Gotowa bibliografia na temat „Power semiconductor diodes”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Zobacz listy aktualnych artykułów, książek, rozpraw, streszczeń i innych źródeł naukowych na temat „Power semiconductor diodes”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Artykuły w czasopismach na temat "Power semiconductor diodes"
Parker-Allotey, Nii Adotei, Dean P. Hamilton, Olayiwola Alatise, Michael R. Jennings, Philip A. Mawby, Rob Nash i Rob Magill. "Improved Energy Efficiency Using an IGBT/SiC-Schottky Diode Pair". Materials Science Forum 717-720 (maj 2012): 1147–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1147.
Pełny tekst źródłaBumai, Yurii, Aleh Vaskou i Valerii Kononenko. "Measurement and Analysis of Thermal Parameters and Efficiency of Laser Heterostructures and Light-Emitting Diodes". Metrology and Measurement Systems 17, nr 1 (1.01.2010): 39–45. http://dx.doi.org/10.2478/v10178-010-0004-x.
Pełny tekst źródłaLiu, Hai Rui, i Jun Sheng Yu. "Characterization of Metal-Semiconductor Schottky Diodes and Application on THz Detection". Advanced Materials Research 683 (kwiecień 2013): 729–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.683.729.
Pełny tekst źródłaLi, Zai Jin, Yi Qu, Te Li, Peng Lu, Bao Xue Bo, Guo Jun Liu i Xiao Hui Ma. "The Characteristics of Facet Coatings on Diode Lasers". Advanced Materials Research 1089 (styczeń 2015): 202–5. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1089.202.
Pełny tekst źródłaAl-Rawashdeh, Ayman Yasseen, Mikhail Pavlovich Dunayev, Khalaf Y. Alzyoud i Sarfaroz U. Dovudov. "Calculation of power losses in a frequency inverter". International Journal of Power Electronics and Drive Systems (IJPEDS) 15, nr 3 (1.09.2024): 1331. http://dx.doi.org/10.11591/ijpeds.v15.i3.pp1331-1338.
Pełny tekst źródłaShurenkov, V. V. "On the Physical Mechanism of the Interaction of the Microwave Radiation with the Semiconductor Diodes". Advanced Materials Research 1016 (sierpień 2014): 521–25. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1016.521.
Pełny tekst źródłaSu, Xinran. "The Retrospect and Prospect of GaN-Based Schottky Diode". Journal of Physics: Conference Series 2381, nr 1 (1.12.2022): 012119. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2381/1/012119.
Pełny tekst źródłaZemliak, Alexander, i Eugene Machusky. "Analysis of Electrical and Thermal Models for Pulsed IMPATT Diode Simulation". WSEAS TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS 20 (12.07.2021): 156–65. http://dx.doi.org/10.37394/23201.2021.20.19.
Pełny tekst źródłaOstapchuk, Mikhail, Dmitry Shishov, Daniil Shevtsov i Sergey Zanegin. "Research of Static and Dynamic Properties of Power Semiconductor Diodes at Low and Cryogenic Temperatures". Inventions 7, nr 4 (18.10.2022): 96. http://dx.doi.org/10.3390/inventions7040096.
Pełny tekst źródłaKolesnikov, Maksim, M. Kharchenko, V. Dorohov i Konstantin Zolnikov. "Application of semiconductor electronics products in extreme conditions". Modeling of systems and processes 16, nr 1 (29.03.2023): 46–56. http://dx.doi.org/10.12737/2219-0767-2023-16-1-46-56.
Pełny tekst źródłaRozprawy doktorskie na temat "Power semiconductor diodes"
Ma, Cliff Liewei. "Modeling of bipolar power semiconductor devices /". Thesis, Connect to this title online; UW restricted, 1994. http://hdl.handle.net/1773/6046.
Pełny tekst źródłaLock, Daren. "Investigations into the high power limitations of semiconductor laser diodes". Thesis, University of Surrey, 2005. http://epubs.surrey.ac.uk/711/.
Pełny tekst źródłaYou, Budong. "Investigation of MOS-Gated Thyristors and Power Diodes". Diss., Virginia Tech, 2000. http://hdl.handle.net/10919/26094.
Pełny tekst źródłaPh. D.
Amuzuvi, Christian Kwaku. "Characterisation, emulation and by-emitter degradation analysis of high power semiconductor laser diodes". Thesis, University of Nottingham, 2010. http://eprints.nottingham.ac.uk/13102/.
Pełny tekst źródłaEfthymiou, Loizos. "GaN-on-silicon HEMTs and Schottky diodes for high voltage applications". Thesis, University of Cambridge, 2017. https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/274912.
Pełny tekst źródłaGuo, Xuhan. "Generation of ultrashort optical pulses with high peak power by monolithic laser diodes". Thesis, University of Cambridge, 2014. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.648571.
Pełny tekst źródłaTuladhar, Looja R. "Resonant power MOSFET drivers for LED lighting /". Connect to resource online, 2009. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=ysu1264709029.
Pełny tekst źródłaWang, Cai Johnson R. Wayne. "High temperature high power SiC devices packaging processes and materials development". Auburn, Ala., 2006. http://repo.lib.auburn.edu/2006%20Spring/doctoral/WANG_CAI_24.pdf.
Pełny tekst źródłaLang, Lei. "Investigation of optical filtering techniques for improving the beam quality of high-power semiconductor laser diodes". Thesis, University of Nottingham, 2011. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.546489.
Pełny tekst źródłaBull, Stephen. "Photo- and electroluminescence microscopy and spectroscopy investigations of high power and high brightness semiconductor laser diodes". Thesis, University of Nottingham, 2004. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.417522.
Pełny tekst źródłaKsiążki na temat "Power semiconductor diodes"
Center, Goddard Space Flight, red. Modulation characteristics of a high-power semiconductor master oscillator power amplifier (MOPA). Greenbelt, Md: National Aeronautics and Space Administration, Goddard Space Flight Center, 1992.
Znajdź pełny tekst źródłaCenter, Goddard Space Flight, red. Modulation characteristics of a high-power semiconductor master oscillator power amplifier (MOPA). Greenbelt, Md: National Aeronautics and Space Administration, Goddard Space Flight Center, 1992.
Znajdź pełny tekst źródłaS, Zediker Mark, i Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., red. High-power diode laser technology and applications III: 24-25 January, 2005, San Jose, California, USA. Bellingham, Wash: SPIE, 2005.
Znajdź pełny tekst źródłaZediker, Mark S. High-power diode laser technology and applications VI: 21-23 January 2008, San Jose, California, USA. Bellingham, Wash: SPIE, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaJ, Linden Kurt, Akkapeddi Prasad R, Society of Photo-optical Instrumentation Engineers. i United States. Advanced Research Projects Agency., red. Laser diodes and applications II. Bellingham, WA: SPIE, 1996.
Znajdź pełny tekst źródłaJ, Linden Kurt, Akkapeddi Prasad R i Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., red. Laser diodes and applications: 8-10 February 1995, San Jose, California. Bellingham, Wash., USA: SPIE, 1995.
Znajdź pełny tekst źródłaZediker, Mark S. High-power diode laser technology and applications VI: 21-23 January 2008, San Jose, California, USA. Bellingham, Wash: SPIE, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaZediker, Mark S. High-power diode laser technology and applications VIII: 25-26 January 2010, San Francisco, California, United States. Redaktor SPIE (Society). Bellingham, Wash: SPIE, 2010.
Znajdź pełny tekst źródłaZediker, Mark S. High-power diode laser technology and applications VII: 26-27 January 2009, San Jose, California, United States. Redaktor SPIE (Society). Bellingham, Wash: SPIE, 2009.
Znajdź pełny tekst źródłaZediker, Mark S. High-power diode laser technology and applications VII: 26-27 January 2009, San Jose, California, United States. Redaktor SPIE (Society). Bellingham, Wash: SPIE, 2009.
Znajdź pełny tekst źródłaCzęści książek na temat "Power semiconductor diodes"
Lutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann i Rik De Doncker. "pin Diodes". W Semiconductor Power Devices, 201–70. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-70917-8_5.
Pełny tekst źródłaLutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann i Rik De Doncker. "Schottky Diodes". W Semiconductor Power Devices, 271–93. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-70917-8_6.
Pełny tekst źródłaLutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann i Rik De Doncker. "pin-Diodes". W Semiconductor Power Devices, 159–224. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-11125-9_5.
Pełny tekst źródłaLutz, Josef, Heinrich Schlangenotto, Uwe Scheuermann i Rik De Doncker. "Schottky Diodes". W Semiconductor Power Devices, 225–40. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-11125-9_6.
Pełny tekst źródłaHoft, Richard G. "Diodes and Power Transistors". W Semiconductor Power Electronics, 26–56. Dordrecht: Springer Netherlands, 1986. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-7015-4_2.
Pełny tekst źródłaSreejith, S., B. Sivasankari, S. Babu Devasenapati, A. Karthika i Anitha Mathew. "Recent Developments in Schottky Diodes and Their Applications". W Emerging Low-Power Semiconductor Devices, 127–51. Boca Raton: CRC Press, 2022. http://dx.doi.org/10.1201/9781003240778-7.
Pełny tekst źródłaGružinskis, V., E. Starikov, P. Shiktorov, L. Reggiani, M. Saraniti i L. Varani. "Generation and Amplification of Microwave Power in Submicron n + nn + Diodes". W Simulation of Semiconductor Devices and Processes, 333–36. Vienna: Springer Vienna, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-6657-4_82.
Pełny tekst źródłaChin, Aland K., i Rick K. Bertaska. "Catastrophic Optical Damage in High-Power, Broad-Area Laser Diodes". W Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices, 123–45. New York, NY: Springer New York, 2012. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4614-4337-7_5.
Pełny tekst źródłaPati, S. P., i P. R. Tripathy. "Monitoring Parameters for Optimization of Power & Efficiency and Minimization of Noise in High Frequency IMPATT Diodes". W Physics of Semiconductor Devices, 163–67. Cham: Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_41.
Pełny tekst źródłaRamshaw, R. S. "The Diode". W Power Electronics Semiconductor Switches, 90–122. Boston, MA: Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4757-6219-8_3.
Pełny tekst źródłaStreszczenia konferencji na temat "Power semiconductor diodes"
Rezek, E. A., N. Adachi, D. Tran i L. Yow. "High Power 1.3 Micron Laser Diodes". W Semiconductor Lasers. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1987. http://dx.doi.org/10.1364/sla.1987.tud6.
Pełny tekst źródłaDelfyett, Jr., Peter J. "High-power ultrafast semiconductor laser diodes". W OE/LASE'93: Optics, Electro-Optics, & Laser Applications in Science& Engineering, redaktorzy Timothy R. Gosnell, Antoinette J. Taylor, Keith A. Nelson i Michael C. Downer. SPIE, 1993. http://dx.doi.org/10.1117/12.147075.
Pełny tekst źródłaTomita, Nobuo, i Mitsuhiro Tateda. "High Power Semiconductor Laser Diodes for OTDRs". W Optical Fiber Sensors. Washington, D.C.: OSA, 1996. http://dx.doi.org/10.1364/ofs.1996.ex12.
Pełny tekst źródłaSasaki, Y., Y. Furushima, T. Hosoda, T. Murakami i H. Hasumi. "High Power Semiconductor Laser Diodes for OTDRs". W Optical Fiber Sensors. Washington, D.C.: OSA, 1996. http://dx.doi.org/10.1364/ofs.1996.we44.
Pełny tekst źródłaNiemax, K., C. Schnürer-Patschan, A. Zybin, H. Groll i Y. Kuritsyn. "Wavelength Modulation Atomic Absorption Spectrometry With Semiconductor Diode Lasers". W Laser Applications to Chemical Analysis. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1994. http://dx.doi.org/10.1364/laca.1994.wb.4.
Pełny tekst źródłaWelch, D. F. "Advances in high power semiconductor diode lasers and their applications". W The European Conference on Lasers and Electro-Optics. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1994. http://dx.doi.org/10.1364/cleo_europe.1994.ctup1.
Pełny tekst źródłaBisping, D., D. Pucicki, S. Hofling, S. Habermann, D. Ewert, M. Fischer, J. Koeth i in. "1240nm GaInNAs high power laser diodes". W 2008 IEEE 21st International Semiconductor Laser Conference (ISLC). IEEE, 2008. http://dx.doi.org/10.1109/islc.2008.4636004.
Pełny tekst źródłaAmaratunga, Gehan A. J. "Diamond Schottky diodes for power conversion". W 2007 International Workshop on Physics of Semiconductor Devices. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/iwpsd.2007.4472632.
Pełny tekst źródłaMauerhoff, Felix, Oktay Senel, Hans Wenzel, Andre Maassdorf, Jos Boschker, Johannes Glaab, Katrin Paschke i Günther Tränkle. "High power AlGaInP laser diodes at 626 nm". W Novel In-Plane Semiconductor Lasers XXIII, redaktorzy Alexey A. Belyanin i Peter M. Smowton. SPIE, 2024. http://dx.doi.org/10.1117/12.3002216.
Pełny tekst źródłaKanskar, M., L. Bao, Z. Chen, D. Dawson, M. DeVito, M. Grimshaw, X. Guan i in. "Flared Oscillator Waveguide Diodes (FLOW-Diodes) Produce Record-High Single-Wavelength Fiber-Coupled Power". W 2018 IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/islc.2018.8516253.
Pełny tekst źródła