Książki na temat „Wind band gap Semiconductors”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 26 najlepszych książek naukowych na temat „Wind band gap Semiconductors”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj książki z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
1953-, Prelas Mark Antonio, North Atlantic Treaty Organization. Scientific Affairs Division. i NATO Advanced Research Workshop on Wide Band Gap Electronic Materials: Diamond, Aluminum Nitride, and Boron Nitride (1994 : Minsk, Belarus), red. Wide band gap electronic materials. Dordrecht: Kluwer Academic Publishers, 1995.
Znajdź pełny tekst źródłaUnited States. National Aeronautics and Space Administration., red. Further improvements in program to calculate electronic properties of narrow band gap materials: Final report. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1992.
Znajdź pełny tekst źródłaYang, Fan. Electromagnetic band gap structures in antenna engineering. New York: Cambridge University Press, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaT͡Sidilʹkovskiĭ, I. M. Electron spectrum of gapless semiconductors. Berlin: Springer, 1997.
Znajdź pełny tekst źródłaSymposium L on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS (1998 Strasbourg, France). Nitrides and related wide band gap materials: Proceedings of Symposium L on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France, June 16-19, 1998. Amsterdam: Elsevier, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaYi-Gao, Sha, i United States. National Aeronautics and Space Administration., red. Growth of wide band gap II-VI compound semiconductors by physical vapor transport. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1995.
Znajdź pełny tekst źródłaYi-Gao, Sha, i United States. National Aeronautics and Space Administration., red. Growth of wide band gap II-VI compound semiconductors by physical vapor transport. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1995.
Znajdź pełny tekst źródłaTrieste ICTP-IUPAP Semiconductor Symposium (7th 1992). Wide-band-gap semiconductors: Proceedings of the Seventh Trieste ICTP-IUPAP Semiconductor Symposium, International Centre for Theoretical Physics, Trieste, Italy, 8-12 June 1992. Redaktor Van de Walle, Chris Gilbert. Amsterdam: North-Holland, 1993.
Znajdź pełny tekst źródłaSymposium, L. on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials (1998 Strasbourg France). Nitrides and related wide band gap materials: Proceedings of Symposium L on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France 16-19 June 1998. Amsterdam: Elsevier, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaUnited States. National Aeronautics and Space Administration., red. Bulk growth of wide band gap II-VI compound semiconductors by physical vapor transport. Bellingham, Wash: Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers, 1997.
Znajdź pełny tekst źródłaĖlektronnyĭ spektr besshchelevykh poluprovodnikov. Sverdlovsk: Akademii͡a nauk SSSR, Uralʹskoe otd-nie, 1991.
Znajdź pełny tekst źródłaVernon, Stanley. Gallium arsenide-based ternary compounds and multi-band-gap solar cell research: Annual subcontract report, 15 April 1988-14 June 1990. Golden, Colo: National Renewable Energy Laboratory, 1993.
Znajdź pełny tekst źródła1992), Trieste IUPAP-ICTP Semiconductor Symposium (7th. Wide-band-gap semiconductors: Proceedings of the seventh Trieste ICTP-IUPAP Semiconductor Symposium, International Centre for Theoretical Physics, Trieste, Italy, 8-12 June 1992. Amsterdam: North Holland, 1993.
Znajdź pełny tekst źródłaWide-Band-Gap Semiconductors. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/c2009-0-10257-x.
Pełny tekst źródłaC. G. Van de Walle. Wide-Band-gap Semiconductors. Elsevier Science & Technology Books, 2012.
Znajdź pełny tekst źródłaPearton, Stephen J. Processing of 'Wide Band Gap Semiconductors. Elsevier Science & Technology Books, 2000.
Znajdź pełny tekst źródłaGupta, Tapan Kumar. Band gap narrowing in heavily doped silicon. 1988.
Znajdź pełny tekst źródłaPearton, Stephen J. Processing of Wide Band Gap Semiconductors (Materials and Processing Technology). Noyes Publications, 2000.
Znajdź pełny tekst źródłaD, Moustakas T., Pankove Jacques I. 1922- i Hamakawa Yoshihiro 1932-, red. Wide band gap semiconductors: Symposium held December 2-6, 1991, Boston, Massachusetts, U.S.A. Pittsburgh, Pa: Materials Research Society, 1992.
Znajdź pełny tekst źródłaMorkoç, Hadis. Handbook of Nitride Semiconductors and Devices, Vol. 2: Electronic and Optical Processes in Wide Band Gap Semiconductors. Springer, 2007.
Znajdź pełny tekst źródłaHeterojunction band discontinuities: Physics and device applications. Amsterdam: North-Holland, 1987.
Znajdź pełny tekst źródłaWalle, Chris G. Van De. Wide-Band-Gap Semiconductors: Proceedings of the Seventh Trieste Ictp-Iupap Semiconductor Symposium : International Centre for Theoretical Physics T. North-Holland, 1993.
Znajdź pełny tekst źródłaWang, Fei, Zheyu Zhang i Edward A. Jones. Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices. Institution of Engineering & Technology, 2018.
Znajdź pełny tekst źródłaCharacterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices. Institution of Engineering & Technology, 2018.
Znajdź pełny tekst źródłaAdvanced Technologies for Next Generation Integrated Circuits. Institution of Engineering & Technology, 2020.
Znajdź pełny tekst źródłaBasu, Prasanta Kumar, Bratati Mukhopadhyay i Rikmantra Basu. Semiconductor Nanophotonics. Oxford University PressOxford, 2022. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198784692.001.0001.
Pełny tekst źródła