Artykuły w czasopismach na temat „Trench transistor”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Trench transistor”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Shichijo, H., S. K. Banerjee, S. D. S. Malhi, G. P. Pollack, W. F. Richardson, D. M. Bordelon, R. H. Womack i in. "Trench transistor DRAM cell". IEEE Electron Device Letters 7, nr 2 (luty 1986): 119–21. http://dx.doi.org/10.1109/edl.1986.26313.
Pełny tekst źródłaGupta, Aakashdeep, K. Nidhin, Suresh Balanethiram, Shon Yadav, Anjan Chakravorty, Sebastien Fregonese i Thomas Zimmer. "Static Thermal Coupling Factors in Multi-Finger Bipolar Transistors: Part I—Model Development". Electronics 9, nr 9 (19.08.2020): 1333. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9091333.
Pełny tekst źródłaBanerjee, S., i D. M. Bordelon. "A model for the trench transistor". IEEE Transactions on Electron Devices 34, nr 12 (grudzień 1987): 2485–92. http://dx.doi.org/10.1109/t-ed.1987.23339.
Pełny tekst źródłaMukherjee, Kalparupa, Carlo De Santi, Matteo Borga, Karen Geens, Shuzhen You, Benoit Bakeroot, Stefaan Decoutere i in. "Challenges and Perspectives for Vertical GaN-on-Si Trench MOS Reliability: From Leakage Current Analysis to Gate Stack Optimization". Materials 14, nr 9 (29.04.2021): 2316. http://dx.doi.org/10.3390/ma14092316.
Pełny tekst źródłaDai, Tian Xiang, A. B. Renz, Luyang Zhang, Oliver J. Vavasour, G. W. C. Baker, Vishal Ajit Shah, Philip A. Mawby i Peter M. Gammon. "Design and Optimisation of Schottky Contact Integration in a 4H-SiC Trench MOSFET". Materials Science Forum 1004 (lipiec 2020): 808–13. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1004.808.
Pełny tekst źródłaChen, Q., B. You, A. Q. Huang i J. K. O. Sin. "A new trench base-shielded bipolar transistor". IEEE Transactions on Electron Devices 47, nr 8 (2000): 1662–66. http://dx.doi.org/10.1109/16.853045.
Pełny tekst źródłaWang, Bo. "Analysis of base characteristics of trench gate field termination IGBT". E3S Web of Conferences 237 (2021): 02023. http://dx.doi.org/10.1051/e3sconf/202123702023.
Pełny tekst źródłaManosukritkul, Phasapon, Amonrat Kerdpardist, Montree Saenlamool, Ekalak Chaowicharat, Amporn Poyai i Wisut Titiroongruang. "An Improvement of the Breakdown Voltage Characteristics of NPT-TIGBT by Using a P-Buried Layer". Advanced Materials Research 717 (lipiec 2013): 158–63. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.717.158.
Pełny tekst źródłaYang, Ling Ling. "A Novel Structure Trench IGBT with Full Hole-Barrier Layer". Applied Mechanics and Materials 543-547 (marzec 2014): 757–61. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.543-547.757.
Pełny tekst źródłaHung, Chia Lung, Yi Kai Hsiao, Chang Ching Tu i Hao Chung Kuo. "Investigation of 4H-SiC UMOSFET Architectures for High Voltage and High Speed Power Switching Applications". Materials Science Forum 1088 (18.05.2023): 41–49. http://dx.doi.org/10.4028/p-56sbi2.
Pełny tekst źródłaShu, Lei, Huai-Lin Liao, Zi-Yuan Wu, Xing-Yu Fang, Shi-Wei Liang, Tong-De Li, Liang Wang, Jun Wang i Yuan-Fu Zhao. "Effects of Gamma Irradiation on Switching Characteristics of SiC MOSFET Power Devices of Different Structures". Electronics 12, nr 10 (11.05.2023): 2194. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12102194.
Pełny tekst źródłaWang, Bo. "Analysis of junction capacitance characteristics of trench gate IGBT". E3S Web of Conferences 237 (2021): 02024. http://dx.doi.org/10.1051/e3sconf/202123702024.
Pełny tekst źródłaBanzhaf, Christian T., Michael Grieb, Achim Trautmann, Anton J. Bauer i Lothar Frey. "Investigation of Trenched and High Temperature Annealed 4H-SiC". Materials Science Forum 778-780 (luty 2014): 742–45. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.742.
Pełny tekst źródłaShah, A. H., C. Wang, R. H. Womack, J. D. Gallia, H. Shichijo, H. E. Davis, M. Elahy i in. "A 4-Mbit DRAM with trench-transistor cell". IEEE Journal of Solid-State Circuits 21, nr 5 (październik 1986): 618–26. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.1986.1052586.
Pełny tekst źródłaHuang, Q., i G. A. J. Amaratunga. "Analysis of double trench insulated gate bipolar transistor". Solid-State Electronics 38, nr 4 (kwiecień 1995): 829–38. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(94)00110-2.
Pełny tekst źródłaAur, S., i Ping Yang. "IVB-6 hot-carrier reliability of trench transistor". IEEE Transactions on Electron Devices 34, nr 11 (listopad 1987): 2374. http://dx.doi.org/10.1109/t-ed.1987.23289.
Pełny tekst źródłaBanerjee, S., D. Coleman, W. Richardson i A. Shah. "Leakage mechanisms in the trench transistor DRAM cell". IEEE Transactions on Electron Devices 35, nr 1 (styczeń 1988): 108–16. http://dx.doi.org/10.1109/16.2425.
Pełny tekst źródłaHueting, R. J. E., J. W. Slotboom, J. Melai, P. Agarwal i P. H. C. Magnee. "A New Trench Bipolar Transistor for RF Applications". IEEE Transactions on Electron Devices 51, nr 7 (lipiec 2004): 1108–13. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2004.829867.
Pełny tekst źródłaKakarla, Bhagyalakshmi, Thomas Ziemann, Selamnesh Nida, Elias Doenni i Ulrike Grossner. "Planar to Trench: Short Circuit Capability Analysis of 1.2 kV SiC MOSFETs". Materials Science Forum 924 (czerwiec 2018): 782–85. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.782.
Pełny tekst źródłaSugiyama, Naohiro, Yuuichi Takeuchi, Mitsuhiro Kataoka, Adolf Schöner i Rajesh Kumar Malhan. "Growth Mechanism and 2D Aluminum Dopant Distribution of Embedded Trench 4H-SiC Region". Materials Science Forum 600-603 (wrzesień 2008): 171–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.171.
Pełny tekst źródłaJiang, Dandan, Lei Jin i Zongliang Huo. "A Quantitative Approach to Characterize Total Ionizing Dose Effect of Periphery Device for 65 nm Flash Memory". Nanoscience and Nanotechnology Letters 10, nr 3 (1.03.2018): 378–82. http://dx.doi.org/10.1166/nnl.2018.2604.
Pełny tekst źródłaZhang, Meng, Baikui Li, Zheyang Zheng, Xi Tang i Jin Wei. "A New SiC Planar-Gate IGBT for Injection Enhancement Effect and Low Oxide Field". Energies 14, nr 1 (25.12.2020): 82. http://dx.doi.org/10.3390/en14010082.
Pełny tekst źródłaSon, Won-So, Young-Ho Sohn i Sie-young Choi. "SOI RESURF LDMOS transistor using trench filled with oxide". Electronics Letters 39, nr 24 (2003): 1760. http://dx.doi.org/10.1049/el:20031115.
Pełny tekst źródłaCai, J., J. K. O. Sin, P. K. T. Mok, Wai-Tung Ng i P. P. T. Lai. "A new lateral trench-gate conductivity modulated power transistor". IEEE Transactions on Electron Devices 46, nr 8 (1999): 1788–93. http://dx.doi.org/10.1109/16.777171.
Pełny tekst źródłaSpulber, O., M. Sweet, K. Vershinin, C. K. Ngw, L. Ngwendson, J. V. S. C. Bose, M. M. De Souza i E. M. Sanakara Narayanan. "A novel trench clustered insulated gate bipolar transistor (TCIGBT)". IEEE Electron Device Letters 21, nr 12 (grudzień 2000): 613–15. http://dx.doi.org/10.1109/55.887483.
Pełny tekst źródłaNa, Jaeyeop, Jinhee Cheon i Kwangsoo Kim. "4H-SiC Double Trench MOSFET with Split Heterojunction Gate for Improving Switching Characteristics". Materials 14, nr 13 (25.06.2021): 3554. http://dx.doi.org/10.3390/ma14133554.
Pełny tekst źródłaLi, Xuan, Xing Tong, Alex Q. Huang, Shi Qiu, Xu She, Xiao Сhuan Deng i Bo Zhang. "Shielded Gate SiC Trench Power MOSFET with Ultra-Low Switching Loss". Materials Science Forum 924 (czerwiec 2018): 765–69. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.765.
Pełny tekst źródłaShu, Lei, Huai-Lin Liao, Zi-Yuan Wu, Yan-Yan Li, Xing-Yu Fang, Shi-Wei Liang, Tong-De Li, Liang Wang, Jun Wang i Yuan-Fu Zhao. "Comparison of Gamma Irradiation Effects on Short Circuit Characteristics of SiC MOSFET Power Devices between Planar and Trench Structures". Electronics 12, nr 13 (30.06.2023): 2891. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12132891.
Pełny tekst źródłaTakeuchi, Wakana, Eiji Kagoshima, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Shigeru Kimura i in. "Visualization of local strain in 4H-SiC trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using synchrotron nanobeam X-ray diffraction". Japanese Journal of Applied Physics 61, SC (21.03.2022): SC1072. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac4c6d.
Pełny tekst źródłaZhou, Xuanze, Yongjian Ma, Guangwei Xu, Qi Liu, Jinyang Liu, Qiming He, Xiaolong Zhao i Shibing Long. "Enhancement-mode β-Ga2O3 U-shaped gate trench vertical MOSFET realized by oxygen annealing". Applied Physics Letters 121, nr 22 (28.11.2022): 223501. http://dx.doi.org/10.1063/5.0130292.
Pełny tekst źródłaNa, Jaeyeop, Jinhee Cheon i Kwangsoo Kim. "High performance 4H-SiC MOSFET with deep source trench". Semiconductor Science and Technology 37, nr 4 (17.02.2022): 045004. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ac5103.
Pełny tekst źródłaJeong, Jee-Hun, Ju-Hong Cha, Goon-Ho Kim, Sung-Hwan Cho i Ho-Jun Lee. "Study of a SiC Trench MOSFET Edge-Termination Structure with a Bottom Protection Well for a High Breakdown Voltage". Applied Sciences 10, nr 3 (21.01.2020): 753. http://dx.doi.org/10.3390/app10030753.
Pełny tekst źródłaZhang, Meng, Baikui Li i Jin Wei. "Exploring SiC Planar IGBTs towards Enhanced Conductivity Modulation Comparable to SiC Trench IGBTs". Crystals 10, nr 5 (23.05.2020): 417. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10050417.
Pełny tekst źródłaYang, Jianan, John P. Denton i Gerold W. Neudeck. "Edge transistor elimination in oxide trench isolated N-channel metal–oxide–semiconductor field effect transistors". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 19, nr 2 (2001): 327. http://dx.doi.org/10.1116/1.1358854.
Pełny tekst źródłaQian, Zhehong, Wenrong Cui, Tianyang Feng, Hang Xu, Yafen Yang, Qingqing Sun i David Wei Zhang. "A Novel High-Speed Split-Gate Trench Carrier-Stored Trench-Gate Bipolar Transistor with Enhanced Short-Circuit Roughness". Micromachines 15, nr 6 (22.05.2024): 680. http://dx.doi.org/10.3390/mi15060680.
Pełny tekst źródłaZeng, J., P. A. Mawby, M. S. Towers i K. Board. "THERMO‐ELECTRIC STUDY OF THE TRENCH‐GATE POWER VDMOS TRANSISTOR". COMPEL - The international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering 13, nr 4 (kwiecień 1994): 735–42. http://dx.doi.org/10.1108/eb051891.
Pełny tekst źródłaRongyao, Ma, Li Zehong, Hong Xin i Zhang Bo. "Carrier stored trench-gate bipolar transistor with p-floating layer". Journal of Semiconductors 31, nr 2 (luty 2010): 024004. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/31/2/024004.
Pełny tekst źródłaHieda, K., F. Horiguchi, H. Watanabe, K. Sunouchi, I. Inoue i T. Hamamoto. "Effects of a new trench-isolated transistor using sidewall gates". IEEE Transactions on Electron Devices 36, nr 9 (wrzesień 1989): 1615–19. http://dx.doi.org/10.1109/16.34221.
Pełny tekst źródłaMa, Rongyao, Ruoyu Wang, Hao Fang, Ping Li, Longjie Zhao, Hao Wu, Zhiyong Huang, Jingyu Tao i Shengdong Hu. "A Novel Deep-Trench Super-Junction SiC MOSFET with Improved Specific On-Resistance". Micromachines 15, nr 6 (23.05.2024): 684. http://dx.doi.org/10.3390/mi15060684.
Pełny tekst źródłaAkiyama, Satoru, Haruka Shimizu, Natsuki Yokoyama, Tomohiro Tamaki, Sadayuki Koido, Yoshikazu Tomizawa, Toyohiko Takahashi i Takamitsu Kanazawa. "A 69-mΩ 600-V-Class Hybrid JFET". Materials Science Forum 740-742 (styczeń 2013): 925–28. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.925.
Pełny tekst źródłaWu, Jiale, Houyong Zhou i Yi Chen. "A Novel Super-junction MOSFET with Enhanced Switching Performance and Ruggedness". Journal of Physics: Conference Series 2524, nr 1 (1.06.2023): 012028. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2524/1/012028.
Pełny tekst źródłaMaralani, A., Michael S. Mazzola, David C. Sheridan, Igor Sankin i Volodymyr Bondarenko. "Characterization and Modeling of SiC LTJFET for Analog Integrated Circuit Simulation and Design". Materials Science Forum 615-617 (marzec 2009): 915–18. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.915.
Pełny tekst źródłaYahata, Akihiro, Satoshi Urano, Tomoki Inoue i Takashi Shinohe. "Improvement of Channel Mobility for Trench Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor by Smoothing Trench Sidewall Surface". Japanese Journal of Applied Physics 40, Part 1, No. 1 (15.01.2001): 116–17. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.40.116.
Pełny tekst źródłaNi, Wei, Kenta Emori, Toshiharu Marui, Yuji Saito, Shigeharu Yamagami, Tetsuya Hayashi i Masakatsu Hoshi. "SiC Trench MOSFET with an Integrated Low Von Unipolar Heterojunction Diode". Materials Science Forum 778-780 (luty 2014): 923–26. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.923.
Pełny tekst źródłaChong, Chen, Hongxia Liu, Shougang Du, Shulong Wang i Hao Zhang. "Study on the Simulation of Biosensors Based on Stacked Source Trench Gate TFET". Nanomaterials 13, nr 3 (28.01.2023): 531. http://dx.doi.org/10.3390/nano13030531.
Pełny tekst źródłaLee, Hoontaek, Junsoo Kim, Kumjae Shin i Wonkyu Moon. "Improving the Performance of the ToGoFET Probe: Advances in Design, Fabrication, and Signal Processing". Micromachines 12, nr 11 (23.10.2021): 1303. http://dx.doi.org/10.3390/mi12111303.
Pełny tekst źródłaVolcheck, V. S., i V. R. Stempitsky. "Gallium nitride heterostructure field-effect transistor with a heat-removal system based on a trench in the passivation layer filled by a high thermal conductivity material". Doklady BGUIR 19, nr 6 (1.10.2021): 74–82. http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-6-74-82.
Pełny tekst źródłaVolcheck, V. S., i V. R. Stempitsky. "Large Signal Performance of the Gallium Nitride Heterostructure Field-Effect Transistor With a Graphene Heat-Removal System". Doklady BGUIR 20, nr 1 (1.03.2022): 40–47. http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2022-20-1-40-47.
Pełny tekst źródłaBellini, Marco, i Lars Knoll. "Advanced TCAD Design Techniques for the Performance Improvement of SiC MOSFETs". Materials Science Forum 1004 (lipiec 2020): 865–71. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1004.865.
Pełny tekst źródłaDeng, Xiao Chuan, Hao Zhu, Xuan Li, Xiao Jie Xu, Kun Zhou, Zhi Qiang Li, Song Bai, You Run Zhang i Bo Zhang. "Avalanche Ruggedness Assessment of 1.2kV 45mΩ Asymmetric Trench SiC MOSFETs". Materials Science Forum 1004 (lipiec 2020): 837–42. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1004.837.
Pełny tekst źródła