Artykuły w czasopismach na temat „Single-Electron physics”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Single-Electron physics”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Osborne, I. S. "APPLIED PHYSICS: Single-Electron Shuttle". Science 293, nr 5535 (31.08.2001): 1559b—1559. http://dx.doi.org/10.1126/science.293.5535.1559b.
Pełny tekst źródłaKASTNER, M. A. "THE PHYSICS OF SINGLE ELECTRON TRANSISTORS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, nr 04 (grudzień 2002): 1101–33. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001940.
Pełny tekst źródłaKastner, M. A., i D. Goldhaber-Gordon. "Kondo physics with single electron transistors". Solid State Communications 119, nr 4-5 (lipiec 2001): 245–52. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00106-5.
Pełny tekst źródłaKobayashi, Shun-ichi. "Fundamental Physics of Single Electron Transport". Japanese Journal of Applied Physics 36, Part 1, No. 6B (30.06.1997): 3956–59. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.36.3956.
Pełny tekst źródłaDempsey, Kari J., David Ciudad i Christopher H. Marrows. "Single electron spintronics". Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences 369, nr 1948 (13.08.2011): 3150–74. http://dx.doi.org/10.1098/rsta.2011.0105.
Pełny tekst źródłaSeneor, Pierre, Anne Bernand-Mantel i Frédéric Petroff. "Nanospintronics: when spintronics meets single electron physics". Journal of Physics: Condensed Matter 19, nr 16 (5.04.2007): 165222. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/19/16/165222.
Pełny tekst źródłaDevoret, Michel H., i Christian Glattli. "Single-electron transistors". Physics World 11, nr 9 (wrzesień 1998): 29–34. http://dx.doi.org/10.1088/2058-7058/11/9/26.
Pełny tekst źródłaJamshidnezhad, K., i M. J. Sharifi. "Physics-based analytical model for ferromagnetic single electron transistor". Journal of Applied Physics 121, nr 11 (21.03.2017): 113905. http://dx.doi.org/10.1063/1.4978425.
Pełny tekst źródłaSeike, Kohei, Yasushi Kanai, Yasuhide Ohno, Kenzo Maehashi, Koichi Inoue i Kazuhiko Matsumoto. "Carbon nanotube single-electron transistors with single-electron charge storages". Japanese Journal of Applied Physics 54, nr 6S1 (24.04.2015): 06FF05. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.06ff05.
Pełny tekst źródłaWu Fan i Wang Tai-Hong. "Single-electron control by single-electron pump and its stability diagrams". Acta Physica Sinica 52, nr 3 (2003): 696. http://dx.doi.org/10.7498/aps.52.696.
Pełny tekst źródłaGinzburg, L. P. "Single-electron Schrödinger equation for many-electron systems". Theoretical and Mathematical Physics 121, nr 3 (grudzień 1999): 1641–53. http://dx.doi.org/10.1007/bf02557209.
Pełny tekst źródłaApell, P., i A. Tagliacozzo. "Single Electron Tunneling". physica status solidi (b) 145, nr 2 (1.02.1988): 483–91. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2221450213.
Pełny tekst źródłaGurvitz, Shmuel. "Single-electron approach for time-dependent electron transport". Physica Scripta T165 (1.10.2015): 014013. http://dx.doi.org/10.1088/0031-8949/2015/t165/014013.
Pełny tekst źródłaNagase, Masao, Seiji Horiguchi, Akira Fujiwara i Yasuo Takahashi. "Microscopic Observations of Single-Electron Island in Si Single-Electron Transistors". Japanese Journal of Applied Physics 42, Part 1, No. 4B (30.04.2003): 2438–43. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.42.2438.
Pełny tekst źródłaMonreal, Benjamin. "Single-electron cyclotron radiation". Physics Today 69, nr 1 (styczeń 2016): 70–71. http://dx.doi.org/10.1063/pt.3.3060.
Pełny tekst źródłaJi, Xiao-Fan, Zheng Xu, Shuo Cao, Kang-Sheng Qiu, Jing Tang, Xi-Tian Zhang i Xiu-Lai Xu. "Single-ZnO-Nanobelt-Based Single-Electron Transistors". Chinese Physics Letters 31, nr 6 (czerwiec 2014): 067303. http://dx.doi.org/10.1088/0256-307x/31/6/067303.
Pełny tekst źródłaYano, Kazuo, i David K. Ferry. "Single-electron solitons". Superlattices and Microstructures 11, nr 1 (styczeń 1992): 61–64. http://dx.doi.org/10.1016/0749-6036(92)90362-9.
Pełny tekst źródłaAKAMINE, Yuta, Kazuto FUJIWARA, Bokulae CHO i Chuhei OSHIMA. "New Phenomena in Physics Related with Single-Atom Electron Sources". Journal of the Vacuum Society of Japan 55, nr 2 (2012): 59–63. http://dx.doi.org/10.3131/jvsj2.55.59.
Pełny tekst źródłaWingreen, N. S. "PHYSICS: Quantum Many-Body Effects in a Single-Electron Transistor". Science 304, nr 5675 (28.05.2004): 1258–59. http://dx.doi.org/10.1126/science.1098302.
Pełny tekst źródłaNordlander, Peter, Ned S. Wingreen, Yigal Meir i David C. Langreth. "Kondo physics in the single-electron transistor with ac driving". Physical Review B 61, nr 3 (15.01.2000): 2146–50. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.61.2146.
Pełny tekst źródłaTanttu, Tuomo, Alessandro Rossi, Kuan Yen Tan, Kukka-Emilia Huhtinen, Kok Wai Chan, Mikko Möttönen i Andrew S. Dzurak. "Electron counting in a silicon single-electron pump". New Journal of Physics 17, nr 10 (16.10.2015): 103030. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/17/10/103030.
Pełny tekst źródłaKauppinen, J. P., i J. P. Pekola. "Hot electron effects in metallic single electron components". Czechoslovak Journal of Physics 46, S4 (kwiecień 1996): 2295–96. http://dx.doi.org/10.1007/bf02571139.
Pełny tekst źródłaTakahashi, Yasuo, Yukinori Ono, Akira Fujiwara i Hiroshi Inokawa. "Silicon single-electron devices". Journal of Physics: Condensed Matter 14, nr 39 (20.09.2002): R995—R1033. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/14/39/201.
Pełny tekst źródłaKim, Sang Jin, Yukinori Ono, Yasuo Takahashi i Jung Bum Choi. "Real-Time Observation of Single-Electron Movement through Silicon Single-Electron Transistor". Japanese Journal of Applied Physics 43, nr 10 (8.10.2004): 6863–67. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.43.6863.
Pełny tekst źródłaBoese, D., i H. Schoeller. "Influence of nanomechanical properties on single-electron tunneling: A vibrating single-electron transistor". Europhysics Letters (EPL) 54, nr 5 (czerwiec 2001): 668–74. http://dx.doi.org/10.1209/epl/i2001-00367-8.
Pełny tekst źródłaSui Bing-Cai, Fang Liang i Zhang Chao. "Conductance of single-electron transistor with single island". Acta Physica Sinica 60, nr 7 (2011): 077302. http://dx.doi.org/10.7498/aps.60.077302.
Pełny tekst źródłaWang, Y., D. MacKernan, D. Cubero, D. F. Coker i N. Quirke. "Single electron states in polyethylene". Journal of Chemical Physics 140, nr 15 (21.04.2014): 154902. http://dx.doi.org/10.1063/1.4869831.
Pełny tekst źródłaMatsutani, Masahiro, Fujio Wakaya, Sadao Takaoka, Kazuo Murase i Kenji Gamo. "Electron-Beam-Induced Oxidation for Single-Electron Devices". Japanese Journal of Applied Physics 36, Part 1, No. 12B (30.12.1997): 7782–85. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.36.7782.
Pełny tekst źródłaNishiguchi, Norihiko. "Electron transport properties of C60 single electron transistor". Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 18, nr 1-3 (maj 2003): 247–48. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(02)01000-7.
Pełny tekst źródłaCiccarello, F., G. M. Palma, M. Zarcone, Y. Omar i V. R. Vieira. "Entanglement controlled single-electron transmittivity". New Journal of Physics 8, nr 9 (27.09.2006): 214. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/8/9/214.
Pełny tekst źródłaDasenbrook, David, Joseph Bowles, Jonatan Bohr Brask, Patrick P. Hofer, Christian Flindt i Nicolas Brunner. "Single-electron entanglement and nonlocality". New Journal of Physics 18, nr 4 (26.04.2016): 043036. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/18/4/043036.
Pełny tekst źródłaBushev, P. A., J. H. Cole, D. Sholokhov, N. Kukharchyk i M. Zych. "Single electron relativistic clock interferometer". New Journal of Physics 18, nr 9 (27.09.2016): 093050. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/18/9/093050.
Pełny tekst źródłaDubas, L. G. "Single-component relativistic electron flux". Technical Physics Letters 32, nr 6 (czerwiec 2006): 527–28. http://dx.doi.org/10.1134/s106378500606023x.
Pełny tekst źródłaJeong, Moon-Young, Yoon-Ha Jeong, Sung-Woo Hwang i Dae M. Kim. "Performance of Single-Electron Transistor Logic Composed of Multi-gate Single-Electron Transistors". Japanese Journal of Applied Physics 36, Part 1, No. 11 (15.11.1997): 6706–10. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.36.6706.
Pełny tekst źródłaChen, Wei. "Fabrication and physics of 2 nm islands for single electron devices". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 13, nr 6 (listopad 1995): 2883. http://dx.doi.org/10.1116/1.588310.
Pełny tekst źródłaJia, Zhaosai, Hailong Wang, Chuanhe Ma, Xin Cao i Qian Gong. "Electron–electron scattering rate in CdTe/CdMnTe single quantum well". International Journal of Modern Physics B 35, nr 21 (31.07.2021): 2150221. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979221502210.
Pełny tekst źródłaThelander, Claes, Henrik A. Nilsson, Linus E. Jensen i Lars Samuelson. "Nanowire Single-Electron Memory". Nano Letters 5, nr 4 (kwiecień 2005): 635–38. http://dx.doi.org/10.1021/nl050006s.
Pełny tekst źródłaRafiq, M. A., Z. A. K. Durrani, H. Mizuta, A. Colli, P. Servati, A. C. Ferrari, W. I. Milne i S. Oda. "Room temperature single electron charging in single silicon nanochains". Journal of Applied Physics 103, nr 5 (marzec 2008): 053705. http://dx.doi.org/10.1063/1.2887988.
Pełny tekst źródłaHasko, D. G., T. Ferrus, Q. R. Morrissey, S. R. Burge, E. J. Freeman, M. J. French, A. Lam i in. "Single shot measurement of a silicon single electron transistor". Applied Physics Letters 93, nr 19 (10.11.2008): 192116. http://dx.doi.org/10.1063/1.3028344.
Pełny tekst źródłaKubatkin, Sergey, Andrey Danilov, Mattias Hjort, Jérôme Cornil, Jean-Luc Brédas, Nicolai Stuhr-Hansen, Per Hedegård i Thomas Bjørnholm. "Single electron transistor with a single conjugated molecule". Current Applied Physics 4, nr 5 (sierpień 2004): 554–58. http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2004.01.018.
Pełny tekst źródłaMatheoud, Alessandro V., Nergiz Sahin i Giovanni Boero. "A single chip electron spin resonance detector based on a single high electron mobility transistor". Journal of Magnetic Resonance 294 (wrzesień 2018): 59–70. http://dx.doi.org/10.1016/j.jmr.2018.07.002.
Pełny tekst źródłaHwang, Sung Woo, Toshitsugu Sakamoto i Kazuo Nakamura. "Single Electron Digital Phase Modulator". Japanese Journal of Applied Physics 34, Part 1, No. 1 (15.01.1995): 83–84. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.34.83.
Pełny tekst źródłaAkazawa, Masamichi, i Yoshihito Amemiya. "Directional Single-Electron-Tunneling Junction". Japanese Journal of Applied Physics 35, Part 1, No. 6A (15.06.1996): 3569–75. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.35.3569.
Pełny tekst źródłaKirihara, Masaharu, i Kenji Taniguchi. "A Single Electron Neuron Device". Japanese Journal of Applied Physics 36, Part 1, No. 6B (30.06.1997): 4172–75. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.36.4172.
Pełny tekst źródłavon Borczyskowski, C., J. Köhler, W. E. Moerner, M. Orrit i J. Wrachtrup. "Single-molecule electron spin resonance". Applied Magnetic Resonance 31, nr 3-4 (wrzesień 2007): 665–76. http://dx.doi.org/10.1007/bf03166609.
Pełny tekst źródłaSo, Hye-Mi, Jinhee Kim, Wan Soo Yun, Jong Wan Park, Ju-Jin Kim, Do-Jae Won, Yongku Kang i Changjin Lee. "Molecule-based single electron transistor". Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 18, nr 1-3 (maj 2003): 243–44. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00996-7.
Pełny tekst źródłaAbramov, I. I., i E. G. Novik. "Classification of single-electron devices". Semiconductors 33, nr 11 (listopad 1999): 1254–59. http://dx.doi.org/10.1134/1.1187860.
Pełny tekst źródłaYu, Yun Seop, Seung Hun Son, Hee Tae Kim, Yong Gyu Kim, Jung Hyun Oh, Hanjung Kim, Sung Woo Hwang, Bum Ho Choi i Doyeol Ahn. "Transmission-Type Radio-Frequency Single-Electron Transistor with In-Plane-Gate Single-Electron Transistor". Japanese Journal of Applied Physics 46, nr 4B (24.04.2007): 2592–95. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.46.2592.
Pełny tekst źródłaFernández-Rossier, J., R. Aguado i L. Brey. "Anisotropic magnetoresistance in single electron transport". physica status solidi (c) 3, nr 12 (grudzień 2006): 4231–34. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200672837.
Pełny tekst źródłaSpeirs, Rory W., Corey T. Putkunz, Andrew J. McCulloch, Keith A. Nugent, Benjamin M. Sparkes i Robert E. Scholten. "Single-shot electron diffraction using a cold atom electron source". Journal of Physics B: Atomic, Molecular and Optical Physics 48, nr 21 (23.09.2015): 214002. http://dx.doi.org/10.1088/0953-4075/48/21/214002.
Pełny tekst źródła