Książki na temat „Tunneling field effect transistor”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych książek naukowych na temat „Tunneling field effect transistor”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj książki z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Zhang, Lining, i Mansun Chan, red. Tunneling Field Effect Transistor Technology. Cham: Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-31653-6.
Pełny tekst źródłaSamuel, T. S. Arun, Young Suh Song, Shubham Tayal, P. Vimala i Shiromani Balmukund Rahi. Tunneling Field Effect Transistors. Boca Raton: CRC Press, 2023. http://dx.doi.org/10.1201/9781003327035.
Pełny tekst źródłaWang, Shiyu, Zakir Hossain, Yan Zhao i Tao Han. Graphene Field-Effect Transistor Biosensors. Singapore: Springer Singapore, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-16-1212-1.
Pełny tekst źródłaPark, Byung-Eun, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Shigeki Sakai i Sung-Min Yoon, red. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories. Dordrecht: Springer Netherlands, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-024-0841-6.
Pełny tekst źródłaPark, Byung-Eun, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Shigeki Sakai i Sung-Min Yoon, red. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories. Singapore: Springer Singapore, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-15-1212-4.
Pełny tekst źródłaCorporation, Mitsubishi Electric. Ga As field effect transistor(chip) databook. Tokyo: Mitsubishi Electric Corporation, 1986.
Znajdź pełny tekst źródłaAmiri, Iraj Sadegh, i Mahdiar Ghadiry. Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor. Singapore: Springer Singapore, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-10-6550-7.
Pełny tekst źródłaKarmakar, Supriya. Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor. New Delhi: Springer India, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-81-322-1635-3.
Pełny tekst źródłaCorporation, Mitsubishi Electric. GaAs field effect transistor MGF 1900 series user's manual. Tokyo: Mitsubishi Electric Corporation, 1987.
Znajdź pełny tekst źródłaCorporation, Mitsubishi Electric. Mitsubishi semiconductors 1994: GaAs field effect transistor (data book). Tokyo: Mitsubishi Electric Corporation, 1994.
Znajdź pełny tekst źródłaCorporation, Mitsubishi Electric. Mitsubishi semiconductors 1991: GaAs field effect transistor [data book]. Tokyo: Mitsubishi Electric Corporation, 1991.
Znajdź pełny tekst źródłaMarston, R. M. Diode, transistor & FET circuits manual. Oxford: Newnes, 1991.
Znajdź pełny tekst źródłaOperation and modeling of the MOS transistor. New York: McGraw-Hill, 1987.
Znajdź pełny tekst źródłaShvart͡s, N. Z. Usiliteli SVCh na polevykh tranzistorakh. Moskva: Radio i sviazʹ, 1987.
Znajdź pełny tekst źródłaSridharan, K., B. Srinivasu i Vikramkumar Pudi. Low-Complexity Arithmetic Circuit Design in Carbon Nanotube Field Effect Transistor Technology. Cham: Springer International Publishing, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-50699-5.
Pełny tekst źródłaTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. Wyd. 3. New York: Oxford University Press, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. Wyd. 3. New York: Oxford University Press, 2011.
Znajdź pełny tekst źródłaTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. Wyd. 3. New York: Oxford University Press, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaR, Sundburg Gale, i United States. National Aeronautics and Space Administration. Scientific and Technical Information Branch., red. Programmable, automated transistor test system. [Washington, D.C.]: National Aeronautics and Space Administration, Scientific and Technical Information Branch, 1986.
Znajdź pełny tekst źródłaJ, Nahra J., i United States. National Aeronautics and Space Administration., red. C-band superconductor/semiconductor hybrid field-effect transistor amplifier on a LaAlO □substrate. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1992.
Znajdź pełny tekst źródłaJ, Nahra J., i United States. National Aeronautics and Space Administration., red. C-band superconductor/semiconductor hybrid field-effect transistor amplifier on a LaAlO substrate. [Washington, DC: National Aeronautics and Space Administration, 1992.
Znajdź pełny tekst źródłaAmara, Amara, i Rozeau Olivier, red. Planar double-gate transistor: From technology to circuit. [Dordrecht?]: Springer, 2009.
Znajdź pełny tekst źródłaBlaser, Markus. Monolithically integrated InGaAs/Inp photodiode-junction field-effect transistor receivers for fiber-optic telecommunication. Konstanz: Hartung-Gorre, 1997.
Znajdź pełny tekst źródłaOperation and modeling of the MOS transistor. Wyd. 2. Boston: WCB/McGraw-Hill, 1998.
Znajdź pełny tekst źródłaTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. Wyd. 2. Boston: WCB/McGraw-Hill, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. Wyd. 2. New York: Oxford University Press, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaTsividis, Yannis. Operation and modeling of the MOS transistor. New York: McGraw-Hill, 1987.
Znajdź pełny tekst źródłaAmara, Amara, i Rozeau Olivier, red. Planar double-gate transistor: From technology to circuit. [Dordrecht?]: Springer, 2009.
Znajdź pełny tekst źródłaC, Sansen Willy M., i Maes H. E, red. Matching properties of deep sub-micron MOS transistors. New York: Springer, 2005.
Znajdź pełny tekst źródłaCharge-based MOS transistor modelling: The EKV model for low-power and RF IC design. Chichester, UK: John Wiley & Sons, 2006.
Znajdź pełny tekst źródła1954-, Golio John Michael, red. Microwave MESFETs and HEMTs. Boston: Artech House, 1991.
Znajdź pełny tekst źródłaChan, Mansun, i Lining Zhang. Tunneling Field Effect Transistor Technology. Springer, 2018.
Znajdź pełny tekst źródłaChan, Mansun, i Lining Zhang. Tunneling Field Effect Transistor Technology. Springer, 2016.
Znajdź pełny tekst źródłaChan, Mansun, i Lining Zhang. Tunneling Field Effect Transistor Technology. Springer London, Limited, 2016.
Znajdź pełny tekst źródłaOmura, Yasuhisa, Abhijit Mallik i Naoto Matsuo. MOS Devices for Low-Voltage and Low-Energy Applications. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2016.
Znajdź pełny tekst źródłaMOS Devices for Low-Voltage and Low-Energy Applications. Wiley-Interscience, 2017.
Znajdź pełny tekst źródłaOmura, Yasuhisa, Abhijit Mallik i Naoto Matsuo. MOS Devices for Low-Voltage and Low-Energy Applications. Wiley & Sons, Limited, John, 2016.
Znajdź pełny tekst źródłaNanowire Field-Effect Transistor (FET). MDPI, 2021. http://dx.doi.org/10.3390/books978-3-03936-209-7.
Pełny tekst źródłaField-Effect Transistor [Working Title]. IntechOpen, 2023. http://dx.doi.org/10.5772/intechopen.102313.
Pełny tekst źródłaWang, Shiyu, Tao Han, Yan Zhao i Zakir Hossain. Graphene Field-Effect Transistor Biosensors. Springer Singapore Pte. Limited, 2022.
Znajdź pełny tekst źródłaWang, Shiyu, Tao Han, Yan Zhao i Zakir Hossain. Graphene Field-Effect Transistor Biosensors. Springer Singapore Pte. Limited, 2021.
Znajdź pełny tekst źródłaBlicher, Adolph. Field-Effect and Bipolar Power Transistor Physics. Elsevier Science & Technology Books, 2012.
Znajdź pełny tekst źródłaMotes, Andrew. Field-Effect Transistor Amp Analysis and Design. Independently Published, 2018.
Znajdź pełny tekst źródłaIncorporated, Siliconix. Designing With Field-Effect Transistors. Wyd. 2. McGraw-Hill Companies, 1989.
Znajdź pełny tekst źródłaDesigning With Field-Effect Transistors. McGraw-Hill Companies, 1989.
Znajdź pełny tekst źródłaAmiri, Iraj Sadegh, i Mahdiar Ghadiry. Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor. Springer, 2017.
Znajdź pełny tekst źródłaAmiri, Iraj Sadegh, i Mahdiar Ghadiry. Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor. Springer, 2017.
Znajdź pełny tekst źródłaLebby, Michael Stephen. Fabrication and characterisation of the heterojunction field effect transistor (HFET) and the bipolar inversion channel field effect transistor (BICFET): Characterisations of HFETs.... Bradford, 1987.
Znajdź pełny tekst źródłaSakai, Shigeki, Masanori Okuyama, Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara i Sung-Min Yoon. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications. Springer London, Limited, 2016.
Znajdź pełny tekst źródłaSakai, Shigeki, Andrew Gamble, Masanori Okuyama, Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara i Sung-Min Yoon. Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications. Springer, 2018.
Znajdź pełny tekst źródła