Gotowa bibliografia na temat „RF high power amplifiers”
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Artykuły w czasopismach na temat "RF high power amplifiers"
Qin, Wei, Yong Tao Li, Ying Jie Li i Xiao Ping Xu. "High Efficiency 500W RF Generator". Advanced Materials Research 383-390 (listopad 2011): 1333–36. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.383-390.1333.
Pełny tekst źródłaGao, S. "High-efficiency class-F RF/microwave power amplifiers". IEEE Microwave Magazine 7, nr 1 (luty 2006): 40–48. http://dx.doi.org/10.1109/mmw.2006.1614233.
Pełny tekst źródłaJaehyok Yi, Youngoo Yang, Myungkyu Park, Wonwoo Kang i Bumman Kim. "Analog predistortion linearizer for high-power RF amplifiers". IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 48, nr 12 (2000): 2709–13. http://dx.doi.org/10.1109/22.899034.
Pełny tekst źródłaVasic, Miroslav, Oscar Garcia, Jesus Angel Oliver, Pedro Alou, Daniel Diaz i Jose Antonio Cobos. "Multilevel Power Supply for High-Efficiency RF Amplifiers". IEEE Transactions on Power Electronics 25, nr 4 (kwiecień 2010): 1078–89. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2009.2033186.
Pełny tekst źródłaMemioglu, O., O. Kazan, A. Karakuzulu, I. Turan, A. Gundel, F. Kocer i O. A. Civi. "Development of X-Band Transceiver MMIC’s Using GaN Technology". Advanced Electromagnetics 8, nr 2 (24.02.2019): 1–9. http://dx.doi.org/10.7716/aem.v8i2.1012.
Pełny tekst źródłaKarsli, Ozlem, Avni Aksoy, Caglar Kaya, Burak Koc, Mustafa Dogan, O. Faruk Elcim i Mehmet Bozdogan. "High power RF operations studies at TARLA facility". Canadian Journal of Physics 97, nr 11 (listopad 2019): 1171–76. http://dx.doi.org/10.1139/cjp-2018-0778.
Pełny tekst źródłaOrtega-González, Francisco Javier. "New driver for high-efficiency switching RF power amplifiers". Microwave and Optical Technology Letters 43, nr 5 (5.10.2004): 370–72. http://dx.doi.org/10.1002/mop.20472.
Pełny tekst źródłaStopel, Alon, Mark Leibovitch i Yoram Shapira. "Nonuniform RF Overstress in High-Power Transistors and Amplifiers". IEEE Transactions on Electron Devices 55, nr 4 (kwiecień 2008): 1067–73. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2008.916719.
Pełny tekst źródłaReveyrand, T., I. Ramos i Z. Popović. "Time-reversal duality of high-efficiency RF power amplifiers". Electronics Letters 48, nr 25 (6.12.2012): 1607–8. http://dx.doi.org/10.1049/el.2012.3004.
Pełny tekst źródłaMontesinos, Ronald, Corinne Berland, Mazen Abi Hussein, Olivier Venard i Philippe Descamps. "Analysis of RF power amplifiers in LINC systems". International Journal of Microwave and Wireless Technologies 4, nr 1 (5.01.2012): 81–91. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078711001085.
Pełny tekst źródłaRozprawy doktorskie na temat "RF high power amplifiers"
Srirattana, Nuttapong. "High-Efficiency Linear RF Power Amplifiers Development". Diss., Georgia Institute of Technology, 2005. http://hdl.handle.net/1853/6899.
Pełny tekst źródłaKim, Hyun-Woong. "CMOS RF transmitter front-end module for high-power mobile applications". Diss., Georgia Institute of Technology, 2012. http://hdl.handle.net/1853/47592.
Pełny tekst źródłaYahyavi, Mehran. "On the design of high-efficiency RF Doherty power amplifiers". Doctoral thesis, Universitat Politècnica de Catalunya, 2016. http://hdl.handle.net/10803/398236.
Pełny tekst źródłaLos amplificadores de potencia (PAs) son uno de los elementos más importantes para los transmisores inalámbricos desde el punto de vista del consumo energético. Un aspecto muy importante es su eficiencia energética, un concepto relacionado con el back-off de salida (OBO), que a su vez viene condicionadpo por el PAPR de la señal modulada a amplificar. Una baja eficiencia de los PA hace que la pérdida de energía se manifieste en forma de calor. De hecho, esta cuestión conduce al incremento de los costes y tamaño, esto último por los radiadores. Además, el compromiso entre la linealidad y la eficiencia en los PA es otro problema importante. Para hacer frente a las circunstancias que producen la degradación de la eficiencia, el amplificador de potencia tipo Doherty (DPA) es una de las técnicas más útiles que proporcionan una buena eficiencia incluso para los altos PAPR comunes en señales de comunicación modernos. Sin embargo, el limitado ancho de banda (BW) de este tipo de PA (alrededor del 10% del ancho de banda fraccional) y su importancia (en los sistemas inalámbricos modernos, tales como LTE, WiMAX, Wi-Fi y sistemas de satélites) han animado a los investigadores para mejorar este inconveniente en los últimos años. Algunos aspectos típicos que limitan el BW en los DPA son: i) transformadores de longitud de cuarto de onda, ii) redes de compensación de fase y circuitos de adaptación de salida, iii) compensación de las líneas y los dispositivos no ideales. Los transformadores de cuarto de onda actuan como un inversor de impedancia en la técnica de modulación de carga de la DPA "("load modulation"). Concretamente, el objetivo futuro de diseño de DPA es disminuir el impacto de estos problemas. En este contexto, esta tesis doctoral se centra en mejorar el ancho de banda fraccional de DPA utilizando los nuevos métodos que están relacionados con el uso de transformadores de impedancias en vez de inversores en el subcircuito de modulación de carga. Este estudio tiene dos niveles. En primer lugar, se presenta una novedosa estructura del DPA de banda ancha usándose dispositivos de GaN en la banda de 2,5 GHz con un divisor Wilkinson asimétrico. El transformador de impedancias de la arquitectura propuesta se basa en una red de adaptación, incluyendo una línea cónica con múltiples secciones del transformador en la etapa principal. El BW de este DPA ha sido de 1,8 a 2,7 GHz. Además, se obtiene una eficiencia de drenador de más del 33% en todo el BW, tanto a nivel de potencia máxima como a nivel del OBO. En segundo lugar, aprovechando los beneficios de un adaptador de Klopfenstein, se propone un nuevo diseño del DPA. Con la sustitución de la lina conica por el Klopfenstein se reduce el coeficiente de reflexión de transformador de impedancias. Sobre un prototipo práctico de esta nueva estructura del Doherty, en la banda de 2,25 GHz, se ha demostrado que el BW resultante se incrementa en comparación con la topología convencional mientras se mantienen las cifras de eficiencia. Por otra parte, en este estudio se demuestra que el diseño basado en el Klopfenstein permite una afinación fácil del retardo de grupo a través de la reactancia de salida del taper, lo que resulta en un ajuste más sencillo que otros diseños publicados recientemente en el que el transformador de cuarto de onda se sustituye por multi-líneas de transmisión de la sección (híbridos o similar). Los resultados experimentales han mostrado un 43-54% de eficiencia de drenador sobre 42 dBm de potencia de salida, en el intervalo de 1,7 a 2,75 GHz. Concretamente, los resultados presentados en esta nueva estructura tipo-Doherty implican una técnica de modulación de carga que utiliza una combinación de un Klopfenstein junto con un transformador de múltiples secciones con el fin de obtener un alto ancho de banda con la eficiencia habitual en DPAs.
Els amplificadors de potència (PA) són un dels elements més importants per els sistemes ràdio ja que sone ls principals consumidors d'energía. Un aspecte molt important és l'eficiència de l'amplificador, aspecte relacionat amb el back-off de sortida (OBO) que a la seva vegada ve condicionat pel PAPR del senyal modulat. Una baixa eficiència dels PA fa que la pèrdua d'energia en manifesti en forma de calor. De fet, aquesta qüestió porta a l'increment dels costos i grandària, degut als dissipadors de calor. A més, el compromís entre la linealitat i l'eficiència en els PA es un altre problema important. Per fer front a les circumstàncies que porten a la degradació de l'eficiència, l'amplificador de potència Doherty (DPA) és una de les tècniques més útils i que proporcionen una bona eficiència per als alts PAPR comuns en senyals de comunicació moderns. No obstant això, l'ample de banda limitat (BW) d'aquest tipus de PA (al voltant del 10% de l'ample de banda fraccional) i la seva importància (en els sistemes moderns, com ara LTE, WiMAX, Wi-Fi i sistemes de satèl·lits) han animat els investigadors per millorar aquest inconvenient en els últims anys. Alguns aspectes tipicament limitadors del BW en els DPA son: i) transformadors de longitud d'quart d'ona, ii) xarxes de compensació de fase en circuits / adaptacions de sortida, iii) compensació de les línies i els dispositius no ideals. Els transformadors de quart d'ona s'utilitzen com a inversors d'impedàncies en la tècnica de modulació de càrrega del DPA ("load modulation"). Concretament, l'objectiu futur de disseny d'DPA és disminuir l'impacte d'aquests problemes. En aquest context, aquesta tesi doctoral es centra en millorar l'ample de banda fraccional dels DPA utilitzant nous mètodes que estan relacionats amb l'ús de transformadors d'impedàncies, en comptes d'inversors, en el subcircuit de modulació de càrrega. Aquest treball té dos nivells. En primer lloc, es presenta un DPA novedós que fa servir dispositus GaN DPA a la banda de 2,5 GHz amb un divisor Wilkinson asimètric. El transformador d'impedàncies de l'arquitectura proposada es basa en una xarxa d'adaptació, incloent una línia cònica amb múltiples seccions del transformador en l'etapa principal. El BW d'aquest DPA ha mostrat ser d'1,8 a a 2,7 GHz. A més, s'obté una eficiència de drenador de més del 33% en tot el BW, tant a nivell de potència màxima com de OBO. En segon lloc, sobre la base dels beneficis del adaptador de Klopfenstein, un proposa un nou disseny on un Klopfenstein substitueix la anterior línia cònica. Aquesta substitució repercuteix en la reducció del coeficient de reflexió de transformador d'impedàncies.Des d'una realització pràctica (prototipus) d'aquest nou amplificador tipus Doherty a la banda de 2,25 GHz, s'ha demostrat que el BW resultant s'incrementa en comparació amb la topologia convencional mentre es mantenen les xifres d'eficiència. D'altra banda, en aquest estudi es demostra que el disseny basat en el Klopfenstein permet una afinació fàcil del retard de grup a través de la reactància de sortida de la forma cònica, el que resulta en un ajust més senzill que altres dissenys publicats recentment en què el transformador de quart d'ona es substitueix per multi-línies de transmissió de la secció (híbrids o similar). Els resultats experimentals han mostrat un 43-54% d'eficiència de drenador en 42 dBm de potència de sortida, en l'interval de 1,7-2,75 GHz. Concretament, els resultats presentats en aquest nou amplificador tipus Doherty impliquen una tècnica de modulació de càrrega específic que utilitza una combinació del Klopfenstein juntament amb un transformador de múltiples seccions per tal d'obtenir un alt ample de banda amb la usual eficiència en DPAs.
Haapala, Linus, i Aleksander Eriksson. "RF High Power Amplifiers for FREIA – ESS : design, fabrication and measurements". Thesis, Uppsala universitet, Institutionen för fysik och astronomi, 2014. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-263549.
Pełny tekst źródłaJang, Haedong. "NONLINEAR EMBEDDING FOR HIGH EFFICIENCY RF POWER AMPLIFIER DESIGN AND APPLICATION TO GENERALIZED ASYMMETRIC DOHERTY AMPLIFIERS". The Ohio State University, 2014. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=osu1406269587.
Pełny tekst źródłaHietakangas, S. (Simo). "Design methods and considerations of supply modulated switched RF power amplifiers". Doctoral thesis, Oulun yliopisto, 2012. http://urn.fi/urn:isbn:9789514298363.
Pełny tekst źródłaTiivistelmä Tämä väitöstyö käsittelee radiotaajuuksilla toimivien käyttöjännitemoduloitujen kytkintehovahvistimien ominaisuuksia ja suunnittelumenetelmiä. Suunnittelumenetelmiin liittyvän katsauksen ja simulaatioihin perustuvan tutkimusten lisäksi kaksi vahvistinta toteutettiin väitöstutkimuksen aikana: diskreettikomponentein toteutettu E-luokan vahvistin (MESFET, 0.5 W ja 1 GHz) ja integroituna piirinä toteutettu käänteinen E-luokan vahvistin (pHEMT, 2.0 W ja 1.6 GHz), jonka lähdön resonaattoripiiri sisällytettiin integroituun piiriin. Kytkinvahvistimien suunnittelumenetelmiä verrattiin ja kehitettiin edelleen siten, että suunnitteluvaiheessa voidaan ottaa huomioon esim. transistoripiirin takaisinkytkennässä olevan kapasitanssin epälineaarisuus. Työssä tutkittiin myös käyttöjännitemodulaation vaikutusta kytkinvahvistimien toimintaan, ja tutkimuksen tuloksena annettiin muutamia ehdotuksia käyttöjänniteriippuvan amplitudi- (Vdd / AM) ja vaihemodulaation (Vdd / PM) vähentämiseksi. Lähdön biasointipiirin toteutukseen suositeltiin pienen kelan ja siirtolinjan yhdistelmää. Yhdistelmän avulla pyritään maksimoimaan modulaationopeus ja minimoimaan vaikutukset harmonisiin impedansseihin. Pääkohtina väitöksessä ovat E-luokan kytkinvahvistimesta saadut tutkimus- ja mittaushavainnot käyttöjännitteen funktiona muuttuvasta transistorin tuloimpedanssista sekä suurikokoisen transistorin tuloissa tapahtuvan, säröytymisen aiheuttaman tulosignaalien ajoitusvirheen analyysi. Näiden lisäksi vahvistimen stabiilisuuteen kiinnitettiin huomiota. Saatujen havaintojen perusteella voimme todeta, että push-pull -tyyppinen E-luokan vahvistin olisi mielenkiintoinen valinta jatkotutkimuksille
Woo, Wangmyong. "Hybrid Digital/RF Envelope Predistortion Linearization for High Power Amplifiers in Wireless Communication Systems". Diss., Georgia Institute of Technology, 2005. http://hdl.handle.net/1853/6924.
Pełny tekst źródłaRefai, Wael Yahia. "A Linear RF Power Amplifier with High Efficiency for Wireless Handsets". Diss., Virginia Tech, 2014. http://hdl.handle.net/10919/25886.
Pełny tekst źródłaPh. D.
Rascher, Jochen [Verfasser]. "RF Switch Design for Reconfigurable Power Amplifiers with High Back-off Efficiency in nm-CMOS Technologies / Jochen Rascher". München : Verlag Dr. Hut, 2015. http://d-nb.info/1074063171/34.
Pełny tekst źródłaBook, Stefan. "1kW Class-E solid state power amplifier for cyclotron RF-source". Thesis, Uppsala universitet, FREIA, 2018. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-341693.
Pełny tekst źródłaKsiążki na temat "RF high power amplifiers"
1944-, Giannini Franco, i Limiti Ernesto, red. High efficiency RF and microwave solid state power amplifiers. Chichester, West Sussex, U.K: J. Wiley, 2009.
Znajdź pełny tekst źródłaHella, Mona Mostafa. RF CMOS power amplifiers: Theory, design, and implementation. Boston: Kluwer Academic Publishers, 2002.
Znajdź pełny tekst źródłaHella, Mona Mostafa. RF CMOS power amplifiers: Theory, design and implementation. Boston: Kluwer Academic Publishers, 2002.
Znajdź pełny tekst źródłaAnalog circuit design: Scalable analog circuit design, high-speed D/A converters, RF power amplifiers. New York: Springer, 2011.
Znajdź pełny tekst źródłaCasier, Herman. Analog Circuit Design: Sensors, Actuators and Power Drivers; Integrated Power Amplifiers from Wireline to RF; Very High Frequency Front Ends. Dordrecht: Springer Science + Business Media B.V, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaRF power amplifiers. Chichester, West Sussex, U.K: Wiley, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaKazimierczuk, Marian K. RF Power Amplifiers. Chichester, UK: John Wiley & Sons, Ltd, 2014. http://dx.doi.org/10.1002/9781118844373.
Pełny tekst źródłaO, Sokal Nathan, red. Switchmode RF power amplifiers. Amsterdam: Elsevier/Newnes, 2007.
Znajdź pełny tekst źródłaSolar Ruiz, Hector, i Roc Berenguer Pérez. Linear CMOS RF Power Amplifiers. Boston, MA: Springer US, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-8657-2.
Pełny tekst źródłaSchreurs, Dominique. RF power amplifier behavioral modeling. Cambridge: Cambridge University Press, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaCzęści książek na temat "RF high power amplifiers"
Ramos, João, i Michiel Steyaert. "High Voltage Devices for RF Power Amplifiers: An Advantage?" W Analog Circuit Design, 177–200. Boston, MA: Springer US, 2004. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4020-2805-2_9.
Pełny tekst źródłaRicotti, Giulio, Dario Bianchi, Fabio Quaglia i Sandro Rossi. "Design and Technology for Very High-Voltage Opamps". W Efficient Sensor Interfaces, Advanced Amplifiers and Low Power RF Systems, 175–86. Cham: Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-21185-5_10.
Pełny tekst źródłaThiruarayanan, Raghavasimhan, David Ruffieux i Christian Enz. "PLL-Free, High Data Rate Capable Frequency Synthesizers". W Efficient Sensor Interfaces, Advanced Amplifiers and Low Power RF Systems, 225–37. Cham: Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-21185-5_13.
Pełny tekst źródłaSokal, Nathan O. "Class-E High-Efficiency RF/Microwave Power Amplifiers: Principles of Operation, Design Procedures, and Experimental Verification". W Analog Circuit Design, 269–301. Boston, MA: Springer US, 2003. http://dx.doi.org/10.1007/0-306-47950-8_14.
Pełny tekst źródłaSjöland, Henrik. "Inductorless RF CMOS Power Amplifiers". W Highly Linear Integrated Wideband Amplifiers, 129–43. Boston, MA: Springer US, 1999. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-4056-4_9.
Pełny tekst źródłaYip, Peter C. L. "Power Amplifiers". W High-Frequency Circuit Design and Measurements, 119–38. Dordrecht: Springer Netherlands, 1990. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-6950-9_7.
Pełny tekst źródłaSolar Ruiz, Hector, i Roc Berenguer Pérez. "Power Amplifier Design". W Linear CMOS RF Power Amplifiers, 101–51. Boston, MA: Springer US, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-8657-2_6.
Pełny tekst źródłaShirvani, Alireza, i Bruce A. Wooley. "RF Power Amplifier Specifications". W Design and Control of RF Power Amplifiers, 25–46. Boston, MA: Springer US, 2003. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4757-3754-7_3.
Pełny tekst źródłaShirvani, Alireza, i Bruce A. Wooley. "RF Power Amplifier Classifications". W Design and Control of RF Power Amplifiers, 47–69. Boston, MA: Springer US, 2003. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4757-3754-7_4.
Pełny tekst źródłaSolar Ruiz, Hector, i Roc Berenguer Pérez. "Power Amplifier Fundamentals: Metrics". W Linear CMOS RF Power Amplifiers, 11–28. Boston, MA: Springer US, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-8657-2_2.
Pełny tekst źródłaStreszczenia konferencji na temat "RF high power amplifiers"
Pasour, John. "High-Power, Annular-Beam Klystron Amplifiers". W HIGH ENERGY DENSITY AND HIGH POWER RF:5TH Workshop on High Energy Density and High Power RF. AIP, 2002. http://dx.doi.org/10.1063/1.1498178.
Pełny tekst źródłaRodgers, John. "Harmonic Gain and Noise in Frequency-Multiplying Gyro-Amplifiers". W HIGH ENERGY DENSITY AND HIGH POWER RF: 6th Workshop on High Energy Density and High Power RF. AIP, 2003. http://dx.doi.org/10.1063/1.1635125.
Pełny tekst źródłaVirdee, A. S. "Amplifier design for high efficiency performance". W IEE Seminar Microwave and RF Power Amplifiers. IEE, 2000. http://dx.doi.org/10.1049/ic:20000662.
Pełny tekst źródłaMiao, Y. "Prebunching Of Electrons In Harmonic-Multiplying Cluster-Cavity Gyro-Amplifiers". W HIGH ENERGY DENSITY AND HIGH POWER RF: 6th Workshop on High Energy Density and High Power RF. AIP, 2003. http://dx.doi.org/10.1063/1.1635149.
Pełny tekst źródłaJones, Jeff. "High power integration for RF infrastructure power amplifiers". W 2009 IEEE Radio and Wireless Symposium (RWS). IEEE, 2009. http://dx.doi.org/10.1109/rws.2009.4957406.
Pełny tekst źródłaFitzPatrick, D. "Design of a high power solid state amplifier to replace TWTAs in airborne applications". W IEE Seminar Microwave and RF Power Amplifiers. IEE, 2000. http://dx.doi.org/10.1049/ic:20000659.
Pełny tekst źródłaKashif, A., C. Svensson i Q. Wahab. "High Power LDMOS Transistor for RF-Amplifiers". W 2007 International Bhurban Conference on Applied Sciences & Technology. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/ibcast.2007.4379896.
Pełny tekst źródłaVidkjaer, Jens. "Series-tuned high efficiency RF-power amplifiers". W 2008 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest - MTT 2008. IEEE, 2008. http://dx.doi.org/10.1109/mwsym.2008.4633106.
Pełny tekst źródłaVasic, M., O. Garcia, J. A. Oliver, P. Alou, D. Diaz i J. A. Cobos. "Switching capacities based envelope amplifier for high efficiency RF amplifiers". W 2010 Twenty-Fifth Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition - APEC 2010. IEEE, 2010. http://dx.doi.org/10.1109/apec.2010.5433590.
Pełny tekst źródłaRaab, F. H. "Switching transients in class-D RF power amplifiers". W 7th International Conference on High Frequency Radio Systems and Techniques. IEE, 1997. http://dx.doi.org/10.1049/cp:19970787.
Pełny tekst źródłaRaporty organizacyjne na temat "RF high power amplifiers"
Rutledge, David. High-Efficiency, Class-E RF Power Amplifiers. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, kwiecień 2001. http://dx.doi.org/10.21236/ada393787.
Pełny tekst źródłaRose, M. F., L. C. Chow i J. H. Johnson. Thermal management of space-based, high-power solid-state RF amplifiers. Final report. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), sierpień 1990. http://dx.doi.org/10.2172/376392.
Pełny tekst źródłaLuhmann, N. C., i Jr. Stable High-Power Harmonic Gyro-Amplifiers. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, wrzesień 1994. http://dx.doi.org/10.21236/ada293697.
Pełny tekst źródłaYu, Charles X., Steven J. Augst, Shawn M. Redmond, Kris C. Goldizen, Daniel V. Murphy, Antonio Sanchez i Tso Y. Fan. Coherent Combining of High-Power Yb Fiber Amplifiers. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, kwiecień 2011. http://dx.doi.org/10.21236/ada569704.
Pełny tekst źródłaRodwell, Mark, i Umesh K. Mishra. High Power Broadband Amplifiers for 1-18 GHz Naval Radar. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, czerwiec 2002. http://dx.doi.org/10.21236/ada403109.
Pełny tekst źródłaOzalas, Matthew T. High Efficiency Class-F MMIC Power Amplifiers at Ku-Band. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, styczeń 2005. http://dx.doi.org/10.21236/ada456277.
Pełny tekst źródłaZaltsman A. Energy Recovery Linac: High Power RF Systems. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), luty 2010. http://dx.doi.org/10.2172/1061965.
Pełny tekst źródłaNantista, C. Overmoded Waveguide Components for High-Power RF. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), październik 2003. http://dx.doi.org/10.2172/826768.
Pełny tekst źródłaZaltsman, A. R&D ERL: High power RF systems. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), styczeń 2010. http://dx.doi.org/10.2172/1013459.
Pełny tekst źródłaPritzkau, David P. Possible High Power Limitations From RF Pulsed Heating. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), listopad 1998. http://dx.doi.org/10.2172/9969.
Pełny tekst źródła