Letters 21, nr 1 (1.01.2024): 1–9. http://dx.doi.org/10.15251/cl.2024.211.1.
Pełny tekst źródłaYudin, Nikolay N., Andrei Khudoley, Mikhail Zinovev, Elena Slyunko, Sergey Podzyvalov, Vladimir Kuznetsov, Gennady Gorodkin i in. "Experimental Investigation of Laser Damage Limit for ZPG Infrared Single Crystal Using Deep Magnetorheological Polishing of Working Surfaces". Crystals 14, nr 1 (27.12.2023): 32. http://dx.doi.org/10.3390/cryst14010032.
Pełny tekst źródłaYudin, Nikolai, Oleg Antipov, Ilya Eranov, Alexander Gribenyukov, Galina Verozubova, Zuotao Lei, Mikhail Zinoviev i in. "Laser-Induced Damage Threshold of Single Crystal ZnGeP2 at 2.1 µm: The Effect of Crystal Lattice Quality at Various Pulse Widths and Repetition Rates". Crystals 12, nr 5 (2.05.2022): 652. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12050652.
Pełny tekst źródłaVoevodin, Vladimir I., Valentin N. Brudnyi, Yury S. Sarkisov, Xinyang Su i Sergey Yu Sarkisov. "Electrical Relaxation and Transport Properties of ZnGeP2 and 4H-SiC Crystals Measured with Terahertz Spectroscopy". Photonics 10, nr 7 (16.07.2023): 827. http://dx.doi.org/10.3390/photonics10070827.
Pełny tekst źródłaYudin, Nikolai, Andrei Khudoley, Mikhail Zinoviev, Sergey Podzvalov, Elena Slyunko, Elena Zhuravleva, Maxim Kulesh, Gennadij Gorodkin, Pavel Kumeysha i Oleg Antipov. "The Influence of Angstrom-Scale Roughness on the Laser-Induced Damage Threshold of Single-Crystal ZnGeP2". Crystals 12, nr 1 (8.01.2022): 83. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12010083.
Pełny tekst źródłaYudin, Nikolay, Mikhail Zinoviev, Vladimir Kuznetsov, Elena Slyunko, Sergey Podzvalov, Vladimir Voevodin, Alexey Lysenko i in. "Effect of Dopants on Laser-Induced Damage Threshold of ZnGeP2". Crystals 13, nr 3 (3.03.2023): 440. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13030440.
Pełny tekst źródłaSchnepf, Rekha R., Andrea Crovetto, Prashun Gorai, Anna Park, Megan Holtz, Karen N. Heinselman, Sage R. Bauers i in. "Reactive phosphine combinatorial co-sputtering of cation disordered ZnGeP2 films". Journal of Materials Chemistry C 10, nr 3 (2022): 870–79. http://dx.doi.org/10.1039/d1tc04695k.
Pełny tekst źródłaSchunemann, Peter G., i Thomas M. Pollak. "Ultralow Gradient HGF-Grown ZnGeP2 and CdGeAs2 and Their Optical Properties". MRS Bulletin 23, nr 7 (lipiec 1998): 23–27. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400029043.
Pełny tekst źródłaDyomin, Victor, Alexander Gribenyukov, Sergey Podzyvalov, Nikolay Yudin, Mikhail Zinoviev, Igor Polovtsev, Alexandra Davydova i Alexey Olshukov. "Application of Infrared Digital Holography for Characterization of Inhomogeneities and Voluminous Defects of Single Crystals on the Example of ZnGeP2". Applied Sciences 10, nr 2 (7.01.2020): 442. http://dx.doi.org/10.3390/app10020442.
Pełny tekst źródłaMoldovan, M., i N. C. Giles. "Broad-band photoluminescence from ZnGeP2". Journal of Applied Physics 87, nr 10 (15.05.2000): 7310–15. http://dx.doi.org/10.1063/1.372985.
Pełny tekst źródłaVerozubova, G. A., A. I. Gribenyukov i Yu P. Mironov. "Two-temperature synthesis of ZnGeP2". Inorganic Materials 43, nr 10 (październik 2007): 1040–45. http://dx.doi.org/10.1134/s0020168507100020.
Pełny tekst źródłaKalygina, Vera, Sergey Podzyvalov, Nikolay Yudin, Elena Slyunko, Mikhail Zinoviev, Vladimir Kuznetsov, Alexey Lysenko i in. "Effect of UV and IR Radiation on the Electrical Characteristics of Ga2O3/ZnGeP2 Hetero-Structures". Crystals 13, nr 8 (2.08.2023): 1203. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13081203.
Pełny tekst źródłaZinovev, Mikhail, Nikolay N. Yudin, Igor Kinyaevskiy, Sergey Podzyvalov, Vladimir Kuznetsov, Elena Slyunko, Houssain Baalbaki i Denis Vlasov. "Multispectral Anti-Reflection Coatings Based on YbF3/ZnS Materials on ZnGeP2 Substrate by the IBS Method for Mid-IR Laser Applications". Crystals 12, nr 10 (5.10.2022): 1408. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12101408.
Pełny tekst źródłaBairamov, B. H., V. Yu Rud' i Yu V. Rud'. "Properties of Dopants in ZnGeP2, CdGeAs2, AgGaS2 and AgGaSe2". MRS Bulletin 23, nr 7 (lipiec 1998): 41–44. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400029080.
Pełny tekst źródłaYudin, N. N., O. L. Antipov, A. I. Gribenyukov, V. V. Dyomin, M. M. Zinoviev, S. N. Podzivalov, E. S. Slyunko i in. "Influence of line-by-line processing technology on the optical breakthreshold of a ZnGeP2 single crystal". Izvestiya vysshikh uchebnykh zavedenii. Fizika, nr 11 (2021): 102–7. http://dx.doi.org/10.17223/00213411/64/11/102.
Pełny tekst źródłaCollins, Sean M., Jeanne M. Hankett, Azhar I. Carim i Stephen Maldonado. "Preparation of photoactive ZnGeP2 nanowire films". Journal of Materials Chemistry 22, nr 14 (2012): 6613. http://dx.doi.org/10.1039/c2jm16453a.
Pełny tekst źródłaZapol, Peter, Ravindra Pandey, Mel Ohmer i Julian Gale. "Atomistic calculations of defects in ZnGeP2". Journal of Applied Physics 79, nr 2 (1996): 671. http://dx.doi.org/10.1063/1.360811.
Pełny tekst źródłaWang, Lijun, Lihua Bai, K. T. Stevens, N. Y. Garces, N. C. Giles, S. D. Setzler, P. G. Schunemann i T. M. Pollak. "Luminescence associated with copper in ZnGeP2". Journal of Applied Physics 92, nr 1 (lipiec 2002): 77–81. http://dx.doi.org/10.1063/1.1481971.
Pełny tekst źródłaVerozubova, G. A., i A. I. Gribenyukov. "Growth of ZnGeP2 crystals from melt". Crystallography Reports 53, nr 1 (styczeń 2008): 158–63. http://dx.doi.org/10.1134/s1063774508010215.
Pełny tekst źródłaVerozubova, G. A., A. I. Gribenyukov, V. V. Korotkova i M. P. Ruzaikin. "ZnGeP2 synthesis and growth from melt". Materials Science and Engineering: B 48, nr 3 (sierpień 1997): 191–97. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(97)00046-9.
Pełny tekst źródłaXing, G. C., K. J. Bachmann i J. B. Posthill. "High‐pressure vapor transport of ZnGeP2". Applied Physics Letters 56, nr 3 (15.01.1990): 271–73. http://dx.doi.org/10.1063/1.103285.
Pełny tekst źródłaMason, P. D., D. J. Jackson i E. K. Gorton. "CO2 laser frequency doubling in ZnGeP2". Optics Communications 110, nr 1-2 (sierpień 1994): 163–66. http://dx.doi.org/10.1016/0030-4018(94)90190-2.
Pełny tekst źródłaKaravaev, P. M., V. M. Abusev i G. A. Medvedkin. "Photorefractive effect in ZnGeP2 single crystal". Technical Physics Letters 32, nr 6 (czerwiec 2006): 498–500. http://dx.doi.org/10.1134/s1063785006060149.
Pełny tekst źródłaShimony, Y., O. Raz, G. Kimmel i M. P. Dariel. "On defects in tetragonal ZnGeP2 crystals". Optical Materials 13, nr 1 (październik 1999): 101–9. http://dx.doi.org/10.1016/s0925-3467(99)00018-x.
Pełny tekst źródłaBacewicz, R., A. Pietnoczka, W. Gehlhoff i V. G. Voevodin. "Local order in ZnGeP2:Mn crystals". physica status solidi (a) 204, nr 7 (lipiec 2007): 2296–301. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200622598.
Pełny tekst źródłaTyuterev, V. G. "Electron short-wave phonon scattering in crystals with chalcopyrite lattice". Canadian Journal of Physics 98, nr 8 (sierpień 2020): 818–23. http://dx.doi.org/10.1139/cjp-2019-0523.
Pełny tekst źródłaZinovev, Mikhail, Nikolay N. Yudin, Vladimir Kuznetsov, Sergey Podzyvalov, Andrey Kalsin, Elena Slyunko, Alexey Lysenko, Denis Vlasov i Houssain Baalbaki. "High-Strength Optical Coatings for Single-Crystal ZnGeP2 by the IBS Method Using Selenide and Oxide Materials". Ceramics 6, nr 1 (13.02.2023): 514–24. http://dx.doi.org/10.3390/ceramics6010030.
Pełny tekst źródłaVasilyeva, Inga G., i Ruslan E. Nikolaev. "Non-stoichiometry and point native defects in non-oxide non-linear optical large single crystals: advantages and problems". CrystEngComm 24, nr 8 (2022): 1495–506. http://dx.doi.org/10.1039/d1ce01423d.
Pełny tekst źródłaPosthill, J. B., G. C. Xing, G. S. Solomon, K. J. Bachmann i M. L. Timmons. "Phase identification and defect structures in II-IV-V2 heteroepitaxial semiconductor thin films grown on III-V substrates". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 47 (6.08.1989): 582–83. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100154883.
Pełny tekst źródłaDietz, N., I. Tsveybak, W. Ruderman, G. Wood i K. J. Bachmann. "Native defect related optical properties of ZnGeP2". Applied Physics Letters 65, nr 22 (28.11.1994): 2759–61. http://dx.doi.org/10.1063/1.112555.
Pełny tekst źródłaRablau, C. I., i N. C. Giles. "Sharp-line luminescence and absorption in ZnGeP2". Journal of Applied Physics 90, nr 7 (październik 2001): 3314–18. http://dx.doi.org/10.1063/1.1399028.
Pełny tekst źródłaKrivosheeva, A. V., V. L. Shaposhnikov, V. V. Lyskouski, V. E. Borisenko, F. Arnaud d’Avitaya i J. L. Lazzari. "Prospects on Mn-doped ZnGeP2 for spintronics". Microelectronics Reliability 46, nr 9-11 (wrzesień 2006): 1747–49. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2006.08.006.
Pełny tekst źródłaVerozubova, G. A., A. O. Okunev, A. I. Gribenyukov, A. Yu Trofimiv, E. M. Trukhanov i A. V. Kolesnikov. "Growth and defect structure of ZnGeP2 crystals". Journal of Crystal Growth 312, nr 8 (kwiecień 2010): 1122–26. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2009.11.009.
Pełny tekst źródłaCheng, Jiang, Shifu Zhu, Beijun Zhao, Baojun Chen, Zhiyu He, Qiang Fan i Ting Xu. "Chemical etching orientation of ZnGeP2 single crystals". Journal of Crystal Growth 318, nr 1 (marzec 2011): 729–32. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.11.008.
Pełny tekst źródłaYang, Yongjuan, Yujun Zhang, Qingtian Gu, Huaijin Zhang i Xutang Tao. "Growth and annealing characterization of ZnGeP2 crystal". Journal of Crystal Growth 318, nr 1 (marzec 2011): 721–24. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.11.039.
Pełny tekst źródłaShimony, Y., R. Fledman, I. Dahan i G. Kimmel. "Anti-phase domain boundaries in ZnGeP2 (ZGP)". Optical Materials 16, nr 1-2 (luty 2001): 119–23. http://dx.doi.org/10.1016/s0925-3467(00)00067-7.
Pełny tekst źródłaKataev, Yu G., I. A. Bobrovnikova, V. G. Voevodin, E. I. Drigolenko, L. G. Nesteryuk i M. P. Yakubenya. "Preparation and properties of epitaxial ZnGeP2 films". Soviet Physics Journal 31, nr 4 (kwiecień 1988): 321–23. http://dx.doi.org/10.1007/bf00892644.
Pełny tekst źródłaRud’, V. Yu, i Yu V. Rud’. "ZnGeP2 heterocontact with layered III–VI semiconductors". Technical Physics Letters 23, nr 6 (czerwiec 1997): 415–16. http://dx.doi.org/10.1134/1.1261718.
Pełny tekst źródłaEndo, T., Y. Sato, H. Takizawa i M. Shimada. "High-pressure synthesis of ZnSiP2 and ZnGeP2". Journal of Materials Science Letters 11, nr 9 (1992): 567–69. http://dx.doi.org/10.1007/bf00728610.
Pełny tekst źródłaXie, Hu, Bei Jun Zhao, Shi Fu Zhu, Bao Jun Chen, Zhi Yu He, Deng Hui Yang, Wei Huang, Wei Liu i Zhang Rui Zhao. "Characterization and Vertical Elements Distribution of ZnGeP2 Single Crystals". Key Engineering Materials 680 (luty 2016): 493–97. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.680.493.
Pełny tekst źródłaGrechin, Sergey G., i Ilyia A. Muravev. "Crystal ZnGeP2 for Nonlinear Frequency Conversion: Physical Parameters, Phase-Matching and Nonlinear Properties: Revision". Photonics 11, nr 5 (11.05.2024): 450. http://dx.doi.org/10.3390/photonics11050450.
Pełny tekst źródłaVerozubova, G. A., A. Yu Trofimov, E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov, A. O. Okunev, Yu F. Ivanov, P. R. J. Galtier i S. A. Said Hassani. "Melt nonstoichiometry and defect structure of ZnGeP2 crystals". Crystallography Reports 55, nr 1 (styczeń 2010): 65–70. http://dx.doi.org/10.1134/s1063774510010116.
Pełny tekst źródłaSetzler, S. D., P. G. Schunemann, T. M. Pollak, M. C. Ohmer, J. T. Goldstein, F. K. Hopkins, K. T. Stevens, L. E. Halliburton i N. C. Giles. "Characterization of defect-related optical absorption in ZnGeP2". Journal of Applied Physics 86, nr 12 (15.12.1999): 6677–81. http://dx.doi.org/10.1063/1.371743.
Pełny tekst źródłaMengyan, P. W., B. B. Baker, R. L. Lichti, K. H. Chow, Y. G. Celebi, K. T. Zawilski i P. G. Schunemann. "Hyperfine spectroscopy and characterization of muonium in ZnGeP2". Physica B: Condensed Matter 404, nr 23-24 (grudzień 2009): 5121–24. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.212.
Pełny tekst źródłaTitov, K. S., i V. N. Brudnyi. "Structure Defects in a Triple Semiconducting Compound ZnGeP2". Russian Physics Journal 57, nr 1 (maj 2014): 50–54. http://dx.doi.org/10.1007/s11182-014-0206-x.
Pełny tekst źródłaBrudnyi, V. N., V. A. Novikov i E. A. Popova. "Electrical and optical properties of electron-irradiated ZnGeP2". Soviet Physics Journal 29, nr 8 (sierpień 1986): 679–86. http://dx.doi.org/10.1007/bf00894036.
Pełny tekst źródłaApollonov, V. V., Yu A. Shakir i A. I. Gribenyukov. "Modelling half-cycle pulse generation in ZnGeP2 crystal". Journal of Physics D: Applied Physics 35, nr 13 (18.06.2002): 1477–80. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/35/13/304.
Pełny tekst źródła