Artykuły w czasopismach na temat „Transistors”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Transistors”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Vukic, Vladimir, i Predrag Osmokrovic. "Power lateral pnp transistor operating with high current density in irradiated voltage regulator". Nuclear Technology and Radiation Protection 28, nr 2 (2013): 146–57. http://dx.doi.org/10.2298/ntrp1302146v.
Pełny tekst źródłaKnyaginin, D. A., E. A. Kulchenkov, S. B. Rybalka i A. A. Demidov. "Study of characteristics of n-p-n type bipolar power transistor in small-sized metalpolymeric package type SOT-89". Journal of Physics: Conference Series 2086, nr 1 (1.12.2021): 012057. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2086/1/012057.
Pełny tekst źródłaHorng. "Thin Film Transistor". Crystals 9, nr 8 (9.08.2019): 415. http://dx.doi.org/10.3390/cryst9080415.
Pełny tekst źródłaBLALOCK, BENJAMIN J., SORIN CRISTOLOVEANU, BRIAN M. DUFRENE, F. ALLIBERT i MOHAMMAD M. MOJARRADI. "THE MULTIPLE-GATE MOS-JFET TRANSISTOR". International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, nr 02 (czerwiec 2002): 511–20. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001423.
Pełny tekst źródłaArunabala, Dr C. "Design of a 4 bit Arithmetic and Logical unit with Low Power and High Speed". International Journal of Innovative Technology and Exploring Engineering 10, nr 5 (30.03.2021): 87–92. http://dx.doi.org/10.35940/ijitee.e8660.0310521.
Pełny tekst źródłaTappertzhofen, S., L. Nielen, I. Valov i R. Waser. "Memristively programmable transistors". Nanotechnology 33, nr 4 (5.11.2021): 045203. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac317f.
Pełny tekst źródłaXie, Fangqing, Maryna N. Kavalenka, Moritz Röger, Daniel Albrecht, Hendrik Hölscher, Jürgen Leuthold i Thomas Schimmel. "Copper atomic-scale transistors". Beilstein Journal of Nanotechnology 8 (1.03.2017): 530–38. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.8.57.
Pełny tekst źródłaYarmukhamedov, A., A. Zhabborov i B. Turimbetov. "EXPERIMENTAL RESEARCH AND COMPUTER SIMULATION OF MULTI-CASCADE COMPOSITE TRANSISTORS FOR STABILIZING THE OPERATING MODE OF OUTPUT CASCADES OF RADIO ENGINEERING DEVICES". Technical science and innovation 2019, nr 1 (11.06.2019): 33–42. http://dx.doi.org/10.51346/tstu-01.18.2.-77-0009.
Pełny tekst źródłaHebali, Mourad, Menaouer Bennaoum, Mohammed Berka, Abdelkader Baghdad Bey, Mohammed Benzohra, Djilali Chalabi i Abdelkader Saidane. "A high electrical performance of DG-MOSFET transistors in 4H-SiC and 6H-SiC 130 nm technology by BSIM3v3 model". Journal of Electrical Engineering 70, nr 2 (1.04.2019): 145–51. http://dx.doi.org/10.2478/jee-2019-0021.
Pełny tekst źródłaBalti, M., D. Pasquet i A. Samet. "PROPAGATION EFFECTS ON Z PARAMETERS IN AN FET EQUIVALENT CIRCUIT". SYNCHROINFO JOURNAL 7, nr 5 (2021): 21–25. http://dx.doi.org/10.36724/2664-066x-2021-7-5-21-25.
Pełny tekst źródłaChoi, Woo Young. "Negative Capacitance Vacuum Channel Transistors for Low Operating Voltage". Micromachines 11, nr 6 (27.05.2020): 543. http://dx.doi.org/10.3390/mi11060543.
Pełny tekst źródłaLin, Jinhan. "Advancement and Challenges of Field Effect Transistors based on Multi-gate Transistor". Journal of Physics: Conference Series 2370, nr 1 (1.11.2022): 012004. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2370/1/012004.
Pełny tekst źródłaBogatyrev, Yu V., D. A. Aharodnikau, S. B. Lastovsky, A. V. Ket’ko, M. M. Krechko, S. V. Shpakovsky, P. V. Rubanov, G. A. Protopopov i P. A. Chubunov. "Influence of ionizing radiation on the parameters of p-channel MOS transistors". Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus, Physical-Technical Series 67, nr 4 (2.01.2023): 402–8. http://dx.doi.org/10.29235/1561-8358-2022-67-4-402-408.
Pełny tekst źródłaCunţan, C. D., I. Baciu i M. Osaci. "Study of MOS and IGBT transistors at switching with variable duty cycle". Journal of Physics: Conference Series 2714, nr 1 (1.02.2024): 012010. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2714/1/012010.
Pełny tekst źródłaMaftunzada, S. A. L. "The Structure and Working Principle of a Bipolar Junction Transistor (BJT)". Physical Science International Journal 26, nr 11-12 (31.12.2022): 35–39. http://dx.doi.org/10.9734/psij/2022/v26i11-12772.
Pełny tekst źródłaDallaire, Nicholas J., Samantha Brixi, Martin Claus, Stefan Blawid i Benoît H. Lessard. "Benchmarking contact quality in N-type organic thin film transistors through an improved virtual-source emission-diffusion model". Applied Physics Reviews 9, nr 1 (marzec 2022): 011418. http://dx.doi.org/10.1063/5.0078907.
Pełny tekst źródłaKumrey, G. R., i S. K. Mahobia. "STUDY AND PERFORMANCE TESTING OF TRANSISTOR WITH COMMON EMITTER AMPLIFIER CIRCUIT". International Journal of Research -GRANTHAALAYAH 4, nr 8 (31.08.2016): 100–103. http://dx.doi.org/10.29121/granthaalayah.v4.i8.2016.2567.
Pełny tekst źródłaLiou, Juin J., i Frank Schwierz. "Evolution and recent advances in RF/microwave transistors". Journal of Telecommunications and Information Technology, nr 1 (30.03.2004): 99–105. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2004.1.224.
Pełny tekst źródłaHassinen, Tomi, Ari Alastalo, Kim Eiroma, Tiia-Maria Tenhunen, Vesa Kunnari, Timo Kaljunen, Ulla Forsström i Tekla Tammelin. "All-Printed Transistors on Nano Cellulose Substrate". MRS Advances 1, nr 10 (28.12.2015): 645–50. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2015.31.
Pełny tekst źródłaAhmed Mohammede, Arsen, Zaidoon Khalaf Mahmood i Hüseyin Demirel. "Study of finfet transistor: critical and literature review in finfet transistor in the active filter". 3C TIC: Cuadernos de desarrollo aplicados a las TIC 12, nr 1 (31.03.2023): 65–81. http://dx.doi.org/10.17993/3ctic.2023.121.65-81.
Pełny tekst źródłaSergeev, Vyacheslav A., Alexander M. Hodakov, Ilya V. Frolov i Alexander A. Kazankov. "Current distribution in comb structures of bipolar and heterobipolar microwave transistors taking into account the metallization tracks resistance". Radioelectronics. Nanosystems. Information Technologies. 16, nr 3 (19.05.2024): 317–24. http://dx.doi.org/10.17725/j.rensit.2024.16.317.
Pełny tekst źródłaHashim, Yasir, i Othman Sidek. "Dimensional Effect on DIBL in Silicon Nanowire Transistors". Advanced Materials Research 626 (grudzień 2012): 190–94. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.626.190.
Pełny tekst źródłaKapen, Tilegen Abaiuly. "INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR". Chronos 7, nr 8(70) (13.10.2022): 32–35. http://dx.doi.org/10.52013/2658-7556-70-8-12.
Pełny tekst źródłaMondzik, Andrzej. "T-NPC Soft-Commutated Inverter Based on Reverse Blocking IGBTs with the Novel Concept of a DESAT Control Circuit in the Gate Driver". Energies 16, nr 12 (11.06.2023): 4642. http://dx.doi.org/10.3390/en16124642.
Pełny tekst źródłaNowbahari, Arian, Avisek Roy i Luca Marchetti. "Junctionless Transistors: State-of-the-Art". Electronics 9, nr 7 (19.07.2020): 1174. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9071174.
Pełny tekst źródłaPark, ChangMin, SeHan Lee, MinSu Choi, MyungGil Kang, YoungChai Jung, SungWoo Hwang, Doyeol Ahn, JungHyeon Lee i ChangRyong Song. "Fabrication of Poly-Silicon Nano-Wire Transistors on Plastic Substrates". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 7, nr 11 (1.11.2007): 4150–53. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2007.015.
Pełny tekst źródłaPark, ChangMin, SeHan Lee, MinSu Choi, MyungGil Kang, YoungChai Jung, SungWoo Hwang, Doyeol Ahn, JungHyeon Lee i ChangRyong Song. "Fabrication of Poly-Silicon Nano-Wire Transistors on Plastic Substrates". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 7, nr 11 (1.11.2007): 4150–53. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2007.18093.
Pełny tekst źródłaHanko, Branislav, Michal Frivaldsky i Jan Morgos. "Evaluation of the Efficiency Performance of 3-Phase, 6-Switch PFC Circuit Based on the Used 1.2 kV SiC Transistor". Electronics 11, nr 3 (25.01.2022): 363. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11030363.
Pełny tekst źródłaSuman, Dr J. V., i Nekkali Ramya. "Harnessing Tunnel Field-Effect Transistors for Boolean Function Implementation". INTERANTIONAL JOURNAL OF SCIENTIFIC RESEARCH IN ENGINEERING AND MANAGEMENT 07, nr 12 (30.12.2023): 1–13. http://dx.doi.org/10.55041/ijsrem27821.
Pełny tekst źródłaAgha, Firas, Yasir Naif i Mohammed Shakib. "Review of Nanosheet Transistors Technology". Tikrit Journal of Engineering Sciences 28, nr 1 (20.05.2021): 40–48. http://dx.doi.org/10.25130/tjes.28.1.05.
Pełny tekst źródłaHähnlein, Bernd, Benjamin Händel, Frank Schwierz i Jörg Pezoldt. "Properties of Graphene Side Gate Transistors". Materials Science Forum 740-742 (styczeń 2013): 1028–31. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.1028.
Pełny tekst źródłaQi, Cheng, Yaswanth Rangineni, Gary Goncher, Raj Solanki, Kurt Langworthy i Jay Jordan. "SiGe Nanowire Field Effect Transistors". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 8, nr 1 (1.01.2008): 457–60. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2008.083.
Pełny tekst źródłaBurg, David, i Jesse H. Ausubel. "Moore’s Law revisited through Intel chip density". PLOS ONE 16, nr 8 (18.08.2021): e0256245. http://dx.doi.org/10.1371/journal.pone.0256245.
Pełny tekst źródłaHasan, Ghanim Thiab, Ali Hlal Mutlaq i Kamil Jadu Ali. "Comparative evaluation of SiC/GaN “MOSFET” transistors under different switching conditions". Bulletin of Electrical Engineering and Informatics 11, nr 2 (1.04.2022): 681–90. http://dx.doi.org/10.11591/eei.v11i2.3445.
Pełny tekst źródłaWang, Yao, Yuedan Wang, Rufeng Zhu i Dong Wang. "Research progress of fibre-based organic electrochemical transistors". Wearable Technology 2, nr 2 (16.06.2022): 67. http://dx.doi.org/10.54517/wt.v2i2.1650.
Pełny tekst źródłaGadgiev, H. M., Sh T. Ismailova i P. A. Kurbanova. "Kurbanova. Design of energy-efficient high-speed computer equipment based on cost-effective light transistors". Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences 47, nr 4 (21.01.2021): 20–26. http://dx.doi.org/10.21822/2073-6185-2020-47-4-20-26.
Pełny tekst źródłaАндреев, А. А., Ю. В. Грищенко, И. C. Езубченко, М. Я. Черных, Е. М. Колобкова, И. О. Майборода, И. А. Черных i М. Л. Занавескин. "Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния". Письма в журнал технической физики 45, nr 4 (2019): 52. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2019.04.47340.17567.
Pełny tekst źródłaHolloway, Peter R. ""One Transistor, Two Transistors, Three"". IEEE Solid-State Circuits Magazine 5, nr 3 (2013): 21–28. http://dx.doi.org/10.1109/mssc.2013.2266056.
Pełny tekst źródłaZanchin, Vinicius Ramos, Marco Roberto Cavallari i Fernando Josepetti Fonseca. "Stability of Polythiophene-Based Transistors upon Bending for Gas Sensing Applications". Journal of Integrated Circuits and Systems 16, nr 1 (22.02.2021): 1–6. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v16i1.161.
Pełny tekst źródłaТарасова, Е. А., С. В. Оболенский, C. В. Хазанова, Н. Н. Григорьева, О. Л. Голиков, А. Б. Иванов i А. С. Пузанов. "Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ~100 нм". Физика и техника полупроводников 54, nr 9 (2020): 968. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2020.09.49841.35.
Pełny tekst źródłaSaman, Bander, P. Gogna, El-Sayed Hasaneen, J. Chandy, E. Heller i F. C. Jain. "Spatial Wavefunction Switched (SWS) FET SRAM Circuits and Simulation". International Journal of High Speed Electronics and Systems 26, nr 03 (27.06.2017): 1740009. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156417400092.
Pełny tekst źródłaJurnal, Redaksi Tim. "PERANCANGAN RANGKAIAN PENGUAT DAYA DENGAN TRANSISTOR". Sutet 7, nr 2 (27.11.2018): 88–92. http://dx.doi.org/10.33322/sutet.v7i2.81.
Pełny tekst źródłaLitvinov, Nikolay, Maksim Solodilov, Aleksey Plotnikov, Sergey Vital'evich Stoyanov, Artem Lapshin i Roman Ryazancev. "Simulation of the behavior of field-effect transistors when exposed to radiation". Modeling of systems and processes 15, nr 3 (5.10.2022): 24–34. http://dx.doi.org/10.12737/2219-0767-2022-15-3-24-34.
Pełny tekst źródłaZhang, Jiawei, Joshua Wilson, Gregory Auton, Yiming Wang, Mingsheng Xu, Qian Xin i Aimin Song. "Extremely high-gain source-gated transistors". Proceedings of the National Academy of Sciences 116, nr 11 (25.02.2019): 4843–48. http://dx.doi.org/10.1073/pnas.1820756116.
Pełny tekst źródłaNerubatskyi, Volodymyr Pavlovych, Olexandr Andrievych Plakhtii, Denys Anatoliiovych Hordiienko, Hryhorii Anatoliiovych Khoruzhevskyi i Maryna Vitaliyivna Philipjeva. "RESEARCH THE ACCURACY OF MODELING POWER LOSSES IN POWER DIODES AND TRANSISTORS". Collection of Scientific Works of the Ukrainian State University of Railway Transport, nr 203 (27.03.2023): 73–87. http://dx.doi.org/10.18664/1994-7852.203.2023.277905.
Pełny tekst źródłaXu, Wei, Jingxin Wang, Simin Cheng i Xiaomin Xu. "Flexible organic transistors for neural activity recording". Applied Physics Reviews 9, nr 3 (wrzesień 2022): 031308. http://dx.doi.org/10.1063/5.0102401.
Pełny tekst źródłaNovosyadlyy, S. P., i A. M. Bosats'kyy. "Graded-Gap TechnologyFormattingof High-Speed GaAs – TransistorStructuresastheBasisforModern of Large Integrated Circuits". Фізика і хімія твердого тіла 16, nr 1 (15.03.2015): 221–29. http://dx.doi.org/10.15330/pcss.16.1.221-229.
Pełny tekst źródłaBrtník, Bohumil. "Assembling a Formula for Current Transferring by Using a Summary Graph and Transformation Graphs". Journal of Electrical Engineering 64, nr 5 (1.09.2013): 334–36. http://dx.doi.org/10.2478/jee-2013-0050.
Pełny tekst źródłaMarkolenko, Pavlo, Lidia Vikulina, Ivan Vikulin i Oleksandr Nazarenko. "Thermosensitive generators based on single-junction and field-effect transistors". Bulletin of the National Technical University «KhPI» Series: Dynamics and Strength of Machines, nr 1 (21.12.2023): 71–74. http://dx.doi.org/10.20998/2078-9130.2023.1.274466.
Pełny tekst źródłaXu, Hui, i Guo Rui Wu. "Experimental Measurement and Analysis of Pulse Transmission Source of GPR". Advanced Materials Research 503-504 (kwiecień 2012): 1365–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.503-504.1365.
Pełny tekst źródła