Rozprawy doktorskie na temat „SiC”
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1
Russell, Laura M. "Thermal conductivity/diffusivity of SiC-Mullite and SiC-SiC composites". Thesis, Virginia Tech, 1987. http://hdl.handle.net/10919/40981.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
The purposes of this study were to determine as a function of temperature the thermal diffusivity and/or thermal conductivity of SiC-Mullite and SiC-SiC, and to explain the observed behavior in terms of changes in temperature, microstructure, composition, and/or orientation.
Materials used in the SiC-Mullite study consisted of single crystal SiC whiskers (prepared from rice hulls or by the vapor-liquid-solid process) dispersed within a polycrystalline mullite matrix. During measurement of thermal diffusivity, the samples were heated to l500°C and cooled back to room temperature. No hysteresis occurred. However, both thermal diffusivity and conductivity exhibited maximum values at room temperatures, perpendicular to the hot pressing direction, at high volume percentages of SiC whiskers, and when VLS whiskers were employed.
The SiC-SiC samples consisted of a crossweave of polycrystalline SiC uÌ bers that were coated with phenolic resin and surrounded by a chemically-vapordeposited matrix of SiC. The two types of samples examined were prepared with different amounts of resin. The matrices of the high resin samples were found to be dominated by the presence of char. Samples were cycled to 1000, 1400, and l800°C; hysteresis occurred on some of the cycles. Thermal diffusivity was highest parallel to one set of fibers.
These results allow the qualitative tailoring of the heat flow properties of these ceramic composites, for particular applications, and set forth limitations on the use of the SiC-SiC composites at high temperatures.
Master of Science
2
Josiek, Andrei. "CVD dans le système CH₃SiCl₃/H₂ : cinétiques expérimentales de dépôt de SiC et SiC+Si, modélisation". Bordeaux 1, 1995. http://www.theses.fr/1995BOR10613.
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LE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR (CVD) DE CERAMIQUES A BASE DE CARBURE DE SILICIUM (SIC) A PARTIR DU MELANGE CH₃SiCl₃/H₂ A ETE ETUDIE POUR DES PRESSIONS TOTALES ET DES TEMPERATURES RELATIVEMENT BASSES (P0 KPA, T75C). L'INFLUENCE DU TEMPS DE SEJOUR DES GAZ DANS LA ZONE CHAUDE DU REACTEUR SUR LA VITESSE DE DEPOT DE SIC A ETE EXAMINEE. UNE TRANSITION ABRUPTE ENTRE DEUX CINETIQUES DE DEPOT DIFFERENTES (CORRESPONDANT AU DEPOT DE SIC OU DE SIC+SI), INDUITE PAR VARIATION D'UN PARAMETRE EXPERIMENTAL, A ETE DETECTEE. LA LOCALISATION DE L'EXCES DE SI DANS LE DEPOT A ETE ETUDIEE AU PLAN THEORIQUE ET EXPERIMENTAL
3
Colombo, Sandro de Miranda. "Glifosato e ácido aminometilfosfônico: desenvolvimento de metodologias de análise por injeção sequencial e investigação sobre processos adsortivos e fisiológicos de interesse ambiental". Universidade de São Paulo, 2011. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/46/46136/tde-31012012-151946/.
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Descreve-se o desenvolvimento de um método de análise por injeção sequencial para determinação de glifosato em formulações comerciais por voltametria de onda quadrada em eletrodo de gota de mercúrio. O glifosato foi derivatizado em modo estacionário com ácido nitroso para produção de N-nitroso glifosato, que é eletroativo. Os limites de detecção (LD) e quantificação (LQ) foram 0,7 e 2,4 mg L-1 (4 e 14 µmol L-1), respectivamente. O método foi aplicado a três formulações, obtendo resultados que diferiram do valor indicado pelo fabricante por -2,6, -0,8 e -28%. Em seguida descreve-se o desenvolvimento de um método de injeção seqüencial para a determinação fluorimétrica de glifosato, Esse método baseou-se em uma primeira etapa de conversão de glifosato a glicina por reação com hipoclorito de calcio, seguida por reação com o-ftaldialdeído na presença de 2-mercaptoetanol (OPA-MCE) em tampão borato (pH> 9) para produzir o composto fluorescente (2\'-hidroxietiltio)-2-N-alkilisoindol (excitação em 340 nm e emissão em 450 nm). O método apresentou resposta linear para concentrações entre 0,25 e 25,0 µmol L-1, com LD e LQ de 0,08 e 0,25 µmol L-1 (14 e 42 µg L-1), respectivamente, e frequência de amostragem de 18 análises por hora. O método foi aplicado para estudar as propriedades de adsorção / dessorção em um solo e em uma amostra de sedimento. Os dados das isotermas de adsorção e dessorção foram tratados pelas equações de Freundlich e Langmuir, que permitiram estimar uma capacidade de adsorção de 1384 ± 26 e 295 ± 30 mg kg-1 para as amostras de solo e sedimento, respectivamente. A determinação de glifosato e AMPA em amostras de água foi realizada por cromatografia por injeção sequencial com detecção fluorimétrica explorando as mesmas reações com hipoclorito e OPA-MCE. A solução transportadora com papel de fase móvel foi composta por mistura metanol: tampão fosfato 10 mmol L-1 (pH 6,8) na proporção 25:75 (v v-1). A frequência de amostragem foi de 6 análises por hora, com LD e LQ de 0,14 e 0,42 µmol L-1 para AMPA e 0,11 e 0,33 µmol L-1 para glifosato, respectivamente. Testes de adição e recuperação em amostras de águas naturais enriquecidas com 0,50 µmol L-1 desses compostos levaram a taxas de recuperação de 82 a 140% para AMPA e de 84 a 96% para glifosato. Investigou-se o efeito do herbicida em cultivos de duas espécies de microalgas marinhas - a Chlorophyta, Tetraselmis gracilis e a diatomácea, Phaeodactilum tricornutum. Para isso adicionou-se diferentes concentrações de glifosato (2 a 1000 mg L-1) a cultivos crescendo em fase exponencial. Doses de 2 e 50 mg L-1 provocaram leve aumento de crescimento algal quando comparados com o cultivo controle sem glifosato. O rendimento quântico da fotossíntese aumentou levemente em alguns dias no cultivo de P. tricornutum em concentrações baixas de glifosato. Na concentração de glifosato de 200 mg L-1 houve declínio do crescimento e acentuada queda do rendimento quântico da fluorescência da fotossíntese. Perfis dos aminoácidos aromáticos, tirosina, triptofano e fenilalanina apresentaram diferenças nas algas.We describe a development of a voltammetric method for determination of glyphosate in commercial formulations using sequential injection analysis to carry the sample to a flow cell adapted to the capillary of a mercury drop electrode. Glyphosate is batch-derivatized with nitrous acid in hydrochloric acid to produce N-nitroso glyphosate, which is electroactive. The limits of detection (LOD) and quantification (LOQ) were 0.7 and 2.4 mg L-1, respectively. The method was applied to three formulations, obtaining results that differed from the value indicated by the manufacturer by -2.6, -0.8 and -28%. Next, the thesis describes the development of a sequential injection method to automate the fluorimetric determination of glyphosate based on a first step of oxidation to glycine by hypochlorite, followed by reaction with o-phthaldialdehyde in presence of 2-mercaptoethanol (OPA-MCE) in borate buffer (pH>9) to produce a fluorescent 1-(2´-hydroxyethylthio)-2-N-alkylisoindole. The proposed method exhibited a linear response for glyphosate concentrations between 0.25 and 25.0 µmol L-1, with LOD and LOQ of 0.08 and 0.25 µmol L-1, respectively. The sampling rate of the method was 18 samples per hour. The method was applied to study adsorption/desorption properties in a soil and in a sediment sample. Adsorption and desorption isotherms were properly fitted by Freundlich and Langmuir equations, leading to adsorption capacities of 1384 ± 26 and 295 ± 30 mg kg-1 for the soil and sediment samples, respectively. Determination of glyphosate and AMPA in water samples was performed by sequential injection chromatography (SIC) with fluorimetric detection by exploiting the same reactions with hypochlorite and OPA-MCE. The carrier solution plays a role of mobile phase, being composed of 25:75 (v v-1) methanol : 10 mmol L-1 phosphate buffer (pH 6.8). The chromatographic step enhanced the method selectivity. The sampling throughput was 6 analyzes per hour with LOD and LOQ of 0.14 and 0.42 µmol L-1 for AMPA and 0.11 and 0.33 µmol L-1 for glyphosate, respectively. Recovery tests in natural water samples enriched with 0.50 µmol L-1 in the compounds led to recovery rates from 82 to 140% for AMPA and 84 to 96% for glyphosate. We investigated the effect of the herbicide on cultivation of two species of marine microalgae - the Chlorophyta, Tetraselmis gracilis and the diatomaceous Phaeodactilum tricornutum. To achieve this goal, different concentrations of glyphosate (2 to 1000 mg L-1) were added to cultures growing in exponential phase. Doses between 2 and 50 mg L-1 caused a slight increase in algal growth compared to the control culture without glyphosate. The quantum yield of photosynthesis increased slightly in some days in the cultivation of P. tricornutum at low concentrations of glyphosate. The glyphosate concentration of 200 mg L-1 decreases the cell growth and caused a marked decline in the fluorescence quantum yield of photosynthesis. Profiles of aromatic amino acids, tyrosine, tryptophan and phenylalanine differed in the algae
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Bertrand, Sébastien. "Amélioration de la durée de vie de composites SiC/Sic à interphases nanoséquencées (PyC/SiC)n et (BN/SiC)n". Bordeaux 1, 1998. http://www.theses.fr/1998BOR10607.
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Des minicomposites et des composites 2d tisses sic/sic avec des interphases multicouches nanosequencees pyrocarbone / carbure de silicium (pyc/sic)#n ou nitrure de bore / carbure de silicium (bn/sic)#n ont ete elabores par infiltration chimique en phase vapeur pulsee (p-cvi). Ces materiaux presentent une resistance a l'oxydation, sous charge en temperature, bien superieure a celle que confere une interphase monocouche de pyc ou de bn ; tout en ayant des caracteristiques mecaniques a l'ambiante comparables. Des traitements specifiques de la fibre hi-nicalon ont egalement permis d'augmenter (i) la thermostabilite de la fibre, (ii) sa resistance a la fissuration sous-critique, (iii) l'intensite de la liaison fibre / matrice des composites et (iv) la resistance a l'oxydation, sous charge, des fibres et des composites.
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SUH, Min-Soo. "Wear Mechanisms on SiC and SiC/SiC Composites under Sliding Friction and Erosive Wear". Kyoto University, 2010. http://hdl.handle.net/2433/126768.
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6
Bergerat, Jean-Michel. "Etude du comportement à la rupture de composites ALO/ALO.AlO/SiC et SiC/SiC". Grenoble 2 : ANRT, 1988. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb376118559.
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7
Woods, Christopher Huia. "Masqueulinities [sic] an [sic] MA thesis by practice /". Click here to access this resource online, 2007. http://repositoryaut.lconz.ac.nz/theses/1368/.
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8
Vine, Wendy Jane. "Electron microscopy of SiC and SiC related composites". Thesis, University of Bristol, 1992. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.333867.
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Carrere, Philippe. "Comportement thermomécanique d'un composite de type SiC/SiC". Bordeaux 1, 1996. http://www.theses.fr/1996BOR10703.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
Dans les composites sic/pyc/sic, initialement developpes pour des applications structurales a hautes temperatures, l'interface de pyrocarbone est sensible a l'oxydation. L'addition de bore dans la matrice favorise la formation d'un verre qui permet la cicatrisation des fissures. Le comportement thermomecanique de ce materiau sic/sibc a donc ete etudie a des temperatures comprises entre 700c et 1200c, sous atmosphere inerte ou oxydante en traction uniaxiale, en fatigue statique ou cyclique. Ce travail a permis de determiner la contribution des contraintes residuelles sur la fissuration matricielle, l'influence de l'etat d'endommagement initial de la matrice sur la vitesse de fluage et enfin les mecanismes de comportement et de rupture a chaud sous air qui dependent de la vitesse de mise en place de la protection vitreuse et de son etancheite
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ABBE, FRANCOIS. "Fluage en flexion d'un composite sic-sic 2d". Caen, 1990. http://www.theses.fr/1990CAEN2029.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
Un composite bidirectionnel a matrice de carbure de silicium renforcee par des fibres longues de carbure de silicium a fait l'objet d'une etude de comportement et resistance en fluage dans le domaine de temperature 1273 k-1773 k par des essais en flexion 3 points sous vide. Un marquage lithographique de la surface d'eprouvette, supportant des hautes temperatures, a permis de developper une methodologie de deconvolution de l'essai de flexion donnant acces aux lois de comportement en traction et en compression dans le domaine stationnaire. Une modelisation du stade transitoire a ete effectuee conduisant a la validation de l'approche menee. La description de l'evolution de l'endommagement au cours du fluage semble pouvoir etre decrite par les concepts de la mecanique des milieux continus endommages. Le lien avec l'approche precedente consiste a introduire la valeur non nulle de la zone endommagee au stade stationnaire obtenue lors de l'utilisation de la methode de deconvolution. Le seuil de contrainte, a partir duquel cette zone endommagee apparait, est directement correle aux mesures par micro-indentation du cisaillement interfacial fibre/matrice que nous avons effectuees. Les valeurs des parametres morphologiques fondamentaux necessaires aux differentes approches ont ete obtenues a l'aide des techniques d'analyse d'images. La microscopie electronique a trans-mission nous a apporte les complements d'informations dont nous avions besoin pour justifier l'interpretation du comportement mecanique observe experimentalement. Le role fondamental de l'interface et des proprietes thermomecaniques de la fibre dans un environnement particulier (vide) ont ete clairement mis en evidence
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Rohmer, Eric. "Caractérisation et modélisation mécanique de tubes composites sicf/sic". Phd thesis, Université Sciences et Technologies - Bordeaux I, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00966267.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
Ce travail s'inscrit dans un contexte de développement des réacteurs de quatrième génération. Il concerne plus particulièrement la partie composite du gainage tubulaire de type sandwich envisagé par le CEA pour les réacteurs RNR-NA/Gaz. Le renfort est mis en forme par tressage et l'étude se focalise sur des composites tressés interlocks. Ces structures relativement nouvelles nécessitent une caractérisation mécanique poussée. Deux protocoles expérimentaux ont été développés permettant la réalisation d'essais de traction et de pression interne sur tube. Trois textures différentes ont ainsi été caractérisées. En parallèle un modèle multi-échelle a été mis en place permettant de relier la microstructure aux propriétés mécaniques du tube. Ce modèle est validé dans le domaine élastique sur une des textures caractérisées. Une première approche de l'endommagement de la structure est abordée et une amélioration possible du protocole est proposée.
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Abchiche, Bruno. "Augmentation de la limite élastique des composites à matrice céramique : SiC/SiC ou SiC/MAC". Thesis, Bordeaux 1, 2013. http://www.theses.fr/2013BOR14903/document.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
Les matériaux composites connaissent un large succès. En effet les Composites à Matrice Céramique (CMC) fonctionnant à haute température ont des performances inégalées en termes de fatigue thermomécanique. La durée de vie des CMC est pourtant limitée en raison de l'apparition précoce de fissures matricielles, ouvrant autant de portes à des environnements agressifs, entraînant un abattement prématuré des propriétés mécaniques. Arriver à retarder la fissuration matricielle devient donc une étape clé pour une future importante utilisation des CMC dans l'aéronautique ou l'aérospatial. Les travaux de cette thèse se sont inscrits dans cette logique, où pour protéger les fibres et l'interphase de l'oxydation et de la corrosion, les propriétés de la matrice céramique ont tenté d'être modifiées par l'incorporation de nanofibres en leur sein et par l'émoussement de leurs macropores résiduelsAbstract
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MAKUNTUALA, KEVA. "Desenvolvimento de compositos refratarios SiC-AlN e SiC-SiAlON". reponame:Repositório Institucional do IPEN, 2000. http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/9274.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
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Tese (Doutoramento)
IPEN/T
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP
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Vix-Guterl, Cathie. "Comportement en atmosphère oxydante de composites thermostructuraux SiC/C/SiC". Mulhouse, 1991. http://www.theses.fr/1991MULH0198.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
Les matériaux composites connaissent un essor considérable lié au développement des industries automobiles, aéronautiques et aérospatiales. Les composites carbure de silicium-carbone-carbure de silicium (SiC/C/SiC) sont constitués de fibres de carbure de silicium, d'une interphase carbonée d'épaisseur 0,12 m et d'une matrice céramique de carbure de silicium. L'interphase carbonée joue un rôle prépondérant puisqu'elle rend le matériau plus tenace. Les composites SiC/C/SiC s'oxydent lorsqu'ils sont utilisés à haute température et l'oxydation de ces matériaux conduit à une détérioration de ses propriétés mécaniques. Il est alors apparu nécessaire de clarifier le comportement à l'oxydation du composite SiC/C/SiC et d'identifier les mécanismes d'oxydation ayant lieu à l'interphase. Le composite et les matériaux qui le constituent ont été oxydés à 900°C et 1200°C sous 10 mbar d'oxygène pur. Les gaz issus des réactions d'oxydation ont été quantitativement analysés par spectrométrie de masse. L'oxydation des fibres de carbure de silicium et de la matrice de carbure de silicium conduit à la formation d'une couche de silice en surface des matériaux. Le comportement à l'oxydation du composite à 900°C est influencé par la géométrie de l'éprouvette liée à la longueur du pore crée par la gazéification de l'interphase carbonée. Par contre, le composite s'auto-protège lors de son oxydation à 1200°C. En effet, les pores crées par la gazéification de l'interphase carbonée sont obstrués par la silice formée par oxydation des fibres et de la matrice. Cette auto-protection intervient avant la gazéification totale de l'interphase carbonée
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Miraj, Nikhil. "Low modulus, oxidation-resistant interface coatings for SiC/SiC composites". Thesis, This resource online, 1996. http://scholar.lib.vt.edu/theses/available/etd-11182008-063336/.
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Duquesne, Loys. "Caractérisation thermique de structures composites SiCf/SiC tubulaires pour applications nucléaires". Thesis, Paris, ENSAM, 2015. http://www.theses.fr/2015ENAM0052/document.
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Les recherches portant sur le développement des composites réfractaires de type SiCf/SiC pour application gainage du combustible des réacteurs de géneration IV ont conduit le CEA à s’intéresser aucomportement thermique de ces matériaux. En particulier, la connaissance des propriétés thermiques représente un des points cles dans la conception des composants. Au regard du concept sandwichdont la complexité de structure et la géométrie cylindrique s'éloigne de celle d'éprouvettes planes classiquement utilisées, les méthodes de mesures usuelles ne conviennent pas.Ce travail de thèse s’intéresse à la caractérisation et à la modélisation du comportement thermiquede ces structures. Une première partie du travail concerne l'identification des paramètres thermiquesglobaux des différentes couches constitutives d'une gaine sandwich . Pour cela, une méthodeash est employée et un banc d’expériences adapte aux géométries tubulaires a pu être développe.L’écriture d'un nouveau modèle d'estimation, fonde sur le couplage des signaux recueillis à la fois enface avant et en face arrière, permet aujourd'hui d’accéder par la mesure a la diffusivité thermiquedes composites tubulaires via la thermographie infrarouge. Dans une seconde partie de la thèse,une démarche matériau virtuel a été mise en place pour décrire le comportement thermique d'unegaine sandwich à partir des propriétés des constituants élémentaires (bres et matrice). Cespropriétés, obtenues avec deux méthodes d'estimation différentes permettant d'exploiter les mesuresde deux expériences distinctes basées sur la thermographie infrarouge, sont utilisées comme donnéespour la modélisation du transfert thermique au sein de ces gaines. Les confrontations réalisées entrecampagnes de mesures et expériences numériques permettent normalement d’appréhender le poids desdifférents facteurs d'influence qui régissent les transferts thermiquesResearches on the development on SiCf/SiC refractory composites for generation IV nuclear fuel cladding led the CEA to focus on the thermal behavior of these materials. In particular, knowingthe thermal properties is essential for their components design. Regarding the development of the sandwich" concept, whose complexity and geometry differ from the conventionally used at tubes,usual measurement methods are unsuitable.This PhD reports on the characterization and modeling of the thermal behavior of these structures. The first part concerns the identification of the global thermal parameters of the diferent layers of a"sandwich" sheath. To do so, a ash method is used and an experimental bench suitable for tubular geometries was developed. A new estimation method based on the combination of both collectedsignals in front and rear faces allows the identification of the thermal diffusivity of tubular composites using infrared thermography. The second part focuses on a virtual material approach, established todescribe the thermal behavior of a "sandwich" cladding, starting from the properties of the elementary components (bers and matrix). These properties, obtained using two different estimation methods,allows exploiting the measurements of two separate experiments based on infrared thermography.They are then used as data for the heat transfer modeling in these ducts. Confrontations betweenexperimental measurements and numerical results finally allow gaining insight into the in uence ofthe different key parameters governing the heat transfer
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Stenberg, Pontus. "Fluorinated SiC CVD". Doctoral thesis, Linköpings universitet, Halvledarmaterial, 2017. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-133832.
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For the emerging semiconductor material silicon carbide (SiC) used in high power devices, chemical vapor deposition (CVD) is the most prominent method to create the electrically active SiC epitaxial layers in the device. The process of growing such epitaxial layers is to use a hydrocarbon and silane diluted in hydrogen flow through a hot chamber where chemical reactions take place in such manner that Si and C finally deposit on the surface creating epitaxial SiC. The addition of chlorine (Cl) to the process has been thoroughly investigated due to its ability to reduce homogeneous nucleation in the gas phase attributed to the stronger Si-Cl bond compared to the Si-Si bond. In this thesis the fluorinated chemistry has been investigated, since the Si-F bond is even stronger than the Si-Cl bond and the fluorinated chemistry for SiC CVD has remained poorly understood. Using SiF4 as Si precursor in growth experiments combined with thermal equilibrium calculations of gas phase composition and quantum chemical computations of the surface chemistry first the silicon chemistry in the CVD process has been probed. It is shown that while growth rates on the order of 35 µm/h can be achieved with a fluorinated chemistry, the deposition chemistry is very sensitive to the mass flows of the precursors and not as robust as the chlorinated CVD chemistry which routinely yields 100 µm/h over wide conditions. By using the position for the onset of epitaxial growth along the gas flow direction as a new measurable, together with modeling, it is conclude that SiF is the main Si growth species with SiHF as a minor Si species contributing to growth. The carbon chemistry in a fluorinated SiC CVD process has been probed by a similar approach. Here it is found that the slow kinetics of the SiF4 molecule needs to be matched by a carbon precursor with comparable slow kinetics. It is shown that methane is a suitable carbon precursor in combination with SiF4. Before a fluorinated CVD chemistry can be adopted in device processing, the effect of fluorine on the dopant incorporation must be understood since dopant incorporation is of paramount importance in semiconductor manufacturing. Dopant incorporation studies for n-type doping with N using N2 and p-type doping with Al using TMAl in fluorinated CVD of homoepitaxial SiC are presented. It is found to be possible to control the doping in SiC epitaxial layers when using a fluorinated CVD chemistry for both n- and p-type material using the C/Si ratio as in standard SiC CVD. However, large area doping uniformity seems to be a challenge for a fluorinated CVD chemistry, most likely due to the very strong Si-F and Al-F bonds. It is found that no additional optically or electrically active defects are created due to the use of fluorine in the CVD process. Finally, the fluorinated chemistry is compared to the chlorinated and brominated chemistries for SiC CVD and an overall model for halogen addition to SiC CVD is presented.
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Razavi, H. Ali. "Identification and control of grinding processes for intermetalic [sic] compunds [sic]". Diss., Georgia Institute of Technology, 2000. http://hdl.handle.net/1853/18917.
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Hürner, Andreas [Verfasser]. "SiC-BIFET : Ein bipolarer SiC-Feldeffekttransistor für das Mittelspannungsnetz / Andreas Hürner". Aachen : Shaker, 2017. http://d-nb.info/1139583328/34.
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Gourbilleau, Fabrice. "Microstructure, interface et oxydation de sic et de nanocomposites sic-tic". Caen, 1993. http://www.theses.fr/1993CAEN2053.
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Une etude de l'oxydation du carbure de silicium ainsi que de la microstructure et de l'oxydation de nanocomposites sic-tic a ete realisee en microscopie electronique en transmission et en haute resolution. L'oxydation du carbure de silicium provoque la formation, tout d'abord, d'une couche de silice amorphe qui cristallise sous forme de spherolites de cristobalite. La presence de pores dans la couche d'oxyde a ete attribuee a l'oxydation des precipites de carbone presents initialement dans le materiau. Pour des epaisseurs superieures a 800 nm, une decohesion a l'interface sic-sio#2 due aux differences de valeur de coefficient de dilatation entre sic et sio#2, apparait. Cette decohesion intervient lors du refroidissement meme lorsque celui-ci est relativement lent (1c par minute). Les nanocomposites sic-tic sont des nouveaux materiaux elabores par cvd a l'imp de perpignan par l'equipe de r. Hillel. Leur etude a revele la presence d'aiguilles constituees de nanocristaux de 10 nm de large sur 10 a 60 nm de long, desorientes les uns par rapport aux autres. Ils sont composes de tic en leur centre et de sic de part et d'autre, le tout etant noye dans une matrice riche en sic et mal cristallisee. Ces aiguilles poussent perpendiculairement au substrat selon une direction <220>, ce mode de croissance dependant de la temperature d'elaboration. Lorsque le refroidissement est trop rapide, des fissures apparaissent dans le depot. Les essais d'oxydation ont provoque la formation de grains de rutile noyes dans une matrice de cristobalite. Le recuit d'oxydation a pour effet un elargissement des aiguilles ainsi que l'apparition de precipites de tic et de sic, et de carbone turbostratique. L'evolution de la microstructure au sein du materiau en fonction de la temperature et du temps d'oxydation engendre des modifications de la cinetique d'oxydation ainsi que de la microstructure de la couche d'oxyde qui dependent de l'avancee du front d'oxydation
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Lebon, Béachlé. "Etude et modélisation de l'endommagement dans des composites tissés SiC/SiC". Paris 6, 1993. http://www.theses.fr/1993PA066145.
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Cette étude décrit l'endommagement des composites tisses sic/sic et propose une modélisation de ce phénomène. L'approche micro-macro adoptée s'appuie sur un apport expérimental et un apport numérique. L'apport expérimental est constitue d'observations in situ des modes d'endommagement au cours de plusieurs essais de traction uni axiale a température ambiante. Le mode de dégradation prépondérant observe étant la fissuration matricielle, on définit une variable d'endommagement liée à la densité de fissures. Les courbes de densité expérimentales en fonction de la charge sont enregistrées. L'apport numérique permet de calculer le comportement homogène équivalent du matériau sain puis endommage a l'aide d'outils numériques (une méthode d'homogénéisation et une approche pseudo tridimensionnelle). On obtient la loi de chute des modules de rigidité en fonction de la variable d'endommagement. Puis on se place dans le cadre de la thermodynamique des milieux continus pour obtenir la loi d'évolution de la variable d'endommagement en utilisant les apports expérimentaux et numériques. Le comportement global obtenu est du type élastique endommageable a seuil variable. Une série de comparaisons entre des essais hors axes et des simulations numériques permet de valider l'approche adoptée
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Gomina, Moussa. "Etude mecanique de materiaux a structure grossiere : comportement a la rupture de composites a fibres c-sic et sic-sic". Caen, 1987. http://www.theses.fr/1987CAEN2042.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
On a etudie le comportement a la rupture de composites ceramiques a fibres c-sic et sic-sic pour les trois orientations principales, et on a utilise les modeles proposes dans la litterature pour tenir compte des perturbations induites par les deformations non-elastiques de ces materiaux. Les resultats obtenus indiquent que ces modeles sont effectivement valides lorsque la propagation de fissure dans le materiau se fait sans pontage de la fissure principale par les fibres (cas de c-sic). Ce travail met en avant l'importance des mecanismes de rupture non-lineaire (microfissurations, deviations de fissure, dechaussement de fibres, rupture et sortie de fibres de la matrice) dans l'energie totale consommee, ainsi que l'orientation de la fissure initiale par rapport a la geometrie du renfort fibreux
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孫, 壽正. "SiC及びSiC/SiC複合材料へのタングステン被覆に関する研究". 京都大学, 2005. http://hdl.handle.net/2433/144456.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
Kyoto University (京都大学)0048
新制・課程博士
博士(エネルギー科学)
甲第11899号
エネ博第125号
新制||エネ||31(附属図書館)
23679
UT51-2005-N733
京都大学大学院エネルギー科学研究科エネルギー応用科学専攻
(主査)教授 香山 晃, 教授 岩瀬 正則, 講師 檜木 達也
学位規則第4条第1項該当
24
Gomina, Moussa. "Etude mécanique de matériaux à structure grossière comportement à la rupture de composites à fibres C-SiC et SiC-SiC /". Grenoble 2 : ANRT, 1987. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb376055108.
Pełny tekst źródła
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Morishita, Kohei. "Microstructure and mechanical property of SiC fiber, SiC/SiC composite and environmental barrier coating exposed in air at high temperatures". 京都大学 (Kyoto University), 2007. http://hdl.handle.net/2433/136188.
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Neuhaeuser, Jens. "Abscheidung von SiC und SiC + Si auf Kohlenstoffsubstraten und deren chemische Oberflaechenmodifizierung". Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 1997. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-199700458.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
Systematische Untersuchungen zur Abscheidung von Siliciumcarbid und Siliciumcarbid mit coabgeschiedenem Silicium auf Kohlenstoffsubstraten werden in dieser Arbeit vorgestellt.
Die Abscheidung erfolgte mittels thermischer CVD in einer CH3SiCl3-H2-Ar-Atmosphaere.
Dabei koennen neue Zusammenhaenge zwischen den Schichteigenschaften, wie chemische Zusammensetzung und Struktur, und den Beschichtungsparametern gewonnen werden.
In einem zweiten Schritt kann das coabgeschiedene Silicium durch eine thermische Nitridierung in Siliciumnitrid umgewandelt werden.
Bei dieser Reaktion reagiert auch die Siliciumcarbidschicht zu Siliciumnitrid.
Ueber den Umweg des Titanium-Einbaus in das SiC + Si-Schichtsystem - dabei bilden sich bei der Beschichtungstemperatur Titaniumsilicide - konnte eine Mischschicht angeboten werden, die das coabgeschiedene Silicium selektiv in Siliciumnitrid umwandelt.
27
Kara, Hudai. "Polishing and erosive wear of pressureless sintered low-SiC alumina/SiC nanocomposites". Thesis, University of Oxford, 2001. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.393557.
Pełny tekst źródła
28
Schöler, Michael [Verfasser]. "Sublimationswachstum von 3C-SiC Einkristallen auf freistehenden 3C-SiC Keimschichten / Michael Schöler". München : Verlag Dr. Hut, 2021. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:101:1-2021100123330773015367.
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Grateau, Luc. "Étude du comportement mécanique de composites monofilamentaires SiC/SiC : rôle de l'interface". Paris 11, 1987. http://www.theses.fr/1987PA112479.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
Cette thèse est consacrée à la réalisation et à l'étude du comportement mécanique de matériaux céramiques composites élémentaire. Chaque composite est constitué d'une fibre Nicalon à base de carbure de silicium revêtue de carbure de silicium ß par dépôt chimique en phase vapeur basse pression (L. P. C. V. D. ). L'influence d'un traitement de surface préalable de la fibre (dépôt mince de carbone pyrolytigue) a également été étudiée. Une machine de traction adaptée à ces matériaux a été développée ainsi qu'une méthodologie pour caractériser leur comportement mécanique (courbe effort-déformation transfert de charge, friction fibre/matrice module d'Young et endommagement). Les composites SiC/0/SiC élaborés sans interphase de carbone présentent une rupture fragile: une fissure matricielle unique traverse la fibre. Les composites SiC/C/SiC ayant subi un traitement de surface ont un comportement mécanique nonlinéaire analogue à celui des matériaux composites unidirectionnels: multifissuration matricielle transverse avec bifurcation des fissures à l'interface fibre/matrice. Sur ce dernier système la contrainte moyenne de friction à l'interface a été déterminée à partir du travail d'extraction. Il a été constaté que dans certains cas la contrainte de friction mesurée est fonction du taux volumique de matrice ce qui s'interprète par un effet de frettage dû aux contraintes résiduelles d'origine thermique. Un phénomène de stick-slip a pu être mis en évidence au cours de l'extraction de certaines fibres. L'approche développée permet de caractériser le comportement dynamique de ces matériaux et pourrait être appliquée, par exemple à la comparaison de différents traitements de surfaceThe aim of this research was to study the mechanical behaviour of elementary ceramic composite materiels. Each composite is constituted of a SiC based Nicalon fibre coated with a ß-SiC "matrix" obtained by low-pressure chemical vapour deposition. The influence of a prior surface treatment of the fibres (deposition of a thin film of pyrolitic carbon) has also been investigated. A tension test has been developed for these systems to determine their mechanical characteristics stress-strain curves, load transfer, friction, modulus, damage assement. The SiC/ /SiC composites, which hace no carbon interphase, exhibit a brittle behaviour: a single crack initiates in the matrix and propagates through the fibre. The SiC/C/SiC composites which contains a carbon interphase exhibit a non-linear mechanical behaviour as in the case of unidirectional ceramic composites multiple fracture occurs in the matrix with deviation of cracks at the matrix/fibre interface. For these composites, the average friction stress at the interface could be determine from the measured extraction work. It could be shown, in some cases, that the friction stress is a fonction of the matrix volume fraction, indicating a fretting effect resulting from thermal residual stress. In several cases, "stick-slip" phenoma during the extraction of the fibre could be recorded. The approach developed in this work permits permits to characterize the dynamic behavior of these elementary composites and could be applied for example to test the effect of different surface treatments
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Aubard, Xavier. "Modélisation et identification du comportement mécanique des matériaux composites 2D SiC-SiC". Paris 6, 1992. http://www.theses.fr/1992PA066393.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
La finalite de l'etude est de modeliser et d'identifier le comportement mecanique, a temperature ambiante, de deux materiaux ceramique-ceramique, a structure tissee, obtenus par c. V. I. Differents modeles de comportement mecanique sont proposes, les plus simples sont isotropes et le plus fin est un meso-modele. Tous ces modeles ont pour base la theorie generale de l'endommagement developpee par p. Ladeveze. Ils ont ete construits a partir de l'exploitation d'essais mecaniques realises avec une methodologie particuliere qui comprend notamment des suivis visuels et acoustiques in situ sur des essais de traction hors-axes. Ces essais ont permis de mettre en evidence une isotropie de comportement avant endommagement et d'identifier trois phases successives d'endommagement. Les domaines de validite des differents modeles ont ete precises a partir d'essais de pression interne et de torsion sur des eprouvettes tubulaires. La gamme de sollicitations choisies pour ces essais sur tubes a aussi permis de valider l'essai iosipescu pour l'obtention du module de cisaillement et de mettre en evidence que l'endommagement de cisaillement est fortement lie aux endommagements dans les directions des fibres
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Pandey, Vinayak. "Quasi-Static and Creep Behavior of Enhanced SIC/SIC Ceramic Matrix Composites". Thesis, Virginia Tech, 2000. http://hdl.handle.net/10919/33959.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
Continuous Fiber Reinforced Ceramic Composites (CFCC's) are being currently investigated as potential materials for high temperature applications such as combustor liners in stationary gas turbines. The creep behavior of woven Enhanced SiC/SiC composites was studied at temperatures from 600 to 1200 °C and at 140 to 220 MPa stress levels. Most researchers studying the creep behavior of ceramic matrix composites (CMCs) use the time hardening model and rate equations for expressing the dependence of creep strain on time, temperature and stress. Such laws, although simple and easy to use, are inadequate to represent the creep behavior over a range of stress levels and temperatures and cannot be used to quantify the pest phenomenon commonly observed in CMCs. Hence, these laws were modified to include the pest phenomenon and an empirical equation was developed that can be used to represent the creep behavior at various stresses and temperatures. The modified equation was used in the finite element analysis and the results were compared with the time and strain hardening models. Microscopic observations on the fractured surfaces revealed the pseudo-ductile behavior of the material at high temperatures. A quasi-static test was conducted at 1200 °C to determine the unloading response of the material. The stress-strain response of the composite demonstrates a hysterisis loop and a small amount of permanent strain, which are characteristic of the CMC's [3]. Finally, a test was
conducted at 1200 oC to investigate the recovery behavior of the material. The material exhibits a tendency to recover the accumulated creep strain as well as the small permanent strain upon unloading, if sufficient time is allowed for recovery.
The creep data were also modeled using the representations such as Monkmon-Grant and Larsen-Miller equations. A modified Monkman-Grant equation was used to model the stratification of the creep strain rate data with temperature. A finite element model based on the plasticity theory was developed to simulate the quasi-static cyclic behavior of the material. Though the loading behavior of CMCs can be modeled using the bilinear or multilinear kinematic hardening plasticity models, the unloading behavior as predicted by the models is entirely different from the experimentally observed behavior. Hence, these models were modified to correctly predict the stress-strain behavior. The model, which was input via a user defined subroutine into the ANSYS finite element program uses the concept of state or internal variables to define the unloading portion of the stress-strain curve. The results were compared with the test data and they show very good agreement. The model was then used to predict the stress-strain response of a plate with a notch. The results from the analysis were compared with the experimental data and they show good agreement if average values of strains are considered.
Master of Science
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Smith, Craig Edward. "Monitoring Damage Accumulation In SiC/SiC Ceramic Matrix Composites Using Electrical Resistance". University of Akron / OhioLINK, 2009. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=akron1249917100.
Pełny tekst źródła
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Le, Gallet Sophie. "L'interphase de nitrure de bore multicouche dans les composites thermostructuraux SiC/SiC". Bordeaux 1, 2001. http://www.theses.fr/2001BOR12476.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
En vue d'améliorer la durée de vie des composites SiC/BN/SiC en atmosphère sèche et humide à haute température, deux voies ont été envisagées (i) l'amélioration de la résistance à l'oxydation de l'interphase de nitrure de bore et (ii) la déviation des fissures matricielles le plus loin possible des fibres, afin de ralentir la progression de l'oxygène vers celles-ci. La première voie consiste soit à accroître le degré de cristallisation du nitrure de bore, afin de retarder la formation de B2O3, soit à doper le nitrure de bore à l'aide de silicium, pour réduire la sensibilité de B2O3 à l'humidité. L'amélioration du degré de cristallisation du nitrure de bore requiert un traitement thermique post-élaboration et la présence d'oxygène au sein du dépôt. La seconde voie consiste à réaliser une interphase ou une matrice multicouche selon un concept de liaison fibre/matrice plus forte que la liaison matrice/matrice. Un meilleur transfert de charge entre les fibres et la matrice est assuré lorsque (i) la couche de carbone initialement présente en surface des fibres est éliminée, (ii) le nitrure de bore est exempt d'oxygène et ne subit pas de traitement thermique post-élaboration, (iii) l'épaisseur d'interphase est faible ou (iv) le nitrure de bore contient une faible quantité de silicium.
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Yang, Wen. "Development of CVI Process and Property Evaluation of CVI-SiC/SiC Composites". Kyoto University, 2002. http://hdl.handle.net/2433/149642.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
Kyoto University (京都大学)0048
新制・課程博士
博士(エネルギー科学)
甲第9683号
エネ博第48号
新制||エネ||14(附属図書館)
UT51-2002-G441
京都大学大学院エネルギー科学研究科エネルギー応用科学専攻
(主査)教授 香山 晃, 教授 吉川 潔, 教授 木村 晃彦
学位規則第4条第1項該当
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Neuhäuser, Jens. "Abscheidung von SiC und SiC(Si) auf Kohlenstoffsubstraten und deren chemische Oberflächenmodifizierung". [S.l. : s.n.], 1997. http://www.bsz-bw.de/cgi-bin/xvms.cgi?SWB10324542.
Pełny tekst źródła
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Grateau, Luc. "Etude du comportement mécanique de composites monofilamentaires SiC/SiC rôle de l'interface /". Grenoble 2 : ANRT, 1987. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37605578w.
Pełny tekst źródła
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Donop, Mark C. "Savanne Suazey revisted [sic]". [Gainesville, Fla.] : University of Florida, 2005. http://purl.fcla.edu/fcla/etd/UFE0013281.
Pełny tekst źródła
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Pelletier, Marielle. "Blanc de mémoire (sic)". Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 2001. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk3/ftp04/MQ60647.pdf.
Pełny tekst źródła
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Beyer, Franziska C. "Deep levels in SiC". Doctoral thesis, Linköpings universitet, Halvledarmaterial, 2011. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-70356.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
Silicon carbide (SiC) has been discussed as a promising material for high power bipolar devices for almost twenty years. Advances in SiC crystal growth especially the development of chemical vapor deposition (CVD) have enabled the fabrication of high quality material. Much progress has further been achieved in identifying minority charge carrier lifetime limiting defects, which may be attributed to structural defects, surface recombination or point defects located in the band gap of SiC. Deep levels can act as recombination centers by interacting with both the valence and conduction band. As such, the defect levels reduce the minority charge carrier lifetime, which is of great importance in bipolar devices. Impurities in semiconductors play an important role to adjust their semiconducting properties. Intentional doping can introduce shallow defect levels to increase the conductivity or deep levels for achieving semi-insulating (SI) SiC. Impurities, especially transition metals generate defect levels deep in the band gap of SiC, which trap charge carriers and thus reduce the charge carrier lifetime. Transition metals, such as vanadium, are used in SiC to compensate the residual nitrogen doping. It has previously been reported that valence band edges of the different SiC polytypes are pinned to the same level and that deep levels related to transition metals can serve as a common reference level; this is known as the LANGER-HEINRICH (LH) rule. Electron irradiation introduces or enhances the concentration of existing point defects, such as the carbon vacancy (VC) and the carbon interstitial (Ci). Limiting the irradiation energy, Eirr, below the displacement energy of silicon in the SiC lattice (Eirr < 220 keV), the generated defects can be attributed to carbon related defects, which are already created at lower Eirr. Ci are mobile at low temperatures and using low temperature heat treatments, the annealing behavior of the introduced Ci and their complexes can be studied. Deep levels, which appear and disappear depending on the electrical, thermal and optical conditions prior to the measurements are associated with metastable defects. These defects can exist in more than one configuration, which itself can have different charge states. Capacitance transient investigations, where the defect’s occupation is studied by varying the depletion region in a diode, can be used to observe such occupational changes. Such unstable behavior may influence device performance, since defects may be electrically active in one configuration and inactive after transformation to another configuration. This thesis is focused on electrical characterization of deep levels in SiC using deep level transient spectroscopy (DLTS). The first part, papers 1-4, is dedicated to defect studies of both impurities and intrinsic defects in as-grown material. The second part, consisting of papers 5-7, is dealing with the defect content after electron irradiation and the annealing behavior of the introduced deep levels. In the first part, transition metal incorporation of iron (Fe) and tungsten (W) is discussed in papers 1 and 2, respectively. Fe and W are possible candidates to compensate the residual nitrogen doping in SiC. The doping with Fe resulted in one level in n-type material and two levels in p-type 4H-SiC. The capture process is strongly coupled to the lattice. Secondary ion mass spectrometry measurements detected the presence of B and Fe. The defects are suggested to be related to Fe and/or Fe-B-pairs. Previous reports on tungsten doping showed that W gives rise to two levels (one shallow and one deep) in 4H- and only one deep level in 6H-SiC. In 3C-SiC, we detected two levels, one likely related to W and one intrinsic defect, labeled E1. The W related energy level aligns well with the deeper levels observed in 4H- and 6H-SiC in agreement with the LH rule. The LH rule is observed from experiments to be also valid for intrinsic levels. The level related to the DLTS peak EH6=7 in 4H-SiC aligns with the level related to E7 in 6H-SiC as well as with the level related to E1 in 3C-SiC. The alignment suggests that these levels may originate from the same defect, probably the VC, which has been proposed previously for 4H- and 6H-SiC. In paper 3, electrical characterization of 3C-layers grown heteroepitaxially on different SiC substrates is discussed. The material was of high quality with a low background doping concentration and SCHOTTKY diodes were fabricated. It was observed that nickel as rectifying contact material exhibits a similar barrier height as the previously suggested gold. A leakage current in the low nA range at a reverse bias of -2 V was achieved, which allowed capacitance transient measurements. One defect related to DLTS peak E1, previously presented in paper 2, was detected and suggested to be related to an intrinsic defect. Paper 4 gives the evidence that chloride-based CVD grown material yields the same kind of defects as reported for standard CVD growth processes. However, for very high growth rates, exceeding 100 mm/h, an additional defect is observed as well as an increase of the Ti-concentration. Based on the knowledge from paper 2, the origin of the additional peak and the assumed increase of Ti-concentration can instead both be attributed to the deeper and the shallower level of tungsten in 4H-SiC, respectively. In the second part of the thesis, studies of low-energy (200 keV) electron irradiated as-grown 4H-SiC were performed. In paper 5, bistable defects, labeled EB-centers, evolved in the DLTS spectrum after the annihilation of the irradiation induced defect levels related to DLTS peaks EH1, EH3 and the bistable M-center. In a detailed annealing study presented in paper 6, the partial transformation of M-centers into the EB-centers is discussed. The transition between the two defects (M-centers → EB-centers) takes place at rather low temperatures (T ≈ 400 oC), which suggests a mobile defect as origin. The M-center and the EB-centers are suggested to be related to Ci and/or Ci complex defects. The EB-centers anneal out at about 700 oC. In paper 7, the DLTS peak EH5, which is observed after low- and high-energy electron irradiation is presented. The peak is associated with a bistable defect, labeled F-center. Configuration A exists unoccupied and occupied by an electron, whereas configuration B is only stable when filled by an electron. Reconfiguration temperatures for both configurations were determined and the reconfiguration energies were calculated from the transition kinetics. The reconfiguration B→A can also be achieved by minority charge carrier injection. The F-center is likely a carbon related defect, since it is already present after low-energy irradiation.
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Tian, David. "SiC JFET Device Modeling". Case Western Reserve University School of Graduate Studies / OhioLINK, 2011. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=case1294852798.
Pełny tekst źródła
41
Martin, David Spencer O'Neill Martin. "Exploring the effect of emoiton [sic] on time-elapsed consumer peceptions [sic] of servic [sic] a reexamination of the satisfaction construct /". Auburn, Ala., 2005. http://repo.lib.auburn.edu/2005%20Summer/master's/MARTIN_DAVID_4.pdf.
Pełny tekst źródła
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DARZENS, SEVERINE. "Fluage en traction sous argon et microstructure de composites sic f-sibc". Caen, 2000. http://www.theses.fr/2000CAEN2083.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
Le comportement en fluage de composites a fibres de carbure de silicium et a matrice multisequencee en sibc, sic f-sibc, a ete etudie, en traction, sous argon, dans le domaine de temperatures 1273-1673k, pour des contraintes comprises entre 120-200 mpa. A cet effet, trois nuances de composites (dependant du type de fibres et du sequencage) ont ete caracterisees d'un point de vue morphologique (par analyse automatique d'images), mais aussi microstrutural aux differentes echelles d'observations : meso-, micro- et nano-metrique (par meb, met et mehr). Une attention particuliere a ete portee a la description microstructurale des differentes couches matricielles, mais egalement aux interfaces et interphases dont celles constituees de carbone pyrolytique, qui jouent un role majeur dans le comportement thermomecanique non fragile de ces materiaux et, tout particulierement, pour le developpement du reseau de microfissures. L'approche macroscopique relative au comportement en fluage des composites sic f-sibc a mis en evidence leur bonne resistance au fluage, comparee a celles des autres cmc, et a montre que la mecanique d'endommagement permettait d'expliquer le comportement de ces materiaux si l'on s'appuie sur les observations microstructurales. Une etude microstructurale multiechelle des materiaux testes a permis, tout d'abord, d'identifier les mecanismes d'endommagement et plus precisement les reseaux de microfissures qui gouvernent la rupture de ces composites. Le role de fusible mecanique des interphases de carbone turbostratique a ete mis en evidence, puis discute en fonction de leurs microstructures. De plus, l'evolution microstruturale des fibres et des couches matricielles a ete determinee en fonction de la temperature et de la contrainte appliquees. En s'appuyant sur les resultats macroscopiques, sur les observations aux differentes echelles, sur la quantification de l'endommagement, et sur les differents micromecanismes mis en jeu, nous avons precise les constituants qui gouvernent le fluage des composites sic f-sibc en fonction du domaine de sollicitation, et propose un mecanisme.
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Stepenuck, Lawrence P. (Lawrence Philip). "The principles and effectiveness of pubic [sic] participaion [sic] in water resource planning". Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 1987. http://hdl.handle.net/1721.1/97291.
Pełny tekst źródła
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Padavala, Balabalaji. "Epitaxy of boron phosphide on AIN, 4H-SiC, 3C-SiC and ZrB₂ substrates". Diss., Kansas State University, 2016. http://hdl.handle.net/2097/32808.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
Doctor of PhilosophyDepartment of Chemical Engineering
James H. Edgar
The semiconductor boron phosphide (BP) has many outstanding features making it attractive for developing various electronic devices, including neutron detectors. In order to improve the efficiency of these devices, BP must have high crystal quality along with the best possible electrical properties. This research is focused on growing high quality crystalline BP films on a variety of superior substrates like AIN, 4H-SiC, 3C-SiC and ZrB₂ by chemical vapor deposition. In particular, the influence of various parameters such as temperature, reactant flow rates, and substrate type and its crystalline orientation on the properties of BP films were studied in detail. Twin-free BP films were produced by depositing on off-axis 4H-SiC(0001) substrate tilted 4° toward [1-100] and crystal symmetry matched zincblende 3C-SiC. BP crystalline quality improved at higher deposition temperature (1200°C) when deposited on AlN, 4H-SiC, whereas increased strain in 3C-SiC and increased boron segregation in ZrB₂ at higher temperatures limited the best deposition temperature to below 1200°C. In addition, higher flow ratios of PH₃ to B₂H₆ resulted in smoother films and improved quality of BP on all substrates. The FWHM of the Raman peak (6.1 cm⁻¹), XRD BP(111) peak FWHM (0.18°) and peak ratios of BP(111)/(200) = 5157 and BP(111)/(220) = 7226 measured on AlN/sapphire were the best values reported in the literature for BP epitaxial films. The undoped films on AlN/sapphire were n-type with a highest electron mobility of 37.8 cm²/V·s and a lowest carrier concentration of 3.15x1018 cm⁻ᶟ. Raman imaging had lower values of FWHM (4.8 cm⁻¹) and a standard deviation (0.56 cm⁻¹) for BP films on AlN/sapphire compared to 4H-SiC, 3C-SiC substrates. X-ray diffraction and Raman spectroscopy revealed residual tensile strain in BP on 4H-SiC, 3C-SiC, ZrB₂/4H-SiC, bulk AlN substrates while compressive strain was evident on AlN/sapphire and bulk ZrB₂ substrates. Among the substrates studied, AlN/sapphire proved to be the best choice for BP epitaxy, even though it did not eliminate rotational twinning in BP. The substrates investigated in this work were found to be viable for BP epitaxy and show promising potential for further enhancement of BP properties.
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Hinoki, Tatsuya. "Investigation of Mechanical Properties and Microstructure of SiC/SiC Composites for Nuclear Application". Kyoto University, 2001. http://hdl.handle.net/2433/150496.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
Kyoto University (京都大学)0048
新制・課程博士
博士(エネルギー科学)
甲第9050号
エネ博第37号
新制||エネ||10(附属図書館)
UT51-2001-F380
京都大学大学院エネルギー科学研究科エネルギー応用科学専攻
(主査)教授 香山 晃, 教授 塩津 正博, 教授 木村 晃彦
学位規則第4条第1項該当
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Chen, Hong. "An improvement pla [sic] of bliter [sic] packaging lines in Wright Products Corp". Online version, 1999. http://www.uwstout.edu/lib/thesis/1999/1999chenh.pdf.
Pełny tekst źródła
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Pasquier, Sophie. "Comportement thermomécanique d'un composite de type SiC/SiC à interphase séquencée : effet de l'environnement". Bordeaux 1, 1997. http://www.theses.fr/1997BOR10681.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
Cette these porte sur un nouveau concept d'interphase : les interphases sequencees constituees par l'alternance, a l'echelle de quelques dizaines de nanometres, de couches minces de materiaux aux proprietes physiques et mecaniques differentes, (materiaux rigides et souples). Le materiau de cette etude est un composite 2d a fibre et matrice carbure de silicium (sic) realise par infiltration chimique en phase vapeur (cvi), et contenant une interphase sequencee de carbone et de sic (pyc/sic)#n. L'adjonction de couches rigides de sic au sein des couches souples de carbone n'altere ni la tenacite, ni les proprietes mecaniques du materiau teste en traction unidirectionnelle a temperature ambiante. Au contraire, le sequencage constitue un obstacle efficace a la propagation des fissures aux interfaces et loin de la fibre. Lorsque ce composite est sollicite en traction a haute temperature (entre 700c et 1200c) et en atmosphere oxydant (air), ses proprietes se degradent car les couches de pyc au sein de l'interphase s'oxydent rapidement. L'evolution physico-chimique et morphologique de l'interphase lors du vieillissement du composite sous charge (60-140 mpa) en atmosphere oxydante est analysee. La duree de vie du composite a interphase multicouche est amelioree de facon significative par rapport a un composite a interphase simple de pyc.
48
Droillard, Christine. "Elaboration et caractérisation de composites à matrice SiC et à interphase séquencée C/SiC". Bordeaux 1, 1993. http://www.theses.fr/1993BOR10558.
Pełny tekst źródłaStreszczenie:
Des interphases composees de couches alternees de carbone et de sic, visant a ameliorer les proprietes mecaniques des composites sic/sic, ont ete elaborees par cvi. L'analyse de la structure des couches puis des fissures en microscopie electronique en transmission permet de mieux comprendre les mecanismes de fissuration au sein d'une interphase sequencee. Le comportement mecanique a ete caracterise grace a des essais de traction, en fonction de certaines proprietes interfaciales (#0, l#s, #s,. . . ). Les proprietes mecaniques ont ensuite ete examinees par le concept de courbe r. Une approche reliant le taux de relaxation d'energie g a la taille de la process zone en fond d'entaille est proposee. G, determine en utilisant un systeme equivalent de deux eprouvettes ct exemptes de process zone, est directement exprime en fonction de la complaisance du materiau endommage
49
Cojean, Didier. "Composites SiC/C/SiC : Relation entre les propriétés mécaniques et la microtexture des interphases". Pau, 1991. http://www.theses.fr/1991PAUU3022.
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Dans le but de diminuer les forces d'adhésion entre fibre et matrice les fibres Nicalon sont recouvertes de pyrocarbone préalablement à la densification par la matrice. Cependant, malgré une épaisseur constante de pyrocarbone déposé (0,1 m), on obtient une gamme très étendue d'allongements à la rupture (de 0,16 a 0,87%), selon les conditions d'élaboration. Une étude détaillée, par microscopie électronique à transmission des interfaces fibre/matrice a permis de relier les propriétés d'adhésion à la microtexture. La microtexture du pyrocarbone ne change pas d'un composite à l'autre. Par conséquent, les valeurs d'allongement à la rupture semblent être étroitement liées au degré d'anisotropie de la couche carbonée directement au contact de la fibre. On observe les plus grandes valeurs lorsqu'une telle couche carbonée anisotrope se trouve au contact d'une couche de silice amorphe recouvrant les fibres, en raison de la très faible adhésion entre la silice et les faces des couches aromatiques. Au contraire, les plus faibles valeurs d'allongements à la rupture sont obtenues en l'absence de silice et de couches carbonées anisotropes. Les composites présentant des valeurs d'allongements à la rupture intermédiaires possèdent d'autres types d'interphases carbonées où l'orientation spatiale et l'organisation structurale des couches carbonées sont toujours les facteurs déterminants qui contrôlent les forces d'adhésion. Nous avons aussi pu mettre en evidence que l'oxydation des fibres et de la matrice débute avant la disparition complète du pyrocarbone. Ainsi, le pyrocarbone, bien qu'altéré, peut subsister dans les zones interfaciales, entouré de silice. D'une manière générale, nous avons pu montrer que la cinétique d'oxydation de la fibre Nicalon est supérieure à celle de la matrice SiC.
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ROUILLON, MARIE-THERESE. "Resistance a la propagation de fissure de materiaux composites ceramiques sic/c/sic 2d". Caen, 1993. http://www.theses.fr/1993CAEN2027.
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Dans ce memoire nous proposons une etude de la resistance a la propagation de fissure de deux nuances de materiaux composites ceramiques a fibres sic/c/sic, a partir de longueurs physiques de fissure. Dans ce but, une methode de marquage du front de fissure dans le volume des eprouvettes est eprouvee sur des materiaux c-sic 2d. Les influences de differents parametres experimentaux (type d'essai et dimensions d'eprouvettes) sur les courbes de resistance r sont etudiees. Nous montrons que les allures et les valeurs de courbes k#r obtenues sur des eprouvettes de flexion trois points ou de traction compacte de petite taille surestiment le comportement de ces materiaux vis-a-vis de la propagation de fissure. Pour une epaisseur d'eprouvette donnee, une taille minimale de ligament est necessaire pour realiser des mesures k#r fiables