Artykuły w czasopismach na temat „Tunnel junctions”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Tunnel junctions”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Da Costa, Victor, i M. Romeo. "Disorder Effects on Tunneling Junctions". Advances in Science and Technology 52 (październik 2006): 116–20. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.52.116.
Pełny tekst źródłaMiao, Xiujuan, Kan He, Guglielmo Minelli, Jie Zhang, Guangjun Gao, Hongliang Wei, Maosheng He i Sinisa Krajnovic. "Aerodynamic Performance of a High-Speed Train Passing through Three Standard Tunnel Junctions under Crosswinds". Applied Sciences 10, nr 11 (26.05.2020): 3664. http://dx.doi.org/10.3390/app10113664.
Pełny tekst źródłaShevchenko M. S., Filippenko L. V., Kiselev O. S. i Koshelets V. P. "Josephson tunnel junctions with integral SIN shunting." Physics of the Solid State 64, nr 9 (2022): 1217. http://dx.doi.org/10.21883/pss.2022.09.54154.38hh.
Pełny tekst źródłaChekushkin A. M., Filippenko L. V., Fominskiy M. Yu. i Koshelets V. P. "Fabrication of High-Quality Josephson Junctions Based on Nb|Al-AlN|NbN". Physics of the Solid State 64, nr 10 (2022): 1382. http://dx.doi.org/10.21883/pss.2022.10.54222.49hh.
Pełny tekst źródłaColter, Peter, Brandon Hagar i Salah Bedair. "Tunnel Junctions for III-V Multijunction Solar Cells Review". Crystals 8, nr 12 (28.11.2018): 445. http://dx.doi.org/10.3390/cryst8120445.
Pełny tekst źródłaGOKCE, AISHA, RYAN STEARRETT, E. R. NOWAK i C. NORDMAN. "SHOT NOISE SUPPRESSION IN INDIVIDUAL AND SERIES ARRAYS OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS". Fluctuation and Noise Letters 10, nr 04 (grudzień 2011): 381–94. http://dx.doi.org/10.1142/s0219477511000648.
Pełny tekst źródłaVillegier, J., L. Vieux-Rochaz, M. Goniche, P. Renard i M. Vabre. "NbN tunnel junctions". IEEE Transactions on Magnetics 21, nr 2 (marzec 1985): 498–504. http://dx.doi.org/10.1109/tmag.1985.1063861.
Pełny tekst źródłaZhu, Jian-Gang (Jimmy), i Chando Park. "Magnetic tunnel junctions". Materials Today 9, nr 11 (listopad 2006): 36–45. http://dx.doi.org/10.1016/s1369-7021(06)71693-5.
Pełny tekst źródłaYin, Yue-Wei, Muralikrishna Raju, Wei-Jin Hu, Xiao-Jun Weng, Ke Zou, Jun Zhu, Xiao-Guang Li, Zhi-Dong Zhang i Qi Li. "Multiferroic tunnel junctions". Frontiers of Physics 7, nr 4 (sierpień 2012): 380–85. http://dx.doi.org/10.1007/s11467-012-0266-8.
Pełny tekst źródłaApachitei, Geanina, Jonathan J. P. Peters, Ana M. Sanchez, Dong Jik Kim i Marin Alexe. "Antiferroelectric Tunnel Junctions". Advanced Electronic Materials 3, nr 7 (15.05.2017): 1700126. http://dx.doi.org/10.1002/aelm.201700126.
Pełny tekst źródłaLobkova M. D., Skirdkov P. N. i Zvezdin K. A. "Magnetic tunnel junction model in Verilog-A for use in CAD environments for integrated circuits". Physics of the Solid State 65, nr 6 (2023): 911. http://dx.doi.org/10.21883/pss.2023.06.56100.06h.
Pełny tekst źródłaDominic Merwin Xavier, Agnes Maneesha, Arnob Ghosh, Sheikh Ifatur Rahman, Andrew Allerman, Shamsul Arafin i Siddharth Rajan. "Design and demonstration of efficient transparent 30% Al-content AlGaN interband tunnel junctions". Applied Physics Letters 122, nr 8 (20.02.2023): 081108. http://dx.doi.org/10.1063/5.0122919.
Pełny tekst źródłaChigarev, S. G., E. M. Epshtein, I. V. Malikov, G. M. Mikhailov i P. E. Zilberman. "Tunnel Magnetoresistance of Fe3O4/MgO/Fe Nanostructures". ISRN Condensed Matter Physics 2011 (15.10.2011): 1–3. http://dx.doi.org/10.5402/2011/826941.
Pełny tekst źródłaJamal-Eddine, Zane, Yuewei Zhang i Siddharth Rajan. "Recent Progress in III-Nitride Tunnel Junction-Based Optoelectronics". International Journal of High Speed Electronics and Systems 28, nr 01n02 (marzec 2019): 1940012. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156419400123.
Pełny tekst źródłaJu, Yongho “Sungtaek”. "Nanoscale Thermal Phenomena in Tunnel Junctions for Spintronics Applications". Journal of Electronic Packaging 128, nr 2 (5.12.2005): 109–14. http://dx.doi.org/10.1115/1.2165215.
Pełny tekst źródłaЛобкова, М. Д., П. Н. Скирдков i К. А. Звездин. "Модель магнитного туннельного перехода на Verilog-A для использования в средах автоматизированного проектирования интегральных схем". Физика твердого тела 65, nr 6 (2023): 951. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2023.06.55649.06h.
Pełny tekst źródłaANSARINO, MASOUD, BAHRAM ABEDI RAVAN i YADOLLAH AHMADIZADEH. "CALCULATION OF ELECTRICAL SWITCHING AND MAGNETORESISTIVE PROPERTIES OF MOLECULAR TUNNEL JUNCTIONS". Modern Physics Letters B 26, nr 31 (2.11.2012): 1250206. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984912502065.
Pełny tekst źródłaFukushima, Akio, Kay Yakushiji, Hitoshi Kubota, Hiroshi Imamura i Shinji Yuasa. "Development of “spin dice” — A Scalable Random Number Generator Based on Spin-Torque Switching". SPIN 09, nr 03 (20.05.2019): 1940009. http://dx.doi.org/10.1142/s2010324719400095.
Pełny tekst źródłaInomata, Koichiro. "Hybrid Type Tunnel Junctions." Materia Japan 37, nr 9 (1998): 741–44. http://dx.doi.org/10.2320/materia.37.741.
Pełny tekst źródłaMonaco, Roberto. "Superelliptic Josephson Tunnel Junctions". Journal of Low Temperature Physics 188, nr 1-2 (6.04.2017): 49–63. http://dx.doi.org/10.1007/s10909-017-1776-0.
Pełny tekst źródłaBai, Haili, i Enyong Jiang. "Magnetic tunnel junctions (MTJs)". Chinese Science Bulletin 46, nr 9 (maj 2001): 709–16. http://dx.doi.org/10.1007/bf03187205.
Pełny tekst źródłaCucolo, A. M., M. Cuoco i C. Noce. "d-Wave Tunnel Junctions". International Journal of Modern Physics B 13, nr 09n10 (20.04.1999): 1295–99. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979299001338.
Pełny tekst źródłaFrancis, Jaismon, S. A. Bassam i C. S. Suchand Sangeeth. "Importance of impedance spectroscopy in self-assembled monolayer-based large-area tunnel junctions". Journal of Physics D: Applied Physics 55, nr 7 (9.11.2021): 075301. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac30fc.
Pełny tekst źródłaDAS, MOUSUMI. "ELECTRON TRANSFER THROUGH NON-HYDROGEN AND HYDROGEN BONDED INTERMOLECULAR TUNNEL JUNCTIONS: A COMPUTATIONAL STUDY". Journal of Theoretical and Computational Chemistry 11, nr 05 (październik 2012): 997–1004. http://dx.doi.org/10.1142/s0219633612500666.
Pełny tekst źródłaШевченко, М. С., Л. В. Филиппенко, О. С. Киселев i В. П. Кошелец. "Джозефсоновские туннельные переходы с интегральным СИН-шунтированием". Физика твердого тела 64, nr 9 (2022): 1223. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2022.09.52809.38hh.
Pełny tekst źródłaVentura, João, A. Pereira, José M. Teixeira, João P. Araújo, Francisco Carpinteiro, João Bessa Sousa, Y. Liu, Z. Zhang i Paulo Freitas. "Heat Generation in Tunnel Junctions for Current-Written Pinned Layer Switching". Materials Science Forum 514-516 (maj 2006): 323–27. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.514-516.323.
Pełny tekst źródłaGou, Yudan, Jun Wang, Yang Cheng, Yintao Guo, Xiao Xiao, Heng Liu, Shaoyang Tan i in. "Experimental and Modeling Study on the High-Performance p++-GaAs/n++-GaAs Tunnel Junctions with Silicon and Tellurium Co-Doped InGaAs Quantum Well Inserted". Crystals 10, nr 12 (28.11.2020): 1092. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10121092.
Pełny tekst źródłaDawidowski, Wojciech, Beata Šciana, Iwona Zborowska-Lindert, Miroslav Mikolášek, Magdalena Latkowska, Damian Radziewicz, Damian Pucicki i in. "AP-MOVPE Technology and Characterization of InGaAsN p-i-n Subcell for InGaAsN/GaAs Tandem Solar Cell". International Journal of Electronics and Telecommunications 60, nr 2 (1.06.2014): 151–56. http://dx.doi.org/10.2478/eletel-2014-0018.
Pełny tekst źródłaChen, Lan Li, Ming Ji Shi i Jia Hui Yu. "Good Quality N (a-Si)-P+(Na-Si)-P (μC-Si) Tunnel Junction for Tandem Solar Cells". Solid State Phenomena 181-182 (listopad 2011): 336–39. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.181-182.336.
Pełny tekst źródłaKhachaturova, T. A. "Volt-Ampere Characteristics of Tunnel Junctions from Ferromagnetic Materials". Advanced Materials & Technologies, nr 3 (2017): 047–50. http://dx.doi.org/10.17277/amt.2017.03.pp.047-050.
Pełny tekst źródłaFeng Yuanjia, 冯源佳, 郑钧升 Zheng Junsheng, 杨若雪 Yang Ruoxue i 王攀 Wang Pan. "等离激元隧道结(特邀)". Laser & Optoelectronics Progress 61, nr 3 (2024): 0324001. http://dx.doi.org/10.3788/lop232668.
Pełny tekst źródłaShen, Xiaomi, Caihong Jia i Weifeng Zhang. "Fast Bienenstock–Cooper–Munro rule with tunable threshold realized in ferroelectric tunnel junction for neuromorphic computing". Applied Physics Letters 122, nr 5 (30.01.2023): 053501. http://dx.doi.org/10.1063/5.0137339.
Pełny tekst źródłaKhan, Muhammad Farooq, Hakseong Kim, Ghazanfar Nazir, Suyong Jung i Jonghwa Eom. "Layer dependent magnetoresistance of vertical MoS2 magnetic tunnel junctions". Nanoscale 10, nr 35 (2018): 16703–10. http://dx.doi.org/10.1039/c8nr04518f.
Pełny tekst źródłaMehrparvar, Dariush, Nader Ghobadi i Reza Daqiq. "Effect of spin-orbit coupling within the spin-filter layer on the tunnel magneto-resistance in spin-filter magnetic tunnel junctions". Physica Scripta 98, nr 9 (14.08.2023): 095924. http://dx.doi.org/10.1088/1402-4896/acecba.
Pełny tekst źródłaMalisa, Anayesu B. "Josephson Effect in MgB2/Pd/Nb Trilayer Josephson Junctions". Tanzania Journal of Science 47, nr 3 (14.08.2021): 1062–72. http://dx.doi.org/10.4314/tjs.v47i3.17.
Pełny tekst źródłaКалиновский, В. С., Е. В. Контрош, Г. В. Климко, С. В. Иванов, В. С. Юферев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев i В. М. Андреев. "Разработка и исследование туннельных p-i-n-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения". Физика и техника полупроводников 54, nr 3 (2020): 285. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2020.03.49034.9298.
Pełny tekst źródłaDas, J., R. Degraeve, H. Boeve, P. Duchamps, L. Lagae, G. Groeseneken, G. Borghs i J. De Boeck. "Tunnel barrier properties of stressed ferromagnetic tunnel junctions". Electronics Letters 37, nr 6 (2001): 356. http://dx.doi.org/10.1049/el:20010262.
Pełny tekst źródłaTiusan, C., T. Dimopoulos, K. Ounadjela, M. Hehn, H. A. M. van den Berg, V. da Costa i Y. Henry. "Tunnel magnetoresistance versus micromagnetism in magnetic tunnel junctions". Journal of Applied Physics 87, nr 9 (maj 2000): 4676–78. http://dx.doi.org/10.1063/1.373127.
Pełny tekst źródłaMassarotti, D., H. G. Ahmad, R. Satariano, R. Ferraiuolo, L. Di Palma, P. Mastrovito, G. Serpico i in. "A feasible path for the use of ferromagnetic josephson junctions in quantum circuits: The ferro-transmon". Low Temperature Physics 49, nr 7 (1.07.2023): 794–802. http://dx.doi.org/10.1063/10.0019690.
Pełny tekst źródłaArena, G., M. G. Castellano, R. Leoni, G. Torrioli i P. Carelli. "Sub-Micron Normal-Insulator-Superconductor Tunnel Junctions for Sensitive Thermometry and Micro-Refrigerators". International Journal of Modern Physics B 13, nr 09n10 (20.04.1999): 1241–46. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979299001247.
Pełny tekst źródłaMao, H. J., C. Song, L. R. Xiao, S. Gao, B. Cui, J. J. Peng, F. Li i F. Pan. "Unconventional resistive switching behavior in ferroelectric tunnel junctions". Physical Chemistry Chemical Physics 17, nr 15 (2015): 10146–50. http://dx.doi.org/10.1039/c5cp00421g.
Pełny tekst źródłaSheldon, Forrest, Sebastiano Peotta i Massimiliano Di Ventra. "Phase-dependent noise in Josephson junctions". European Physical Journal Applied Physics 81, nr 1 (styczeń 2018): 10601. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2017170297.
Pełny tekst źródłaDAI, C. J., X. H. YAN, Y. XIAO, J. R. YUAN, M. X. BI i J. S. LIU. "EFFECTS OF THE MIXED Cu/O LAYER ON THE TRANSPORT PROPERTIES OF Cu/EuO-BASED TUNNEL JUNCTIONS". Surface Review and Letters 24, nr 08 (grudzień 2017): 1750120. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x17501207.
Pełny tekst źródłaXu, Huifen, Minhua Fan, Senzu Yang i Peiheng Wu. "Chaos in superconducting tunnel junctions". Journal of Applied Physics 78, nr 11 (grudzień 1995): 6664–69. http://dx.doi.org/10.1063/1.360487.
Pełny tekst źródłaTsymbal, E. Y., A. Gruverman, V. Garcia, M. Bibes i A. Barthélémy. "Ferroelectric and multiferroic tunnel junctions". MRS Bulletin 37, nr 2 (luty 2012): 138–43. http://dx.doi.org/10.1557/mrs.2011.358.
Pełny tekst źródłaChapline, Michael G., i Shan X. Wang. "Spin filter based tunnel junctions". Journal of Applied Physics 100, nr 12 (15.12.2006): 123909. http://dx.doi.org/10.1063/1.2382720.
Pełny tekst źródłaUeda, K., S. Saito, K. Semba, T. Makimoto i M. Naito. "All-MgB2 Josephson tunnel junctions". Applied Physics Letters 86, nr 17 (25.04.2005): 172502. http://dx.doi.org/10.1063/1.1920411.
Pełny tekst źródłaKoski, J. V., J. T. Peltonen, M. Meschke i J. P. Pekola. "Laterally proximized aluminum tunnel junctions". Applied Physics Letters 98, nr 20 (16.05.2011): 203501. http://dx.doi.org/10.1063/1.3590922.
Pełny tekst źródłaLi, X. W., Yu Lu, G. Q. Gong, Gang Xiao, A. Gupta, P. Lecoeur, J. Z. Sun, Y. Y. Wang i V. P. Dravid. "Epitaxial La0.67Sr0.33MnO3 magnetic tunnel junctions". Journal of Applied Physics 81, nr 8 (15.04.1997): 5509–11. http://dx.doi.org/10.1063/1.364585.
Pełny tekst źródłaGallagher, W. J., S. S. P. Parkin, Yu Lu, X. P. Bian, A. Marley, K. P. Roche, R. A. Altman i in. "Microstructured magnetic tunnel junctions (invited)". Journal of Applied Physics 81, nr 8 (15.04.1997): 3741–46. http://dx.doi.org/10.1063/1.364744.
Pełny tekst źródła