Książki na temat „Transistors HEMT”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 33 najlepszych książek naukowych na temat „Transistors HEMT”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj książki z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Lee, Ross R., Svensson Stefan P i Lugli P. 1956-, red. Pseudomorphic HEMT technology and applications. Dordrecht: Kluwer Academic, 1996.
Znajdź pełny tekst źródłaQ, Lee Richard, i United States. National Aeronautics and Space Administration., red. Planar dielectric resonator stabilized HEMT oscillator integrated with CPW/aperture coupled patch antenna. [Washington, D.C.]: National Aeronautics and Space Administration, 1991.
Znajdź pełny tekst źródłaFreeman, Jon C. Basic equations for the modeling of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs). [Cleveland, Ohio]: National Aeronautics and Space Administration, Glenn Research Center, 2003.
Znajdź pełny tekst źródłaDuran, Halit C. High performance InP-based HEMTs with dry etched gate recess. Konstanz: Hartung-Gorre Verlag, 1998.
Znajdź pełny tekst źródłaAnholt, Robert. Electrical and thermal characterization of MESFETs, HEMTs, and HBTs. Boston: Artech House, 1995.
Znajdź pełny tekst źródłaLadbrooke, Peter H. MMIC design: GaAs FETS and HEMTs. Boston: Artech House, 1989.
Znajdź pełny tekst źródłaJu, Y. Sungtaek. Microscale Heat Conduction in Integrated Circuits and Their Constituent Films. Boston, MA: Springer US, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaJu, Y. Sungtaek. Microscale heat conduction in integrated circuits and their constituent films. Boston: Kluwer Academic, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaJu, Y. Sungtaek. Microscale heat conduction in integrated circuits and their constituent films. Boston: Kluwer Academic, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaInternational High Temperature Electronics Conference (4th 1998 Albuquerque, N.M.). 1998 Fourth International High Temperature Electronics Conference: HITEC, Albuquerque, New Mexico, USA, June 14-18, 1998. New York City, NY: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., 1998.
Znajdź pełny tekst źródłaEliason, Garth W. HEMT-compatible laser diodes. 1994.
Znajdź pełny tekst źródłaEliason, Garth W. HEMT-compatible laser diodes. 1994.
Znajdź pełny tekst źródłaRoss, R. L., i Silvana Lombardo. Pseudomorphic HEMT Technology and Applications. Springer, 2012.
Znajdź pełny tekst źródłaChang, Chujyh. Modeling and characterization of hemt devices. 1989.
Znajdź pełny tekst źródłaAdvanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications. Taylor & Francis Group, 2023.
Znajdź pełny tekst źródłaAdvanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications. CRC Press, 2021.
Znajdź pełny tekst źródłaMohankumar, N. Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications. Taylor & Francis Group, 2021.
Znajdź pełny tekst źródłaNirmal, D., i J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2020.
Znajdź pełny tekst źródłaNirmal, D., i J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.
Znajdź pełny tekst źródłaNirmal, D., i J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.
Znajdź pełny tekst źródłaHandbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.
Znajdź pełny tekst źródłaFundamentals of III-V devices: HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs. New York: Wiley, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaLiu, William. Fundamentals of III-V Devices: HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaBryant, Kathleen Cooper. The analysis of a transistor cap as a heat dissipator. 1986.
Znajdź pełny tekst źródłaChauhan, Yogesh Singh, Sheikh Aamir Ahsan, Ahtisham Ul Haq Pampori i Raghvendra Dangi. GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using the ASM-GaN-HEMT Model. Elsevier Science & Technology, 2023.
Znajdź pełny tekst źródłaGaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics: Using the ASM-GaN-HEMT Model. Elsevier Science & Technology, 2023.
Znajdź pełny tekst źródłaNational Aeronautics and Space Administration (NASA) Staff. Basic Equations for the Modeling of Gallium Nitride (Gan) High Electron Mobility Transistors (Hemts). Independently Published, 2018.
Znajdź pełny tekst źródłaBergamaschi, Crispino Enrico. Herstellung, Charakterisierung und Modellierung von InAlAs/InGaAs/InP HEMT Transistoren für Anwendungen im mm-Wellenbereich. 1994.
Znajdź pełny tekst źródłaAnderson, James A. Computing Hardware. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/acprof:oso/9780199357789.003.0003.
Pełny tekst źródłaJu, Y. Sungtaek, i Kenneth E. Goodson. Microscale Heat Conduction in Integrated Circuits and Their Constituent Films (Microsystems). Springer, 1999.
Znajdź pełny tekst źródłaLin, Angela A. Two dimensional numerical simulation of a non-isothermal GaAs MESFET. 1992.
Znajdź pełny tekst źródła1998 Fourth International High Temperature Electronics Conference: HITEC, Albuquerque, New Mexico, USA, June 14-18, 1998. The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc, 1998.
Znajdź pełny tekst źródłaInstitute Of Electrical and Electronics Engineers i International High Temperature Electronics Conference 1998 albuquerqu. High Temperature Electronics Conference, 1998 4th International. Institute of Electrical & Electronics Enginee, 1999.
Znajdź pełny tekst źródła