Gotowa bibliografia na temat „Semiconductor light sources”
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Artykuły w czasopismach na temat "Semiconductor light sources"
Shields, Andrew J. "Semiconductor quantum light sources". Nature Photonics 1, nr 4 (kwiecień 2007): 215–23. http://dx.doi.org/10.1038/nphoton.2007.46.
Pełny tekst źródłaChen, Disheng, i Weibo Gao. "Quantum light sources from semiconductor". Journal of Semiconductors 40, nr 7 (lipiec 2019): 070301. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/40/7/070301.
Pełny tekst źródłaSokolovskii, G. S., V. V. Dudelev, S. N. Losev, K. K. Soboleva, A. G. Deryagin, K. A. Fedorova, V. I. Kuchinskii, W. Sibbett i E. U. Rafailov. "Bessel beams from semiconductor light sources". Progress in Quantum Electronics 38, nr 4 (lipiec 2014): 157–88. http://dx.doi.org/10.1016/j.pquantelec.2014.07.001.
Pełny tekst źródłaNagai, Haruo. "Semiconductor light sources for photonic sensing". Optics & Laser Technology 29, nr 2 (marzec 1997): xv. http://dx.doi.org/10.1016/s0030-3992(97)88450-2.
Pełny tekst źródłaKhramtsov, Igor A., i Dmitry Yu Fedyanin. "Superinjection of Holes in Homojunction Diodes Based on Wide-Bandgap Semiconductors". Materials 12, nr 12 (19.06.2019): 1972. http://dx.doi.org/10.3390/ma12121972.
Pełny tekst źródłaGaisler, V. A., I. A. Derebezov, A. V. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. M. Kachanova, Yu A. Zhivodkov, A. S. Kozhuhov, D. V. Scheglov i A. V. Latyshev. "Subminiature Light Sources Based on Semiconductor Nanostructures". Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing 56, nr 5 (wrzesień 2020): 518–26. http://dx.doi.org/10.3103/s8756699020050052.
Pełny tekst źródłaJIANG, Zi-qi, Xiao-mei LIU, Hua LIU i Peng PENG. "Design of semiconductor laser white light sources". Chinese Journal of Liquid Crystal and Displays 36, nr 3 (2021): 371–78. http://dx.doi.org/10.37188/cjlcd.2020-0225.
Pełny tekst źródłaRyzhikov, I. V., N. N. Rudenko i T. T. Silakova. "Semiconductor light sources—the revolution in optoelectronics". Radioelectronics and Communications Systems 51, nr 4 (kwiecień 2008): 224–31. http://dx.doi.org/10.3103/s0735272708040079.
Pełny tekst źródłaChou, H., i S. Ezekiel. "Wavelength stabilization of broadband semiconductor light sources". Optics Letters 10, nr 12 (1.12.1985): 612. http://dx.doi.org/10.1364/ol.10.000612.
Pełny tekst źródłaSokolovskii, G. S., V. V. Dudelev, S. N. Losev, S. A. Zolotovskaya, A. G. Deryagin, V. I. Kuchinskii, E. U. Rafailov i W. Sibbett. "Generation of propagation-invariant light beams from semiconductor light sources". Technical Physics Letters 34, nr 12 (grudzień 2008): 1075–78. http://dx.doi.org/10.1134/s1063785008120262.
Pełny tekst źródłaRozprawy doktorskie na temat "Semiconductor light sources"
McRobbie, Andrew Douglas. "Novel semiconductor based light sources". Thesis, University of St Andrews, 2009. http://hdl.handle.net/10023/565.
Pełny tekst źródłaMcRobbie, Andrew Douglas. "Novel semiconductor based light sources /". St Andrews, 2008. http://hdl.handle.net/10023/565.
Pełny tekst źródłaNutz, Thomas. "Semiconductor quantum light sources for quantum computing". Thesis, Imperial College London, 2018. http://hdl.handle.net/10044/1/63931.
Pełny tekst źródłaCao, Yameng. "Semiconductor light sources for photonic quantum computing". Thesis, Imperial College London, 2015. http://hdl.handle.net/10044/1/56619.
Pełny tekst źródłaFedorova, Ksenia Alexandrovna. "Novel semiconductor based broadly tunable light sources". Thesis, University of Dundee, 2011. https://discovery.dundee.ac.uk/en/studentTheses/ce12469e-3473-4a97-9f4d-45ade4c0acfb.
Pełny tekst źródłaAßmann, Marc [Verfasser]. "Photon Statistics of Semiconductor Light Sources / Marc Aßmann". Dortmund : Universitätsbibliothek Technische Universität Dortmund, 2011. http://d-nb.info/1011568535/34.
Pełny tekst źródłaYang, Ying. "Organic semiconductor lasers : compact hybrid light sources and development of applications". Thesis, University of St Andrews, 2010. http://hdl.handle.net/10023/2569.
Pełny tekst źródłaKonthasinghe, Kumarasiri. "Resonant Light Scattering from Semiconductor Quantum Dots". Scholar Commons, 2016. http://scholarcommons.usf.edu/etd/6527.
Pełny tekst źródłaHalpaap, Donatus. "Experimental study of speckle generated by semiconductor light sources: application in double pass imaging". Doctoral thesis, Universitat Politècnica de Catalunya, 2019. http://hdl.handle.net/10803/668261.
Pełny tekst źródłaEstudio experimental del speckle generado por fuentes de luz semiconductoras: aplicación en imágenes de doble paso Con la técnica de doble paso (DP) es posible cuantificar la calidad óptica del ojo de un paciente midiendo la función de dispersión de punto. Debido a la baja reflectividad de la retina, se requiere una fuente de luz puntual de alta intensidad. Una fuente de luz ampliamente utilizada en sistemas de DP son los diodos láser (LD). Los diodos láser son fuentes de luz coherentes que producen patrones de interferencia cuando se ilumina una superficie rugosa. Este fenómeno de interferencia, denominado speckle, deteriora la calidad de la imagen y puede hacer que las imágenes de DP sean difíciles o imposibles de interpretar. Una solución eficaz y de bajo coste para reducir el speckle en las imágenes de DP es incluir un espejo vibratorio en el camino óptico del sistema para promediar sobre las diferentes realizaciones de patrones de speckle. Sin embargo, las partes mecánicas vibratorias no son una solución óptima puesto que limitan la longevidad y fiabilidad de equipos médicos. El objetivo de esta tesis es encontrar una solución no mecánica de bajo coste para la reducción de speckle en imágenes de DP basada en fuentes de luz semiconductoras de baja coherencia. Comparamos un LD, un diodo emisor de luz (LED) y un diodo superluminiscente (SLED) en términos de formación de speckle, coste y usabilidad en sistemas de DP. Encontramos que el SLED es una buena alternativa a la iluminación con LD, ya que la cantidad de speckle en la imagen es prácticamente la misma que la obtenida con un LD y un espejo vibratorio. Sin embargo, el SLED no es una solución de bajo coste. Con el fin de identificar una solución totalmente óptica y económicamente rentable, analizamos los patrones de speckle generados por un LD en función de su corriente de bombeo. Nuestros experimentos sugieren que trabajar con corrientes por debajo del umbral del láser puede ser una solución económicamente viable para la reducción de speckle. En muchas aplicaciones de imaging se intenta evitar el speckle. De todas formas, el patrón de speckle puede contener información útil que se utiliza, por ejemplo, en el análisis del flujo sanguíneo o para la reconstrucción de objetos. Hemos observado que ajustar la corriente de bombeo de un LD (es decir, adaptar la coherencia de la luz utilizada para la toma de imágenes) puede ser una manera simple y efectiva de aumentar o reducir la cantidad de speckle. Para obtener imágenes con la misma intensidad hay que adaptar el tiempo de exposición del sistema de adquisición de imágenes. En particular, identificamos condiciones que permiten adquirir imágenes con una intensidad mediana similar, pero con valores de contraste de speckle que varían entre 0,16 y 0,99.
Estudi experimental de l’speckle generat per fonts de llum semiconductores: aplicació en imatges de doble pas Amb la tècnica de doble pas (DP) és possible quantificar la qualitat òptica de l’ull d’un pacient mesurant la funció de dispersió de punt. A causa de la baixa reflectivitat de la retina, es requereix una font de llum puntual d’alta intensitat. Una font de llum ampliament utilitzada en sistemes de DP són els díodes làser (LD). Els díodes làser són fonts de llum coherents que produeixen patrons d’interferència quan s’il·lumina una superficie rugosa. Aquest fenomen d’interferència, anomenat speckle, deteriora la qualitat de la imatge i pot fer que les imatges de DP siguin difícils o impossibles d’interpretar. Una solució eficaç i de baix cost per a reduir l’speckle en les imatges de DP és incloure un mirall vibratori en el camí òptic del sistema per tal de fer la mitjana sobre les diferents realitzacions de patrons d’speckle. No obstant, les parts mecàniques vibratòries no són una solució òptima ja que limiten la longevitat i fiabilitat d’equips mèdics. L’objectiu d’aquesta tesi és trobar una solució no mecànica de baix cost per a la reducció d’speckle en imatges de DP basada en fonts de llum semiconductores de baixa coherència. Comparem un LD, un díode emissor de llum (LED) i un díode superluminiscent (SLED) en termes de formació d’speckle, cost i usabilitat en sistemes de DP. Trobem que l’SLED és una bona alternativa a la il·luminació amb LD, ja que la reducció de la quantitat d’speckle en la imatge és pràcticament la mateixa que l’obtinguda amb un LD i un mirall vibratori. Tanmateix, l’SLED no és una solució de baix cost. Amb la finalitat d’identificar una solució totalment òptica i econòmicament rendible, analitzem els patrons d’speckle generats per un LD en funció del seu corrent de bombeig. Els nostres experiments suggereixen que treballar amb corrents per sota del llindar d’encesa del làser pot ser una solució econòmicament viable per a la reducció d’speckle. En moltes aplicacions d’imaging s’intenta evitar l’speckle. Tot i així, el patró d’speckle pot contenir informació útil que s’utilitza, per exemple, en l’anàlisi del flux sanguini o per a la reconstrucció d’objectes. Hem observat que ajustar el corrent de bombeig d’un LD (és a dir, adaptar la coherència de la llum utilitzada per a la presa d’imatges) pot ser una manera simple i efectiva d’augmentar o reduir la quantitat d’speckle. Per tal d’obtenir imatges amb la mateixa intensitat cal adaptar el temps d’exposició del sistema d’adquisició d’imatges. En particular, identifiquem condicions que permeten adquirir imatges amb una intensitat mitjana similar, però amb valors de contrast d’speckle que varien entre 0,16 i 0,99.
De, Simoni Giorgio. "From anti-bunching to lasing: planar junctions in semiconductor heterostructures". Doctoral thesis, Scuola Normale Superiore, 2013. http://hdl.handle.net/11384/85866.
Pełny tekst źródłaKsiążki na temat "Semiconductor light sources"
Khanh, Tran Quoc, Peter Bodrogi i Trinh Quang Vinh. Color Quality of Semiconductor and Conventional Light Sources. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2017. http://dx.doi.org/10.1002/9783527803453.
Pełny tekst źródłaManfred, Helm, red. Long wavelength infrared emitters based on quantum wells and superlattices. Amsterdam, Netherlands: Gordon & Breach, 2000.
Znajdź pełny tekst źródłaKhanh, Tran Quoc, Trinh Quang Vinh i Péter Bodrogi. Color Quality of Semiconductor and Conventional Light Sources. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2016.
Znajdź pełny tekst źródłaKhanh, Tran Quoc, Trinh Quang Vinh i Péter Bodrogi. Color Quality of Semiconductor and Conventional Light Sources. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2016.
Znajdź pełny tekst źródłaKhanh, Tran Quoc, Trinh Quang Vinh i Péter Bodrogi. Color Quality of Semiconductor and Conventional Light Sources. Wiley & Sons, Limited, John, 2017.
Znajdź pełny tekst źródłaKhanh, Tran Quoc, Trinh Quang Vinh i Péter Bodrogi. Color Quality of Semiconductor and Conventional Light Sources. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2016.
Znajdź pełny tekst źródłaColor Quality of Semiconductor and Conventional Light Sources. Wiley & Sons, Limited, John, 2017.
Znajdź pełny tekst źródłaAndersen, Peter E., i Paul Michael Petersen, red. Semiconductor Lasers and Diode-based Light Sources for Biophotonics. Institution of Engineering and Technology, 2018. http://dx.doi.org/10.1049/pbhe007e.
Pełny tekst źródłaPetersen, Paul Michael, i Peter E. Andersen. Semiconductor Lasers and Diode-Based Light Sources for Biophotonics. Institution of Engineering & Technology, 2018.
Znajdź pełny tekst źródłaPetersen, Paul Michael, i Peter E. Andersen. Semiconductor Lasers and Diode-Based Light Sources for Biophotonics. Institution of Engineering & Technology, 2018.
Znajdź pełny tekst źródłaCzęści książek na temat "Semiconductor light sources"
Amann, M. C. "Semiconductor Light Sources". W Optical Properties of Semiconductors, 291–320. Dordrecht: Springer Netherlands, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-015-8075-5_10.
Pełny tekst źródłaNezhad, Maziar P., Aleksandar Simic, Amit Mizrahi, Jin-Hyoung Lee, Michael Kats, Olesya Bondarenko, Qing Gu, Vitaliy Lomakin, Boris Slutsky i Yeshaiahu Fainman. "Nanoscale Metallo-Dielectric Coherent Light Sources". W Compact Semiconductor Lasers, 1–32. Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2014. http://dx.doi.org/10.1002/9783527655342.ch1.
Pełny tekst źródłaSpäth, Werner. "Microoptical Structures for Semiconductor Light Sources". W Microoptics, 253–59. New York, NY: Springer New York, 2004. http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-34725-7_14.
Pełny tekst źródłaScholz, M., T. Aichele i O. Benson. "Quantum information with quantum dot light sources". W Single Semiconductor Quantum Dots, 367–84. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-87446-1_11.
Pełny tekst źródłaGies, Christopher, Matthias Florian, Alexander Steinhoff i Frank Jahnke. "Theory of Quantum Light Sources and Cavity-QED Emitters Based on Semiconductor Quantum Dots". W Quantum Dots for Quantum Information Technologies, 3–40. Cham: Springer International Publishing, 2017. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-56378-7_1.
Pełny tekst źródłaValeev, Rishat G., Alexander V. Vakhrushev, Aleksey Yu Fedotov i Dmitrii I. Petukhov. "Brief Overview of the Literature on Nanostructural Electroluminescent Light Sources". W Nanostructured Semiconductors in Porous Alumina Matrices, 1–17. Includes bibliographical references and index.: Apple Academic Press, 2019. http://dx.doi.org/10.1201/9780429398148-1.
Pełny tekst źródłaLandgraf, Stephan. "Semiconductor Lights Sources in Modulation Fluorometry Using Digital Storage Oscilloscopes". W Reviews in Fluorescence 2004, 341–63. Boston, MA: Springer US, 2004. http://dx.doi.org/10.1007/978-0-306-48672-2_15.
Pełny tekst źródłaSHIELDS, ANDREW J. "Semiconductor quantum light sources". W Nanoscience and Technology, 221–29. Co-Published with Macmillan Publishers Ltd, UK, 2009. http://dx.doi.org/10.1142/9789814287005_0023.
Pełny tekst źródła"Semiconductor Lasers". W Fundamentals of Light Sources and Lasers, 313–25. Hoboken, NJ, USA: John Wiley & Sons, Inc., 2004. http://dx.doi.org/10.1002/0471675210.ch13.
Pełny tekst źródłaShenoy, M. R. "Semiconductor Light Sources and Detectors". W Guided Wave Optics and Photonic Devices, 167–202. CRC Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1201/b14841-8.
Pełny tekst źródłaStreszczenia konferencji na temat "Semiconductor light sources"
Bhattacharya, Pallab, Michael Holub, Jonghyun Shin i Subhananda Chakrabarti. "Spin-polarized semiconductor light sources". W Integrated Optoelectronic Devices 2005, redaktorzy Diana L. Huffaker i Pallab K. Bhattacharya. SPIE, 2005. http://dx.doi.org/10.1117/12.606609.
Pełny tekst źródłaSunday, Daniel F., Donald Windover i R. Joseph Kline. "Compact X-ray Sources for Metrology Applications in the Semiconductor Industry". W Compact EUV & X-ray Light Sources. Washington, D.C.: OSA, 2016. http://dx.doi.org/10.1364/euvxray.2016.em6a.4.
Pełny tekst źródłaOmote, Kazuhiko, i Yoshiyasu Ito. "X-Ray CD Metrology for Determining Cross-Sectional Profile of Semiconductor Device Patterns". W Compact EUV & X-ray Light Sources. Washington, D.C.: OSA, 2016. http://dx.doi.org/10.1364/euvxray.2016.em8a.1.
Pełny tekst źródłaHansson, B. A. M., O. Hemberg, G. Johansson, M. Otendal, T. Tuohimaa i P. Takman. "Liquid-metal-jet X-ray tube technology for characterization and metrology in semiconductor applications". W Compact EUV & X-ray Light Sources. Washington, D.C.: OSA, 2016. http://dx.doi.org/10.1364/euvxray.2016.em4a.1.
Pełny tekst źródłaNagai, Haruo. "Semiconductor light sources for photonic sensing". W Optical Fiber Sensors. Washington, D.C.: OSA, 1996. http://dx.doi.org/10.1364/ofs.1996.we41.
Pełny tekst źródłaKim, Je Won. "Nano-sized rod array for semiconductor light sources". W Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXV, redaktorzy Martin Strassburg, Jong Kyu Kim i Michael R. Krames. SPIE, 2021. http://dx.doi.org/10.1117/12.2583380.
Pełny tekst źródłaBuck, Martin. "Considerations for light sources: For semiconductor light sensor test". W 2015 20th International Mixed-Signal Testing Workshop (IMSTW). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/ims3tw.2015.7177862.
Pełny tekst źródłaGregorich, Thomas, i Johannes Ruoff. "The Evolution of Moore’s Law and Opportunities for the Use of X-ray Systems to Analyze Advanced Semiconductor Packages". W Compact EUV & X-ray Light Sources. Washington, D.C.: OSA, 2020. http://dx.doi.org/10.1364/euvxray.2020.ew3a.1.
Pełny tekst źródłaSenellart, Pascale. "Semiconductor quantum light sources: Progresses and applications". W Photonics for Quantum. SPIE, 2021. http://dx.doi.org/10.1117/12.2603516.
Pełny tekst źródłaKoch, T. L. "Integrated tunable light sources for telecommunications". W Conference Digest. 2004 IEEE 19th International Semiconductor Laser Conference. IEEE, 2004. http://dx.doi.org/10.1109/islc.2004.4612656.
Pełny tekst źródłaRaporty organizacyjne na temat "Semiconductor light sources"
Khitrova, Galina, i Hyatt M. Gibbs. Developing Rare-Earth Doped Semiconductor Light Sources. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, czerwiec 1997. http://dx.doi.org/10.21236/ada329764.
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