Artykuły w czasopismach na temat „Wafer-Scale mapping”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 35 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Wafer-Scale mapping”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Tajima, Michio, E. Higashi, Toshihiko Hayashi, Hiroyuki Kinoshita i Hiromu Shiomi. "Characterization of SiC Wafers by Photoluminescence Mapping". Materials Science Forum 527-529 (październik 2006): 711–16. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.711.
Pełny tekst źródłaMackenzie, David M. A., Kristoffer G. Kalhauge, Patrick R. Whelan, Frederik W. Østergaard, Iwona Pasternak, Wlodek Strupinski, Peter Bøggild, Peter U. Jepsen i Dirch H. Petersen. "Wafer-scale graphene quality assessment using micro four-point probe mapping". Nanotechnology 31, nr 22 (13.03.2020): 225709. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ab7677.
Pełny tekst źródłaMiner, C. J. "Wafer-scale temperature mapping for molecular beam epitaxy and chemical beam epitaxy". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 11, nr 3 (maj 1993): 998. http://dx.doi.org/10.1116/1.586910.
Pełny tekst źródłaBuron, Jonas D., David M. A. Mackenzie, Dirch H. Petersen, Amaia Pesquera, Alba Centeno, Peter Bøggild, Amaia Zurutuza i Peter U. Jepsen. "Terahertz wafer-scale mobility mapping of graphene on insulating substrates without a gate". Optics Express 23, nr 24 (16.11.2015): 30721. http://dx.doi.org/10.1364/oe.23.030721.
Pełny tekst źródłaCrovetto, Andrea, Patrick Rebsdorf Whelan, Ruizhi Wang, Miriam Galbiati, Stephan Hofmann i Luca Camilli. "Nondestructive Thickness Mapping of Wafer-Scale Hexagonal Boron Nitride Down to a Monolayer". ACS Applied Materials & Interfaces 10, nr 30 (6.07.2018): 25804–10. http://dx.doi.org/10.1021/acsami.8b08609.
Pełny tekst źródłaMeshot, Eric R., Sei Jin Park, Steven F. Buchsbaum, Melinda L. Jue, Tevye R. Kuykendall, Eric Schaible, Leonardus Bimo Bayu Aji, Sergei O. Kucheyev, Kuang Jen J. Wu i Francesco Fornasiero. "High-yield growth kinetics and spatial mapping of single-walled carbon nanotube forests at wafer scale". Carbon 159 (kwiecień 2020): 236–46. http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2019.12.023.
Pełny tekst źródłaTian, Mengchuan, Ben Hu, Haifang Yang, Chengchun Tang, Mengfei Wang, Qingguo Gao, Xiong Xiong i in. "Wafer Scale Mapping and Statistical Analysis of Radio Frequency Characteristics in Highly Uniform CVD Graphene Transistors". Advanced Electronic Materials 5, nr 4 (13.02.2019): 1800711. http://dx.doi.org/10.1002/aelm.201800711.
Pełny tekst źródłaYao, Yong Zhao, Yukari Ishikawa, Koji Sato, Yoshihiro Sugawara, Katsunori Danno, Hiroshi Suzuki i Takeshi Bessho. "Large-Area Mapping of Dislocations in 4H-SiC from Carbon-Face (000-1) by Using Vaporized KOH Etching near 1000 °C". Materials Science Forum 740-742 (styczeń 2013): 829–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.829.
Pełny tekst źródłaShih, Po-Chou, Chun-Chin Hsu i Fang-Chih Tien. "Automatic Reclaimed Wafer Classification Using Deep Learning Neural Networks". Symmetry 12, nr 5 (2.05.2020): 705. http://dx.doi.org/10.3390/sym12050705.
Pełny tekst źródłaLang, Simon, Alexandra Schewski, Ignaz Eisele, Christoph Kutter i Wilfried Lerch. "(Best Paper Award) Aluminum Josephson Junction Formation on 200mm Wafers Using Different Oxidation Techniques". ECS Meeting Abstracts MA2023-01, nr 29 (28.08.2023): 1791. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01291791mtgabs.
Pełny tekst źródłaYates, Luke, Andrew T. Binder, Anthony Rice, Andrew M. Armstrong, Jeffrey Steinfeldt, Vincent M. Abate, Michael L. Smith i in. "(Invited) Recent Progress in Medium-Voltage Vertical GaN Power Devices". ECS Meeting Abstracts MA2023-02, nr 35 (22.12.2023): 1682. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02351682mtgabs.
Pełny tekst źródłaYang, Dongxun, Jesse Henri Laarman i Masayoshi Tonouchi. "Sensitive Characterization of the Graphene Transferred onto Varied Si Wafer Surfaces via Terahertz Emission Spectroscopy and Microscopy (TES/LTEM)". Materials 17, nr 7 (26.03.2024): 1497. http://dx.doi.org/10.3390/ma17071497.
Pełny tekst źródłaAbid, Poonam Sehrawat, Christian M. Julien i Saikh S. Islam. "Interface Kinetics Assisted Barrier Removal in Large Area 2D-WS2 Growth to Facilitate Mass Scale Device Production". Nanomaterials 11, nr 1 (16.01.2021): 220. http://dx.doi.org/10.3390/nano11010220.
Pełny tekst źródłaWadhwa, Riya, Sanjeev Thapa, Sonia Deswal, Pradeep Kumar i Mukesh Kumar. "Wafer-scale controlled growth of MoS2 by magnetron sputtering: from in-plane to inter-connected vertically-aligned flakes". Journal of Physics: Condensed Matter, 19.01.2023. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/acb4d1.
Pełny tekst źródłaChen, Fu Der, Ankita Sharma, David A. Roszko, Tianyuan Xue, Xin Mu, Xianshu Luo, Hongyao Chua, Patrick Guo-Qiang Lo, Wesley D. Sacher i Joyce Poon. "Development of wafer-scale multifunctional nanophotonic neural probes for brain activity mapping". Lab on a Chip, 2024. http://dx.doi.org/10.1039/d3lc00931a.
Pełny tekst źródłaLagowski, Jacek, i Piotr Edelman. "Non-Contact Mapping of Fe Contamination in Oxidized Si Wafers with Sensitivity in Part-Per-Trillion Range". MRS Proceedings 428 (1996). http://dx.doi.org/10.1557/proc-428-449.
Pełny tekst źródłaDinh, Khac Huy, Kevin Robert, Joelle Thuriot-Roukos, Marielle Huvé, Pardis Simon, David Troadec, Christophe Lethien i Pascal Roussel. "Wafer-Scale Performance Mapping of Magnetron-Sputtered Ternary Vanadium Tungsten Nitride for Microsupercapacitors". Chemistry of Materials, 13.10.2023. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemmater.3c01803.
Pełny tekst źródłaFaifer, Vladimir N., Michael I. Current, Wojtek Walecki, Vitali Souchkov, Georgy Mikhaylov, Phuc Van, Tim Wong i in. "Non-contact Electrical Measurements of Sheet Resistance and Leakage Current Density for Ultra-shallow (and other) Junctions". MRS Proceedings 810 (2004). http://dx.doi.org/10.1557/proc-810-c11.9.
Pełny tekst źródłaLee, Brian, Duane S. Boning, Winthrop Baylies, Noel Poduje i John Valley. "Modeling and Mapping of Nanotopography Interactions with CMP". MRS Proceedings 732 (2002). http://dx.doi.org/10.1557/proc-732-i1.5.
Pełny tekst źródłaEdelman, Piotr, Jacek Lagowski i Lubek Jastrzebski. "Surface Charge Imaging in Semiconductor Wafers by Surface Photovoltage (SPV)". MRS Proceedings 261 (1992). http://dx.doi.org/10.1557/proc-261-223.
Pełny tekst źródłaSu, Chanmin, Shuiqing Hu, Yan Hu, Natalia Erina i Andrea Slade. "Quantitative Mechanical Mapping of Biomolecules in Fluid". MRS Proceedings 1261 (2010). http://dx.doi.org/10.1557/proc-1261-u01-05.
Pełny tekst źródłaWhelan, Patrick R., Domenico De Fazio, Iwona Pasternak, Joachim D. Thomsen, Steffen Zelzer, Martin O. Mikkelsen, Timothy J. Booth i in. "Mapping nanoscale carrier confinement in polycrystalline graphene by terahertz spectroscopy". Scientific Reports 14, nr 1 (7.02.2024). http://dx.doi.org/10.1038/s41598-024-51548-z.
Pełny tekst źródłaPearton, S. J., K. M. Lee, N. M. Haegel, C. J. Huang, S. Nakahara, F. Ren, V. Scarpelli, K. T. Short i S. M. Vernon. "Material and Device Properties of 3” Diameter GaAs-on-Si with Buried P-type Layers". MRS Proceedings 144 (1988). http://dx.doi.org/10.1557/proc-144-317.
Pełny tekst źródłaZhuang, Qiuna, Kuanming Yao, Mengge Wu, Zhuogui Lei, Fan Chen, Jiyu Li, Quanjing Mei i in. "Wafer-patterned, permeable, and stretchable liquid metal microelectrodes for implantable bioelectronics with chronic biocompatibility". Science Advances 9, nr 22 (2.06.2023). http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.adg8602.
Pełny tekst źródłaMarinskiy, D., J. Lagowski, M. Wilson, A. Savtchouk, L. Jastrzebski i D. DeBusk. "Small Signal AC-Surface Photovoltage Technique for Non-Contact Monitoring of Near Surface Doping and Recombination-Generation in the Depletion Layer". MRS Proceedings 591 (1999). http://dx.doi.org/10.1557/proc-591-225.
Pełny tekst źródłaFu, Wai Yuen, i Hoi Wai Choi. "Development of chipscale InGaN RGB displays using strain-relaxed nanosphere-defined nanopillars". Nanotechnology, 2.04.2022. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac6399.
Pełny tekst źródłaAlcer, David, Lukas Hrachowina, Dan Hessman i Magnus T. Borgström. "Processing and Characterization of Large Area InP Nanowire Photovoltaic Devices". Nanotechnology, 12.04.2023. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/accc37.
Pełny tekst źródłaChu, Jinn P., Yi-Jui Yeh, Chih-Yu Liu, Yi-Xiang Yang, Alfreda Krisna Altama, Ting-Hao Chang, Wei-Hung Chiang, Pakman Yiu i Kuo-Lun Tung. "Core-shell metallic nanotube arrays for highly sensitive surface-enhanced Raman scattering (SERS) detection". Journal of Vacuum Science & Technology A 41, nr 6 (17.10.2023). http://dx.doi.org/10.1116/6.0003055.
Pełny tekst źródłaBiswas, Sujit K., Sandra B. Schujman, Robert Vajtai, Bingqing Wei, Allen Parker, Leo J. Schowalter i Pulickel M. Ajayan. "AFM-based Electrical Characterization of Nano-structures". MRS Proceedings 738 (2002). http://dx.doi.org/10.1557/proc-738-g9.2.
Pełny tekst źródłaBiswas, Sujit K., Sandra B. Schujman, Robert Vajtai, Bingqing Wei, Allen Parker, Leo J. Schowalter i Pulickel M. Ajayan. "AFM-based Electrical Characterization of Nano-structures". MRS Proceedings 761 (2002). http://dx.doi.org/10.1557/proc-761-nn6.2/g9.2.
Pełny tekst źródłaYama, Nicholas S., I‐Tung Chen, Srivatsa Chakravarthi, Bingzhao Li, Christian Pederson, Bethany E. Matthews, Steven R. Spurgeon i in. "Silicon‐Lattice‐Matched Boron‐Doped Gallium Phosphide: A Scalable Acousto‐Optic Platform". Advanced Materials, 3.09.2023. http://dx.doi.org/10.1002/adma.202305434.
Pełny tekst źródłaSnure, Michael, Eric W. Blanton, Vitali Soukhoveev, Timothy Vogt, Andrei Osinsky, Timothy Prusnick, W. Joshua Kennedy i Nicholas R. Glavin. "Spalling induced van der Waals lift-off and transfer of 4-in. GaN epitaxial films". Journal of Applied Physics 134, nr 2 (14.07.2023). http://dx.doi.org/10.1063/5.0153634.
Pełny tekst źródłaJi, Yihong, Martin Frentrup, Xiaotian Zhang, Jakub Pongrácz, Simon M. Fairclough, Yingjun Liu, Tongtong Zhu i Rachel A. Oliver. "Porous pseudo-substrates for InGaN quantum well growth: Morphology, structure, and strain relaxation". Journal of Applied Physics 134, nr 14 (10.10.2023). http://dx.doi.org/10.1063/5.0165066.
Pełny tekst źródłaLihachev, Grigory, Johann Riemensberger, Wenle Weng, Junqiu Liu, Hao Tian, Anat Siddharth, Viacheslav Snigirev i in. "Low-noise frequency-agile photonic integrated lasers for coherent ranging". Nature Communications 13, nr 1 (20.06.2022). http://dx.doi.org/10.1038/s41467-022-30911-6.
Pełny tekst źródłaWachtendorf, B., R. Beccard, D. Schmitz, H. Jürgensen, O. Schön, M. Heuken i E. Woelk. "Reliable, Reproducible and Efficient MOCVD of III-Nitrides in Production Scale Reactors". MRS Proceedings 468 (1997). http://dx.doi.org/10.1557/proc-468-7.
Pełny tekst źródła