Artykuły w czasopismach na temat „Ultrathin oxides”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Ultrathin oxides”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Bec, Romulad B., Andrzej Jakubowsk, Lidia Łukasiak i Michał Korwin-Pawłowski. "Challenges in ultrathin oxide layers formation". Journal of Telecommunications and Information Technology, nr 1 (30.03.2001): 27–34. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2001.1.46.
Pełny tekst źródłaTaylor, Seth T., John Mardinly i Michael A. O'Keefe. "HRTEM Image Simulations for the Study of Ultrathin Gate Oxides". Microscopy and Microanalysis 8, nr 5 (październik 2002): 412–21. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927602020123.
Pełny tekst źródłaMorgen, P., A. Bahari, U. Robenhagen, J. F. Andersen, J. K. Hansen, K. Pedersen, M. G. Rao i Z. S. Li. "Roads to ultrathin silicon oxides". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 23, nr 1 (styczeń 2005): 201–7. http://dx.doi.org/10.1116/1.1842113.
Pełny tekst źródłaHuang, Feng, W. J. Liu, J. F. Sullivan, J. A. Barnard i M. L. Weaver. "Room-temperature oxidation of ultrathin TiB2 films". Journal of Materials Research 17, nr 4 (kwiecień 2002): 805–13. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2002.0118.
Pełny tekst źródłaZhu, Jianhui, Jian Jiang, Wei Ai, Zhanxi Fan, Xintang Huang, Hua Zhang i Ting Yu. "Encapsulation of nanoscale metal oxides into an ultra-thin Ni matrix for superior Li-ion batteries: a versatile strategy". Nanoscale 6, nr 21 (2014): 12990–3000. http://dx.doi.org/10.1039/c4nr03661a.
Pełny tekst źródłaWang, Kai, Bolong Huang, Weiyu Zhang, Fan Lv, Yi Xing, Wenshu Zhang, Jinhui Zhou i in. "Ultrathin RuRh@(RuRh)O2 core@shell nanosheets as stable oxygen evolution electrocatalysts". Journal of Materials Chemistry A 8, nr 31 (2020): 15746–51. http://dx.doi.org/10.1039/d0ta03213a.
Pełny tekst źródłaTing, D. Z. Y. "Tunneling characteristics of nonuniform ultrathin oxides". Applied Physics Letters 73, nr 19 (9.11.1998): 2769–71. http://dx.doi.org/10.1063/1.122585.
Pełny tekst źródłaLobinsky, A. A., i V. I. Popkov. "Ultrathin 2D nanosheets of transition metal (hydro)oxides as prospective materials for energy storage devices: A short review". Electrochemical Materials and Technologies 1, nr 1 (2022): 20221008. http://dx.doi.org/10.15826/elmattech.2022.1.008.
Pełny tekst źródłaRotondaro, A. L. Pacheco, R. T. Laaksonen i S. P. Singh. "Impact of the Nitrogen Concentration of Sub-1.3 nm Gate Oxides on 65 nm Technology Transistor Parameters". Journal of Integrated Circuits and Systems 2, nr 2 (17.11.2007): 63–66. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v2i2.265.
Pełny tekst źródłaChari, K. S., i S. Kar. "Interface Characteristics of Metal‐Oxide‐Semiconductor Capacitors with Ultrathin Oxides". Journal of The Electrochemical Society 138, nr 7 (1.07.1991): 2046–49. http://dx.doi.org/10.1149/1.2085921.
Pełny tekst źródłaTing, D. Z. Y., Erik S. Daniel i T. C. Mcgill. "Interface Roughness Effects in Ultra-Thin Tunneling Oxides". VLSI Design 8, nr 1-4 (1.01.1998): 47–51. http://dx.doi.org/10.1155/1998/23567.
Pełny tekst źródłaChoi, B. D., i D. K. Schroder. "Degradation of ultrathin oxides by iron contamination". Applied Physics Letters 79, nr 16 (15.10.2001): 2645–47. http://dx.doi.org/10.1063/1.1410363.
Pełny tekst źródłaDonggun Park i Chenming Hu. "Plasma charging damage on ultrathin gate oxides". IEEE Electron Device Letters 19, nr 1 (styczeń 1998): 1–3. http://dx.doi.org/10.1109/55.650333.
Pełny tekst źródłaWen, H. J., i R. Ludeke. "Localized degradation studies of ultrathin gate oxides". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 16, nr 3 (maj 1998): 1735–40. http://dx.doi.org/10.1116/1.581293.
Pełny tekst źródłaEng, J., R. L. Opila, J. M. Rosamilia, B. J. Sapjeta, Y. J. Chabal, T. Boone, R. Masaitis, Thomas Sorsch i Martin L. Green. "The Evolution of Chemical Oxides Into Ultrathin Oxides: A Spectroscopic Characterization". Solid State Phenomena 76-77 (styczeń 2001): 145–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.76-77.145.
Pełny tekst źródłaTakeda, Mikako, Takeshi Ohwaki, Hideo Fujii, Eisuke Kusumoto, Yoshiyuki Kaihara, Yoshizo Takai i Ryuichi Shimizu. "Influence of Native Oxides on the Reliability of Ultrathin Gate Oxide". Japanese Journal of Applied Physics 37, Part 1, No. 2 (15.02.1998): 397–401. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.37.397.
Pełny tekst źródłaHamed, Mai Hussein, David N. Mueller i Martina Müller. "Thermal phase design of ultrathin magnetic iron oxide films: from Fe3O4 to γ-Fe2O3 and FeO". Journal of Materials Chemistry C 8, nr 4 (2020): 1335–43. http://dx.doi.org/10.1039/c9tc05921k.
Pełny tekst źródłaHardy, An, Sven Van Elshocht, Jan D’Haen, Olivier Douhéret, Stefan De Gendt, Christoph Adelmann, Matty Caymax i in. "Aqueous chemical solution deposition of ultrathin lanthanide oxide dielectric films". Journal of Materials Research 22, nr 12 (grudzień 2007): 3484–93. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2007.0433.
Pełny tekst źródłaLiao, Zhaoliang, i Jiandi Zhang. "Metal-to-Insulator Transition in Ultrathin Manganite Heterostructures". Applied Sciences 9, nr 1 (3.01.2019): 144. http://dx.doi.org/10.3390/app9010144.
Pełny tekst źródłaChen, Zongkun, Minghua Huang i Helmut Cölfen. "Synthesis of ultrathin metal oxide and hydroxide nanosheets using formamide in water at room temperature". CrystEngComm 23, nr 21 (2021): 3794–801. http://dx.doi.org/10.1039/d1ce00277e.
Pełny tekst źródłaFukuda, Masatoshi, Wataru Mizubayashi, Atsushi Kohno, Seiichi Miyazaki i Masataka Hirose. "Analysis of Tunnel Current through Ultrathin Gate Oxides". Japanese Journal of Applied Physics 37, Part 2, No. 12B (15.12.1998): L1534—L1536. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.37.l1534.
Pełny tekst źródłaChen, C. C., C. Y. Chang, C. H. Chien, T. Y. Huang, H. C. Lin i M. S. Liang. "Temperature-accelerated dielectric breakdown in ultrathin gate oxides". Applied Physics Letters 74, nr 24 (14.06.1999): 3708–10. http://dx.doi.org/10.1063/1.123228.
Pełny tekst źródłaHori, Takashi, Hiroshi Iwasaki, Takuichi Ohmura, Atsuko Samizo, Minoru Sato i Yoshiaki Yoshioka. "Compositional study of ultrathin rapidly reoxidized nitrided oxides". Journal of Applied Physics 65, nr 2 (15.01.1989): 629–35. http://dx.doi.org/10.1063/1.343095.
Pełny tekst źródłaHattori, Takeo, Hiroshi Nohira i Kensuke Takahashi. "The initial growth steps of ultrathin gate oxides". Microelectronic Engineering 48, nr 1-4 (wrzesień 1999): 17–24. http://dx.doi.org/10.1016/s0167-9317(99)00329-9.
Pełny tekst źródłaContaret, T., G. Ghibaudo, A. Ferron i F. Bœuf. "Excess drain noise simulation in ultrathin oxides MOSFETs". Journal of Computational Electronics 5, nr 2-3 (lipiec 2006): 187–92. http://dx.doi.org/10.1007/s10825-006-8842-1.
Pełny tekst źródłaZander, D., F. Saigne, C. Petit i A. Meinertzhagen. "Electrical stress effects on ultrathin (2.3 nm) oxides". Journal of Non-Crystalline Solids 280, nr 1-3 (luty 2001): 86–91. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-3093(00)00393-8.
Pełny tekst źródłaChang, Chun-Yen, Chi-Chun Chen, Horng-Chih Lin, Mong-Song Liang, Chao-Hsin Chien i Tiao-Yuan Huang. "Reliability of ultrathin gate oxides for ULSI devices". Microelectronics Reliability 39, nr 5 (maj 1999): 553–66. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(99)00037-2.
Pełny tekst źródłaGiustino, Feliciano, i Alfredo Pasquarello. "Infrared properties of ultrathin oxides on Si(100)". Microelectronic Engineering 80 (czerwiec 2005): 420–23. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2005.04.025.
Pełny tekst źródłaZhang, Xinyu, Yongwei Wang, Fenghua Cheng, Zhiping Zheng i Yaping Du. "Ultrathin lanthanide oxides nanomaterials: synthesis, properties and applications". Science Bulletin 61, nr 18 (wrzesień 2016): 1422–34. http://dx.doi.org/10.1007/s11434-016-1155-2.
Pełny tekst źródłaVereecke, G., E. Röhr, R. J. Carter, T. Conard, H. De Witte i M. M. Heyns. "Investigation of fluorine in dry ultrathin silicon oxides". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 19, nr 6 (2001): 2108. http://dx.doi.org/10.1116/1.1414050.
Pełny tekst źródłaCellere, G., L. Larcher, M. G. Valentini i A. Paccagnella. "Micro breakdown in small-area ultrathin gate oxides". IEEE Transactions on Electron Devices 49, nr 8 (sierpień 2002): 1367–74. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2002.801443.
Pełny tekst źródłaLundgren, P., M. O. Andersson, K. R. Farmer i O. Engström. "Electrical instability of ultrathin thermal oxides on silicon". Microelectronic Engineering 28, nr 1-4 (czerwiec 1995): 67–70. http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(95)00017-3.
Pełny tekst źródłaWu, E. Y., D. L. Harmon i Liang-Kai Han. "Interrelationship of voltage and temperature dependence of oxide breakdown for ultrathin oxides". IEEE Electron Device Letters 21, nr 7 (lipiec 2000): 362–64. http://dx.doi.org/10.1109/55.847381.
Pełny tekst źródłaChen, Ming-Jer, Ting-Kuo Kang, Chuan-Hsi Liu, Yih J. Chang i Kuan-Yu Fu. "Oxide thinning percolation statistical model for soft breakdown in ultrathin gate oxides". Applied Physics Letters 77, nr 4 (24.07.2000): 555–57. http://dx.doi.org/10.1063/1.127042.
Pełny tekst źródłaBruyère, S., F. Guyader, W. De Coster, E. Vincent, M. Saadeddine, N. Revil i G. Ghibaudo. "Wet or dry ultrathin oxides: impact on gate oxide and device reliability". Microelectronics Reliability 40, nr 4-5 (kwiecień 2000): 691–95. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(99)00273-5.
Pełny tekst źródłaLin, M.-T., R. J. Jaccodine i T. J. Delph. "Planar oxidation of strained silicon substrates". Journal of Materials Research 16, nr 3 (marzec 2001): 728–33. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2001.0112.
Pełny tekst źródłavon Bardeleben, Hans Jürgen, J. L. Cantin, I. Vickridge, Yong Wei Song, S. Dhar, Leonard C. Feldman, John R. Williams i in. "Modification of the Oxide/Semiconductor Interface by High Temperature NO Treatments: A Combined EPR, NRA and XPS Study on Oxidized Porous and Bulk n-Type 4H-SiC". Materials Science Forum 483-485 (maj 2005): 277–80. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.277.
Pełny tekst źródłaSUÑE, JORDI, DAVID JIMENEZ i ENRIQUE MIRANDA. "BREAKDOWN MODES AND BREAKDOWN STATISTICS OF ULTRATHIN SiO2 GATE OXIDES". International Journal of High Speed Electronics and Systems 11, nr 03 (wrzesień 2001): 789–848. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156401001003.
Pełny tekst źródłaGao, Xinlong, Wenhui Shi, Pengchao Ruan, Jinxiu Feng, Dong Zheng, Linhai Yu, Min Xue i in. "Ultrathin carbon boosted sodium storage performance in aqueous electrolyte". Functional Materials Letters 13, nr 05 (lipiec 2020): 2030002. http://dx.doi.org/10.1142/s1793604720300029.
Pełny tekst źródłaIstomin, A. V., i S. G. Kolyshev. "ELECTROSTATIC METHOD OF FORMING ULTRATHIN FIBERS OF REFRACTORY OXIDES". «Aviation Materials and Technologies», nr 2 (2019): 40–46. http://dx.doi.org/10.18577/2071-9140-2019-0-2-40-46.
Pełny tekst źródłaVereecke, Guy, Erika Röhr, R. J. Carter, Thierry Conard, H. De Witte i Marc M. Heyns. "The Origins of Fluorine in Dry Ultrathin Silicon Oxides". Solid State Phenomena 76-77 (styczeń 2001): 153–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.76-77.153.
Pełny tekst źródłaArienzo, Maurizio, Leonello Dori i Thomas N. Szabo. "Effect of post‐oxidation anneal on ultrathin SiO2gate oxides". Applied Physics Letters 49, nr 16 (20.10.1986): 1040–42. http://dx.doi.org/10.1063/1.97465.
Pełny tekst źródłaOellig, Eva M., E. G. Michel, M. C. Asensio i R. Miranda. "Ultrathin gate oxides formed by catalytic oxidation of silicon". Applied Physics Letters 50, nr 23 (8.06.1987): 1660–62. http://dx.doi.org/10.1063/1.97760.
Pełny tekst źródłaLiao, Wei-Jian, Yi-Lin Yang, Shun-Cheng Chuang i Jenn-Gwo Hwu. "Growth-Then-Anodization Technique for Reliable Ultrathin Gate Oxides". Journal of The Electrochemical Society 151, nr 9 (2004): G549. http://dx.doi.org/10.1149/1.1783907.
Pełny tekst źródłaFair, Richard B. "Physical Models of Boron Diffusion in Ultrathin Gate Oxides". Journal of The Electrochemical Society 144, nr 2 (1.02.1997): 708–17. http://dx.doi.org/10.1149/1.1837473.
Pełny tekst źródłaThompson, W. Howard, Zain Yamani, Laila AbuHassan, Osman Gurdal i Munir Nayfeh. "The effect of ultrathin oxides on luminescent silicon nanocrystallites". Applied Physics Letters 73, nr 6 (10.08.1998): 841–43. http://dx.doi.org/10.1063/1.122019.
Pełny tekst źródłaMadsen, Jon M., Zhenjiang Cui i Christos G. Takoudis. "Low temperature oxidation of SiGe in ozone: Ultrathin oxides". Journal of Applied Physics 87, nr 4 (15.02.2000): 2046–51. http://dx.doi.org/10.1063/1.372134.
Pełny tekst źródłaMukhopadhyay, M., S. K. Ray, D. K. Nayak i C. K. Maiti. "Ultrathin oxides using N2O on strained Si1−xGex layers". Applied Physics Letters 68, nr 9 (26.02.1996): 1262–64. http://dx.doi.org/10.1063/1.115946.
Pełny tekst źródłaPennetta, C., L. Reggiani i Gy Trefán. "A percolative model of soft breakdown in ultrathin oxides". Physica B: Condensed Matter 314, nr 1-4 (marzec 2002): 400–403. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-4526(01)01408-9.
Pełny tekst źródłaBeck, Romuald B. "Formation of ultrathin silicon oxides—modeling and technological constraints". Materials Science in Semiconductor Processing 6, nr 1-3 (luty 2003): 49–57. http://dx.doi.org/10.1016/s1369-8001(03)00071-4.
Pełny tekst źródła