Gotowa bibliografia na temat „Ultrathin oxides”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Spis treści
Zobacz listy aktualnych artykułów, książek, rozpraw, streszczeń i innych źródeł naukowych na temat „Ultrathin oxides”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Artykuły w czasopismach na temat "Ultrathin oxides"
Bec, Romulad B., Andrzej Jakubowsk, Lidia Łukasiak i Michał Korwin-Pawłowski. "Challenges in ultrathin oxide layers formation". Journal of Telecommunications and Information Technology, nr 1 (30.03.2001): 27–34. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2001.1.46.
Pełny tekst źródłaTaylor, Seth T., John Mardinly i Michael A. O'Keefe. "HRTEM Image Simulations for the Study of Ultrathin Gate Oxides". Microscopy and Microanalysis 8, nr 5 (październik 2002): 412–21. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927602020123.
Pełny tekst źródłaMorgen, P., A. Bahari, U. Robenhagen, J. F. Andersen, J. K. Hansen, K. Pedersen, M. G. Rao i Z. S. Li. "Roads to ultrathin silicon oxides". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 23, nr 1 (styczeń 2005): 201–7. http://dx.doi.org/10.1116/1.1842113.
Pełny tekst źródłaHuang, Feng, W. J. Liu, J. F. Sullivan, J. A. Barnard i M. L. Weaver. "Room-temperature oxidation of ultrathin TiB2 films". Journal of Materials Research 17, nr 4 (kwiecień 2002): 805–13. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2002.0118.
Pełny tekst źródłaZhu, Jianhui, Jian Jiang, Wei Ai, Zhanxi Fan, Xintang Huang, Hua Zhang i Ting Yu. "Encapsulation of nanoscale metal oxides into an ultra-thin Ni matrix for superior Li-ion batteries: a versatile strategy". Nanoscale 6, nr 21 (2014): 12990–3000. http://dx.doi.org/10.1039/c4nr03661a.
Pełny tekst źródłaWang, Kai, Bolong Huang, Weiyu Zhang, Fan Lv, Yi Xing, Wenshu Zhang, Jinhui Zhou i in. "Ultrathin RuRh@(RuRh)O2 core@shell nanosheets as stable oxygen evolution electrocatalysts". Journal of Materials Chemistry A 8, nr 31 (2020): 15746–51. http://dx.doi.org/10.1039/d0ta03213a.
Pełny tekst źródłaTing, D. Z. Y. "Tunneling characteristics of nonuniform ultrathin oxides". Applied Physics Letters 73, nr 19 (9.11.1998): 2769–71. http://dx.doi.org/10.1063/1.122585.
Pełny tekst źródłaLobinsky, A. A., i V. I. Popkov. "Ultrathin 2D nanosheets of transition metal (hydro)oxides as prospective materials for energy storage devices: A short review". Electrochemical Materials and Technologies 1, nr 1 (2022): 20221008. http://dx.doi.org/10.15826/elmattech.2022.1.008.
Pełny tekst źródłaRotondaro, A. L. Pacheco, R. T. Laaksonen i S. P. Singh. "Impact of the Nitrogen Concentration of Sub-1.3 nm Gate Oxides on 65 nm Technology Transistor Parameters". Journal of Integrated Circuits and Systems 2, nr 2 (17.11.2007): 63–66. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v2i2.265.
Pełny tekst źródłaChari, K. S., i S. Kar. "Interface Characteristics of Metal‐Oxide‐Semiconductor Capacitors with Ultrathin Oxides". Journal of The Electrochemical Society 138, nr 7 (1.07.1991): 2046–49. http://dx.doi.org/10.1149/1.2085921.
Pełny tekst źródłaRozprawy doktorskie na temat "Ultrathin oxides"
Tolvaišienė, Sonata. "Transport of charge carriers in ultrathin films of manganese oxides". Doctoral thesis, Lithuanian Academic Libraries Network (LABT), 2009. http://vddb.library.lt/obj/LT-eLABa-0001:E.02~2009~D_20090218_143224-76401.
Pełny tekst źródłaDisertacijoje nagrinėjami lantano manganitai, pasižymintys faziniu virsmu iš paramagnetinės į feromagnetinę būseną bei milžiniškos neigiamos magnetovar-žos efektu. Tiriami magnetovaržos ir jos anizotropijos efektai silpnuose (iki 0,5 T) magnetiniuose laukuose bei stiprių impulsinių srovių ir magnetinių laukų sukelti efektai plonuose epitaksiniuose manganitų sluoksniuose. Pateikiami pasiūlymai tyrimo rezultatus panaudoti kuriant magnetinio lauko jutiklius, spar-čiųjų elektrinių impulsų formuotuvus bei amplitudės moduliatorius. Tiriant sil-pnų magnetinių laukų poveikį ultraplonųjų La-Sr-MnO3 sluoksnių elektriniam laidumui, buvo nustatyta, kad magnetovaržos anizotropijos ženklas ir vertė šiuo-se laukuose priklauso nuo sluoksnio storio. Pateiktas modelis, paaiškinantis eks-perimentinius rezultatus, paremtas vidutinio lauko artiniu ir įskaitantis sluoksnio struktūros kitimą kintant jo storiui. Aptiktas ir ištirtas grįžtamasis termoelektrinis nestabilumas, išaiškintos šio reiškinio atsiradimo priežastys. Pasiūlytas ir ekspe-rimentiškai realizuotas naujas ns trukmės elektrinių impulsų amplitudės modulia-vimo išoriniu magnetiniu lauku būdas, naudojant epitaksinius La0,87Sr0,17MnO3 sluoksnius. Disertaciją sudaro reziumė lietuvių ir anglų kalbomis, įvadas, šeši skyriai, pagrindiniai rezultatai ir išvados, literatūros sąrašas, publikacijų disertacijos tema sąrašas. Įvadiniame skyriuje nagrinėjamas problemos aktualumas, formuluojamas darbo tikslas bei uždaviniai, aprašomas mokslinis... [toliau žr. visą tekstą]
Dragosavac, Marko. "Electron transport in ultrathin oxide silicon MOSFETs". Thesis, University of Cambridge, 2005. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.614808.
Pełny tekst źródłaMatharu, J. "Surface science of ultrathin metal oxide films". Thesis, University College London (University of London), 2011. http://discovery.ucl.ac.uk/1335900/.
Pełny tekst źródłaWlodarczyk, Radoslaw Stanislaw. "Surface structure predictions and development of global exploration tools". Doctoral thesis, Humboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät, 2015. http://dx.doi.org/10.18452/17207.
Pełny tekst źródłaThis work is a contribution in the field of theoretical chemistry and surface science. The joint computational and experimental studies investigated the atomic structure of ultrathin silica and iron-doped silica films formed on the Ru(0001) surface and water films formed on the MgO(001) surface. The atomic structure models were obtained using either the educated guess approach or the genetic algorithm that was designed and implemented within the DoDo package. The properties simulated for the resulting models are in a very good agreement with the experimental data (scanning tunnelling microscopy, infrared spectroscopy). The successful structure determination using the DoDo program shows that the genetic algorithm technique is capable of systematic and extensive exploration of the energy landscapes for 2D-periodic systems.
Grinter, D. C. "Surface studies of metal oxide catalysts and ultrathin films". Thesis, University College London (University of London), 2011. http://discovery.ucl.ac.uk/1334452/.
Pełny tekst źródłaBayat, Alireza [Verfasser]. "Composition and geometric structure of ultrathin oxide films / Alireza Bayat". Halle, 2018. http://d-nb.info/1175950572/34.
Pełny tekst źródłaGarza, Michelle. "Reactivity of Oxide Surfaces and Metal-Oxide Interfaces: Effects of Water Vapor Pressure on Ultrathin Aluminum Oxide Films, and Studies of Platinum Growth Modes on Ultrathin Oxide Films and Their Effects on Adhesion". Thesis, University of North Texas, 2004. https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc4517/.
Pełny tekst źródłaVarga, P., M. Schmid, S. Muto, K. Tatsumi, T. Matsui, D. Tajima i J. Yuhara. "Growth and structure of an ultrathin tin oxide film on Rh (111)". AIP Publishing, 2011. http://hdl.handle.net/2237/20826.
Pełny tekst źródłaMihaychuk, James Gordon. "Nonlinear optical studies of multiphoton photoemission in silicon covered by ultrathin oxide films". Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 1998. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk2/tape15/PQDD_0013/NQ35250.pdf.
Pełny tekst źródłaMartynova, Yulia [Verfasser], i Reinhard [Akademischer Betreuer] Schomäcker. "CO oxidation on metal supported ultrathin oxide films / Yulia Martynova. Betreuer: Reinhard Schomäcker". Berlin : Universitätsbibliothek der Technischen Universität Berlin, 2013. http://d-nb.info/1035767384/34.
Pełny tekst źródłaKsiążki na temat "Ultrathin oxides"
1939-, King D. A., i Woodruff D. P, red. Growth and properties of ultrathin epitaxial layers. Amsterdam: Elsevier, 1997.
Znajdź pełny tekst źródłaPacchioni, Gianfranco, i Sergio Valeri, red. Oxide Ultrathin Films. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9783527640171.
Pełny tekst źródłaFrei, Heinz, i Daniel Esposito, red. Ultrathin Oxide Layers for Solar and Electrocatalytic Systems. Cambridge: Royal Society of Chemistry, 2022. http://dx.doi.org/10.1039/9781839163708.
Pełny tekst źródłaPacchioni, Gianfranco, i Sergio Valeri. Oxide Ultrathin Films: Science and Technology. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2012.
Znajdź pełny tekst źródłaPacchioni, Gianfranco, i Sergio Valeri. Oxide Ultrathin Films: Science and Technology. Wiley & Sons, Limited, John, 2012.
Znajdź pełny tekst źródłaPacchioni, Gianfranco, i Sergio Valeri. Oxide Ultrathin Films: Science and Technology. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2012.
Znajdź pełny tekst źródłaPacchioni, Gianfranco, i Sergio Valeri. Oxide Ultrathin Films: Science and Technology. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2012.
Znajdź pełny tekst źródłaPacchioni, Gianfranco, i Sergio Valeri. Oxide Ultrathin Films: Science and Technology. Wiley-VCH Verlag GmbH, 2011.
Znajdź pełny tekst źródła(Editor), D. A. King, i D. P. Woodruff (Editor), red. Oxide Surfaces - The Chemical Physics of Solid Surfaces : Growth and Properties of Ultrathin Epitaxial Layers. Elsevier Science Pub Co, 1997.
Znajdź pełny tekst źródłaFrei, Heinz, i Daniel Esposito. Ultrathin Oxide Layers for Solar and Electrocatalytic Systems. Royal Society of Chemistry, The, 2022.
Znajdź pełny tekst źródłaCzęści książek na temat "Ultrathin oxides"
Giordano, Livia, i Gianfranco Pacchioni. "Unusual Properties of Oxides and Other Insulators in the Ultrathin Limit". W Oxide Ultrathin Films, 75–100. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2012. http://dx.doi.org/10.1002/9783527640171.ch4.
Pełny tekst źródłaLuches, Paola, i Sergio D’Addato. "Reducible Oxides as Ultrathin Epitaxial Films". W Oxide Materials at the Two-Dimensional Limit, 119–48. Cham: Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-28332-6_4.
Pełny tekst źródłaPalmstrom, A. F., i M. O. Reese. "Chapter 3. Ultrathin Oxides for Solar Cells". W Energy and Environment Series, 27–69. Cambridge: Royal Society of Chemistry, 2022. http://dx.doi.org/10.1039/9781839163708-00027.
Pełny tekst źródłaLi, Qi, i H. S. Wang. "Strain and Magnetoresistance Anisotropy of PR0.7SR0.3MNO3 Ultrathin Films". W Nano-Crystalline and Thin Film Magnetic Oxides, 133–44. Dordrecht: Springer Netherlands, 1999. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-4493-3_9.
Pełny tekst źródłaAkbari, Mohammad Karbalaei, i Serge Zhuiykov. "Self-Limiting Two-Dimensional Surface Oxides of Liquid Metals". W Ultrathin Two-Dimensional Semiconductors for Novel Electronic Applications, 79–110. First edition. | Boca Raton, FL: CRC Press, 2020.: CRC Press, 2020. http://dx.doi.org/10.1201/9780429316784-3.
Pełny tekst źródłaTerashima, T., K. Shimura, Y. Bando, Y. Matsuda, A. Fujiyama i S. Komiyama. "Ultrathin Films and Superlattices of High Temperature Superconducting Oxides". W Springer Proceedings in Physics, 25–31. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1992. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-77154-5_3.
Pełny tekst źródłaHattori, Takeo. "Surface, Interface and Valence Band of Ultra-Thin Silicon Oxides". W Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices, 241–56. Dordrecht: Springer Netherlands, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-5008-8_17.
Pełny tekst źródłaHirose, M., W. Mizubayashi, K. Morino, M. Fukuda i S. Miyazaki. "Tunneling Transport and Reliability Evaluation in Extremely Thin Gate Oxides". W Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices, 315–24. Dordrecht: Springer Netherlands, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-5008-8_22.
Pełny tekst źródłaMeda, L., i G. F. Cerofolini. "Local Tunnel Emission Assisted by Inclusions Contained in Buried Oxides". W Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices, 493–502. Dordrecht: Springer Netherlands, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-5008-8_37.
Pełny tekst źródłaLu, Z. H. "Synchrotron and Conventional Photoemission Studies of Oxides and N20 Oxynitrides". W Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices, 49–63. Dordrecht: Springer Netherlands, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-5008-8_4.
Pełny tekst źródłaStreszczenia konferencji na temat "Ultrathin oxides"
Hirose, M., W. Mizubayashi, M. Fukuda i S. Miyazaki. "Characterization of ultrathin gate oxides for advanced MOSFETs". W CHARACTERIZATION AND METROLOGY FOR ULSI TECHNOLOGY. ASCE, 1998. http://dx.doi.org/10.1063/1.56852.
Pełny tekst źródłaMizubayashi, Wataru, Hiroshi Itokawa, Seiichi Miyazaki i Masataka Hirose. "Modeling of Soft Breakdown in Ultrathin Gate Oxides". W 1999 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1999. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1999.a-10-2.
Pełny tekst źródłaMizubayashi, W., Y. Yoshida, M. Narasaki, S. Miyazaki i M. Hirose. "Temperature-Dependent Soft Breakdown in Ultrathin Gate Oxides". W 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2000. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2000.b-6-3.
Pełny tekst źródłaLin, H. C., M. F. Wang, C. C. Chen, S. K. Hsien, C. H. Chien, T. Y. Huang, C. Y. Chang i T. S. Chao. "Characterization of plasma charging damage in ultrathin gate oxides". W 1998 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 36th Annual. IEEE, 1998. http://dx.doi.org/10.1109/relphy.1998.670662.
Pełny tekst źródłaJoshi, Atul B., G. Q. Lo, J. Ahn, Windsor Ting i Dim-Lee Kwong. "Chemically modified ultrathin oxides fabricated by rapid thermal processing". W Rapid thermal and Integrated Processing, redaktorzy Mehrdad M. Moslehi, Rajendra Singh i Dim-Lee Kwong. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.56674.
Pełny tekst źródłaMoon, Dae Won, Hyun Kyong Kim, Hwack Joo Lee, Yong Jai Cho i Hyun Mo Cho. "Thickness evaluation of ultrathin gate oxides at the limit". W CHARACTERIZATION AND METROLOGY FOR ULSI TECHNOLOGY. ASCE, 1998. http://dx.doi.org/10.1063/1.56794.
Pełny tekst źródłaHattangady, Sunil, D. T. Grider, Robert Kraft, Wei-Tsun Shiau, Monte A. Douglas, P. Nicollian, Mark Rodder i in. "Remote plasma nitrided oxides for ultrathin gate dielectric applications". W Microelectronic Manufacturing, redaktorzy David Burnett, Dirk Wristers i Toshiaki Tsuchiya. SPIE, 1998. http://dx.doi.org/10.1117/12.323956.
Pełny tekst źródłaField, Alan H. "Process monitoring of ultrathin oxides using surface charge analysis". W Microelectronic Manufacturing, redaktorzy Damon K. DeBusk i Sergio A. Ajuria. SPIE, 1997. http://dx.doi.org/10.1117/12.284682.
Pełny tekst źródłaSytchkova, A., D. Zola, M. L. Grilli, A. Piegari, M. Fang, H. He i J. Shao. "Interface plasmonic properties of silver coated by ultrathin metal oxides". W SPIE Optical Systems Design, redaktorzy Michel Lequime, H. Angus Macleod i Detlev Ristau. SPIE, 2011. http://dx.doi.org/10.1117/12.896769.
Pełny tekst źródłaNishioka, Yasushiro, Kenji Namba, Mieko Matsumura, Tomoyuki Sakoda, Yoshinao Kumagai, Tadahiro Komeda, Hikaru Kobayashi, Tyuji Hoshino, Atsushi Ando i Kazushi Miki. "Surface Preparation, Growth, and Interface Control of Ultrathin Gate Oxides". W 1998 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1998. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1998.b-4-2.
Pełny tekst źródłaRaporty organizacyjne na temat "Ultrathin oxides"
Ludeke, R. Spatially Resolved Transport Studies and Microscopy of Ultrathin Metal-Oxide-Semiconductor Structures. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, sierpień 1997. http://dx.doi.org/10.21236/ada329531.
Pełny tekst źródła