Artykuły w czasopismach na temat „RF high power amplifiers”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „RF high power amplifiers”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Qin, Wei, Yong Tao Li, Ying Jie Li i Xiao Ping Xu. "High Efficiency 500W RF Generator". Advanced Materials Research 383-390 (listopad 2011): 1333–36. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.383-390.1333.
Pełny tekst źródłaGao, S. "High-efficiency class-F RF/microwave power amplifiers". IEEE Microwave Magazine 7, nr 1 (luty 2006): 40–48. http://dx.doi.org/10.1109/mmw.2006.1614233.
Pełny tekst źródłaJaehyok Yi, Youngoo Yang, Myungkyu Park, Wonwoo Kang i Bumman Kim. "Analog predistortion linearizer for high-power RF amplifiers". IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 48, nr 12 (2000): 2709–13. http://dx.doi.org/10.1109/22.899034.
Pełny tekst źródłaVasic, Miroslav, Oscar Garcia, Jesus Angel Oliver, Pedro Alou, Daniel Diaz i Jose Antonio Cobos. "Multilevel Power Supply for High-Efficiency RF Amplifiers". IEEE Transactions on Power Electronics 25, nr 4 (kwiecień 2010): 1078–89. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2009.2033186.
Pełny tekst źródłaMemioglu, O., O. Kazan, A. Karakuzulu, I. Turan, A. Gundel, F. Kocer i O. A. Civi. "Development of X-Band Transceiver MMIC’s Using GaN Technology". Advanced Electromagnetics 8, nr 2 (24.02.2019): 1–9. http://dx.doi.org/10.7716/aem.v8i2.1012.
Pełny tekst źródłaKarsli, Ozlem, Avni Aksoy, Caglar Kaya, Burak Koc, Mustafa Dogan, O. Faruk Elcim i Mehmet Bozdogan. "High power RF operations studies at TARLA facility". Canadian Journal of Physics 97, nr 11 (listopad 2019): 1171–76. http://dx.doi.org/10.1139/cjp-2018-0778.
Pełny tekst źródłaOrtega-González, Francisco Javier. "New driver for high-efficiency switching RF power amplifiers". Microwave and Optical Technology Letters 43, nr 5 (5.10.2004): 370–72. http://dx.doi.org/10.1002/mop.20472.
Pełny tekst źródłaStopel, Alon, Mark Leibovitch i Yoram Shapira. "Nonuniform RF Overstress in High-Power Transistors and Amplifiers". IEEE Transactions on Electron Devices 55, nr 4 (kwiecień 2008): 1067–73. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2008.916719.
Pełny tekst źródłaReveyrand, T., I. Ramos i Z. Popović. "Time-reversal duality of high-efficiency RF power amplifiers". Electronics Letters 48, nr 25 (6.12.2012): 1607–8. http://dx.doi.org/10.1049/el.2012.3004.
Pełny tekst źródłaMontesinos, Ronald, Corinne Berland, Mazen Abi Hussein, Olivier Venard i Philippe Descamps. "Analysis of RF power amplifiers in LINC systems". International Journal of Microwave and Wireless Technologies 4, nr 1 (5.01.2012): 81–91. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078711001085.
Pełny tekst źródłaEroglu, A. "N-way planar high-power combiner design for RF power amplifiers". IET Science, Measurement & Technology 2, nr 2 (1.03.2008): 61–67. http://dx.doi.org/10.1049/iet-smt:20070033.
Pełny tekst źródłaSriram, S., A. Ward, J. Henning i S. T. Allen. "SiC MESFETs for High-Frequency Applications". MRS Bulletin 30, nr 4 (kwiecień 2005): 308–11. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2005.79.
Pełny tekst źródłaRadivojevic, Z., K. Andersson, J. A. Bielen, P. J. van der Wel i J. Rantala. "Operating limits for RF power amplifiers at high junction temperatures". Microelectronics Reliability 44, nr 6 (czerwiec 2004): 963–72. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2004.02.014.
Pełny tekst źródłaOzen, Mustafa, Rik Jos, Christer M. Andersson, Mustafa Acar i Christian Fager. "High-Efficiency RF Pulsewidth Modulation of Class-E Power Amplifiers". IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 59, nr 11 (listopad 2011): 2931–42. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2011.2163729.
Pełny tekst źródłaGuan, Lei, Ray Kearney, Chao Yu i Anding Zhu. "High-performance digital predistortion test platform development for wideband RF power amplifiers". International Journal of Microwave and Wireless Technologies 5, nr 2 (11.03.2013): 149–62. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078713000184.
Pełny tekst źródłaLandin, Per N., Kurt Barbé, Wendy Van Moer, Magnus Isaksson i Peter Händel. "Two novel memory polynomial models for modeling of RF power amplifiers". International Journal of Microwave and Wireless Technologies 7, nr 1 (2.04.2014): 19–29. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078714000397.
Pełny tekst źródłaMohadeskasaei, Seyed Alireza, Jianwei An, Yueyun Chen, Zhi Li, Sani Umar Abdullahi i Tie Sun. "Systematic Approach for Design of Broadband, High Efficiency, High Power RF Amplifiers". ETRI Journal 39, nr 1 (1.02.2017): 51–61. http://dx.doi.org/10.4218/etrij.17.0116.0440.
Pełny tekst źródłaJardel, Olivier, Jean-Claude Jacquet, Lény Baczkowski, Dominique Carisetti, Didier Lancereau, Maxime Olivier, Raphaël Aubry i in. "InAlN/GaN HEMTs based L-band high-power packaged amplifiers". International Journal of Microwave and Wireless Technologies 6, nr 6 (25.02.2014): 565–72. http://dx.doi.org/10.1017/s175907871400004x.
Pełny tekst źródłaRymanov, V., M. Palandöken, S. Dülme, T. Tekin i A. Stöhr. "Compact Photonic Package for High-Power E-Band (60–90 GHz) Photoreceiver Modules". International Symposium on Microelectronics 2013, nr 1 (1.01.2013): 000883–86. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2013-thp43.
Pełny tekst źródłaWatkins, Gavin T., i Konstantinos Mimis. "High linearity lead-lag style envelope modulator for RF power amplifiers". International Journal of Microwave and Wireless Technologies 8, nr 3 (1.04.2015): 463–70. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078715000525.
Pełny tekst źródłaStopel, A., A. Khramtsov, S. Solodky, A. Fainbrun i Yoram Shapira. "Direct Monitoring of RF Overstress in High-Power Transistors and Amplifiers". IEEE Electron Device Letters 28, nr 5 (maj 2007): 357–59. http://dx.doi.org/10.1109/led.2007.895437.
Pełny tekst źródłaKobayashi, H., J. M. Hinrichs i P. M. Asbeck. "Current-mode class-D power amplifiers for high-efficiency RF applications". IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 49, nr 12 (2001): 2480–85. http://dx.doi.org/10.1109/22.971639.
Pełny tekst źródłaAloisio, Marinella, Piero Angeletti i Salvatore D'Addio. "Accurate Modeling and Analysis of Isolation Performance in Multiport Amplifiers". Active and Passive Electronic Components 2012 (2012): 1–4. http://dx.doi.org/10.1155/2012/738367.
Pełny tekst źródłaAli, Firas M., Mahmuod H. Al-Muifraje i Thamir R. Saeed. "An Analytic Design Approach to Inverse Class-F RF Power Amplifiers". Engineering and Technology Journal 38, nr 2A (25.02.2020): 211–25. http://dx.doi.org/10.30684/etj.v38i2a.301.
Pełny tekst źródłaAhmed, Sajjad, Mohammad Saad El Dine, Guillaume Neveux, Tibault Reveyrand, Denis Barataud i Jean-Michel Nebus. "4-Channel, time-domain measurement system using track and hold amplifier for the characterization and linearization of high-power amplifiers". International Journal of Microwave and Wireless Technologies 4, nr 1 (17.11.2011): 71–79. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078711000973.
Pełny tekst źródłaSCHLECHTWEG, M. "HIGH FREQUENCY CIRCUITS BASED ON GaAs PHEMT TECHNOLOGY FOR MODERN SENSOR AND COMMUNICATION SYSTEMS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 10, nr 01 (marzec 2000): 393–411. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156400000404.
Pełny tekst źródłaBesombes, Florent, Raphaël Sommet, Julie Mazeau, Edouard Ngoya i Jean-Paul Martinaud. "Implementation of electrothermal system-level model for RF power amplifiers in Scilab/Scicos environment". International Journal of Microwave and Wireless Technologies 1, nr 6 (grudzień 2009): 489–95. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078709990602.
Pełny tekst źródłaNam, Hyosung, Taejoo Sim i Junghyun Kim. "A 2.4 GHz 20 W 8-channel RF Source Module with Solid-State Power Amplifiers for Plasma Generators". Electronics 9, nr 9 (26.08.2020): 1378. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9091378.
Pełny tekst źródłaZhang, Xiangyin, Xiaodong Zhu, Ying Liu i Youxi Tang. "A High-Accuracy Metric for Predicting the Power De-Rating of RF Power Amplifiers". IEEE Microwave and Wireless Components Letters 25, nr 5 (maj 2015): 346–48. http://dx.doi.org/10.1109/lmwc.2015.2409983.
Pełny tekst źródłaMimis, Konstantinos, i Gavin Tomas Watkins. "Impact of time misalignment and input signal statistics in dynamically load-modulated amplifiers". International Journal of Microwave and Wireless Technologies 7, nr 3-4 (czerwiec 2015): 327–37. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078715000914.
Pełny tekst źródłaKwak, Myoungbo, Donald F. Kimball, Calogero D. Presti, Antonino Scuderi, Carmelo Santagati, Jonmei J. Yan, Peter M. Asbeck i Lawrence E. Larson. "Design of a Wideband High-Voltage High-Efficiency BiCMOS Envelope Amplifier for Micro-Base-Station RF Power Amplifiers". IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 60, nr 6 (czerwiec 2012): 1850–61. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2012.2184128.
Pełny tekst źródłaCripps, S. C., P. J. Tasker, A. L. Clarke, J. Lees i J. Benedikt. "On the Continuity of High Efficiency Modes in Linear RF Power Amplifiers". IEEE Microwave and Wireless Components Letters 19, nr 10 (październik 2009): 665–67. http://dx.doi.org/10.1109/lmwc.2009.2029754.
Pełny tekst źródłaChung, S., R. Ma i K. H. Teo. "Design considerations on wideband envelope termination for high efficiency RF power amplifiers". Electronics Letters 52, nr 6 (marzec 2016): 460–62. http://dx.doi.org/10.1049/el.2015.4328.
Pełny tekst źródłaMathew Oduka, Ugbede, i Felix Kelechi Opara. "Design of a high power, energy efficient RF inverse class F power amplifier using GaN HEMT". International Journal of Academic Research 5 (15.10.2013): 162–67. http://dx.doi.org/10.7813/2075-4124.2013/5-5/a.23.
Pełny tekst źródłaKühn, Jutta, Markus Musser, Friedbert van Raay, Rudolf Kiefer, Matthias Seelmann-Eggebert, Michael Mikulla, Rüdiger Quay, Thomas Rödle i Oliver Ambacher. "Design and realization of GaN RF-devices and circuits from 1 to 30 GHz". International Journal of Microwave and Wireless Technologies 2, nr 1 (luty 2010): 115–20. http://dx.doi.org/10.1017/s175907871000019x.
Pełny tekst źródłaBACHIR, SMAIL, NICUSOR CALINOIU i CLAUDE DUVANAUD. "LINEARIZATION OF RF POWER AMPLIFIERS USING ADAPTIVE KALMAN FILTERING ALGORITHM". Journal of Circuits, Systems and Computers 20, nr 06 (październik 2011): 1001–18. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126611007724.
Pełny tekst źródłaGao, Huai, Haitao Zhang, Huinan Guan, Li-Wu Yang i G. P. Li. "A compact composite transistor as a novel RF power cell for high-linearity power amplifiers". Microwave and Optical Technology Letters 45, nr 6 (2005): 483–85. http://dx.doi.org/10.1002/mop.20859.
Pełny tekst źródłaKim, Seung-Yong, i Choong-Mo Nam. "RF High Power Amplifier Module using AlN Substrate". Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 22, nr 10 (1.10.2009): 826–31. http://dx.doi.org/10.4313/jkem.2009.22.10.826.
Pełny tekst źródłaDiet, A., M. Villegas i G. Baudoin. "EER–LINC RF transmitter architecture for high PAPR signals using switched power amplifiers". Physical Communication 1, nr 4 (grudzień 2008): 248–54. http://dx.doi.org/10.1016/j.phycom.2008.11.001.
Pełny tekst źródłaUpadhyay, R., M. K. Badapanda, A. Tripathi i M. Lad. "Low voltage high current modular DC power supply for solid state RF amplifiers". Journal of Instrumentation 16, nr 03 (4.03.2021): P03010. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/16/03/p03010.
Pełny tekst źródłaBhuiyan, Mohammad Arif Sobhan, Md Torikul Islam Badal, Mamun Bin Ibne Reaz, Maria Liz Crespo i Andres Cicuttin. "Design Architectures of the CMOS Power Amplifier for 2.4 GHz ISM Band Applications: An Overview". Electronics 8, nr 5 (29.04.2019): 477. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8050477.
Pełny tekst źródłaYang, Hsin Chia, i Mu Chun Wang. "Extensive 6.0-18.0 GHz Frequency Low Noise Amplifiers Integrated to Form LC-Feedback Oscillators". Advanced Materials Research 225-226 (kwiecień 2011): 1075–79. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.225-226.1075.
Pełny tekst źródłaLiu, An-Chen, Po-Tsung Tu, Catherine Langpoklakpam, Yu-Wen Huang, Ya-Ting Chang, An-Jye Tzou, Lung-Hsing Hsu, Chun-Hsiung Lin, Hao-Chung Kuo i Edward Yi Chang. "The Evolution of Manufacturing Technology for GaN Electronic Devices". Micromachines 12, nr 7 (23.06.2021): 737. http://dx.doi.org/10.3390/mi12070737.
Pełny tekst źródłaFehri, Bilel, i Slim Boumaiza. "Application of embedding dimension estimation to Volterra series-based behavioral modeling and predistortion of wideband RF power amplifier". International Journal of Microwave and Wireless Technologies 5, nr 2 (7.02.2013): 115–22. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078713000056.
Pełny tekst źródłaM. A. Eid, Mahmoud, Ashraf S. Seliem, Ahmed Nabih Zaki Rashed, Abd El-Naser A. Mohammed, Mohamed Yassin Ali i Shaimaa S. Abaza. "Duobinary modulation/predistortion techniques effects on high bit rate radio over fiber systems". Indonesian Journal of Electrical Engineering and Computer Science 21, nr 2 (1.02.2021): 978. http://dx.doi.org/10.11591/ijeecs.v21.i2.pp978-986.
Pełny tekst źródłaGracia Sáez, Raúl, i Nicolás Medrano Marqués. "LDMOS versus GaN RF Power Amplifier Comparison Based on the Computing Complexity Needed to Linearize the Output". Electronics 8, nr 11 (1.11.2019): 1260. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8111260.
Pełny tekst źródłaHühn, Florian, Andreas Wentzel i Wolfgang Heinrich. "A new modulator for digital RF power amplifiers utilizing a wavetable approach". International Journal of Microwave and Wireless Technologies 9, nr 6 (lipiec 2017): 1251–60. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078717000770.
Pełny tekst źródłaSarker, Md, i Ickhyun Song. "Design and Analysis of fT-Doubler-Based RF Amplifiers in SiGe HBT Technology". Electronics 9, nr 5 (8.05.2020): 772. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9050772.
Pełny tekst źródłaOppermann, M., K. Widmer, R. Reber, H. Sledzik, P. Schuh, U. Schmid, B. Bunz, S. Chartier, K. Drüeke i M. Bedenbecker. "GaN based RF Modules - Demands & Needs for Packaging". International Symposium on Microelectronics 2011, nr 1 (1.01.2011): 000896–99. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2011-tha1-paper4.
Pełny tekst źródłaEl-Hamamsy, S. A. "Design of high-efficiency RF Class-D power amplifier". IEEE Transactions on Power Electronics 9, nr 3 (maj 1994): 297–308. http://dx.doi.org/10.1109/63.311263.
Pełny tekst źródła