Artykuły w czasopismach na temat „Technologie III-V”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Technologie III-V”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Perret, C., C. Lallement i A. Belleville. "Le Moulinet d'hydrométrie à axe horizontal à travers l'expérience française. Quel avenir pour cette technique ?" La Houille Blanche, nr 5-6 (październik 2018): 75–86. http://dx.doi.org/10.1051/lhb/2018054.
Pełny tekst źródłaČULÍK, J., V. KELLNER, B. ŠPINAR, J. PROKEŠ i G. BASAŘOVÁ. "Volatile N-nitrosamines in malt. III. Effect of barley germination on the formation of natural precursors of N-nitrosodimethylamine in green malt and final malt." Kvasny Prumysl 36, nr 6 (1.06.1990): 162–65. http://dx.doi.org/10.18832/kp1990020.
Pełny tekst źródłaKawanami, H. "Heteroepitaxial technologies of III–V on Si". Solar Energy Materials and Solar Cells 66, nr 1-4 (luty 2001): 479–86. http://dx.doi.org/10.1016/s0927-0248(00)00209-9.
Pełny tekst źródłaDutta, Nlloy K. "III-V Device Technologies for Lightwave Applications". AT&T Technical Journal 68, nr 1 (2.01.1989): 5–18. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00642.x.
Pełny tekst źródłaShah, Nitin J., i Shin-Shem Pei. "III-V Device Technologies for Electronic Applications". AT&T Technical Journal 68, nr 1 (2.01.1989): 19–28. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00643.x.
Pełny tekst źródłaTakagi, S., R. Zhang, S. H. Kim, M. Yokoyama i M. Takenaka. "(Invited) Performance Enhancement Technologies in III-V/Ge MOSFETs". ECS Transactions 58, nr 9 (31.08.2013): 137–48. http://dx.doi.org/10.1149/05809.0137ecst.
Pełny tekst źródłaHeinecke, Harald, i Eberhard Veuhoff. "Evaluation of III–V growth technologies for optoelectronic applications". Materials Science and Engineering: B 21, nr 2-3 (listopad 1993): 120–29. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(93)90334-j.
Pełny tekst źródłaRaj, Vidur, Tuomas Haggren, Wei Wen Wong, Hark Hoe Tan i Chennupati Jagadish. "Topical review: pathways toward cost-effective single-junction III–V solar cells". Journal of Physics D: Applied Physics 55, nr 14 (3.12.2021): 143002. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac3aa9.
Pełny tekst źródłaCaimi, D., H. Schmid, T. Morf, P. Mueller, M. Sousa, K. E. Moselund i C. B. Zota. "III-V-on-Si transistor technologies: Performance boosters and integration". Solid-State Electronics 185 (listopad 2021): 108077. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2021.108077.
Pełny tekst źródłaTakagi, S., M. Kim, M. Noguchi, K. Nishi i M. Takenaka. "(Invited) Tunneling FET Technologies Using III-V and Ge Materials". ECS Transactions 69, nr 10 (2.10.2015): 99–108. http://dx.doi.org/10.1149/06910.0099ecst.
Pełny tekst źródłaTakagi, S., i M. Takenaka. "(Invited) III-V/Ge MOS Transistor Technologies for Future ULSI". ECS Transactions 54, nr 1 (28.06.2013): 39–54. http://dx.doi.org/10.1149/05401.0039ecst.
Pełny tekst źródłaTomioka, Katsuhiro, Hironori Gamo i Junichi Motohisa. "(Invited) Vertical Tunnel FET Technologies Using III-V/Si Heterojunction". ECS Transactions 92, nr 4 (3.07.2019): 71–78. http://dx.doi.org/10.1149/09204.0071ecst.
Pełny tekst źródłaNedelcu, Alexandru, Cyrille Bonvalot, Rachid Taalat, Jérôme Fantini, Thierry Colin, Philippe Muller, Odile Huet i in. "III-V detector technologies at Sofradir: Dealing with image quality". Infrared Physics & Technology 94 (listopad 2018): 273–79. http://dx.doi.org/10.1016/j.infrared.2018.09.027.
Pełny tekst źródłaTongesayi, Tsanangurayi, i Ronald B. Smart. "Arsenic Speciation: Reduction of Arsenic(V) to Arsenic(III) by Fulvic Acid". Environmental Chemistry 3, nr 2 (2006): 137. http://dx.doi.org/10.1071/en05095.
Pełny tekst źródłaCHANG, M. F., i P. M. ASBECK. "III-V HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS FOR HIGH-SPEED APPLICATIONS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 01, nr 03n04 (wrzesień 1990): 245–301. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156490000137.
Pełny tekst źródłaTakagi, Shinichi, Rui Zhang, Junkyo Suh, Sang-Hyeon Kim, Masafumi Yokoyama, Koichi Nishi i Mitsuru Takenaka. "III–V/Ge channel MOS device technologies in nano CMOS era". Japanese Journal of Applied Physics 54, nr 6S1 (7.05.2015): 06FA01. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.06fa01.
Pełny tekst źródłaKAMIMURA, Ryuichiro, i Kanji FURUTA. "Dry Etching Technologies of Optical Device and III-V Compound Semiconductors". IEICE Transactions on Electronics E100.C, nr 2 (2017): 150–55. http://dx.doi.org/10.1587/transele.e100.c.150.
Pełny tekst źródłaTakagi, S., C. Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke, J. H. Han i M. Takenaka. "(Invited) MOS Interface Control Technologies for Advanced III-V/ Ge Devices". ECS Transactions 69, nr 5 (2.10.2015): 37–51. http://dx.doi.org/10.1149/06905.0037ecst.
Pełny tekst źródłaTakagi, Shinichi, Rui Zhang, Takuya Hoshii, Noriyuki Taoka i Mitsuru Takenaka. "(Invited) MOS Interface Control Technologies for III-V/Ge Channel MOSFETs". ECS Transactions 41, nr 3 (16.12.2019): 3–20. http://dx.doi.org/10.1149/1.3633015.
Pełny tekst źródłaTakagi, Shinichi, Masafumi Yokoyama, Sang-Hyeon Kim, Rui Zhang i Mitsuru Takenaka. "(Invited) Device and Integration Technologies of III-V/Ge Channel CMOS". ECS Transactions 41, nr 7 (16.12.2019): 203–18. http://dx.doi.org/10.1149/1.3633300.
Pełny tekst źródłaTakagi, Shinichi, Dae-Hwan Ahn, Munetaka Noguchi, Sanghee Yoon, Takahiro Gotow, Koichi Nishi, Minsoo Kim i in. "(Invited) Low Power Tunneling FET Technologies Using Ge/III-V Materials". ECS Transactions 80, nr 4 (1.08.2017): 115–24. http://dx.doi.org/10.1149/08004.0115ecst.
Pełny tekst źródłaTakagi, S., M. Noguchi, M. Kim, S. H. Kim, C. Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke i M. Takenaka. "III-V/Ge MOS device technologies for low power integrated systems". Solid-State Electronics 125 (listopad 2016): 82–102. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2016.07.002.
Pełny tekst źródłaHeyns, Marc M., Marc M. Meuris i Matty R. Caymax. "Ge and III/V as Enabling Materials for Future CMOS Technologies". ECS Transactions 3, nr 7 (21.12.2019): 511–18. http://dx.doi.org/10.1149/1.2355848.
Pełny tekst źródłaDautremont-Smith, William C., R. J. McCoy, Randolph H. Burton i Albert G. Baca. "Fabrication Technologies for III-V Compound Semiconductor Photonic and Electronic Devices". AT&T Technical Journal 68, nr 1 (2.01.1989): 64–82. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00647.x.
Pełny tekst źródłaZeng, Cong, Donghui Fu, Yunjiang Jin i Yu Han. "Recent Progress in III–V Photodetectors Grown on Silicon". Photonics 10, nr 5 (14.05.2023): 573. http://dx.doi.org/10.3390/photonics10050573.
Pełny tekst źródłaKühn, G. "Landolt-Börnstein. Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenschaften und Technik, Neue Serie, Gruppe III: Kristall- und Festkörperphysik Bd. 17: Halbleiter, Teilband d: Technologie von III—V, II—VI und nicht-tetraedrisch gebundenen Verbindungen. Herausgegeben von M. Schulz und H. Weiss. Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo, 429 Seiten, 446 Abbildungen, zahlreiche Tabellen und Literaturzitate. Preis: DM 750.00. ISBN 3–540–11779–2". Crystal Research and Technology 20, nr 7 (lipiec 1985): 898. http://dx.doi.org/10.1002/crat.2170200705.
Pełny tekst źródłaSimon, John, Kevin Schulte, Kelsey Horowitz, Timothy Remo, David Young i Aaron Ptak. "III-V-Based Optoelectronics with Low-Cost Dynamic Hydride Vapor Phase Epitaxy". Crystals 9, nr 1 (20.12.2018): 3. http://dx.doi.org/10.3390/cryst9010003.
Pełny tekst źródłaLan, Luis E., Fernando D. Reina, Graciela E. De Seta, Jorge M. Meichtry i Marta I. Litter. "Comparison between Different Technologies (Zerovalent Iron, Coagulation-Flocculation, Adsorption) for Arsenic Treatment at High Concentrations". Water 15, nr 8 (11.04.2023): 1481. http://dx.doi.org/10.3390/w15081481.
Pełny tekst źródłaAkram, Sabahat, Hajra Faraqat i Saadia Bano Hashmi. "Examining the Impact of Information and Communication Technologies on Female Economic Participation in Pakistan". Global Economics Review V, nr III (30.09.2020): 118–30. http://dx.doi.org/10.31703/ger.2020(v-iii).11.
Pełny tekst źródłaTakagi, S., M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Zhang, R. Suzuki, N. Taoka i M. Takenaka. "(Invited) III-V/Ge CMOS Device Technologies for High Performance Logic Applications". ECS Transactions 53, nr 3 (2.05.2013): 85–96. http://dx.doi.org/10.1149/05303.0085ecst.
Pełny tekst źródłaZhao, Lixia. "Studies of III-V Semiconductor Materials and Devices Using Different Analytical Technologies". Journal of Surface Analysis 26, nr 2 (2019): 136–37. http://dx.doi.org/10.1384/jsa.26.136.
Pełny tekst źródłaClaeys, C., P.-C. Hsu, L. He, Y. Mols, R. Langer, N. Waldron, G. Eneman, N. Collaert, M. Heyns i E. Simoen. "Are Extended Defects a Show Stopper for Future III-V CMOS Technologies". Journal of Physics: Conference Series 1190 (maj 2019): 012001. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1190/1/012001.
Pełny tekst źródłaTakagi, S., S. H. Kim, M. Yokoyama, R. Zhang, N. Taoka, Y. Urabe, T. Yasuda i in. "High mobility CMOS technologies using III–V/Ge channels on Si platform". Solid-State Electronics 88 (październik 2013): 2–8. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2013.04.020.
Pełny tekst źródłaKerio, Ghulam Ali, Naimatullah Keeryo i Anjum Bano Kazimi. "A Qualitative Study on Classroom Management of Undergraduate Students: A Case of Information Technologies Class". Global Regional Review V, nr III (30.09.2020): 91–100. http://dx.doi.org/10.31703/grr.2020(v-iii).10.
Pełny tekst źródłaWattoo, Rashid Minas, Muhammad Latif i Namra Munir. "Information Communication Technologies Hauling Out University Students' Effective Learning during COVID-19: A Qualitative Study". Global Social Sciences Review V, nr III (30.09.2020): 351–57. http://dx.doi.org/10.31703/gssr.2020(v-iii).37.
Pełny tekst źródłaSeo, Jung-Hun. "Editorial for the Special Issue on Wide Bandgap Semiconductor Based Micro/Nano Devices". Micromachines 10, nr 3 (26.03.2019): 213. http://dx.doi.org/10.3390/mi10030213.
Pełny tekst źródłaBrennan, B., S. McDonnell, D. Zhernokletov, H. Dong, C. L. Hinkle, J. Kim i R. M. Wallace. "In Situ Studies of III-V Surfaces and High-K Atomic Layer Deposition". Solid State Phenomena 195 (grudzień 2012): 90–94. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.195.90.
Pełny tekst źródłaDu, Yong, Buqing Xu, Guilei Wang, Yuanhao Miao, Ben Li, Zhenzhen Kong, Yan Dong, Wenwu Wang i Henry H. Radamson. "Review of Highly Mismatched III-V Heteroepitaxy Growth on (001) Silicon". Nanomaterials 12, nr 5 (22.02.2022): 741. http://dx.doi.org/10.3390/nano12050741.
Pełny tekst źródłaTakenaka, Mitsuru, i Shinichi Takagi. "III-V/Ge Device Engineering for CMOS Photonics". Materials Science Forum 783-786 (maj 2014): 2028–33. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.783-786.2028.
Pełny tekst źródłaGAO, GUANG-BO, S. NOOR MOHAMMAND, GREGORY A. MARTIN i HADIS MORKOÇ. "FUNDAMENTALS, PERFORMANCE AND RELIABILITY OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 06, nr 01 (marzec 1995): 1–89. http://dx.doi.org/10.1142/s012915649500002x.
Pełny tekst źródłaMuhammad, Rehan, Shahid Nawaz i Muhammad Hammad Hussain Shah. "Teachers' Perceptions about the Use of Information Communication Technologies (ICTs) in Second Language Learning at Higher Secondary Level". Global Mass Communication Review V, nr III (30.09.2020): 164–74. http://dx.doi.org/10.31703/gmcr.2020(v-iii).14.
Pełny tekst źródłaYoon, Jongseung. "III-V Nanomembranes for High Performance, Cost-Competitive Photovoltaics". MRS Advances 2, nr 30 (2017): 1591–96. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.139.
Pełny tekst źródłaBerd, David, Takami Sato, Henry C. Maguire, John Kairys i Michael J. Mastrangelo. "Immunopharmacologic Analysis of an Autologous, Hapten-Modified Human Melanoma Vaccine". Journal of Clinical Oncology 22, nr 3 (1.02.2004): 403–15. http://dx.doi.org/10.1200/jco.2004.06.043.
Pełny tekst źródłaKong, Shu Qiong, Yan Xin Wang, Cheng Wang, Li Ling Jin, Ming Liang Liu i Mei Yu. "Nanoscale Iron-Manganese Binary Oxide for As(III) Removal in Synthesized Groundwater". Applied Mechanics and Materials 319 (maj 2013): 209–12. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.319.209.
Pełny tekst źródłaFeng, Qi, Wenqi Wei, Bin Zhang, Hailing Wang, Jianhuan Wang, Hui Cong, Ting Wang i Jianjun Zhang. "O-Band and C/L-Band III-V Quantum Dot Lasers Monolithically Grown on Ge and Si Substrate". Applied Sciences 9, nr 3 (23.01.2019): 385. http://dx.doi.org/10.3390/app9030385.
Pełny tekst źródłaJi, Chunnuan, Rongjun Qu, Qinghua Tang, Xiguang Liu, Hou Chen, Changmei Sun i Peng Yin. "Removal of trace As(V) from aqueous solution by Fe(III)-loaded porous amidoximated polyacrylonitrile". Water Supply 16, nr 6 (18.05.2016): 1603–13. http://dx.doi.org/10.2166/ws.2016.085.
Pełny tekst źródłaXi, Jianhong, i Mengchang He. "Removal of Sb(III) and Sb(V) from aqueous media by goethite". Water Quality Research Journal 48, nr 3 (1.08.2013): 223–31. http://dx.doi.org/10.2166/wqrjc.2013.030.
Pełny tekst źródłaNayak, Bishwajit, Md Amir Hossain, Mrinal Kumar Sengupta, Saad Ahamed, Bhaskar Das, Arup Pal i Amitava Mukherjee. "Adsorption Studies with Arsenic onto Ferric Hydroxide Gel in a Non-oxidizing Environment: the Effect of Co-occurring Solutes and Speciation". Water Quality Research Journal 41, nr 3 (1.08.2006): 333–40. http://dx.doi.org/10.2166/wqrj.2006.037.
Pełny tekst źródłaLiu, Chun Tong, Li Bing, Wang Tao i Hong Cai Li. "Key Technologies Research of New Generation Concentrating Photovoltaic". Advanced Materials Research 724-725 (sierpień 2013): 171–75. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.724-725.171.
Pełny tekst źródłaBakkers, Erik P. A. M., Magnus T. Borgström i Marcel A. Verheijen. "Epitaxial Growth of III-V Nanowires on Group IV Substrates". MRS Bulletin 32, nr 2 (luty 2007): 117–22. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2007.43.
Pełny tekst źródła