Gotowa bibliografia na temat „Reactive ion etching”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Spis treści
Zobacz listy aktualnych artykułów, książek, rozpraw, streszczeń i innych źródeł naukowych na temat „Reactive ion etching”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Artykuły w czasopismach na temat "Reactive ion etching"
Oehrlein, Gottlieb S. "Reactive‐Ion Etching". Physics Today 39, nr 10 (październik 1986): 26–33. http://dx.doi.org/10.1063/1.881066.
Pełny tekst źródłaSchmid, H. "Microwave etching device for reactive ion etching". Materials Science and Engineering: A 139 (lipiec 1991): 408–16. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5093(91)90650-c.
Pełny tekst źródłaSHAO, TIAN-QI, TIAN-LING REN, LI-TIAN LIU, JUN ZHU i ZHI-JIAN LI. "Reactive Ion Etching and Ion Beam Etching for Ferroelectric Memories". Integrated Ferroelectrics 61, nr 1 (sierpień 2004): 213–20. http://dx.doi.org/10.1080/10584580490459288.
Pełny tekst źródłaLim, Nomin, Yeon Sik Choi, Alexander Efremov i Kwang-Ho Kwon. "Dry Etching Performance and Gas-Phase Parameters of C6F12O + Ar Plasma in Comparison with CF4 + Ar". Materials 14, nr 7 (24.03.2021): 1595. http://dx.doi.org/10.3390/ma14071595.
Pełny tekst źródłaSandhu, G. S., i W. K. Chu. "Reactive ion etching of diamond". Applied Physics Letters 55, nr 5 (31.07.1989): 437–38. http://dx.doi.org/10.1063/1.101890.
Pełny tekst źródłaVerdonck, P., G. Brasseur i J. Swart. "Reactive ion etching and plasma etching of tungsten". Microelectronic Engineering 21, nr 1-4 (kwiecień 1993): 329–32. http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(93)90084-i.
Pełny tekst źródłaChinn, J. D. "Ion beam enhanced magnetron reactive ion etching". Applied Physics Letters 51, nr 24 (14.12.1987): 2007–9. http://dx.doi.org/10.1063/1.98275.
Pełny tekst źródłaMatocha, Kevin, Chris S. Cowen, Richard Beaupre i Jesse B. Tucker. "Effect of Reactive-Ion Etching on Thermal Oxide Properties on 4H-SiC". Materials Science Forum 527-529 (październik 2006): 983–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.983.
Pełny tekst źródłaJeng, S. J., i G. S. Oehrlein. "Silicon near-surface damage induced by reactive ion etching". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 45 (sierpień 1987): 244–45. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100126123.
Pełny tekst źródłaAnderson, Ron. "Ion-Beam Milling Materials with Applications to TEM Specimen Preparation". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 54 (11.08.1996): 266–67. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100163794.
Pełny tekst źródłaRozprawy doktorskie na temat "Reactive ion etching"
Baker, Michael Douglas. "In-situ monitoring of reactive ion etching". Diss., Georgia Institute of Technology, 1996. http://hdl.handle.net/1853/15352.
Pełny tekst źródłaMorris, Bryan George Oneal. "In situ monitoring of reactive ion etching". Diss., Atlanta, Ga. : Georgia Institute of Technology, 2009. http://hdl.handle.net/1853/31688.
Pełny tekst źródłaCommittee Chair: May, Gary; Committee Member: Brand,Oliver; Committee Member: Hasler,Paul; Committee Member: Kohl,Paul; Committee Member: Shamma,Jeff. Part of the SMARTech Electronic Thesis and Dissertation Collection.
Pugh, C. J. "End point detection in reactive ion etching". Thesis, University College London (University of London), 2013. http://discovery.ucl.ac.uk/1398304/.
Pełny tekst źródłaHedgecock, Ian. "The methane/hydrogen reactive ion etching of InP". Thesis, University of Bristol, 1994. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.240193.
Pełny tekst źródłaLandi, S. "Reactive ion etching techniques for uncooled pyroelectric detectors". Thesis, Cranfield University, 2006. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.423086.
Pełny tekst źródłaDickenson, Andrew C. "Measurement and simulation of ion energy distributions in a reactive ion etcher". Thesis, University of Bristol, 1994. http://hdl.handle.net/1983/2e692fca-5cd1-48da-bb7e-6bb76a1bb23b.
Pełny tekst źródłaMay, Paul W. "The energies of ions, electrons and neutral in reactive ion etching plasmas". Thesis, University of Bristol, 1991. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.303946.
Pełny tekst źródłaRobertson, C. J. "Factors controlling etch anisotropy in plasmas". Thesis, University of Surrey, 1990. http://epubs.surrey.ac.uk/843224/.
Pełny tekst źródłaChatfield, Robert J. "Mass and optical spectroscopy of CF₄ + O₂ plasmas and their application to the etching of Si, Ge and SiGe alloys". Thesis, University of Bristol, 1993. http://hdl.handle.net/1983/821a17c4-1dad-442b-9179-1f521e571c0f.
Pełny tekst źródłaFagan, James G. "Reactive ion etching of polymide films using a radio frequency discharge /". Online version of thesis, 1987. http://hdl.handle.net/1850/10284.
Pełny tekst źródłaKsiążki na temat "Reactive ion etching"
Fagan, James G. Reactive ion etching of polyimide films using a radio frequency discharge. Rochester N. Y: Rochester Institute of Technology, Materials Science and Engineering, 1987.
Znajdź pełny tekst źródłaSahafi, Hossein Fariborz. A study of reactive ion etching of gallium arsenide in mixtures of methane and hydrogen plasmas. [London]: [Middlesex University], 1992.
Znajdź pełny tekst źródłaMolloy, James. Argon and argon-chlorine plasma reactive ion etching and surface modification of transparent conductive tin oxide thin films for high resolution flat panel display electrode matrices. [s.l: The Author], 1997.
Znajdź pełny tekst źródłaCzęści książek na temat "Reactive ion etching"
Franssila, Sami, i Lauri Sainiemi. "Reactive Ion Etching (RIE)". W Encyclopedia of Microfluidics and Nanofluidics, 2911–21. New York, NY: Springer New York, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-5491-5_1344.
Pełny tekst źródłaFranssila, Sami, i Lauri Sainiemi. "Reactive Ion Etching (RIE)". W Encyclopedia of Microfluidics and Nanofluidics, 1–13. Boston, MA: Springer US, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-27758-0_1344-5.
Pełny tekst źródłaPan, W. S., i A. J. Steckl. "Reactive Ion Etching for SiC Device Fabrication". W Amorphous and Crystalline Silicon Carbide and Related Materials, 192–98. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-93406-3_29.
Pełny tekst źródłaRangelow, I. W., i P. Hudek. "Lithography and Reactive Ion Etching in Microfabrication". W Photons and Local Probes, 325–44. Dordrecht: Springer Netherlands, 1995. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-0423-4_30.
Pełny tekst źródłaRangelow, I. W., i R. Kassing. "Silicon Microreactors made by Reactive Ion Etching". W Microreaction Technology, 169–74. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-72076-5_19.
Pełny tekst źródłaHartney, M. A., D. W. Hess i D. S. Soane. "Reactive Ion Etching of Silicon Containing Resists". W Plasma-Surface Interactions and Processing of Materials, 503–5. Dordrecht: Springer Netherlands, 1990. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-009-1946-4_33.
Pełny tekst źródłaMüller, Roland. "Ellipsometry for Process Control in Reactive Ion Etching". W Micro System Technologies 90, 219–24. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1990. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-45678-7_30.
Pełny tekst źródłaHamaguchi, S., i H. Ohta. "Modeling of Reactive Ion Etching for Si/Si02Systems". W Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2001, 170–73. Vienna: Springer Vienna, 2001. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-6244-6_37.
Pełny tekst źródłaXia, Jun Hai, E. Rusli, R. Gopalakrishnan, S. F. Choy, Chin Che Tin, J. Ahn i S. F. Yoon. "Reactive Ion Etching Induced Surface Damage of Silicon Carbide". W Materials Science Forum, 765–68. Stafa: Trans Tech Publications Ltd., 2005. http://dx.doi.org/10.4028/0-87849-963-6.765.
Pełny tekst źródłaPan, W. S., i A. J. Steckl. "Mechanisms in Reactive Ion Etching of Silicon Carbide Thin Films". W Springer Proceedings in Physics, 217–23. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-75048-9_43.
Pełny tekst źródłaStreszczenia konferencji na temat "Reactive ion etching"
WU, YiHan, i HaiLin He. "Reactive ion etching and deep reactive ion etching processes". W 2nd International Conference on Mechanical, Electronics, and Electrical and Automation Control (METMS 2022), redaktor Xuexia Ye. SPIE, 2022. http://dx.doi.org/10.1117/12.2634681.
Pełny tekst źródłaWU, YiHan, i HaiLin He. "Reactive ion etching and deep reactive ion etching processes". W 2nd International Conference on Mechanical, Electronics, and Electrical and Automation Control (METMS 2022), redaktor Xuexia Ye. SPIE, 2022. http://dx.doi.org/10.1117/12.2634681.
Pełny tekst źródłaSukanek, Peter C., i Glynis Sullivan. "Reactive Ion Etching Of Silicon Dioxide". W Hague International Symposium, redaktorzy Harry L. Stover i Stefan Wittekoek. SPIE, 1987. http://dx.doi.org/10.1117/12.975614.
Pełny tekst źródłaVawter, G. Allen. "Reactive Ion Etching Of Laser Structures". W 1988 Semiconductor Symposium, redaktorzy Harold G. Craighead i Jagdish Narayan. SPIE, 1988. http://dx.doi.org/10.1117/12.947383.
Pełny tekst źródłaChoudhary, A., J. Cugat, K. Pradeesh, R. Sole, F. Diaz, M. Aguilo, H. M. H. Chong i D. P. Shepherd. "On the reactive ion etching of RbTiOPO4". W 2013 Conference on Lasers & Electro-Optics Europe & International Quantum Electronics Conference CLEO EUROPE/IQEC. IEEE, 2013. http://dx.doi.org/10.1109/cleoe-iqec.2013.6800965.
Pełny tekst źródłaSATO, Masayuki, Daisuke KIMURA, Nobuyuki TAKENAKA, Shigeo ONISHI, Keizo SAKIYAMA i Tohru HARA. "Low Damage Magnetron Enhanced Reactive Ion Etching". W 1991 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1991. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1991.pb2-4.
Pełny tekst źródłaPatel, Kaushal S., Victor Pham, Wenjie Li, Mahmoud Khojasteh i Pushkara Rao Varanasi. "Reactive ion etching of fluorine containing photoresist". W SPIE 31st International Symposium on Advanced Lithography, redaktor Qinghuang Lin. SPIE, 2006. http://dx.doi.org/10.1117/12.656605.
Pełny tekst źródłaHartney, Mark A., Wayne M. Greene, Dennis W. Hess i David S. Soong. "Oxygen Reactive Ion Etching For Multilevel Lithography". W Microlithography Conference, redaktor Murrae J. Bowden. SPIE, 1987. http://dx.doi.org/10.1117/12.940343.
Pełny tekst źródłaAbramo, M. T., E. B. Roy i S. M. LeCours. "Reactive ion etching for failure analysis applications". W 30th Annual Proceedings Reliability Physics 1992. IEEE, 1992. http://dx.doi.org/10.1109/relphy.1992.187663.
Pełny tekst źródłaAbramo, Marsha T., Erica B. Roy i Steven M. LeCours. "Reactive Ion Etching for Failure Analysis Applications". W 30th International Reliability Physics Symposium. IEEE, 1992. http://dx.doi.org/10.1109/irps.1992.363312.
Pełny tekst źródłaRaporty organizacyjne na temat "Reactive ion etching"
Zaidi, S. H. Random and Uniform Reactive Ion Etching Texturing of Si. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), kwiecień 1999. http://dx.doi.org/10.2172/5938.
Pełny tekst źródłaZAIDI, SALEEM H. Reactive Ion Etching for Randomly Distributed Texturing of Multicrystalline Silicon Solar Cells. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), maj 2002. http://dx.doi.org/10.2172/800948.
Pełny tekst źródłaWashington, Derwin. Reactive Ion Etching of PECVD Silicon Dioxide (SiO2) Layer for MEMS Application. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, lipiec 2004. http://dx.doi.org/10.21236/ada425806.
Pełny tekst źródłaDems, B. C., i F. Rodriguez. The Role of Heat Transfer during Reactive-Ion Etching of Polymer Films. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, maj 1990. http://dx.doi.org/10.21236/ada222072.
Pełny tekst źródłaMcLane, George F., Paul Cooke i Robert P. Moerkirk. Magnetron Reactive Ion Etching of GaAs and AIGaAs in CH4/H2/Ar Plasmas. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, maj 1996. http://dx.doi.org/10.21236/ada310955.
Pełny tekst źródłaScherer, Axel. Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching (ICP-RIE): Nanofabrication Tool for High Resolution Pattern Transfer. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, październik 2001. http://dx.doi.org/10.21236/ada396342.
Pełny tekst źródłaPalmisiano, M. N., G. M. Peake, R. J. Shul, C. I. Ashby, J. G. Cederberg, M. J. Hafich i R. M. Biefeld. Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching of AlGaAsSb and InGaAsSb for Quaternary Antimonide MIM Thermophotovoltaics. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), październik 2002. http://dx.doi.org/10.2172/805334.
Pełny tekst źródłaLee, J. W., S. J. Pearton, C. R. Abernathy, G. A. Vawter, R. J. Shul, M. M. Bridges i C. L. Willison. In-situ monitoring of etch by-products during reactive ion beam etching of GaAs in chlorine/argon. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), grudzień 1997. http://dx.doi.org/10.2172/292864.
Pełny tekst źródła