Gotowa bibliografia na temat „TCAD TOOL”
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Artykuły w czasopismach na temat "TCAD TOOL"
Lee, YongJae. "Simulations of Proposed Shallow Trench Isolation using TCAD Tool". Journal of the Korea Society for Simulation 22, nr 4 (31.12.2013): 93–98. http://dx.doi.org/10.9709/jkss.2013.22.4.093.
Pełny tekst źródłaLandowski, Matthew M., i Z. John Shen. "TCAD Based Power Semiconductor Device e-Learning Tool". Journal of Power Electronics 10, nr 6 (20.11.2010): 643–46. http://dx.doi.org/10.6113/jpe.2010.10.6.643.
Pełny tekst źródłaSakai, Atsushi, Katsumi Eikyu, Kenichi Hisada, Yasuhiro Yamashita, Koichi Arai, Hiroyuki Arie, Yutaka Akiyama i Tomohiro Yamashita. "Inverse Modeling of 4H-SiC Trench Gate MOSFETs Validated with Electrical and Physical Characterization". Materials Science Forum 963 (lipiec 2019): 609–12. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.609.
Pełny tekst źródłaRuey-Sing Wei i A. Sangiovanni-Vincentelli. "PLATYPUS: A PLA Test Pattern Generation Tool". IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 5, nr 4 (październik 1986): 633–44. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.1986.1270233.
Pełny tekst źródłaHongmei Li, C. E. Zemke, G. Manetas, V. I. Okhmatovski, E. Rosenbaum i A. C. Cangellaris. "An automated and efficient substrate noise analysis tool". IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 25, nr 3 (marzec 2006): 454–68. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2005.854628.
Pełny tekst źródłaRiente, Fabrizio, Giovanna Turvani, Marco Vacca, Massimo Ruo Roch, Maurizio Zamboni i Mariagrazia Graziano. "ToPoliNano: A CAD Tool for Nano Magnetic Logic". IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 36, nr 7 (lipiec 2017): 1061–74. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2017.2650983.
Pełny tekst źródłaOikonomakos, P., i M. Zwolinski. "An Integrated High-Level On-Line Test Synthesis Tool". IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 25, nr 11 (listopad 2006): 2479–91. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2006.882120.
Pełny tekst źródłaTulunay, GÜlin, i Sina Balkir. "A Synthesis Tool for CMOS RF Low-Noise Amplifiers". IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 27, nr 5 (maj 2008): 977–82. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2008.917579.
Pełny tekst źródłaAbderehman, Mohammed, Rupak Gupta, Rakesh Reddy Theegala i Chandan Karfa. "BLAST: Belling the Black-Hat High-Level Synthesis Tool". IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 41, nr 11 (listopad 2022): 3661–72. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2022.3200513.
Pełny tekst źródłaKuznetsov, Maksim, Sergey Kalinin, Alexey Cherkaev i Dmitriy Ostertak. "Investigating physical model interface in the TCAD Sentaurus environment". Transaction of Scientific Papers of the Novosibirsk State Technical University, nr 3 (18.11.2020): 39–48. http://dx.doi.org/10.17212/2307-6879-2020-3-39-48.
Pełny tekst źródłaRozprawy doktorskie na temat "TCAD TOOL"
Henseler, Rebecca Anne. "Modulation of the 3'IgH Regulatory Region (3'IgH RR), a prospective in vitro screening tool for identifying potential immunotoxicants". Wright State University / OhioLINK, 2007. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=wright1196883435.
Pełny tekst źródłaRosenbaum, Tommy. "Performance prediction of a future silicon-germanium heterojunction bipolar transistor technology using a heterogeneous set of simulation tools and approaches". Thesis, Bordeaux, 2017. http://www.theses.fr/2017BORD0550/document.
Pełny tekst źródłaBipolar complementary metal-oxide-semiconductor (BiCMOS) processescan be considered as the most general solution for RF products, as theycombine the mature manufacturing tools of CMOS with the speed and drivecapabilities of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors(HBTs). HBTs in turn are major contenders for partially filling the terahertzgap, which describes the range in which the frequencies generated bytransistors and lasers do not overlap (approximately 0.3THz to 30 THz). Toevaluate the capabilities of such future devices, a reliable prediction methodologyis desirable. Using a heterogeneous set of simulation tools and approachesallows to achieve this goal successively and is beneficial for troubleshooting.Various scientific fields are combined, such as technology computer-aided design(TCAD), compact modeling and parameter extraction.To create a foundation for the simulation environment and to ensure reproducibility,the used material models of the hydrodynamic and drift-diffusionapproaches are introduced in the beginning of this thesis. The physical modelsare mainly based on literature data of Monte Carlo (MC) or deterministicsimulations of the Boltzmann transport equation (BTE). However, the TCADdeck must be calibrated on measurement data too for a reliable performanceprediction of HBTs. The corresponding calibration approach is based onmeasurements of an advanced SiGe HBT technology for which a technology specific parameter set of the HICUM/L2 compact model is extracted for thehigh-speed, medium-voltage and high-voltage transistor versions. With thehelp of the results, one-dimensional transistor characteristics are generatedthat serve as reference for the doping profile and model calibration. By performingelaborate comparisons between measurement-based reference dataand simulations, the thesis advances the state-of-the-art of TCAD-based predictionsand proofs the feasibility of the approach.Finally, the performance of a future technology in 28nm is predicted byapplying the heterogeneous methodology. On the basis of the TCAD results,bottlenecks of the technology are identified
Bipolare komplementäre Metall-Oxid-Halbleiter (BiCMOS) Prozesse bietenhervorragende Rahmenbedingungen um Hochfrequenzanwendungen zurealisieren, da sie die fortschrittliche Fertigungstechnik von CMOS mit derGeschwindigkeit und Treiberleistung von Silizium-Germanium (SiGe) Heterostruktur-Bipolartransistoren (HBTs) verknüpfen. Zudem sind HBTs bedeutendeWettbewerber für die teilweise Überbrückung der Terahertz-Lücke, derFrequenzbereich zwischen Transistoren (< 0.3 THz) und Lasern (> 30 THz).Um die Leistungsfähigkeit solcher zukünftigen Bauelemente zu bewerten, isteine zuverlässige Methodologie zur Vorhersage notwendig. Die Verwendungeiner heterogenen Zusammenstellung von Simulationstools und Lösungsansätzenerlaubt es dieses Ziel schrittweise zu erreichen und erleichtert die Fehler-_ndung. Verschiedene wissenschaftliche Bereiche werden kombiniert, wie zumBeispiel der rechnergestützte Entwurf für Technologie (TCAD), die Kompaktmodellierungund Parameterextraktion.Die verwendeten Modelle des hydrodynamischen Simulationsansatzes werdenzu Beginn der Arbeit vorgestellt, um die Simulationseinstellung zu erläuternund somit die Nachvollziehbarkeit für den Leser zu verbessern. Die physikalischenModelle basieren hauptsächlich auf Literaturdaten von Monte Carlo(MC) oder deterministischen Simulationen der Boltzmann-Transportgleichung(BTE). Für eine zuverlässige Vorhersage der Eigenschaften von HBTs muss dieTCAD Kon_guration jedoch zusätzlich auf der Grundlage von Messdaten kalibriertwerden. Der zugehörige Ansatz zur Kalibrierung beruht auf Messungeneiner fortschrittlichen SiGe HBT Technologie, für welche ein technologiespezifischer HICUM/L2 Parametersatz für die high-speed, medium-voltage undhigh-voltage Transistoren extrahiert wird. Mit diesen Ergebnissen werden eindimensionaleTransistorcharakteristiken generiert, die als Referenzdaten fürdie Kalibrierung von Dotierungspro_len und physikalischer Modelle genutztwerden. Der ausführliche Vergleich dieser Referenz- und Messdaten mit Simulationengeht über den Stand der Technik TCAD-basierender Vorhersagenhinaus und weist die Machbarkeit des heterogenen Ansatzes nach.Schlieÿlich wird die Leistungsfähigkeit einer zukünftigen Technologie in28nm unter Anwendung der heterogenen Methodik vorhergesagt. Anhand derTCAD Ergebnisse wird auf Engpässe der Technologie hingewiesen
Navarro, González María del Carmen. "Caenorhabditis elegans as a research tool to study mitochondrial diseases associated with defects in tRNA modification". Doctoral thesis, Universitat Politècnica de València, 2016. http://hdl.handle.net/10251/61978.
Pełny tekst źródła[ES] La modificación post-transcripcional de la uridina de tambaleo (U34) de ciertos tRNAs es un proceso conservado evolutivamente, realizado por proteínas homólogas de las familias MnmA/MTU1, MnmE/GTPBP3 y MnmG/MTO1, y biológicamente relevante. De hecho, mutaciones en los genes humanos MTU1 y GTPBP3 o MTO1 causan fallo hepático infantil agudo y cardiomiopatía hipertrófica infantil, respectivamente, que producen letalidad durante los primeros meses de vida. Se asume que la causa primaria de estas enfermedades es la ausencia de las modificaciones introducidas por la proteína MTU1 en la posición 2 (tiol) y las proteínas GTPBP3 y MTO1 (taurinometil) en la posición 5 de la U34 en un grupo de mt-tRNAs. Se desconocen los mecanismos subyacentes y las razones por las que el déficit de OXPHOS resultante en todos los casos (atribuido a alteraciones de la traducción mitocondrial de proteínas) produce fenotipos tan diversos. Nuestra hipótesis es que la señalización retrógrada mitocondria-núcleo promovida por la hipomodificación de los mt-tRNAs en 2 ó 5 de la U34 es diferente y la respuesta nuclear viene modulada por el programa genético y epigenético de células y organismos. Hemos utilizado el nematodo C. elegans como modelo para estudiar los efectos producidos por la inactivación de las proteínas homólogas de MTU1, GTPBP3 y MTO1 a las que hemos denominado MTTU-1, MTCU-1 y MTCU-2. Hemos comprobado que estas proteínas, codificadas por el núcleo, son de localización mitocondrial y están implicadas en la modificación de la U34 de los mt-tRNAs. Los mutantes mtcu-1 y mtcu-2 presentan una reducción en su fertilidad y, en el caso del mutante simple mttu-1, fenotipos asociados a termosensibilidad. Los fenotipos exhibidos por los mutantes mttu-1, mtcu-1 y mtcu-2 sustentan la hipótesis de que la mutación mttu-1, y las mutaciones mtcu-1 y mtcu-2 promueven señales retrógradas diferentes que producen patrones de expresión nuclear específicos. Así, un rasgo fenotípico dependiente de genes nucleares (como lo es la transcripción y/o estabilidad de los mt-tRNAs) y la expresión de genes nucleares como ucp-4, hsp-6, hsp-60 y otros implicados en el metabolismo mitocondrial muestran un patrón diferente en los dos grupos de mutantes. Los genes hsp-6 y hsp-60 (marcadores de la UPRmt) están regulados a la baja en el mutante mttu-1. Los tres mutantes simples exhiben una reducción en la expresión de genes de la glicólisis y de la ß-oxidación de los ácidos grasos, una inducción en un marcador de glutaminolisis y una inducción en el gen ucp-4 (mayor en mttu-1) implicado en el transporte de succinato a la mitocondria. Dado que los tres mutantes simples presentan una disfunción OXPHOS relativamente suave, proponemos que los cambios de expresión en genes que modulan el metabolismo mitocondrial revelan una reprogramación del ciclo del TCA que compensa la disminución en el aporte de acetil-CoA procedente de glicólisis y oxidación de ácidos grasos con la activación de rutas anapleróticas del ciclo del TCA (importe de succinato a la mitocondria por UCP-4 y aporte de ¿-cetoglutarato procedente de la glutaminolisis). También analizamos los efectos de la anulación simultánea de las modificaciones en las posiciones 2 y 5 de la U34. El doble mutante mttu-1;mtcu-2 presenta una disfunción OXPHOS severa, con una ratio AMP/ATP 5 veces superior al control, que resulta en letalidad embrionaria, detención del desarrollo en estadios larvarios tempranos y esterilidad completa en los adultos que presentan, por otra parte, una longevidad unas dos veces superior a la cepa control. Este incremento de la longevidad está modulado por rutas de señalización que dependen de la subunidad catalítica AAK-1 (AMPK), y de hormonas esteroideas (proteínas DAF-9 y DAF-12). El trabajo muestra la importante reprogramación de genes relacionados con el metabolismo mitocondrial en respuesta a la hipomodificación de la U34 de los mt-tRNAs y
[CAT] La modificació post-transcripcional de la uridina de balanceig (U34) de certs tRNAs és un procés conservat evolutivament realitzat per proteïnes homòlogues a les de les famílies MnmA/MTU1, MnmE/GTPBP3 i MnmG/MTO1 i biològicament relevant. De fet, mutacions en els gens humans MTU1 i GTPBP3 o MTO1 causen fallada hepàtica infantil aguda i cardiomiopatia hipertròfica infantil amb acidosis làctica, respectivament, que produïxen letalitat durant els primers mesos de vida. S'assumix que la causa primària d'aquestes malalties és l'absència de les modificacions introduïdes per la proteïna MTU1 a la posició 2 (tiol) i per les proteïnes GTPBP3 i MTO1 (taurinometil) a la posició 5 de la U34 en un grup de mt-tRNAs. Es desconeixen els mecanismes subjacents en estes malalties i les raons per les quals el dèficit de la OXPHOS resultant en tots els casos (atribuït a alteracions de la traducció mitocondrial de proteïnes) produïx fenotips tan diversos. La nostra hipòtesi és que la senyalització retrògrada mitocondria-nucli promoguda per la hipomodificació dels mt-tRNAs en 2 o 5 de la U34 és diferent i la resposta nuclear en cada cas es dependent del programa genètic i epigenètic de cèl¿lules i organismes. Hem utilitzat el nematode C. elegans com a organisme model per a estudiar els efectes produïts per la inactivació de les proteïnes homòlogues de MTU1, GTPBP3 i MTO1 a les que hem denominat MTTU-1, MTCU-1 i MTCU-2. Hem comprovat que aquestes proteïnes, codificades pel nucli, són de localització mitocondrial i estan implicades en la modificació de la U34 dels mt-tRNAs. Els mutants mtcu-1 i mtcu-2 presenten una reducció en la seua fertilitat i, en el cas del mutant mttu-1, fenotipus associats a termosensibilitat. Els fenotipus exhibits pels mutants mttu-1, mtcu-1 i mtcu-2 sustenten la hipòtesi que la mutació mttu-1, i les mutacions mtcu-1 i mtcu-2 promouen senyals retrògrads diferents que produïxen patrons d'expressió nuclears específics. Així, un tret fenotípic dependent de gens nuclears (com ho és la transcripció i/o l'estabilitat dels mt-tRNAs) i l'expressió de gens nuclears com ucp-4, hsp-6, hsp-60 i altres implicats en el metabolisme mitocondrial mostren un patró diferent en els dos grups de mutants. Els gens hsp-6 i hsp-60 (marcadors de la UPRmt) estan regulats a la baixa en el mutant mttu-1. Els tres mutants simples exhibixen una reducció en l'expressió de gens de la glicòlisi i de la ß-oxidació dels àcids grassos, una inducció en un marcador de glutaminolisi i una inducció en el gen ucp-4 (major en el mutant mttu-1) implicat en el transport de succinat a la mitocondria. Atés que els tres mutants simples presenten una disfunció OXPHOS relativament suau, proposem que els canvis d'expressió en gens que modulen el metabolisme mitocondrial revelen una reprogramació del cicle del TCA que compensa la disminució en l'aportació d'acetil-CoA procedent de la glicòlisi i de l'oxidació d'àcids grassos amb l'activació de rutes anaplerótiques del cicle del TCA (importació de succinat a la mitocondria per UCP-4 i aportació de ¿-cetoglutarat de la glutaminolisi). També s'analitzen els efectes de l'anul¿lació simultània de les modificacions en 2 i 5 de la U34. El doble mutant mttu-1;mtcu-2 presenta una disfunció OXPHOS severa, amb una ràtio AMP/ATP 5 vegades superior al control, que resulta en letalitat embrionària, detenció del desenvolupament en estadis larvaris primerencs, esterilitat completa en els adults i una longevitat unes 2 vegades superior al control. Aquest increment de la longevitat està modulat per rutes de senyalització que depenen de la subunitat catalítica AAK-1 (AMPK), i d'hormones esteroidees (a través de les proteïnes DAF-9 i DAF-12). En resum, aquest treball mostra per primera vegada a nivell d'un animal model la important reprogramació de gens relacionats amb el metabolisme mitocondrial en resposta a la hipomodificació de la U34 dels mt-tRNAs i
Navarro González, MDC. (2016). Caenorhabditis elegans as a research tool to study mitochondrial diseases associated with defects in tRNA modification [Tesis doctoral no publicada]. Universitat Politècnica de València. https://doi.org/10.4995/Thesis/10251/61978
TESIS
Salisbury, Richard L. Jr. "TCDD represses 3'IghRR activation through an AhR-dependent shift in the NF-κB/Rel protein complexes binding to κB motifs within the hs1,2 and hs4 enhancers". Wright State University / OhioLINK, 2014. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=wright1401136335.
Pełny tekst źródłaSINGH, DIVYANSH. "IMPLEMENTATION OF NANOWIRE RECONFIGURABLE FET AS A BIOSENSOR WITH IMPROVED SENSITIVITY". Thesis, 2023. http://dspace.dtu.ac.in:8080/jspui/handle/repository/19878.
Pełny tekst źródłaLiu, Yu-Chun, i 柳有駿. "Development of Adaptive Fitting Parameters Optimization TCAD Tool for Optoelectronic Device Modeling Based on Artificial Neural Networks". Thesis, 2018. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/9n7ar7.
Pełny tekst źródła國立臺灣大學
光電工程學研究所
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The discovery of highly efficient organic light-emitting-diodes (OLEDs) in the 1980s has attracted extensive attentions on organic semiconductors and devices. However, the accurate physical properties is difficult to be defined clearly. For example, carrier mobility or density of states for organic materials are difficult to be identified correctly. There exist many parameters to be configured out and those parameters are usually controversial in the measurement. With so many possible configurations of parameters, it is very hard for researchers to quickly sort out the accurate configuration. In this thesis, we developed an automatic fitting programs based on AI techniqies. We used convolutional neural networks (CNN) for data fitting. By the gradient descent behavior of CNN, it can reduce the time for fitting process and optimize parameters to match the experimental data. With the assistance from CNN model, the fittng time is significant reduced compared to brute-force search method. The parameters obtained from CNN model shows a good agreement to the experimental result. In addition, CNN can also be used to optimize LED efficiency. According to the results, it is reduced the efficiency droop from 7.83\% to 6.35\% and reduced the turn on voltage from 4.96V to 4.86V for a UV LED with gradual composition EBL (GEBL) by adjusting the aluminum composition in GEBL. With a proper configuration of CNN model, we can maximize the use of the computing resources to assist engineers for device designs.
Hanlon, Paul Robert. "TCDD-mediated inhibition of adipocyte differentiation : using TCDD as a tool to identify molecular mechanisms critical for adipogenesis /". 2003. http://www.library.wisc.edu/databases/connect/dissertations.html.
Pełny tekst źródłaCzęści książek na temat "TCAD TOOL"
Klimeck, Gerhard. "NEMO 1-D: the first NEGF-based TCAD tool". W Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2004, 9–12. Vienna: Springer Vienna, 2004. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-0624-2_2.
Pełny tekst źródłaJayachandran, Remya, Rama S. Komaragiri i K. J. Dhanaraj. "Simulation of Reconfigurable FET Circuits Using Sentaurus TCAD Tool". W Sub-Micron Semiconductor Devices, 165–80. Boca Raton: CRC Press, 2022. http://dx.doi.org/10.1201/9781003126393-11.
Pełny tekst źródłaWicha, Santichai, Bernadette Sharp, Anthony S. Atkins, Pradorn Sureephong i Nopasit Chakpitak. "TCAD: Vocabulary Acquisition Tool for Motivating Bilingual Pupils with Hearing Impairment in Learning English". W Where Humans Meet Machines, 271–83. New York, NY: Springer New York, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-6934-6_12.
Pełny tekst źródłaGrace, Jessy, Sphoorthy Bhushan, Chinnam S. V. Maruthi Rao i Ameet Chavan. "16 nm FinFET Based Radiation Hardened Standard Cell Library Analysis Using Visual TCAD Tool". W Advances in Robotics, Automation and Data Analytics, 206–13. Cham: Springer International Publishing, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-70917-4_20.
Pełny tekst źródłaMalavena, Gerardo. "Modeling of GIDL–Assisted Erase in 3–D NAND Flash Memory Arrays and Its Employment in NOR Flash–Based Spiking Neural Networks". W Special Topics in Information Technology, 43–53. Cham: Springer International Publishing, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-85918-3_4.
Pełny tekst źródłaLópez-Serrano, José, i Andrzej J. Strojwas. "Layout Design Rule Generation with TCAD Tools for Manufacturing". W Simulation of Semiconductor Devices and Processes, 62–65. Vienna: Springer Vienna, 1995. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-6619-2_14.
Pełny tekst źródłaCaricato, Anselmo, i Eleonora Stival. "Transcranial Doppler (TCD/TCCD) and Ultrasonography: A Useful Tool in the Aeromedical Transport. What Should We Consider?" W Neurosonology in Critical Care, 1065–73. Cham: Springer International Publishing, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-81419-9_67.
Pełny tekst źródłaGhazli, A., A. Aissat i J. P. Vilcot. "Simulation of a Silicon Based Solar Cell Using TCAD-Silvaco Tools". W ICREEC 2019, 303–9. Singapore: Springer Singapore, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-15-5444-5_38.
Pełny tekst źródłaNanda, R. K., E. Mohapatra, T. P. Dash, P. Saxena, P. Srivastava, R. Trigutnayat i C. K. Maiti. "Atomistic Level Process to Device Simulation of GaNFET Using TNL TCAD Tools". W Advances in Electrical Control and Signal Systems, 815–26. Singapore: Springer Singapore, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-15-5262-5_61.
Pełny tekst źródłaDitlev-Simonsen, Caroline D. "Key Tools for Social- and Environmental Performance, and the UN Sustainable Development Goals (SDGs)". W A Guide to Sustainable Corporate Responsibility, 61–101. Cham: Springer International Publishing, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-88203-7_4.
Pełny tekst źródłaStreszczenia konferencji na temat "TCAD TOOL"
Sanudin, Rahmat, Muhammad Suhaimi Sulong, Marlia Morsin i Mohd Helmy Abd Wahab. "Simulation study on NMOS gate length variation using TCAD tool". W 2009 1st Asia Symposium on Quality Electronic Design (ASQED 2009). IEEE, 2009. http://dx.doi.org/10.1109/asqed.2009.5206255.
Pełny tekst źródłaBahrudin, M. S., S. F. Abdullah i I. Ahmad. "Statistical modeling of solar cell using Taguchi method and TCAD tool". W 2012 10th IEEE International Conference on Semiconductor Electronics (ICSE). IEEE, 2012. http://dx.doi.org/10.1109/smelec.2012.6417073.
Pełny tekst źródłaPasadas, Francisco, Anibal Pacheco-Sanchez, Nikolaos Mavredakis i David Jiménez. "Graphene field-effect transistor TCAD tool for circuit design under freeware". W 2023 19th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD). IEEE, 2023. http://dx.doi.org/10.1109/smacd58065.2023.10192189.
Pełny tekst źródłaTriltsch, U., i S. Büttgenbach. "TCAD tool for innovative MEMS and MOEMS: an all-in-one solution". W MOEMS-MEMS 2008 Micro and Nanofabrication, redaktorzy Mary-Ann Maher, Jung-Chih Chiao i Paul J. Resnick. SPIE, 2008. http://dx.doi.org/10.1117/12.773043.
Pełny tekst źródłaSahu, Abhijeet, Mamta Khosla, Neetu Sood i Girish Wadhwa. "Dual-Cavity Triple-Metal Gate-Underlap Dielectric-Modulated Charge-Plasma-based TFET for the Biomolecules Recognition". W International Conference on Women Researchers in Electronics and Computing. AIJR Publisher, 2021. http://dx.doi.org/10.21467/proceedings.114.68.
Pełny tekst źródłaIsmail, Muhamad Amri. "Impact of implantation methods on speed and accuracy trade-off in calibrated TCAD tool". W 2014 IEEE 11th International Conference on Semiconductor Electronics (ICSE). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/smelec.2014.6920821.
Pełny tekst źródłaMartinez, Antonio, Natalia Seoane, Manuel Aldegunde, Asen Asenov i John R. Barker. "The Non-equilibrium Green function approach as a TCAD tool for future CMOS technology". W 2011 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD). IEEE, 2011. http://dx.doi.org/10.1109/sispad.2011.6035058.
Pełny tekst źródłaGupta, Rahul, Mamta Khosla i Girish Wadhwa. "Design and Analysis of a Dual Material Triple Gate TFET with the Pocket Doping for the Performance Enhancement". W International Conference on Women Researchers in Electronics and Computing. AIJR Publisher, 2021. http://dx.doi.org/10.21467/proceedings.114.69.
Pełny tekst źródłaMulder, Randal, Sam Subramanian i Tony Chrastecky. "Low Voltage, Low Current AFP Characterization of Non-Visible Soft Transistor Defects". W ISTFA 2008. ASM International, 2008. http://dx.doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2008p0428.
Pełny tekst źródłaZhang, Kuiyuan, Shohei Kanda, Junki Yamaguchi, Jun Furuta i Kazutoshi Kobayashi. "Analysis of the soft error rates on 65-nm SOTB and 28-nm UTBB FD-SOI structures by a PHITS-TCAD based simulation tool". W 2015 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/sispad.2015.7292282.
Pełny tekst źródła