Artykuły w czasopismach na temat „Wet etching”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Wet etching”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Li, Hao, Yong You Geng i Yi Qun Wu. "Selective Wet Etching Characteristics of Aginsbte Phase Change Film with Ammonium Sulfide Solution". Advanced Materials Research 529 (czerwiec 2012): 388–93. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.529.388.
Pełny tekst źródłaKATO, Kazunori. "Application of Wet Etching. Wet Etching-Theory and Application." Journal of the Surface Finishing Society of Japan 49, nr 10 (1998): 1031–37. http://dx.doi.org/10.4139/sfj.49.1031.
Pełny tekst źródłaYusoh, Siti Noorhaniah, i Khatijah Aisha Yaacob. "Effect of tetramethylammonium hydroxide/isopropyl alcohol wet etching on geometry and surface roughness of silicon nanowires fabricated by AFM lithography". Beilstein Journal of Nanotechnology 7 (17.10.2016): 1461–70. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.7.138.
Pełny tekst źródłaDing, Jingxiu, Ruipeng Zhang, Yuchun Li, David Wei Zhang i Hongliang Lu. "Investigation of a Macromolecular Additive on the Decrease of the Aluminum Horizontal Etching Rate in the Wet Etching Process". Metals 12, nr 5 (8.05.2022): 813. http://dx.doi.org/10.3390/met12050813.
Pełny tekst źródłaUeda, Dai, Yousuke Hanawa, Hiroaki Kitagawa, Naozumi Fujiwara, Masayuki Otsuji, Hiroaki Takahashi i Kazuhiro Fukami. "Effect of Hydrophobicity and Surface Potential of Silicon on SiO2 Etching in Nanometer-Sized Narrow Spaces". Solid State Phenomena 314 (luty 2021): 155–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.314.155.
Pełny tekst źródłaÇakır, Orhan. "Review of Etchants for Copper and its Alloys in Wet Etching Processes". Key Engineering Materials 364-366 (grudzień 2007): 460–65. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.364-366.460.
Pełny tekst źródłaRahim, Rosminazuin A., Badariah Bais i Majlis Burhanuddin Yeop. "Simple Microcantilever Release Process of Silicon Piezoresistive Microcantilever Sensor Using Wet Etching". Applied Mechanics and Materials 660 (październik 2014): 894–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.660.894.
Pełny tekst źródłaRath, P., J. C. Chai, Y. C. Lam, V. M. Murukeshan i H. Zheng. "A Total Concentration Fixed-Grid Method for Two-Dimensional Wet Chemical Etching". Journal of Heat Transfer 129, nr 4 (21.10.2006): 509–16. http://dx.doi.org/10.1115/1.2709654.
Pełny tekst źródłaPhilipsen, Harold, Sander Teck, Nils Mouwen, Wouter Monnens i Quoc Toan Le. "Wet-Chemical Etching of Ruthenium in Acidic Ce4+ Solution". Solid State Phenomena 282 (sierpień 2018): 284–87. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.282.284.
Pełny tekst źródłaShimozono, Naoki, Mikinori Nagano, Takaaki Tabata i Kazuya Yamamura. "Study on In Situ Etching Rate Monitoring in Numerically Controlled Local Wet Etching". Key Engineering Materials 523-524 (listopad 2012): 34–39. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.523-524.34.
Pełny tekst źródłaMileham, J. R., S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, R. J. Shul i S. P. Kilcoyne. "Wet chemical etching of AlN". Applied Physics Letters 67, nr 8 (21.08.1995): 1119–21. http://dx.doi.org/10.1063/1.114980.
Pełny tekst źródłaOshima, Takayoshi, Takeya Okuno, Naoki Arai, Yasushi Kobayashi i Shizuo Fujita. "Wet Etching of β-Ga2O3Substrates". Japanese Journal of Applied Physics 48, nr 4 (6.04.2009): 040208. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.48.040208.
Pełny tekst źródłaHao, Yuhua, i Xia Wang. "Effects of the Photoelectrochemical Etching in Hydrogen Fluride (HF) on the Optoelectrical Properties of Ga2O3". Journal of Physics: Conference Series 2112, nr 1 (1.11.2021): 012006. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2112/1/012006.
Pełny tekst źródłaRadjenovic, Branislav, i Marija Radmilovic-Radjenovic. "Level set simulations of the anisotropic wet etching process for device fabrication in nanotechnologies". Chemical Industry 64, nr 2 (2010): 93–97. http://dx.doi.org/10.2298/hemind100205008r.
Pełny tekst źródłaSATO, Kazuya. "Application of Wet Etching. Etching Technology for Various Plastics." Journal of the Surface Finishing Society of Japan 49, nr 10 (1998): 1044–51. http://dx.doi.org/10.4139/sfj.49.1044.
Pełny tekst źródłaKashkoush, Ismail, Jennifer Rieker, Gim Chen i Dennis Nemeth. "Process Control Challenges of Wet Etching Large MEMS Si Cavities". Solid State Phenomena 219 (wrzesień 2014): 73–77. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.219.73.
Pełny tekst źródłaChe, Woo Seong, Chang Gil Suk, Tae Gyu Park, Jun Tae Kim i Jun Hyub Park. "The Improvement of Wet Anisotropic Etching with Megasonic Wave". Key Engineering Materials 297-300 (listopad 2005): 557–61. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.297-300.557.
Pełny tekst źródłaShang, Ying-Qi, Hong Qi, Yun-Long Ma, Ya-Lin Wu, Yan Zhang i Jing Chen. "Study on sapphire microstructure processing technology based on wet etching". International Journal of Modern Physics B 31, nr 07 (19.03.2017): 1741004. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979217410041.
Pełny tekst źródłaEdwards, Stephanie, Ryan Persons, Steve Feltham, Jeff Howerton, Geoffrey Lott i Daniel Macko. "Laser Etching of Gold Conductors for RF Applications". International Symposium on Microelectronics 2019, nr 1 (1.10.2019): 000373–80. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4505-2019.1.000373.
Pełny tekst źródłaSu, Xiang Yong, Zhi Sheng Jing, Zhi Yong Cheng, Ze Long Zhou i Bing Jie Zhu. "A Novel Method for Silicon-Beam Fabrication in Wet Etching". Applied Mechanics and Materials 536-537 (kwiecień 2014): 1407–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.536-537.1407.
Pełny tekst źródłaLeblois, Therese G., i C. R. Tellier. "Wet Etching of Si Micro-Arrays: Experimental and Theoretical Shapes". Advances in Science and Technology 54 (wrzesień 2008): 445–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.54.445.
Pełny tekst źródłaStocker, D. A., E. F. Schubert, K. S. Boutros i J. M. Redwing. "Fabrication of Smooth GaN-Based Laser Facets". MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999): 799–804. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300003446.
Pełny tekst źródłaJin, Zhu, Yingying Liu, Ning Xia, Xiangwei Guo, Zijian Hong, Hui Zhang i Deren Yang. "Wet etching in β-Ga2O3 bulk single crystals". CrystEngComm 24, nr 6 (2022): 1127–44. http://dx.doi.org/10.1039/d1ce01499d.
Pełny tekst źródłaDu, Jia Qiang, Huan Liu i Wei Guo Liu. "Wet Etching of Aluminum Periodic Patterns in Micrometer-Scale". Advanced Materials Research 662 (luty 2013): 117–21. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.662.117.
Pełny tekst źródłaNie, Lei, Jun Xing Yu i Kun Zhang. "Multilayer Masking Technique for Deep Isotropic Silicon Wet Etching". Applied Mechanics and Materials 229-231 (listopad 2012): 2444–47. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.229-231.2444.
Pełny tekst źródłaYao, Yong Zhao, Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Hiroaki Saitoh, Katsunori Danno, Hiroshi Suzuki, Yoichiro Kawai i Noriyoshi Shibata. "Dislocation Revelation in Highly Doped N-Type 4H-SiC by Molten KOH Etching with Na2O2 Additive". Materials Science Forum 679-680 (marzec 2011): 290–93. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.290.
Pełny tekst źródłaTSUKUI, Yutaka. "Application of Wet Etching. Etching of Various Plated Metal Film." Journal of the Surface Finishing Society of Japan 49, nr 10 (1998): 1057–60. http://dx.doi.org/10.4139/sfj.49.1057.
Pełny tekst źródłaKo, Ki Hyung, Myung Geun Song, Byung Kwon Cho, Bo Un Yoon, Yu Jin Cho i Tae Sung Kim. "Retardation Phenomenon of Oxide Removal during the Formation of Dual Gate Oxide via PR-Mask Wet Etching". Solid State Phenomena 219 (wrzesień 2014): 24–27. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.219.24.
Pełny tekst źródłaMatocha, Kevin, Chris S. Cowen, Richard Beaupre i Jesse B. Tucker. "Effect of Reactive-Ion Etching on Thermal Oxide Properties on 4H-SiC". Materials Science Forum 527-529 (październik 2006): 983–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.983.
Pełny tekst źródłaChen, Long Long, Xi Feng Li, Ji Feng Shi, Hao Zhang, Chun Ya Li i Jian Hua Zhang. "Analysis of Wet Etching Characteristics of a-IGZO Thin Film". Advanced Materials Research 476-478 (luty 2012): 2339–43. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.476-478.2339.
Pełny tekst źródłaHirano, Tomoki, Kenya Nishio, Takashi Fukatani, Suguru Saito, Yoshiya Hagimoto i Hayato Iwamoto. "Characterization of Wet Chemical Atomic Layer Etching of InGaAs". Solid State Phenomena 314 (luty 2021): 95–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.314.95.
Pełny tekst źródłaShiman, O., V. Gerbreders, E. Sledevskis i A. Bulanovs. "Selective Wet-Etching of Amorphous/Crystallized Sb-Se Thin Films". Latvian Journal of Physics and Technical Sciences 49, nr 2 (1.01.2012): 45–50. http://dx.doi.org/10.2478/v10047-012-0010-8.
Pełny tekst źródłaShubny, A. G., E. O. Epifanov, N. V. Minaev i V. I. Yusupov. "Thermoplasmonic laser-induced backside wet etching". Journal of Laser Applications 34, nr 3 (sierpień 2022): 032016. http://dx.doi.org/10.2351/7.0000657.
Pełny tekst źródłaUEHARA, Yoichi. "Application of Wet Etching. Making Nameplate." Journal of the Surface Finishing Society of Japan 49, nr 10 (1998): 1052–56. http://dx.doi.org/10.4139/sfj.49.1052.
Pełny tekst źródłaStocker, D. A., E. F. Schubert i J. M. Redwing. "Crystallographic wet chemical etching of GaN". Applied Physics Letters 73, nr 18 (2.11.1998): 2654–56. http://dx.doi.org/10.1063/1.122543.
Pełny tekst źródłaKropewnicki, Thomas J., W. Alan Doolittle, Carrie Carter‐Coman, Sangboem Kang, Paul A. Kohl, Nan Marie Jokerst i April S. Brown. "Selective Wet Etching of Lithium Gallate". Journal of The Electrochemical Society 145, nr 5 (1.05.1998): L88—L90. http://dx.doi.org/10.1149/1.1838496.
Pełny tekst źródłaMcAndrews, Kevin, i Peter C. Sukanek. "Nonuniform Wet Etching of Silicon Dioxide". Journal of The Electrochemical Society 138, nr 3 (1.03.1991): 863–66. http://dx.doi.org/10.1149/1.2085694.
Pełny tekst źródłaPark, P. Y., S. Norasetthekul, K. P. Lee, K. H. Baik, B. P. Gila, J. H. Shin, C. R. Abernathy, F. Ren, E. S. Lambers i S. J. Pearton. "Wet and dry etching of Sc2O3". Applied Surface Science 185, nr 1-2 (grudzień 2001): 52–59. http://dx.doi.org/10.1016/s0169-4332(01)00593-1.
Pełny tekst źródłaZhou, B., i W. F. Ramirez. "Modeling and Control of Wet Etching". IFAC Proceedings Volumes 29, nr 1 (czerwiec 1996): 695–700. http://dx.doi.org/10.1016/s1474-6670(17)57742-3.
Pełny tekst źródłaGueorguiev, V. K., L. I. Popova, G. D. Beshkov i N. A. Tomajova. "Wet etching of thin SnO2 films". Sensors and Actuators A: Physical 24, nr 1 (maj 1990): 61–63. http://dx.doi.org/10.1016/0924-4247(90)80049-b.
Pełny tekst źródłaNishida, T., i T. Tamamura. "Microloading Effect in InP Wet Etching". Journal of The Electrochemical Society 140, nr 8 (1.08.1993): 2414–21. http://dx.doi.org/10.1149/1.2220835.
Pełny tekst źródłaLee, J. W., S. J. Pearton, C. R. Abernathy, W. S. Hobson, F. Ren i C. S. Wu. "Wet Chemical Etching of Al0.5In0.5 P". Journal of The Electrochemical Society 142, nr 6 (1.06.1995): L100—L102. http://dx.doi.org/10.1149/1.2044249.
Pełny tekst źródłaShikida, Mitsuhiro. "Anisotropic Wet Etching for Micro-Fabrication". IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines 128, nr 9 (2008): 341–46. http://dx.doi.org/10.1541/ieejsmas.128.341.
Pełny tekst źródłaRichard, Claire Therese, M. M. Frank, Pascal Besson, E. Serret, N. Hotellier, Alessio Beverina, L. Dumas, Lucile Broussous, F. Kovacs i Thierry Billon. "Barrier and Copper Seedlayer Wet Etching". Solid State Phenomena 103-104 (kwiecień 2005): 361–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.103-104.361.
Pełny tekst źródłaLamichhane, Shobha Kanta. "Experimental investigation on anisotropic surface properties of crystalline silicon". BIBECHANA 8 (15.01.2012): 59–66. http://dx.doi.org/10.3126/bibechana.v8i0.4828.
Pełny tekst źródłaKamaljeet Singh i S. V. Sharma. "Thin Film Based Micro-Machined Sensor Development and Mitigation of Process Challenges". Nano- i Mikrosistemnaya Tehnika 23, nr 1 (24.02.2021): 44–46. http://dx.doi.org/10.17587/nmst.23.44-46.
Pełny tekst źródłaCapecchi, Simone, Tanya Atanasova, Reiner Willeke, Michael Parthenopoulos, Christian Pizzetti i Jerome Daviot. "Low Undercut Ti Etch Chemistry for Cu Bump Pillar under Bump Metallization Wet Etch Process". Solid State Phenomena 255 (wrzesień 2016): 291–96. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.255.291.
Pełny tekst źródłaLiu, Ze Wen, Tian Ruo Zhang, Li Tian Liu i Zhi Jian Li. "Realization of Silicon Nitride Template for Nanoimprint: A First Result". Solid State Phenomena 121-123 (marzec 2007): 669–72. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.121-123.669.
Pełny tekst źródłaLei, Rui, Wei Guo Liu, Chang Long Cai, Shun Zhou, Jing Nie i Xuan Yang Wang. "Study on the Etching Technique of Non-Photosensitive Polyimide". Key Engineering Materials 645-646 (maj 2015): 163–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.645-646.163.
Pełny tekst źródłaVOSHCHENKOV, ALEXANDER M. "FUNDAMENTALS OF PLASMA ETCHING FOR SILICON TECHNOLOGY (PART 1)". International Journal of High Speed Electronics and Systems 01, nr 03n04 (wrzesień 1990): 303–45. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156490000149.
Pełny tekst źródła