Gotowa bibliografia na temat „Silicon carbide”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Spis treści
Zobacz listy aktualnych artykułów, książek, rozpraw, streszczeń i innych źródeł naukowych na temat „Silicon carbide”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Artykuły w czasopismach na temat "Silicon carbide"
Meng, Fan Tao, Shan Yi Du i Yu Min Zhang. "Silicon Carbide Composites Deposited in Silicon Carbide Whiskers by CVI Process". Key Engineering Materials 512-515 (czerwiec 2012): 789–92. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.512-515.789.
Pełny tekst źródłaZhou, You, Kiyoshi Hirao, Yukihiko Yamauchi i Shuzo Kanzaki. "OS08W0193 Sliding wear of silicon carbide and silicon carbide-graphite composite ceramics". Abstracts of ATEM : International Conference on Advanced Technology in Experimental Mechanics : Asian Conference on Experimental Mechanics 2003.2 (2003): _OS08W0193. http://dx.doi.org/10.1299/jsmeatem.2003.2._os08w0193.
Pełny tekst źródłaIdrees, Maria, Husnain Ahmad Chaudhary, Arslan Akbar, Abdeliazim Mustafa Mohamed i Dina Fathi. "Effect of Silicon Carbide and Tungsten Carbide on Concrete Composite". Materials 15, nr 6 (10.03.2022): 2061. http://dx.doi.org/10.3390/ma15062061.
Pełny tekst źródłaRenlund, Gary M., Svante Prochazka i Robert H. Doremus. "Silicon oxycarbide glasses: Part II. Structure and properties". Journal of Materials Research 6, nr 12 (grudzień 1991): 2723–34. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1991.2723.
Pełny tekst źródłaZvonarev, E. V., A. Ph Ilyushchanka, Zh A. Vitko, V. A. Osipov i D. V. Babura. "Effect of reaction sintering modes on the structure and properties of carbide ceramics". Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus, Physical-Technical Series 63, nr 4 (12.01.2019): 407–15. http://dx.doi.org/10.29235/1561-8358-2018-63-4-407-415.
Pełny tekst źródłaV.M. Shevko, R.A. Uteeva, A.B. Badikova, G.E. Karataeva i G.A. Bitanova. "PRODUCTION OF FERROALLOYS, CALCIUM CARBIDE, AND PHOSPHORUS FROM HIGH-SILICON PHOSPHORITE". RASAYAN Journal of Chemistry 16, nr 02 (2023): 955–63. http://dx.doi.org/10.31788/rjc.2023.1628310.
Pełny tekst źródłaMitchell, Tyrone, Lutgard C. Jonghe, Warren J. MoberlyChan i Robert O. Ritchie. "Silicon Carbide Platelet/Silicon Carbide Composites". Journal of the American Ceramic Society 78, nr 1 (styczeń 1995): 97–103. http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1995.tb08366.x.
Pełny tekst źródłaMaruyama, Benji, i Fumio S. Ohuchi. "H2O catalysis of aluminum carbide formation in the aluminum-silicon carbide system". Journal of Materials Research 6, nr 6 (czerwiec 1991): 1131–34. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1991.1131.
Pełny tekst źródłaKmetz, Michael, Steven Suib i Francis Galasso. "Silicon Carbide/Silicon and Silicon Carbide/Silicon Carbide Composites Produced by Chemical Vapor Infiltration". Journal of the American Ceramic Society 73, nr 10 (październik 1990): 3091–93. http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1990.tb06723.x.
Pełny tekst źródłaSheth, Manas. "A Comparative Study of Silicon and Silicon Carbide Semiconductors". International Journal of Science and Research (IJSR) 13, nr 2 (5.02.2024): 785–89. http://dx.doi.org/10.21275/sr24206001809.
Pełny tekst źródłaRozprawy doktorskie na temat "Silicon carbide"
Wang, Jue. "Silicon carbide power devices". Thesis, Heriot-Watt University, 2000. http://hdl.handle.net/10399/579.
Pełny tekst źródłaFuentes, Ricardo I. "Sintering of silicon carbide". Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 1986. http://hdl.handle.net/1721.1/14208.
Pełny tekst źródłaVita.
Includes bibliographical references (leaves 152-159).
by Ricardo I Fuentes.
Ph.D.
Pehlivanoglu, Ibrahim Engin. "SILICON CARBIDE MEMS OSCILLATOR". Case Western Reserve University School of Graduate Studies / OhioLINK, 2008. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=case1196372276.
Pełny tekst źródłaPellegrino, Paolo. "Point Defects in Silicon and Silicon-Carbide". Doctoral thesis, KTH, Microelectronics and Information Technology, IMIT, 2001. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-3133.
Pełny tekst źródłaRazzell, Anthony Gordon. "Silicon carbide fibre silicon nitride matrix composites". Thesis, University of Warwick, 1992. http://wrap.warwick.ac.uk/110559/.
Pełny tekst źródłaGao, Wei. "Oxidation of nitride-bonded silicon carbide (NBSC) and hot rod silicon carbide with coatings". Thesis, University of Strathclyde, 2001. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.366751.
Pełny tekst źródłaAnthony, Carl John. "Oxide interface studies on silicon and silicon carbide". Thesis, University of Newcastle Upon Tyne, 2005. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.424150.
Pełny tekst źródłaGodard, Hilary Tony. "Aspects of the silicon carbide filament - silicon interface /". The Ohio State University, 1987. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=osu1487322984313654.
Pełny tekst źródłaWu, Huann-Der. "Vapor synthesis of silicon and silicon carbide powders /". The Ohio State University, 1987. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=osu1487330761217513.
Pełny tekst źródłaIwata, Hisaomi. "Stacking faults in silicon carbide /". Linköping : Univ, 2003. http://www.bibl.liu.se/liupubl/disp/disp2003/tek817s.pdf.
Pełny tekst źródłaKsiążki na temat "Silicon carbide"
Friedrichs, Peter, Tsunenobu Kimoto, Lothar Ley i Gerhard Pensl, red. Silicon Carbide. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2009. http://dx.doi.org/10.1002/9783527629053.
Pełny tekst źródłaFriedrichs, Peter, Tsunenobu Kimoto, Lothar Ley i Gerhard Pensl, red. Silicon Carbide. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2009. http://dx.doi.org/10.1002/9783527629077.
Pełny tekst źródłaChoyke, W. J., H. Matsunami i G. Pensl, red. Silicon Carbide. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2004. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-18870-1.
Pełny tekst źródłaFan, Jiyang, i Paul K. Chu. Silicon Carbide Nanostructures. Cham: Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-08726-9.
Pełny tekst źródłaSilicon, Carbide Symposium (1987 Columbus Ohio). Silicon carbide '87. Westerville, Ohio: American Ceramic Society, 1989.
Znajdź pełny tekst źródłaShigeyuki, Sōmiya, i Inomata Yoshizō, red. Silicon carbide ceramics. London: Elsevier Applied Science, 1991.
Znajdź pełny tekst źródłaDobson, M. M. Silicon carbide alloys. Carnforth, Lancashire: Parthenon Press, 1986.
Znajdź pełny tekst źródłaDobson, M. M. Silicon carbide alloys. Carnforth, Lancashire, England: Parthenon Press, 1986.
Znajdź pełny tekst źródłaHarris, Gary Lynn. Properties of silicon carbide. London: IEE, 1995.
Znajdź pełny tekst źródłaSömiya, Shigeyuki, i Yoshizo Inomata, red. Silicon Carbide Ceramics—1. Dordrecht: Springer Netherlands, 1991. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-3842-0.
Pełny tekst źródłaCzęści książek na temat "Silicon carbide"
Sakwe, Sakwe Aloysius, Mathias Stockmeier, Philip Hens, Ralf Müller, Desirée Queren, Ulrike Kunecke, Katja Konias i in. "Bulk Growth of SiC - Review on Advances of SiC Vapor Growth for Improved Doping and Systematic Study on Dislocation Evolution". W Silicon Carbide, 1–31. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9783527629053.ch1.
Pełny tekst źródłaKimoto, Tsunenobu, Katsunori Danno i Jun Suda. "Lifetime-Killing Defects in 4H-SiC Epilayers and Lifetime Control by Low-Energy Electron Irradiation". W Silicon Carbide, 267–86. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9783527629053.ch10.
Pełny tekst źródłaKlein, Paul B. "Identification and Carrier Dynamics of the Dominant Lifetime Limiting Defect in n− 4H-SiC Epitaxial Layers". W Silicon Carbide, 287–317. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9783527629053.ch11.
Pełny tekst źródłaRaynaud, Christophe, Duy-Minh Nguyen, Nicolas Dheilly, Dominique Tournier, Pierre Brosselard, Mihai Lazar i Dominique Planson. "Optical Beam Induced Current Measurements: Principles and Applications to SiC Device Characterization". W Silicon Carbide, 319–40. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9783527629053.ch12.
Pełny tekst źródłaHatakeyama, Tetsuo. "Measurements of Impact Ionization Coefficients of Electrons and Holes in 4H-SiC and their Application to Device Simulation". W Silicon Carbide, 341–62. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9783527629053.ch13.
Pełny tekst źródłaKrieger, M., S. Beljakowa, L. Trapaidze, T. Frank, H. B. Weber, G. Pensl, N. Hatta, M. Abe, H. Nagasawa i A. Schöner. "Analysis of Interface Trap Parameters from Double-Peak Conductance Spectra Taken on N-Implanted 3C-SiC MOS Capacitors". W Silicon Carbide, 363–74. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9783527629053.ch14.
Pełny tekst źródłaStarke, Ulrich. "Non-Basal Plane SiC Surfaces: Anisotropic Structures and Low-Dimensional Electron Systems". W Silicon Carbide, 375–94. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9783527629053.ch15.
Pełny tekst źródłaKe, Y., R. P. Devaty i W. J. Choyke. "Comparative Columnar Porous Etching Studies on n-Type 6H SiC Crystalline Faces". W Silicon Carbide, 395–409. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9783527629053.ch16.
Pełny tekst źródłaZorman, Christian A., i Rocco J. Parro. "Micro- and Nanomechanical Structures for Silicon Carbide MEMS and NEMS". W Silicon Carbide, 411–51. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9783527629053.ch17.
Pełny tekst źródłaSeyller, Th, A. Bostwick, K. V. Emtsev, K. Horn, L. Ley, J. L. McChesney, T. Ohta, J. D. Riley, E. Rotenberg i F. Speck. "Epitaxial Graphene: A New Material". W Silicon Carbide, 453–72. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9783527629053.ch18.
Pełny tekst źródłaStreszczenia konferencji na temat "Silicon carbide"
Lin, Qiang. "Silicon Carbide Photonics". W Latin America Optics and Photonics Conference. Washington, D.C.: OSA, 2014. http://dx.doi.org/10.1364/laop.2014.ltu3a.3.
Pełny tekst źródłaLescoat, F., F. Tanguy i P. Durand. "Silicon carbide metallization". W 2016 ESA Workshop on Aerospace EMC (Aerospace EMC). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/aeroemc.2016.7504558.
Pełny tekst źródłaRedkin, Sergey, Petr Maltsev i Sergey Gamkrelidze. "CUBIC SILICON CARBIDE ON SILICON". W International Forum “Microelectronics – 2020”. Joung Scientists Scholarship “Microelectronics – 2020”. XIII International conference «Silicon – 2020». XII young scientists scholarship for silicon nanostructures and devices physics, material science, process and analysis. LLC MAKS Press, 2020. http://dx.doi.org/10.29003/m1557.silicon-2020/62-68.
Pełny tekst źródłaRybicki, G., C. Vargas-Aburto i R. Uribe. "Silicon carbide alphavoltaic battery". W Conference Record of the Twenty Fifth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1996. IEEE, 1996. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.1996.563955.
Pełny tekst źródłaMartini, Francesco, i Alberto Politi. "3C Silicon Carbide Nanophotonics". W Frontiers in Optics. Washington, D.C.: OSA, 2016. http://dx.doi.org/10.1364/fio.2016.fth4g.6.
Pełny tekst źródłaKingsley, Lawrence E., Terrence Burke, Maurice Weiner, Robert J. Youmans, Hardev Singh, Walter R. Buchwald, Joseph R. Flemish, Jian H. Zhao i K. Xie. "Silicon carbide optoelectronic switches". W Photonics for Industrial Applications, redaktor William R. Donaldson. SPIE, 1995. http://dx.doi.org/10.1117/12.198650.
Pełny tekst źródłaRogers, T. "Vapour deposited silicon carbide". W IEE Colloquium on Extremely Hard Materials for Micromechanics. IEE, 1997. http://dx.doi.org/10.1049/ic:19970337.
Pełny tekst źródłaPehlivanoglu, I. Engin, Christian A. Zorman i Darrin J. Young. "Silicon carbide MEMS oscilator". W TRANSDUCERS 2009 - 2009 International Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems Conference. IEEE, 2009. http://dx.doi.org/10.1109/sensor.2009.5285388.
Pełny tekst źródłaQiang Lin. "Silicon carbide nano-optomechanics". W 2014 IEEE Photonics Conference (IPC). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/ipcon.2014.6995460.
Pełny tekst źródłaLu, Xiyuan, Jonathan Y. Lee i Qiang Lin. "Silicon carbide doubledisk optomechanics". W Frontiers in Optics. Washington, D.C.: OSA, 2015. http://dx.doi.org/10.1364/fio.2015.fw6c.7.
Pełny tekst źródłaRaporty organizacyjne na temat "Silicon carbide"
House, M. B., i P. S. Day. Ultrasonic characterization of microwave joined silicon carbide/silicon carbide. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), maj 1997. http://dx.doi.org/10.2172/319834.
Pełny tekst źródłaKatoh, Yutai, Takaaki Koyanagi, Jim Kiggans, Nesrin Cetiner i Joel McDuffee. STATUS OF HIGH FLUX ISOTOPE REACTOR IRRADIATION OF SILICON CARBIDE/SILICON CARBIDE JOINTS. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), wrzesień 2014. http://dx.doi.org/10.2172/1164258.
Pełny tekst źródłaRabin, B. A review of silicon carbide/metal interactions with relevance to silicon carbide joining. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), kwiecień 1991. http://dx.doi.org/10.2172/5886805.
Pełny tekst źródłaJan W. Nowok, John P. Hurley i John P. Kay. SiAlON COATINGS OF SILICON NITRIDE AND SILICON CARBIDE. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), czerwiec 2000. http://dx.doi.org/10.2172/824976.
Pełny tekst źródłaBleier, A. Dispersion aspects of silicon carbide gelcasting. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), wrzesień 1991. http://dx.doi.org/10.2172/5003295.
Pełny tekst źródłaBleier, A. Dispersion aspects of silicon carbide gelcasting. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), wrzesień 1991. http://dx.doi.org/10.2172/10164777.
Pełny tekst źródłaRadhakrishnan, Rahul. Integrated Silicon Carbide Power Electronic Block. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), listopad 2017. http://dx.doi.org/10.2172/1408273.
Pełny tekst źródłaMackowski, Kristin Nicole, Joshua Damon Coe, Katie A. Maerzke i Sven Peter Rudin. Equation of State for Silicon Carbide. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), sierpień 2018. http://dx.doi.org/10.2172/1467226.
Pełny tekst źródłaGrady, D., i M. Kipp. Shock compression properties of silicon carbide. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), lipiec 1993. http://dx.doi.org/10.2172/10179836.
Pełny tekst źródłaHeinisch, H. L., E. T. Cheng i F. M. Mann. Revised activation estimates for silicon carbide. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), październik 1996. http://dx.doi.org/10.2172/414861.
Pełny tekst źródła