Artykuły w czasopismach na temat „Reactive ion etching”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Reactive ion etching”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Oehrlein, Gottlieb S. "Reactive‐Ion Etching". Physics Today 39, nr 10 (październik 1986): 26–33. http://dx.doi.org/10.1063/1.881066.
Pełny tekst źródłaSchmid, H. "Microwave etching device for reactive ion etching". Materials Science and Engineering: A 139 (lipiec 1991): 408–16. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5093(91)90650-c.
Pełny tekst źródłaSHAO, TIAN-QI, TIAN-LING REN, LI-TIAN LIU, JUN ZHU i ZHI-JIAN LI. "Reactive Ion Etching and Ion Beam Etching for Ferroelectric Memories". Integrated Ferroelectrics 61, nr 1 (sierpień 2004): 213–20. http://dx.doi.org/10.1080/10584580490459288.
Pełny tekst źródłaLim, Nomin, Yeon Sik Choi, Alexander Efremov i Kwang-Ho Kwon. "Dry Etching Performance and Gas-Phase Parameters of C6F12O + Ar Plasma in Comparison with CF4 + Ar". Materials 14, nr 7 (24.03.2021): 1595. http://dx.doi.org/10.3390/ma14071595.
Pełny tekst źródłaSandhu, G. S., i W. K. Chu. "Reactive ion etching of diamond". Applied Physics Letters 55, nr 5 (31.07.1989): 437–38. http://dx.doi.org/10.1063/1.101890.
Pełny tekst źródłaVerdonck, P., G. Brasseur i J. Swart. "Reactive ion etching and plasma etching of tungsten". Microelectronic Engineering 21, nr 1-4 (kwiecień 1993): 329–32. http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(93)90084-i.
Pełny tekst źródłaChinn, J. D. "Ion beam enhanced magnetron reactive ion etching". Applied Physics Letters 51, nr 24 (14.12.1987): 2007–9. http://dx.doi.org/10.1063/1.98275.
Pełny tekst źródłaMatocha, Kevin, Chris S. Cowen, Richard Beaupre i Jesse B. Tucker. "Effect of Reactive-Ion Etching on Thermal Oxide Properties on 4H-SiC". Materials Science Forum 527-529 (październik 2006): 983–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.983.
Pełny tekst źródłaJeng, S. J., i G. S. Oehrlein. "Silicon near-surface damage induced by reactive ion etching". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 45 (sierpień 1987): 244–45. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100126123.
Pełny tekst źródłaAnderson, Ron. "Ion-Beam Milling Materials with Applications to TEM Specimen Preparation". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 54 (11.08.1996): 266–67. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100163794.
Pełny tekst źródłaPEARTON, S. J. "REACTIVE ION ETCHING OF III–V SEMICONDUCTORS". International Journal of Modern Physics B 08, nr 14 (30.06.1994): 1781–876. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979294000762.
Pełny tekst źródłaKusumi, Yoshihiro, Nobuo Fujiwara, Junko Matsumoto i Masahiro Yoneda. "Effect ofN2Addition on Aluminum Alloy Etching by Electron Cyclotron Resonance Reactive Ion Etching and Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching". Japanese Journal of Applied Physics 34, Part 1, No. 4B (30.04.1995): 2147–51. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.34.2147.
Pełny tekst źródłaGu, Tieer. "Damage to Si substrates during SiO2 etching: A comparison of reactive ion etching and magnetron-enhanced reactive ion etching". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 12, nr 2 (marzec 1994): 567. http://dx.doi.org/10.1116/1.587391.
Pełny tekst źródłaPopova, K. "Reactive ion etching of ion-plated carbon films". Vacuum 48, nr 7-9 (wrzesień 1997): 681–84. http://dx.doi.org/10.1016/s0042-207x(97)00068-7.
Pełny tekst źródłaDems, B. C., F. Rodriguez, C. M. Solbrig, Y. M. N. Namaste i S. K. Obendorf. "Reactive Ion Etching of Polymer Films". International Polymer Processing 4, nr 3 (wrzesień 1989): 183–87. http://dx.doi.org/10.3139/217.890183.
Pełny tekst źródłaKondo, Shingo, Hiroki Kondo, Yudai Miyawaki, Hajime Sasaki, Hiroyuki Kano, Mineo Hiramatsu i Masaru Hori. "Reactive Ion Etching of Carbon Nanowalls". Japanese Journal of Applied Physics 50, nr 7R (1.07.2011): 075101. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.50.075101.
Pełny tekst źródłaNagy, A. G. "Sidewall Tapering in Reactive Ion Etching". Journal of The Electrochemical Society 132, nr 3 (1.03.1985): 689–93. http://dx.doi.org/10.1149/1.2113932.
Pełny tekst źródłaSchaible, P. M., i G. C. Schwartz. "Selective Reactive Ion Etching of TiW". Journal of The Electrochemical Society 132, nr 3 (1.03.1985): 730–31. http://dx.doi.org/10.1149/1.2113941.
Pełny tekst źródłaBlumenstock, K. "Anisotropic reactive ion etching of titanium". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 7, nr 4 (lipiec 1989): 627. http://dx.doi.org/10.1116/1.584806.
Pełny tekst źródłaHedlund, C., H. ‐O Blom i S. Berg. "Microloading effect in reactive ion etching". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 12, nr 4 (lipiec 1994): 1962–65. http://dx.doi.org/10.1116/1.578990.
Pełny tekst źródłaKondo, Shingo, Hiroki Kondo, Yudai Miyawaki, Hajime Sasaki, Hiroyuki Kano, Mineo Hiramatsu i Masaru Hori. "Reactive Ion Etching of Carbon Nanowalls". Japanese Journal of Applied Physics 50, nr 7 (20.07.2011): 075101. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.50.075101.
Pełny tekst źródłaZhang, Congchun, Chunsheng Yang i Duifu Ding. "Deep reactive ion etching of PMMA". Applied Surface Science 227, nr 1-4 (kwiecień 2004): 139–43. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2003.11.050.
Pełny tekst źródłaDominguez, C., J. Muñoz, R. Gonzalez i M. Tudanca. "CHF3-reactive ion etching for waveguides". Sensors and Actuators A: Physical 37-38 (czerwiec 1993): 779–83. http://dx.doi.org/10.1016/0924-4247(93)80131-y.
Pełny tekst źródłaAvtiushkov, A. P., V. A. Labunov i A. F. Stekolnikov. "Reactive ion etching of gallium arsenide". Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 39, nr 1-4 (marzec 1989): 496–99. http://dx.doi.org/10.1016/0168-583x(89)90834-3.
Pełny tekst źródłaPowell, Heather M., i John J. Lannutti. "Nanofibrillar Surfaces via Reactive Ion Etching". Langmuir 19, nr 21 (październik 2003): 9071–78. http://dx.doi.org/10.1021/la0349368.
Pełny tekst źródłaBanks, P. M. "Plasma temperatures during reactive ion etching". Microelectronic Engineering 11, nr 1-4 (kwiecień 1990): 603–6. http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(90)90180-2.
Pełny tekst źródłaM.S. Mikhailenko, A.E. Pestov, A.K. Chernyshev, A.A. Perekalov, M.V. Zorina i N.I. Chkhalo. "Prospects for the use of reactive ion-beam etching of fused quartz with a mixture of tetrafluoromethane and argon for aspherizing the surface of optical elements". Technical Physics 92, nr 8 (2022): 1062. http://dx.doi.org/10.21883/tp.2022.08.54574.111-22.
Pełny tekst źródłaИльинская, Н. Д., Н. М. Лебедева, Ю. М. Задиранов, П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков i А. С. Потапов. "Микропрофилирование 4H-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки". Физика и техника полупроводников 54, nr 1 (2020): 97. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2020.01.48783.9223.
Pełny tekst źródłaSato, Masaaki. "Dopant-dependent Ion Assisted Etching Kinetics in Highly Doped Polysilicon Reactive Ion Etching". Japanese Journal of Applied Physics 37, Part 1, No. 9A (15.09.1998): 5039–46. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.37.5039.
Pełny tekst źródłaDavis, Robert J. "Steady-state damage profiles due to reactive ion etching and ion-assisted etching". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 13, nr 2 (marzec 1995): 242. http://dx.doi.org/10.1116/1.588358.
Pełny tekst źródłaHirano, Makoto, i Kazuyoshi Asai. "GaAs Taper Etching by Mixture Gas Reactive Ion Etching System". Japanese Journal of Applied Physics 30, Part 2, No. 12B (15.12.1991): L2136—L2138. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.30.l2136.
Pełny tekst źródłaSato, Tetsuo, Nobuo Fujiwara i Masahiro Yoneda. "Mechanism of Reactive Ion Etching Lag for Aluminum Alloy Etching". Japanese Journal of Applied Physics 34, Part 1, No. 4B (30.04.1995): 2142–46. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.34.2142.
Pełny tekst źródłaGrigoras, Kestutis, i Sami Franssila. "“Etching under the corner” - inclined macropores by reactive ion etching". physica status solidi (a) 206, nr 6 (czerwiec 2009): 1245–49. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200881066.
Pełny tekst źródłaLussier, P., M. Bélanger, M. Meunier i J. F. Currie. "CF4–Ar reactive ion etching of gallium arsenide". Canadian Journal of Physics 67, nr 4 (1.04.1989): 259–61. http://dx.doi.org/10.1139/p89-045.
Pełny tekst źródłaSteinbruchel, C. "Ion–surface interactions: from sputtering to reactive ion etching". Materials Science and Technology 8, nr 7 (lipiec 1992): 565–73. http://dx.doi.org/10.1179/mst.1992.8.7.565.
Pełny tekst źródłaPeng, Dong Sheng, Zhi Gang Chen i Cong Cong Tan. "Study of Silicon Substrate Microspheres Reactive Ion Etching Technique". Advanced Materials Research 542-543 (czerwiec 2012): 945–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.542-543.945.
Pełny tekst źródłaAKINAGA, Hiro, Fumiyoshi TAKANO, Shigeno MATSUMOTO i Wilson A. T. DIÑO. "Reactive Ion Etching of Transition-Metal Alloys". SHINKU 49, nr 12 (2006): 716–21. http://dx.doi.org/10.3131/jvsj.49.716.
Pełny tekst źródłaShaqfeh, Eric S. G., i Charles W. Jurgensen. "Simulation of reactive ion etching pattern transfer". Journal of Applied Physics 66, nr 10 (15.11.1989): 4664–75. http://dx.doi.org/10.1063/1.343823.
Pełny tekst źródłaLin, M. E., Z. F. Fan, Z. Ma, L. H. Allen i H. Morkoç. "Reactive ion etching of GaN using BCl3". Applied Physics Letters 64, nr 7 (14.02.1994): 887–88. http://dx.doi.org/10.1063/1.110985.
Pełny tekst źródłaSingh, B., J. H. Thomas III i V. Patel. "Magnetic multipole‐based reactive ion etching reactor". Applied Physics Letters 60, nr 19 (11.05.1992): 2335–37. http://dx.doi.org/10.1063/1.107018.
Pełny tekst źródłaTacito, Robert D., i Christoph Steinbrüchel. "Patterning of Benzocyclobutene by Reactive Ion Etching". Journal of The Electrochemical Society 143, nr 8 (1.08.1996): 2695–97. http://dx.doi.org/10.1149/1.1837074.
Pełny tekst źródłaWalter, Lee. "Photoresist Damage in Reactive Ion Etching Processes". Journal of The Electrochemical Society 144, nr 6 (1.06.1997): 2150–54. http://dx.doi.org/10.1149/1.1837755.
Pełny tekst źródłaZhao, Qiang, i Paul A. Kohl. "Reactive Ion Etching of Silicon Containing Polynorbornenes". Journal of The Electrochemical Society 145, nr 4 (1.04.1998): 1257–62. http://dx.doi.org/10.1149/1.1838448.
Pełny tekst źródłaChoi, Dae-Geun, Hyung Kyun Yu, Se Gyu Jang i Seung-Man Yang. "Colloidal Lithographic Nanopatterning via Reactive Ion Etching". Journal of the American Chemical Society 126, nr 22 (czerwiec 2004): 7019–25. http://dx.doi.org/10.1021/ja0319083.
Pełny tekst źródłaChinoy, P. B. "Reactive ion etching of benzocyclobutene polymer films". IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology: Part C 20, nr 3 (lipiec 1997): 199–206. http://dx.doi.org/10.1109/3476.649441.
Pełny tekst źródłaWatanabe, F. "Oxygen reactive ion etching of organosilicon polymers". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 4, nr 1 (styczeń 1986): 422. http://dx.doi.org/10.1116/1.583347.
Pełny tekst źródłaPearton, S. J., R. J. Shul, G. F. Mclane i C. Constantine. "Reactive ion etching of III–V nitrides". Solid-State Electronics 41, nr 2 (luty 1997): 159–63. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(96)00158-x.
Pełny tekst źródłaWoo, Bryan W. K., Shannon C. Gott, Ryan A. Peck, Dong Yan, Mathias W. Rommelfanger i Masaru P. Rao. "Ultrahigh Resolution Titanium Deep Reactive Ion Etching". ACS Applied Materials & Interfaces 9, nr 23 (czerwiec 2017): 20161–68. http://dx.doi.org/10.1021/acsami.6b16518.
Pełny tekst źródłaCoburn, J. W. "Role of ions in reactive ion etching". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 12, nr 4 (lipiec 1994): 1417–24. http://dx.doi.org/10.1116/1.579330.
Pełny tekst źródłaCongxin, Ren, Yang Jie, Zheng Yanfang, Chen Lizhi, Chen Guoliang i Tsou Shichang. "Reactive ion beam etching characteristics of LiNbO3". Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 19-20 (styczeń 1987): 1018–21. http://dx.doi.org/10.1016/s0168-583x(87)80202-1.
Pełny tekst źródła