Artykuły w czasopismach na temat „Transistors HEMT”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Transistors HEMT”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Amar, Abdelhamid, Bouchaïb Radi i Hami El Abdelkhalak. "Electrothermal Reliability of the High Electron Mobility Transistor (HEMT)". Applied Sciences 11, nr 22 (13.11.2021): 10720. http://dx.doi.org/10.3390/app112210720.
Pełny tekst źródłaMrvić, Jovan, i Vladimir Vukić. "Comparative analysis of the switching energy losses in GaN HEMT and silicon MOSFET power transistors". Zbornik radova Elektrotehnicki institut Nikola Tesla 30, nr 30 (2020): 93–109. http://dx.doi.org/10.5937/zeint30-29318.
Pełny tekst źródłaKuliev, M. V. "Influence of the Heterostructure Composition on the Long-Term Stability of a Microwave Oscillator". Nano- i Mikrosistemnaya Tehnika 24, nr 1 (22.02.2022): 27–29. http://dx.doi.org/10.17587/nmst.24.27-29.
Pełny tekst źródłaZhelannov, Andrei V., Boris I. Seleznev i Dmitry G. Fedorov. "Study of Characteristics of HEMT-Transistors Based on AlGaN/GaN Heterostructure". Nano Hybrids and Composites 28 (luty 2020): 149–54. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/nhc.28.149.
Pełny tekst źródłaСоловьев, А. А. "МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК И ПОСТРОЕНИЕ МОДЕЛИ СВЧ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ САПР KEYSIGHT EESOF". NANOINDUSTRY Russia 96, nr 3s (15.06.2020): 708–11. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.708.711.
Pełny tekst źródłaSleptsova, Anastasia A., Sergey V. Chernykh, Dmitry A. Podgorny i Ilya A. Zhilnikov. "Optimization of passivation in AlGaN/GaN heterostructure microwave transistor fabrication by ICP CVD". Modern Electronic Materials 6, nr 2 (15.07.2020): 71–75. http://dx.doi.org/10.3897/j.moem.6.2.58860.
Pełny tekst źródłaSalmanogli, Ahmad. "Squeezed state generation using cryogenic InP HEMT nonlinearity". Journal of Semiconductors 44, nr 5 (1.05.2023): 052901. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/44/5/052901.
Pełny tekst źródłaRyndin, Eugeny A., Amgad A. Al-Saman i Boris G. Konoplev. "A Quasi-Two-Dimensional Physics-Based Model of HEMTs without Smoothing Functions for Joining Linear and Saturation Regions of I-V Characteristics". Active and Passive Electronic Components 2019 (1.04.2019): 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2019/5135637.
Pełny tekst źródłaSARKOZY, S., X. MEI, W. YOSHIDA, P. H. LIU, M. LANGE, J. LEE, Z. ZHOU i in. "AMPLIFIER GAIN PER STAGE UP TO 0.5 THz USING 35 NM InP HEMT TRANSISTORS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 20, nr 03 (wrzesień 2011): 399–404. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156411006684.
Pełny tekst źródłaLi, Zijian. "Advancements in GaN HEMT structures and applications: A comprehensive overview". Journal of Physics: Conference Series 2786, nr 1 (1.06.2024): 012003. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2786/1/012003.
Pełny tekst źródłaElwaradi, Reda, Jash Mehta, Thi Huong Ngo, Maud Nemoz, Catherine Bougerol, Farid Medjdoub i Yvon Cordier. "Effects of GaN channel downscaling in AlGaN–GaN high electron mobility transistor structures grown on AlN bulk substrate". Journal of Applied Physics 133, nr 14 (14.04.2023): 145705. http://dx.doi.org/10.1063/5.0147048.
Pełny tekst źródłaWojtasiak, Wojciech, Marcin Góralczyk, Daniel Gryglewski, Marcin Zając, Robert Kucharski, Paweł Prystawko, Anna Piotrowska i in. "AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Semi-Insulating Ammono-GaN Substrates with Regrown Ohmic Contacts". Micromachines 9, nr 11 (25.10.2018): 546. http://dx.doi.org/10.3390/mi9110546.
Pełny tekst źródłaPavlov, A. Yu, K. N. Tomosh, V. Yu Pavlov, D. N. Slapovskiy, A. V. Klekovkin i I. A. Ivchenko. "Electron Mobility Transistors On AlGaN/GaN Heterostructure with Recess in the Barrier Layer". Nano- i Mikrosistemnaya Tehnika 24, nr 2 (21.02.2022): 103–8. http://dx.doi.org/10.17587/nmst.24.103-108.
Pełny tekst źródłaSong, Yu-Lin, Manoj Kumar Reddy, Luh-Maan Chang i Gene Sheu. "Physics-Based TCAD Simulation and Calibration of 600 V GaN/AlGaN/GaN Device Characteristics and Analysis of Interface Traps". Micromachines 12, nr 7 (26.06.2021): 751. http://dx.doi.org/10.3390/mi12070751.
Pełny tekst źródłaHasan, Md Sakib, Samira Shamsir, Mst Shamim Ara Shawkat, Frances Garcia i Syed K. Islam. "Multivariate Regression Polynomial: A Versatile and Efficient Method for DC Modeling of Different Transistors (MOSFET, MESFET, HBT, HEMT and G4FET)". International Journal of High Speed Electronics and Systems 27, nr 03n04 (wrzesień 2018): 1840016. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156418400165.
Pełny tekst źródłaĐorđević, Vladica, Zlatica Marinković i Olivera Pronić-Rančić. "COMPARATIVE ANALYSIS OF DIFFERENT CAD METHODS FOR EXTRACTION OF THE HEMT NOISE WAVE MODEL PARAMETERS". Facta Universitatis, Series: Automatic Control and Robotics 16, nr 2 (24.10.2017): 117. http://dx.doi.org/10.22190/fuacr1702119d.
Pełny tekst źródłaMusznicki, Piotr, Pawel B. Derkacz i Piotr J. Chrzan. "Wideband Modeling of DC-DC Buck Converter with GaN Transistors". Energies 14, nr 15 (22.07.2021): 4430. http://dx.doi.org/10.3390/en14154430.
Pełny tekst źródłaArseniuk, Dmytro, i Yuri Zinkovskyi. "MINIMIZING HIGH-FREQUENCY SWITCHING LOSSES IN WIDEBAND GAN HEMTS FOR FLYBACK CONVERTERS". Information and Telecommunication Sciences, nr 2 (21.12.2023): 53–60. http://dx.doi.org/10.20535/2411-2976.22023.53-60.
Pełny tekst źródłaGryglewski, Daniel, Wojciech Wojtasiak, Eliana Kamińska i Anna Piotrowska. "Characterization of Self-Heating Process in GaN-Based HEMTs". Electronics 9, nr 8 (13.08.2020): 1305. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9081305.
Pełny tekst źródłaTorina, Elena M., Victor N. Kochemasov i Ansar R. Safin. "Transistors for Solid-State Microwave Switches (A Review)". Journal of the Russian Universities. Radioelectronics 26, nr 3 (6.07.2023): 6–31. http://dx.doi.org/10.32603/1993-8985-2023-26-3-6-31.
Pełny tekst źródłaLi, Fan, Ang Li, Yuhao Zhu, Chengmurong Ding, Yubo Wang, Weisheng Wang, Miao Cui, Yinchao Zhao, Huiqing Wen i Wen Liu. "Monolithic Si-Based AlGaN/GaN MIS-HEMTs Comparator and Its High Temperature Characteristics". Applied Sciences 11, nr 24 (17.12.2021): 12057. http://dx.doi.org/10.3390/app112412057.
Pełny tekst źródłaBouneb, I., i F. Kerrour. "Nanometric Modelisation to Characterize Dynamics Carriers in a HEMT Heterostructure (AlGaAs/GaAs) Using an Effectif Doping". Key Engineering Materials 644 (maj 2015): 26–30. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.644.26.
Pełny tekst źródłaLu, Hao, Ling Yang, Bin Hou, Meng Zhang, Mei Wu, Xiao-Hua Ma i Yue Hao. "AlN/GaN/InGaN coupling-channel HEMTs with steep subthreshold swing of sub-60 mV/decade". Applied Physics Letters 120, nr 17 (25.04.2022): 173502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0088585.
Pełny tekst źródłaLu, Hao, Ling Yang, Bin Hou, Meng Zhang, Mei Wu, Xiao-Hua Ma i Yue Hao. "AlN/GaN/InGaN coupling-channel HEMTs with steep subthreshold swing of sub-60 mV/decade". Applied Physics Letters 120, nr 17 (25.04.2022): 173502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0088585.
Pełny tekst źródłaAbolduev, I. M., N. V. Alkeev, V. S. Belyaev, E. V. Kaevitser i I. D. Kashlakov. "CURRENT COLLAPSE MEASUREMENTS IN PULSED GAN TRANSISTORS". Electronic engineering Series 2 Semiconductor devices 259, nr 4 (2020): 12–18. http://dx.doi.org/10.36845/2073-8250-2020-259-4-12-18.
Pełny tekst źródłaJardel, Olivier, Jean-Claude Jacquet, Lény Baczkowski, Dominique Carisetti, Didier Lancereau, Maxime Olivier, Raphaël Aubry i in. "InAlN/GaN HEMTs based L-band high-power packaged amplifiers". International Journal of Microwave and Wireless Technologies 6, nr 6 (25.02.2014): 565–72. http://dx.doi.org/10.1017/s175907871400004x.
Pełny tekst źródłaJang, Kyu-Won, In-Tae Hwang, Hyun-Jung Kim, Sang-Heung Lee, Jong-Won Lim i Hyun-Seok Kim. "Thermal Analysis and Operational Characteristics of an AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor with Copper-Filled Structures: A Simulation Study". Micromachines 11, nr 1 (31.12.2019): 53. http://dx.doi.org/10.3390/mi11010053.
Pełny tekst źródłaGramatikov, Pavlin. "GALLIUM NITRIDE POWER ELECTRONICS FOR AEROSPACE - MODELLING AND SIMULATION". Journal Scientific and Applied Research 15, nr 1 (3.03.2019): 11–21. http://dx.doi.org/10.46687/jsar.v15i1.250.
Pełny tekst źródłaQin, Zhen-Wei, Wen-Hsuan Tsai, Wei-Chia Chen, Hao-Hsuan Lo i Yue-Ming Hsin. "I–V Characteristics of E-mode GaN-based transistors under gate floating". Semiconductor Science and Technology 37, nr 4 (14.02.2022): 045002. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ac5105.
Pełny tekst źródłaWang, Jinye, Jun Liu i Zhenxin Zhao. "A novel small-signal equivalent circuit model for GaN HEMTs incorporating a dual-field-plate". Journal of Semiconductors 45, nr 5 (1.05.2024): 052302. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/45/5/052302.
Pełny tekst źródłaWang, Chih Hao, Liang Yu Su, Finella Lee i Jian Jang Huang. "Applications of GaN-Based High Electron Mobility Transistors in Large-Size Devices". Applied Mechanics and Materials 764-765 (maj 2015): 486–90. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.764-765.486.
Pełny tekst źródłaMaset, Enrique, Juan Bta Ejea, Agustín Ferreres, José Luis Lizán, Jose Manuel Blanes, Esteban Sanchis-Kilders i Ausias Garrigós. "Optimized Design of 1 MHz Intermediate Bus Converter Using GaN HEMT for Aerospace Applications". Energies 13, nr 24 (14.12.2020): 6583. http://dx.doi.org/10.3390/en13246583.
Pełny tekst źródłaНедошивина, А. Д., И. В. Макарцев i С. В. Оболенский. "Модель для многопараметрического анализа параметров короткоканальных транзисторов типа НЕМТ". Физика и техника полупроводников 56, nr 7 (2022): 618. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2022.07.52747.02.
Pełny tekst źródłaМихайлович, С. В., А. Ю. Павлов, К. Н. Томош i Ю. В. Федоров. "Низкоэнергетическое бездефектное сухое травление барьерного слоя HEMT AlGaN/AlN/GaN". Письма в журнал технической физики 44, nr 10 (2018): 61. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2018.10.46100.17227.
Pełny tekst źródłaYan, Dong, Lijun Hang, Yuanbin He, Zhen He i Pingliang Zeng. "An Accurate Switching Transient Analytical Model for GaN HEMT under the Influence of Nonlinear Parameters". Energies 15, nr 8 (18.04.2022): 2966. http://dx.doi.org/10.3390/en15082966.
Pełny tekst źródłaKlochkov, A. N. "InP HEMT Transistors and Monolithic Integrated Circuits: Review". Nano- i Mikrosistemnaya Tehnika 22, nr 2 (24.02.2020): 79–97. http://dx.doi.org/10.17587/nmst.22.79-97.
Pełny tekst źródłaWang, Ding, Ping Wang, Minming He, Jiangnan Liu, Shubham Mondal, Mingtao Hu, Danhao Wang, Yuanpeng Wu, Tao Ma i Zetian Mi. "Fully epitaxial, monolithic ScAlN/AlGaN/GaN ferroelectric HEMT". Applied Physics Letters 122, nr 9 (27.02.2023): 090601. http://dx.doi.org/10.1063/5.0143645.
Pełny tekst źródłaAmar, Abdelhamid, Bouchaïb Radi i Abdelkhalak El Hami. "Optimization based on electro-thermo-mechanical modeling of the high electron mobility transistor (HEMT)". International Journal for Simulation and Multidisciplinary Design Optimization 13 (2022): 2. http://dx.doi.org/10.1051/smdo/2021035.
Pełny tekst źródłaБеляков, В. А., И. В. Макарцев, А. Г. Фефелов, С. В. Оболенский, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина i Н. А. Малеев. "Влияние технологии двойного травления под затвор на параметры HEMT транзисторов на подложках GaAs и InP". Физика и техника полупроводников 55, nr 10 (2021): 890. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.10.51439.38.
Pełny tekst źródłaCho, Seong-Kun, i Won-Ju Cho. "High-Sensitivity pH Sensor Based on Coplanar Gate AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistor". Chemosensors 9, nr 3 (25.02.2021): 42. http://dx.doi.org/10.3390/chemosensors9030042.
Pełny tekst źródłaYang, Jie, Ye Ting Jia, Ning Ye, Zhen Yu Yuan, Hong Yuan Shen i Jia Di. "An Improved I-V Model of GaN HEMT for High Temperature Applications". Materials Science Forum 924 (czerwiec 2018): 980–83. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.980.
Pełny tekst źródłaWang, Baochao, Shili Dong, Shanlin Jiang, Chun He, Jianhui Hu, Hui Ye i Xuezhen Ding. "A Comparative Study on the Switching Performance of GaN and Si Power Devices for Bipolar Complementary Modulated Converter Legs". Energies 12, nr 6 (25.03.2019): 1146. http://dx.doi.org/10.3390/en12061146.
Pełny tekst źródłaWeis, Gerald. "Performance Comparison Between Surface-mount and Embedded Power Modules". Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2019, DPC (1.01.2019): 000647–70. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4491-2019-dpc-presentation_tp3_052.
Pełny tekst źródłaSun, Haifeng, Diego Marti, Stefano Tirelli, Andreas R. Alt, Hansruedi Benedickter i C. R. Bolognesi. "Millimeter-wave GaN-based HEMT development at ETH-Zürich". International Journal of Microwave and Wireless Technologies 2, nr 1 (luty 2010): 33–38. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078710000164.
Pełny tekst źródłaSANO, EIICHI, i TAIICHI OTSUJI. "HEMT-BASED NANOMETER DEVICES TOWARD TERAHERTZ ERA". International Journal of High Speed Electronics and Systems 17, nr 03 (wrzesień 2007): 509–20. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156407004709.
Pełny tekst źródłaMaati, Wafa, i Abdelkader Hamdoune. "Aluminium Gallium Nitride (AlGaN)/Gallium Nitride (GaN)/Boron Gallium Nitride (BGaN) High Electron Mobility Transistors (HEMT): From Normally-On to Normally-Off Transistor". Sensor Letters 18, nr 5 (1.05.2020): 366–70. http://dx.doi.org/10.1166/sl.2020.4226.
Pełny tekst źródłaFatma M. Mahmoud. "GaN-HEMT Performance Enhancement". Journal of Electrical Systems 20, nr 2 (4.04.2024): 1426–35. http://dx.doi.org/10.52783/jes.1442.
Pełny tekst źródłaTsai, Jung-Hui, Jing-Shiuan Niu, Xin-Yi Huang i Wen-Chau Liu. "Comparative Investigation of AlGaN/AlN/GaN High Electron Mobility Transistors with Pd/GaN and Pd/Al2O3/GaN Gate Structures". Science of Advanced Materials 13, nr 2 (1.02.2021): 289–93. http://dx.doi.org/10.1166/sam.2021.3856.
Pełny tekst źródłaDai, Pengfei, Shaowei Wang i Hongliang Lu. "Research on the Reliability of Threshold Voltage Based on GaN High-Electron-Mobility Transistors". Micromachines 15, nr 3 (25.02.2024): 321. http://dx.doi.org/10.3390/mi15030321.
Pełny tekst źródłaGuan, Wuxiao. "Advancements and trends in GaN HEMT". Applied and Computational Engineering 23, nr 1 (7.11.2023): 245–51. http://dx.doi.org/10.54254/2755-2721/23/20230662.
Pełny tekst źródła