Artykuły w czasopismach na temat „TZM - SiC”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „TZM - SiC”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Portelli, Marcus, Alessandro Bertarelli, Federico Carra, Michele Pasquali, Nicholas Sammut i Pierluigi Mollicone. "Numerical and experimental benchmarking of the dynamic response of SiC and TZM specimens in the MultiMat experiment". Mechanics of Materials 138 (listopad 2019): 103169. http://dx.doi.org/10.1016/j.mechmat.2019.103169.
Pełny tekst źródłaNikzad Khangholi, Siamak, Mousa Javidani, Alexandre Maltais i X. Grant Chen. "Investigation on electrical conductivity and hardness of 6xxx aluminum conductor alloys with different Si levels". MATEC Web of Conferences 326 (2020): 08002. http://dx.doi.org/10.1051/matecconf/202032608002.
Pełny tekst źródłaLiu, R. J., L. M. Porter, M. J. Kim, R. W. Carpenter i R. F. Davis. "Microstructure of Cr-B Ohmic and Rectifying Contacts on (0001) 6H Sic". Microscopy and Microanalysis 3, S2 (sierpień 1997): 641–42. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600038484.
Pełny tekst źródłaLiu, R. J., L. M. Porter, M. J. Kim, R. W. Carpenter i R. F. Davis. "Microstructure of Cr-B Ohmic and Rectifying Contacts on (0001) 6H Sic". Microscopy and Microanalysis 3, S2 (sierpień 1997): 641–42. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600010096.
Pełny tekst źródłaPark, K., i C. Sung. "Characterization of SiC fiber-reinforced SiC composites by TEM". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 52 (1994): 632–33. http://dx.doi.org/10.1017/s042482010017089x.
Pełny tekst źródłaAoki, Masahiko, Megumi Miyazaki, Taro Nishiguchi, Hiroyuki Kinoshita i Masahiro Yoshimoto. "TEM Observation of the Polytype Transformation of Bulk SiC Ingot". Materials Science Forum 600-603 (wrzesień 2008): 365–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.365.
Pełny tekst źródłaWang, E. Y., X. Pan, J. P. Mansfield, T. Kennedy i S. Hampshire. "TEM Studies of Silicon Nitride-Silicon Carbide Nanocomposites". Microscopy and Microanalysis 3, S2 (sierpień 1997): 411–12. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600008941.
Pełny tekst źródłaBertrand, S., C. Droillard, R. Pailler, X. Bourrat i R. Naslain. "TEM structure of (PyC/SiC)n multilayered interphases in SiC/SiC composites". Journal of the European Ceramic Society 20, nr 1 (styczeń 2000): 1–13. http://dx.doi.org/10.1016/s0955-2219(99)00086-2.
Pełny tekst źródłaDiot, C., i V. Arnault. "Orientation Anisotropy in SiC Matrix of Unidirectional SiC/SiC Composite". Textures and Microstructures 14 (1991): 389–95. http://dx.doi.org/10.1155/tsm.14-18.389.
Pełny tekst źródłaNutt, S. R., i David J. Smith. "High-resolution TEM of thin-film β-SiC interfaces". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 44 (sierpień 1986): 408–9. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100143638.
Pełny tekst źródłaCarter, C. H., J. E. Lane, J. Bentley i R. F. Davis. "Determination of creep mechanisms in various silicon carbides via TEM". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 44 (sierpień 1986): 484–87. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100143973.
Pełny tekst źródłaMatsuhata, Hirofumi, Junji Senzaki, Ichiro Nagai i Hirotaka Yamaguchi. "TEM Observation of SiO2/4H-SiC Hetero Interface". Materials Science Forum 600-603 (wrzesień 2008): 671–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.671.
Pełny tekst źródłaLiu, R. J., M. J. Kim, R. W. Carpenter, L. M. Porter, L. P. Scheunemann i R. F. Davis. "A TEM Study of Cr Based Contacts to (0001) 6H-SiC". Microscopy and Microanalysis 6, S2 (sierpień 2000): 1064–65. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600037818.
Pełny tekst źródłaMarinova, Maya, Alkyoni Mantzari, Milena Beshkova, Mikael Syväjärvi, Rositza Yakimova i Efstathios K. Polychroniadis. "TEM Investigation of the 3C/6H-SiC Transformation Interface in Layers Grown by Sublimation Epitaxy". Solid State Phenomena 163 (czerwiec 2010): 97–100. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.163.97.
Pełny tekst źródłaPerić Gavrančić, Sanja. "Sic etiam Croati". Povijesni prilozi 39, nr 58 (2020): 7–28. http://dx.doi.org/10.22586/pp.v39i58.10115.
Pełny tekst źródłaBorysiuk, Jolanta, Wlodek Strupiński, Rafał Bożek, Andrzej Wysmolek i Jacek M. Baranowski. "TEM Investigations of Graphene on 4H-SiC(0001)". Materials Science Forum 615-617 (marzec 2009): 207–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.207.
Pełny tekst źródłaPlummer, H. K., S. E. Shinozaki, B. N. Juterbock i R. M. Williams. "TEM Observation of a Mechanically Thinned SiC Material". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 43 (sierpień 1985): 232–33. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100118084.
Pełny tekst źródłaGkanatsiou, Alexandra, Christos B. Lioutas, Nikolaos Frangis, Narendraraj Chandraraj, Efstathios K. Polychroniadis, Pawel Prystawko i Mike Leszczynski. "TEM Study of AlGaN/GaN on Hexagonal SiC Substrates". Advanced Materials Research 936 (czerwiec 2014): 656–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.936.656.
Pełny tekst źródłaMarinova, Maya, Georgios Zoulis, Teddy Robert, Frédéric Mercier, Alkyoni Mantzari, Irina G. Galben-Sandulache, Olivier Kim-Hak i in. "TEM and LTPL Investigations of 3C-SiC Layers Grown by LPE on (100) and (111) 3C-SiC Seeds". Materials Science Forum 645-648 (kwiecień 2010): 383–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.383.
Pełny tekst źródłaKameda, Toshimasa, Atsuo Tomita, Takaaki Matsui i Toshiyuki Isshiki. "TEM Observation of Defect Structure of Low-Energy Ion Implanted SiC". Materials Science Forum 778-780 (luty 2014): 350–53. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.350.
Pełny tekst źródłaElizalde, M. R., E. Paris i J. Gil-Sevillano. "La intercara fibra-matriz de un compuesto CMC de SiC-SiC: Comparación de imágenes SEM, TEM y AFM". Revista de Metalurgia 34, Extra (30.05.1998): 226–31. http://dx.doi.org/10.3989/revmetalm.1998.v34.iextra.743.
Pełny tekst źródłaSwiderska-Sroda, Anna, J. A. Kozubowski, A. Maranda-Niedbala, Ewa Grzanka, Bogdan F. Palosz, A. Presz, Stanislaw Gierlotka i in. "Investigation of the Microstructure of SiC-Zn Nanocomposites by Microscopic Methods: SEM, AFM and TEM". Solid State Phenomena 101-102 (styczeń 2005): 151–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.101-102.151.
Pełny tekst źródłaRossi, Francesca, Filippo Fabbri, Giovanni Attolini, Matteo Bosi, Bernard Enrico Watts i Giancarlo Salviati. "TEM and SEM-CL Studies of SiC Nanowires". Materials Science Forum 645-648 (kwiecień 2010): 387–90. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.387.
Pełny tekst źródłaRuterana, P., B. Beaumont, P. Gibart i Y. Melnik. "A TEM study of GaN grown by ELO on (0001) 6H-SiC". MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 76–82. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300004105.
Pełny tekst źródłaBorysiuk, Jolanta, Rafał Bożek, Wlodek Strupiński i Jacek M. Baranowski. "Graphene Growth on C and Si-Face of 4H-SiC – TEM and AFM Studies". Materials Science Forum 645-648 (kwiecień 2010): 577–80. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.577.
Pełny tekst źródłaLiu, J. Q., M. Skowronski, P. G. Neudeck i J. A. Powell. "TEM Observation on Single Defect in SiC". Microscopy and Microanalysis 8, S02 (sierpień 2002): 1180–81. http://dx.doi.org/10.1017/s143192760210777x.
Pełny tekst źródłaDanishevskii, A. M., M. V. Zamoryanskaya, A. A. Sitnikova, V. B. Shuman i A. A. Suvorova. "TEM and cathodoluminescence studies of porous SiC". Semiconductor Science and Technology 13, nr 10 (1.10.1998): 1111–16. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/13/10/010.
Pełny tekst źródłaAlani, R., i P. R. Swann. "TEM specimen preparation of individual SiC/C composite (SCS-6) fibers". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 49 (sierpień 1991): 1104–5. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100089834.
Pełny tekst źródłaLee, B.-T., D.-K. Kim, C.-K. Moon, J. K. Kim, Y. H. Seo, K. S. Nahm, H. J. Lee i in. "Microstructural investigation of low temperature chemical vapor deposited 3C-SiC/Si thin films using single-source precursors". Journal of Materials Research 14, nr 1 (styczeń 1999): 24–28. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1999.0006.
Pełny tekst źródłaBow, J. S., F. Shaapur, M. J. Kim i R. W. Carpenter. "Preparation of thin-film-metal/6H-SiC TEM specimens by RPR ion milling". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 51 (1.08.1993): 714–15. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100149404.
Pełny tekst źródłaMantzari, Alkyoni, Christos B. Lioutas i Efstathios K. Polychroniadis. "A TEM Study of Inversion Domain Boundaries Annihilation Mechanism in 3C-SiC during Growth". Materials Science Forum 615-617 (marzec 2009): 331–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.331.
Pełny tekst źródłaYano, Toyohiko, Yoo Yamamoto i K. Yoshida. "TEM Investigation and Fracture Behavior of SiC/SiC Composites Fabricated by Hot-Pressing". Key Engineering Materials 166 (kwiecień 1999): 135–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.166.135.
Pełny tekst źródłaZhou, W. L., F. Namavar, P. C. Colter, M. Yoganathan, M. W. Leksono i J. I. Pankove. "Characterization of GaN Grown on SiC on Si/SiO2/Si by Metalorganic Chemical Vapor Deposition". Journal of Materials Research 14, nr 4 (kwiecień 1999): 1171–74. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1999.0155.
Pełny tekst źródłaLebedev, Sergey P., Alexander A. Lebedev, Alla A. Sitnikova, Demid A. Kirilenko, Natasha V. Seredova, Alla S. Tregubova i Mikhail P. Scheglov. "Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Polar Faces of 6H-SiC Substrates, TEM Investigations". Materials Science Forum 740-742 (styczeń 2013): 267–70. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.267.
Pełny tekst źródłaGiannuzzi, L. A., C. A. Lewinsohn, C. E. Bakis i R. E. Tressler. "TEM of grain growth and phase transformations during creep of SCS-6 silicon carbide fibers". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 53 (13.08.1995): 350–51. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100138129.
Pełny tekst źródłaCabibbo, Marcello. "Strengthening Evaluation in a Composite Mg-RE Alloy Using TEM". Materials Science Forum 678 (luty 2011): 75–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.678.75.
Pełny tekst źródłaBow, J. S., M. J. Kim i R. W. Carpenter. "Comparative Oxidation Studies of Polycrystalline HP and CVD Silicon Carbides by TEM". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 49 (sierpień 1991): 938–39. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100089007.
Pełny tekst źródłaDas, G., i R. E. Omlor. "TEM characterization of reaction zone in a SiC fiber-reinforced titanium alloy". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 46 (1988): 738–39. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100105758.
Pełny tekst źródłaBurke, M. G., M. N. Gungor i P. K. Liaw. "TEM examination of 2014-SiC metal matrix composite". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 46 (1988): 726–27. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100105692.
Pełny tekst źródłaOlivier, E. J., i J. H. Neethling. "TEM analysis of planar defects in β-SiC". International Journal of Refractory Metals and Hard Materials 27, nr 2 (marzec 2009): 443–48. http://dx.doi.org/10.1016/j.ijrmhm.2008.09.013.
Pełny tekst źródłaPirouz, P., i J. W. Yang. "Polytypic transformations in SiC: the role of TEM". Ultramicroscopy 51, nr 1-4 (czerwiec 1993): 189–214. http://dx.doi.org/10.1016/0304-3991(93)90146-o.
Pełny tekst źródłaSitnikova, A. A., E. N. Mokhov i E. I. Radovanova. "TEM Investigation of Radiation Defects in SiC Crystals". Physica Status Solidi (a) 135, nr 2 (16.02.1993): K45—K49. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211350232.
Pełny tekst źródłaMore, K. L. "An investigation of ion beam and pulsed laser Ni-SiC mixed surface structures by cross-sectional TEM". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 44 (sierpień 1986): 512–13. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100144073.
Pełny tekst źródłaYOON, HAN-KI, HO-JUN CHO, AKIRA KOHYAMA i TETSUJI NODA. "R&D OF SICF/SIC COMPOSITE FOR FUSION REACTOR MATERIAL". International Journal of Modern Physics B 25, nr 31 (20.12.2011): 4212–15. http://dx.doi.org/10.1142/s021797921106660x.
Pełny tekst źródłaShibayama, T., H. Takahashi, M. Kawasaki i A. Kohyama. "Interface structure analysis of SiC fibres reinforced SiC matrix composites by energy filtering TEM". Journal of Electron Microscopy 48, nr 6 (1.01.1999): 893–97. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordjournals.jmicro.a023762.
Pełny tekst źródłaHusnayani, Ihda, i Muzakkiy Putra Muhammad Akhir. "COLLISION CASCADE AND PRIMARY RADIATION DAMAGE IN SILICON CARBIDE: A MOLECULAR DYNAMICS STUDY". JURNAL TEKNOLOGI REAKTOR NUKLIR TRI DASA MEGA 24, nr 3 (9.11.2022): 131. http://dx.doi.org/10.17146/tdm.2022.24.3.6702.
Pełny tekst źródłaYasui, Kanji, T. Kurimoto, Masasuke Takata i Tadashi Akahane. "SiCOI Structure Fabricated by Hot-Mesh Chemical Vapor Deposition". Advanced Materials Research 11-12 (luty 2006): 257–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.11-12.257.
Pełny tekst źródłaChien, F. R., S. R. Nutt, W. S. Yoo, T. Kimoto i H. Matsunami. "Terrace growth and polytype development in epitaxial β-SiC films on α-SiC (6H and 15R) substrates". Journal of Materials Research 9, nr 4 (kwiecień 1994): 940–54. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1994.0940.
Pełny tekst źródłaFang, J., H. M. Chan i M. P. Harmer. "TEM investigations of surface residual stress relaxation in A12O3 and Al2O3-SiC nanocomposite". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 52 (1994): 628–29. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100170876.
Pełny tekst źródłaGokhman, Aleksandr R., Andreas Ulbricht, Uwe Birkenheuer i Frank Bergner. "Cluster Dynamics Study of Neutron Irradiation Induced Defects in Fe-12.5at%Cr Alloy". Solid State Phenomena 172-174 (czerwiec 2011): 449–57. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.172-174.449.
Pełny tekst źródła