Artykuły w czasopismach na temat „Wind band gap Semiconductors”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Wind band gap Semiconductors”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Rome, Grace, Fry Intia, Talysa Klein, Zebulon Schicht, Adele Tamboli, Emily L. Warren i Ann L. Greenaway. "Utilizing a Transparent Conductive Encapsulant to Protect Photoelectrodes during Solar Fuel Formation". ECS Meeting Abstracts MA2023-01, nr 55 (28.08.2023): 2705. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01552705mtgabs.
Pełny tekst źródłaWoods-Robinson, Rachel, Yanbing Han, Hanyu Zhang, Tursun Ablekim, Imran Khan, Kristin A. Persson i Andriy Zakutayev. "Wide Band Gap Chalcogenide Semiconductors". Chemical Reviews 120, nr 9 (6.04.2020): 4007–55. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemrev.9b00600.
Pełny tekst źródłaMedvid, Arthur, Igor Dmitruk, Pavels Onufrijevs i Iryna Pundyk. "Properties of Nanostructure Formed on SiO2/Si Interface by Laser Radiation". Solid State Phenomena 131-133 (październik 2007): 559–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.131-133.559.
Pełny tekst źródłaLI, KEYAN, YANJU LI i DONGFENG XUE. "BAND GAP PREDICTION OF ALLOYED SEMICONDUCTORS". Functional Materials Letters 04, nr 03 (wrzesień 2011): 217–19. http://dx.doi.org/10.1142/s179360471100210x.
Pełny tekst źródłaNag, B. R. "Direct band-gap energy of semiconductors". Infrared Physics & Technology 36, nr 5 (sierpień 1995): 831–35. http://dx.doi.org/10.1016/1350-4495(95)00023-r.
Pełny tekst źródłaKeßler, P., K. Lorenz i R. Vianden. "Implanted Impurities in Wide Band Gap Semiconductors". Defect and Diffusion Forum 311 (marzec 2011): 167–79. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.311.167.
Pełny tekst źródłaJin, Haiwei, Li Qin, Lan Zhang, Xinlin Zeng i Rui Yang. "Review of wide band-gap semiconductors technology". MATEC Web of Conferences 40 (2016): 01006. http://dx.doi.org/10.1051/matecconf/20164001006.
Pełny tekst źródłaWoods-Robinson, Rachel, Yanbing Han, Hanyu Zhang, Tursun Ablekim, Imran Khan, Kristin A. Persson i Andriy Zakutayev. "Correction to Wide Band Gap Chalcogenide Semiconductors". Chemical Reviews 120, nr 15 (3.08.2020): 8035. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemrev.0c00643.
Pełny tekst źródłaCam, Hoang Ngoc, Nguyen Van Hieu i Nguyen Ai Viet. "Excitons in direct band gap cubic semiconductors". Annals of Physics 164, nr 1 (październik 1985): 172–88. http://dx.doi.org/10.1016/0003-4916(85)90007-7.
Pełny tekst źródłaSalvatori, S. "Wide-band gap semiconductors for noncontact thermometry". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 19, nr 1 (2001): 219. http://dx.doi.org/10.1116/1.1342007.
Pełny tekst źródłaPearton, S. J., C. R. Abernathy, M. E. Overberg, G. T. Thaler, D. P. Norton, N. Theodoropoulou, A. F. Hebard i in. "Wide band gap ferromagnetic semiconductors and oxides". Journal of Applied Physics 93, nr 1 (styczeń 2003): 1–13. http://dx.doi.org/10.1063/1.1517164.
Pełny tekst źródłaLI, KEYAN, YANJU LI i DONGFENG XUE. "BAND GAP ENGINEERING OF CRYSTAL MATERIALS: BAND GAP ESTIMATION OF SEMICONDUCTORS VIA ELECTRONEGATIVITY". Functional Materials Letters 05, nr 02 (czerwiec 2012): 1260002. http://dx.doi.org/10.1142/s1793604712600028.
Pełny tekst źródłaLund, Mark W. "More than One Ever Wanted to Know about X-Ray Detectors Part VI: Alternate Semiconductors for Detectors". Microscopy Today 3, nr 5 (czerwiec 1995): 12–13. http://dx.doi.org/10.1017/s1551929500066116.
Pełny tekst źródłaZhao, Yang-Yang, i Si-Yuan Sheng. "The electronic and optical properties of Cs2BX6 (B = Zr, Hf) perovskites with first-principle method". PLOS ONE 18, nr 12 (22.12.2023): e0292399. http://dx.doi.org/10.1371/journal.pone.0292399.
Pełny tekst źródłaPramanik, Md Bappi, Md Abdullah Al Rakib, Md Abubakor Siddik i Shorab Bhuiyan. "Doping Effects and Relationship between Energy Band Gaps, Impact of Ionization Coefficient and Light Absorption Coefficient in Semiconductors". European Journal of Engineering and Technology Research 9, nr 1 (18.01.2024): 10–15. http://dx.doi.org/10.24018/ejeng.2024.9.1.3118.
Pełny tekst źródłaTu, Haoran, Jing Zhang, Zexuan Guo i Chunyan Xu. "Biaxial strain modulated the electronic structure of hydrogenated 2D tetragonal silicene". RSC Advances 9, nr 72 (2019): 42245–51. http://dx.doi.org/10.1039/c9ra08634j.
Pełny tekst źródłaKrivosheeva, A. V., i V. L. Shaposhnikov. "The structure and optical properties of semiconductor nitrides MgSiN<sub>2</sub>, MgGeN<sub>2</sub>, ZnSiN<sub>2</sub>, ZnGeN<sub>2</sub>". Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics Series 58, nr 4 (1.01.2023): 424–30. http://dx.doi.org/10.29235/1561-2430-2022-58-4-424-430.
Pełny tekst źródłaGusakov, Vasilii E. "A New Approach for Calculating the Band Gap of Semiconductors within the Density Functional Method". Solid State Phenomena 242 (październik 2015): 434–39. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.242.434.
Pełny tekst źródłaLaks, D. B., Chris G. Van de Walle, Gertrude F. Neumark i Sokrates T. Pantelides. "Native Defect Compensation in Wide-Band-Gap Semiconductors". Materials Science Forum 83-87 (styczeń 1992): 1225–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.83-87.1225.
Pełny tekst źródłaJohn, Rita. "Band Gap Engineering in Bulk and Nano Semiconductors". MRS Proceedings 1454 (2012): 233–38. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2012.1445.
Pełny tekst źródłaHebda, Maciej, Grażyna Stochel, Konrad Szaciłowski i Wojciech Macyk. "Optoelectronic Switches Based on Wide Band Gap Semiconductors". Journal of Physical Chemistry B 110, nr 31 (sierpień 2006): 15275–83. http://dx.doi.org/10.1021/jp061262b.
Pełny tekst źródłaKhurgin, Jacob B. "Band gap engineering for laser cooling of semiconductors". Journal of Applied Physics 100, nr 11 (2006): 113116. http://dx.doi.org/10.1063/1.2395599.
Pełny tekst źródłaPong, C., N. M. Johnson, R. A. Street, J. Walker, R. S. Feigelson i R. C. De Mattei. "Hydrogenation of wide‐band‐gap II‐VI semiconductors". Applied Physics Letters 61, nr 25 (21.12.1992): 3026–28. http://dx.doi.org/10.1063/1.107998.
Pełny tekst źródłaSontakke, Kirti, Nischhal Yadav i S. Ghosh. "Transient Brillouin gain in direct band gap semiconductors". Journal of Physics: Conference Series 365 (18.05.2012): 012043. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/365/1/012043.
Pełny tekst źródłaGoldbach, Andreas, Marie-Louise Saboungi, Lennox E. Iton i David L. Price. "Approach to band gap alignment in confined semiconductors". Journal of Chemical Physics 115, nr 24 (22.12.2001): 11254–60. http://dx.doi.org/10.1063/1.1416125.
Pełny tekst źródłaIliadis, A. A., R. D. Vispute, T. Venkatesan i K. A. Jones. "Ohmic metallization technology for wide band-gap semiconductors". Thin Solid Films 420-421 (grudzień 2002): 478–86. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00834-9.
Pełny tekst źródłaMahanti, S. D., Khang Hoang i Salameh Ahmad. "Deep defect states in narrow band-gap semiconductors". Physica B: Condensed Matter 401-402 (grudzień 2007): 291–95. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2007.08.169.
Pełny tekst źródłaRam, R. S., O. M. Prakash i A. N. Pandey. "Photoacoustic determination of energy band gap of semiconductors". Pramana 28, nr 3 (marzec 1987): 293–97. http://dx.doi.org/10.1007/bf02845606.
Pełny tekst źródłaWalsh, Aron, John Buckeridge, C. Richard A. Catlow, Adam J. Jackson, Thomas W. Keal, Martina Miskufova, Paul Sherwood i in. "Limits to Doping of Wide Band Gap Semiconductors". Chemistry of Materials 25, nr 15 (31.07.2013): 2924–26. http://dx.doi.org/10.1021/cm402237s.
Pełny tekst źródłaSingh, M., i P. R. Wallace. "Inter-band magneto-optics in narrow-gap semiconductors". Journal of Physics C: Solid State Physics 20, nr 14 (20.05.1987): 2169–81. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3719/20/14/018.
Pełny tekst źródłaJain, S. C., J. M. McGregor i D. J. Roulston. "Band‐gap narrowing in novel III‐V semiconductors". Journal of Applied Physics 68, nr 7 (październik 1990): 3747–49. http://dx.doi.org/10.1063/1.346291.
Pełny tekst źródłaJones, Tony C. "Precursors for wide band gap II–VI semiconductors". Euro III-Vs Review 3, nr 3 (czerwiec 1990): 32–33. http://dx.doi.org/10.1016/0959-3527(90)90220-n.
Pełny tekst źródłaHenriques, A. B., S. Obukhov, L. C. D. Gonçalves, B. Yavich i A. B. Henriques. "Band Gap Renormalization in Periodically Delta-Doped Semiconductors". physica status solidi (a) 164, nr 1 (listopad 1997): 133–36. http://dx.doi.org/10.1002/1521-396x(199711)164:1<133::aid-pssa133>3.0.co;2-c.
Pełny tekst źródłaDas, Atanu, i Arif Khan. "Carrier Concentrations in Degenerate Semiconductors Having Band Gap Narrowing". Zeitschrift für Naturforschung A 63, nr 3-4 (1.04.2008): 193–98. http://dx.doi.org/10.1515/zna-2008-3-413.
Pełny tekst źródłaXu, Chunyan, Jing Zhang, Ming Guo i Lingrui Wang. "Modulation of the electronic property of hydrogenated 2D tetragonal Ge by applying external strain". RSC Advances 9, nr 40 (2019): 23142–47. http://dx.doi.org/10.1039/c9ra04655k.
Pełny tekst źródłaChu, Jun‐hao, Zheng‐yu Mi i Ding‐yuan Tang. "Band‐to‐band optical absorption in narrow‐gap Hg1−xCdxTe semiconductors". Journal of Applied Physics 71, nr 8 (15.04.1992): 3955–61. http://dx.doi.org/10.1063/1.350867.
Pełny tekst źródłaWang, R. Z., B. Wang, H. Wang, H. Zhou, A. P. Huang, M. K. Zhu, H. Yan i X. H. Yan. "Band bending mechanism for field emission in wide-band gap semiconductors". Applied Physics Letters 81, nr 15 (7.10.2002): 2782–84. http://dx.doi.org/10.1063/1.1511809.
Pełny tekst źródłaApostolova, Iliana, Angel Apostolov i Julia Wesselinowa. "Band Gap Tuning in Transition Metal and Rare-Earth-Ion-Doped TiO2, CeO2, and SnO2 Nanoparticles". Nanomaterials 13, nr 1 (28.12.2022): 145. http://dx.doi.org/10.3390/nano13010145.
Pełny tekst źródłaKlimm, Detlef. "Electronic materials with a wide band gap: recent developments". IUCrJ 1, nr 5 (29.08.2014): 281–90. http://dx.doi.org/10.1107/s2052252514017229.
Pełny tekst źródłaLin, Der-Yuh, Hung-Pin Hsu, Cheng-Wen Wang, Shang-Wei Chen, Yu-Tai Shih, Sheng-Beng Hwang i Piotr Sitarek. "Temperature-Dependent Absorption of Ternary HfS2−xSex 2D Layered Semiconductors". Materials 15, nr 18 (11.09.2022): 6304. http://dx.doi.org/10.3390/ma15186304.
Pełny tekst źródłaLi, Guowei, Ren Su, Jiancun Rao, Jiquan Wu, Petra Rudolf, Graeme R. Blake, Robert A. de Groot, Flemming Besenbacher i Thomas T. M. Palstra. "Band gap narrowing of SnS2superstructures with improved hydrogen production". Journal of Materials Chemistry A 4, nr 1 (2016): 209–16. http://dx.doi.org/10.1039/c5ta07283b.
Pełny tekst źródłaMoram, M. A., i S. Zhang. "ScGaN and ScAlN: emerging nitride materials". J. Mater. Chem. A 2, nr 17 (2014): 6042–50. http://dx.doi.org/10.1039/c3ta14189f.
Pełny tekst źródłaHuo, Sitong, Shuqing Zhang, Qilin Wu i Xinping Zhang. "Feature-Assisted Machine Learning for Predicting Band Gaps of Binary Semiconductors". Nanomaterials 14, nr 5 (28.02.2024): 445. http://dx.doi.org/10.3390/nano14050445.
Pełny tekst źródłaTREW, R. J., i M. W. SHIN. "HIGH FREQUENCY, HIGH TEMPERATURE FIELD-EFFECT TRANSISTORS FABRICATED FROM WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 06, nr 01 (marzec 1995): 211–36. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156495000067.
Pełny tekst źródłaBagraev, Nikolai T., A. D. Bouravleuv, A. A. Gippius, L. E. Klyachkin i A. M. Malyarenko. "Low Temperature Impurity Diffusion into Large-Band-Gap Semiconductors". Defect and Diffusion Forum 194-199 (kwiecień 2001): 679–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.194-199.679.
Pełny tekst źródłaPanday, Suman Raj, i Maxim Dzero. "Interacting fermions in narrow-gap semiconductors with band inversion". Journal of Physics: Condensed Matter 33, nr 27 (28.05.2021): 275601. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/abfc6e.
Pełny tekst źródłaMitrovic, Ivona Z., Harry Finch, Leanne A. H. Jones, Vinod R. Dhanak, Adrian N. Hannah, Reza Valizadeh, Arne Benjamin B. Renz, Vishal Ajit Shah, Peter Michael Gammon i P. A. Mawby. "(Invited) Rare Earth Oxides on Wide Band Gap Semiconductors". ECS Meeting Abstracts MA2022-01, nr 19 (7.07.2022): 1072. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01191072mtgabs.
Pełny tekst źródłaEdgar, J. H. "Prospects for device implementation of wide band gap semiconductors". Journal of Materials Research 7, nr 1 (styczeń 1992): 235–52. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1992.0235.
Pełny tekst źródłaLaks, D. B., C. G. Van de Walle, G. F. Neumark i S. T. Pantelides. "Role of native defects in wide-band-gap semiconductors". Physical Review Letters 66, nr 5 (4.02.1991): 648–51. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.66.648.
Pełny tekst źródłaKalt, H., i M. Rinker. "Band-gap renormalization in semiconductors with multiple inequivalent valleys". Physical Review B 45, nr 3 (15.01.1992): 1139–54. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.45.1139.
Pełny tekst źródła