Gotowa bibliografia na temat „Wind band gap Semiconductors”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Spis treści
Zobacz listy aktualnych artykułów, książek, rozpraw, streszczeń i innych źródeł naukowych na temat „Wind band gap Semiconductors”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Artykuły w czasopismach na temat "Wind band gap Semiconductors"
Rome, Grace, Fry Intia, Talysa Klein, Zebulon Schicht, Adele Tamboli, Emily L. Warren i Ann L. Greenaway. "Utilizing a Transparent Conductive Encapsulant to Protect Photoelectrodes during Solar Fuel Formation". ECS Meeting Abstracts MA2023-01, nr 55 (28.08.2023): 2705. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01552705mtgabs.
Pełny tekst źródłaWoods-Robinson, Rachel, Yanbing Han, Hanyu Zhang, Tursun Ablekim, Imran Khan, Kristin A. Persson i Andriy Zakutayev. "Wide Band Gap Chalcogenide Semiconductors". Chemical Reviews 120, nr 9 (6.04.2020): 4007–55. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemrev.9b00600.
Pełny tekst źródłaMedvid, Arthur, Igor Dmitruk, Pavels Onufrijevs i Iryna Pundyk. "Properties of Nanostructure Formed on SiO2/Si Interface by Laser Radiation". Solid State Phenomena 131-133 (październik 2007): 559–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.131-133.559.
Pełny tekst źródłaLI, KEYAN, YANJU LI i DONGFENG XUE. "BAND GAP PREDICTION OF ALLOYED SEMICONDUCTORS". Functional Materials Letters 04, nr 03 (wrzesień 2011): 217–19. http://dx.doi.org/10.1142/s179360471100210x.
Pełny tekst źródłaNag, B. R. "Direct band-gap energy of semiconductors". Infrared Physics & Technology 36, nr 5 (sierpień 1995): 831–35. http://dx.doi.org/10.1016/1350-4495(95)00023-r.
Pełny tekst źródłaKeßler, P., K. Lorenz i R. Vianden. "Implanted Impurities in Wide Band Gap Semiconductors". Defect and Diffusion Forum 311 (marzec 2011): 167–79. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.311.167.
Pełny tekst źródłaJin, Haiwei, Li Qin, Lan Zhang, Xinlin Zeng i Rui Yang. "Review of wide band-gap semiconductors technology". MATEC Web of Conferences 40 (2016): 01006. http://dx.doi.org/10.1051/matecconf/20164001006.
Pełny tekst źródłaWoods-Robinson, Rachel, Yanbing Han, Hanyu Zhang, Tursun Ablekim, Imran Khan, Kristin A. Persson i Andriy Zakutayev. "Correction to Wide Band Gap Chalcogenide Semiconductors". Chemical Reviews 120, nr 15 (3.08.2020): 8035. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemrev.0c00643.
Pełny tekst źródłaCam, Hoang Ngoc, Nguyen Van Hieu i Nguyen Ai Viet. "Excitons in direct band gap cubic semiconductors". Annals of Physics 164, nr 1 (październik 1985): 172–88. http://dx.doi.org/10.1016/0003-4916(85)90007-7.
Pełny tekst źródłaSalvatori, S. "Wide-band gap semiconductors for noncontact thermometry". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 19, nr 1 (2001): 219. http://dx.doi.org/10.1116/1.1342007.
Pełny tekst źródłaRozprawy doktorskie na temat "Wind band gap Semiconductors"
Dorji, Chencho. "Etude des propriétés des isolants liquides pour l’encapsulation des substrats d’électronique de puissance". Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALT022.
Pełny tekst źródłaPower modules based on wide band gap semiconductor has the potential to withstand high temperature (junction temperature >>200°C) and high voltage (blocking voltage of 10kV) contary to silicone based power module. However, silicone gel, the most commonly used encapsulant material in power modules cannot operatrate above 200°C. Moreover, electrical breakdown and partial discharge events results in permanent damage of the power module. In this work, we propose liquid dielectric as a potential encapsulant that may have better electrical and thermal performance than silicone gel. We did dielectric characterization of several potential liquids and developed field simulation model to study the electric field at triple point in power modules. Partial discharge measurements were made under AC and fast rise with different power electronic substrates embedded in liquid dielectrics. We also investigated the possibility of cooling power devices with EHD heat transfer enhancement and performed some supplementary experiments on thermal againg of liquids. The results indicated that liquids have potential to be used as encapsulant in power modules
Chan, Yung. "Optical functions of wide band gap semiconductors /". View the Table of Contents & Abstract, 2004. http://sunzi.lib.hku.hk/hkuto/record/B32021264.
Pełny tekst źródłaTirino, Louis. "Transport Properties of Wide Band Gap Semiconductors". Diss., Georgia Institute of Technology, 2004. http://hdl.handle.net/1853/5210.
Pełny tekst źródłaChan, Yung, i 陳勇. "Optical functions of wide band gap semiconductors". Thesis, The University of Hong Kong (Pokfulam, Hong Kong), 2004. http://hub.hku.hk/bib/B45015338.
Pełny tekst źródłaSaadatkia, Pooneh. "Optoelectronic Properties of Wide Band Gap Semiconductors". Bowling Green State University / OhioLINK, 2019. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=bgsu1562379152593304.
Pełny tekst źródłaFarahmand, Maziar. "Advanced simulation of wide band gap semiconductor devices". Diss., Georgia Institute of Technology, 2000. http://hdl.handle.net/1853/14777.
Pełny tekst źródłaKusch, Gunnar. "Characterization of low conductivity wide band gap semiconductors". Thesis, University of Strathclyde, 2016. http://digitool.lib.strath.ac.uk:80/R/?func=dbin-jump-full&object_id=27392.
Pełny tekst źródłaMickevičius, Jūras. "Carrier recombination in wide-band-gap nitride semiconductors". Doctoral thesis, Lithuanian Academic Libraries Network (LABT), 2009. http://vddb.library.lt/obj/LT-eLABa-0001:E.02~2009~D_20091121_102304-00016.
Pełny tekst źródłaDisertacija skirta krūvininkų rekombinacijos tyrimams plačiatarpiuose nitridiniuose puslaidininkiuose bei jų dariniuose. Kompleksiniai eksperimentiniai tyrimai buvo atlikti naudojant kelias skirtingas metodikas. Atlikti krūvininkų dinamikos GaN sluoksniuose tyrimai labai žemų ir aukštų sužadinimų sąlygomis. Pasiūlytas naujas liuminescencijos gesimo kinetikų interpretavimo metodas, siejant liuminescencijos ir šviesa indukuotų dinaminių gardelių kinetikas. Naujas požiūris į geltonosios liuminescencijos juostą GaN sluoksniuose leido susieti geltonosios liuminescencijos intensyvumą su krūvininkų gyvavimo trukme. Skirtingomis technologijomis augintų AlGaN sluoksnių palyginimas suteikė informacijos apie juostos potencialo fliuktuacijas bei krūvininkų gyvavimo trukmę ribojančius veiksnius AlGaN medžiagose. Atskleista naujų krūvininkų dinamikos daugialakštėse AlGaN/AlGaN kvantinėse duobėse ypatumų – vidinio elektrinio lauko bei kvantinės duobės pločio fliuktuacijų sąlygotos lokalizacijos įtaka krūvininkų dinamikai. Dauguma tirtų bandinių buvo auginti naudojant MEMOCVDTM technologiją ir tyrimai patvirtino šios technologijos potencialą siekiant pagerinti medžiagų kokybę.
Bellotti, E. (Enrico). "Advanced modeling of wide band gap semiconductor materials and devices". Diss., Georgia Institute of Technology, 1999. http://hdl.handle.net/1853/15354.
Pełny tekst źródłaLajn, Alexander. "Transparent rectifying contacts on wide-band gap oxide semiconductors". Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Leipzig, 2013. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:15-qucosa-102799.
Pełny tekst źródłaKsiążki na temat "Wind band gap Semiconductors"
1953-, Prelas Mark Antonio, North Atlantic Treaty Organization. Scientific Affairs Division. i NATO Advanced Research Workshop on Wide Band Gap Electronic Materials: Diamond, Aluminum Nitride, and Boron Nitride (1994 : Minsk, Belarus), red. Wide band gap electronic materials. Dordrecht: Kluwer Academic Publishers, 1995.
Znajdź pełny tekst źródłaUnited States. National Aeronautics and Space Administration., red. Further improvements in program to calculate electronic properties of narrow band gap materials: Final report. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1992.
Znajdź pełny tekst źródłaYang, Fan. Electromagnetic band gap structures in antenna engineering. New York: Cambridge University Press, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaT͡Sidilʹkovskiĭ, I. M. Electron spectrum of gapless semiconductors. Berlin: Springer, 1997.
Znajdź pełny tekst źródłaSymposium L on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS (1998 Strasbourg, France). Nitrides and related wide band gap materials: Proceedings of Symposium L on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France, June 16-19, 1998. Amsterdam: Elsevier, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaYi-Gao, Sha, i United States. National Aeronautics and Space Administration., red. Growth of wide band gap II-VI compound semiconductors by physical vapor transport. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1995.
Znajdź pełny tekst źródłaYi-Gao, Sha, i United States. National Aeronautics and Space Administration., red. Growth of wide band gap II-VI compound semiconductors by physical vapor transport. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1995.
Znajdź pełny tekst źródłaTrieste ICTP-IUPAP Semiconductor Symposium (7th 1992). Wide-band-gap semiconductors: Proceedings of the Seventh Trieste ICTP-IUPAP Semiconductor Symposium, International Centre for Theoretical Physics, Trieste, Italy, 8-12 June 1992. Redaktor Van de Walle, Chris Gilbert. Amsterdam: North-Holland, 1993.
Znajdź pełny tekst źródłaSymposium, L. on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials (1998 Strasbourg France). Nitrides and related wide band gap materials: Proceedings of Symposium L on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France 16-19 June 1998. Amsterdam: Elsevier, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaUnited States. National Aeronautics and Space Administration., red. Bulk growth of wide band gap II-VI compound semiconductors by physical vapor transport. Bellingham, Wash: Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers, 1997.
Znajdź pełny tekst źródłaCzęści książek na temat "Wind band gap Semiconductors"
Ravichandran, K., S. Suvathi, P. Ravikumar i R. Mohan. "Wide Band Gap Semiconductors". W Handbook of Semiconductors, 40–53. Boca Raton: CRC Press, 2024. http://dx.doi.org/10.1201/9781003450146-4.
Pełny tekst źródła"Copyright". W Wide-Band-Gap Semiconductors, iv. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81573-6.50001-3.
Pełny tekst źródła"Front Matter". W Wide-Band-Gap Semiconductors, v. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81573-6.50002-5.
Pełny tekst źródłaFrova, A., i E. Tosatti. "Preface". W Wide-Band-Gap Semiconductors, vii—viii. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81573-6.50003-7.
Pełny tekst źródłaVan de Walle, Chris G. "Introduction". W Wide-Band-Gap Semiconductors, ix—x. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81573-6.50004-9.
Pełny tekst źródłaDavis, Robert F. "Thin films and devices of diamond, silicon carbide and gallium nitride". W Wide-Band-Gap Semiconductors, 1–15. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81573-6.50005-0.
Pełny tekst źródłaNurmikko, Arto V., i Robert L. Gunshor. "Optical physics and laser devices in II–VI quantum confined heterostructures". W Wide-Band-Gap Semiconductors, 16–26. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81573-6.50006-2.
Pełny tekst źródłaWalker, C. T., J. M. DePuydt, M. A. Haase, J. Qiu i H. Cheng. "Blue–green II–VI laser diodes". W Wide-Band-Gap Semiconductors, 27–35. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81573-6.50007-4.
Pełny tekst źródłaMoustakas, T. D., T. Lei i R. J. Molnar. "Growth of GaN by ECR-assisted MBE". W Wide-Band-Gap Semiconductors, 36–49. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81573-6.50008-6.
Pełny tekst źródłaYoshikawa, Akihiko. "Ar ion laser-assisted metalorganic vapor phase epitaxy of ZnSe". W Wide-Band-Gap Semiconductors, 50–64. Elsevier, 1993. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-444-81573-6.50009-8.
Pełny tekst źródłaStreszczenia konferencji na temat "Wind band gap Semiconductors"
Chambouleyron, I. "VARIABLE BAND-GAP AMORPHOUS SEMICONDUCTORS". W Proceedings of the International School on Crystal Growth and Characterization of Advanced Materials. WORLD SCIENTIFIC, 1988. http://dx.doi.org/10.1142/9789814541589_0023.
Pełny tekst źródłaSpirkoska, D., A. Efros, S. Conesa-Boj, J. R. Morante, J. Arbiol, A. Fontcuberta i Morral, G. Abstreiter, Jisoon Ihm i Hyeonsik Cheong. "Single Material Band Gap Engineering in GaAs Nanowires". W PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30th International Conference on the Physics of Semiconductors. AIP, 2011. http://dx.doi.org/10.1063/1.3666516.
Pełny tekst źródłaWilke, Ingrid. "Terahertz emission from narrow band gap semiconductors". W Optics East 2007, redaktorzy Mehdi Anwar, Anthony J. DeMaria i Michael S. Shur. SPIE, 2007. http://dx.doi.org/10.1117/12.735101.
Pełny tekst źródłaTen, Sergey Y., Fritz Henneberger, Michael Rabe i Nasser Peyghambarian. "Exciton tunneling in wide-band-gap semiconductors". W Photonics West '96, redaktorzy Weng W. Chow i Marek Osinski. SPIE, 1996. http://dx.doi.org/10.1117/12.238966.
Pełny tekst źródłaIshikawa, Masato, Takashi Nakayama, Jisoon Ihm i Hyeonsik Cheong. "Nitrogen-induced optical absorption spectra of InP and GaP: direct vs. indirect band-gap systems". W PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30th International Conference on the Physics of Semiconductors. AIP, 2011. http://dx.doi.org/10.1063/1.3666264.
Pełny tekst źródłaKuriyama, K., T. Ishikawa i K. Kushida. "Optical Band Gap and Bonding Character of Li3GaN2". W PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. AIP, 2007. http://dx.doi.org/10.1063/1.2730466.
Pełny tekst źródłaDietl, Tomasz. "Spintronics And Ferromagnetism In Wide-Band-Gap Semiconductors". W PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS-27. AIP, 2005. http://dx.doi.org/10.1063/1.1993996.
Pełny tekst źródłaFeix, Gudrun. "Advanced packaging for wide band gap power semiconductors". W 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D). IEEE, 2017. http://dx.doi.org/10.23919/ltb-3d.2017.7947427.
Pełny tekst źródłaKhurgin, Jacob B. "Band gap engineering for laser cooling of semiconductors". W Integrated Optoelectronic Devices 2006, redaktorzy Marek Osinski, Fritz Henneberger i Yasuhiko Arakawa. SPIE, 2006. http://dx.doi.org/10.1117/12.644138.
Pełny tekst źródłaCyrille, Duchesne, Cussac Philippe i Chauffleur Xavier. "Interconnection technology for new wide band gap semiconductors". W 2013 15th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE). IEEE, 2013. http://dx.doi.org/10.1109/epe.2013.6634619.
Pełny tekst źródłaRaporty organizacyjne na temat "Wind band gap Semiconductors"
Edgar, James H. MOVPE Reactor for Deposition of Wide Band Gap Semiconductors. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, kwiecień 2001. http://dx.doi.org/10.21236/ada393589.
Pełny tekst źródłaHommerich, Uwe. Optical Characterization of Rare Earth-doped Wide Band Gap Semiconductors. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, sierpień 1999. http://dx.doi.org/10.21236/ada369833.
Pełny tekst źródłaKouvetakis, John. Synthesis, Characterization, Properties and Performance of Novel Direct Band Gap Semiconductors. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, maj 2007. http://dx.doi.org/10.21236/ada482288.
Pełny tekst źródłaCheng, Hung Hsiang. Development of Direct Band Gap Group IV Semiconductors with the Incorporation of Sn. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, marzec 2012. http://dx.doi.org/10.21236/ada558773.
Pełny tekst źródła