Artykuły w czasopismach na temat „Power MOSFETs”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Power MOSFETs”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Lichtenwalner, Daniel J., Brett Hull, Vipindas Pala, Edward Van Brunt, Sei-Hyung Ryu, Joe J. Sumakeris, Michael J. O’Loughlin, Albert A. Burk, Scott T. Allen i John W. Palmour. "Performance and Reliability of SiC Power MOSFETs". MRS Advances 1, nr 2 (2016): 81–89. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2015.57.
Pełny tekst źródłaFunaki, Tsuyoshi, Yuki Nakano i Takashi Nakamura. "Comparative Study of SiC MOSFETs in High Voltage Switching Operation". Materials Science Forum 717-720 (maj 2012): 1081–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1081.
Pełny tekst źródłaEjury, Jens. "Advanced Thermal Simulation Model for Power MOSFETs". International Symposium on Microelectronics 2013, nr 1 (1.01.2013): 000598–603. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2013-wa64.
Pełny tekst źródłaPrado, Edemar O., Pedro C. Bolsi, Hamiltom C. Sartori i José R. Pinheiro. "An Overview about Si, Superjunction, SiC and GaN Power MOSFET Technologies in Power Electronics Applications". Energies 15, nr 14 (20.07.2022): 5244. http://dx.doi.org/10.3390/en15145244.
Pełny tekst źródłaMatocha, Kevin, Peter A. Losee, Arun Gowda, Eladio Delgado, Greg Dunne, Richard Beaupre i Ljubisa Stevanovic. "Performance and Reliability of SiC MOSFETs for High-Current Power Modules". Materials Science Forum 645-648 (kwiecień 2010): 1123–26. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.1123.
Pełny tekst źródłaJadli, Utkarsh, Faisal Mohd-Yasin, Hamid Amini Moghadam, Peyush Pande, Mayank Chaturvedi i Sima Dimitrijev. "A Method for Selection of Power MOSFETs to Minimize Power Dissipation". Electronics 10, nr 17 (3.09.2021): 2150. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10172150.
Pełny tekst źródłaLichtenwalner, Daniel J., Akin Akturk, James McGarrity, Jim Richmond, Thomas Barbieri, Brett Hull, Dave Grider, Scott Allen i John W. Palmour. "Reliability of SiC Power Devices against Cosmic Ray Neutron Single-Event Burnout". Materials Science Forum 924 (czerwiec 2018): 559–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.559.
Pełny tekst źródłaKampitsis, Georgios E., Stavros A. Papathanassiou i Stefanos N. Manias. "Comparative Analysis of the Thermal Stress of Si and SiC MOSFETs during Short Circuits". Materials Science Forum 856 (maj 2016): 362–67. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.856.362.
Pełny tekst źródłaKannan, Ramani, Saranya Krishnamurthy, Chay Che Kiong i Taib B. Ibrahim. "Impact of gamma-ray irradiation on dynamic characteristics of Si and SiC power MOSFETs". International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) 9, nr 2 (1.04.2019): 1453. http://dx.doi.org/10.11591/ijece.v9i2.pp1453-1460.
Pełny tekst źródłaBottaro, Enrico, Santi Agatino Rizzo i Nunzio Salerno. "Circuit Models of Power MOSFETs Leading the Way of GaN HEMT Modelling—A Review". Energies 15, nr 9 (7.05.2022): 3415. http://dx.doi.org/10.3390/en15093415.
Pełny tekst źródłaLangpoklakpam, Catherine, An-Chen Liu, Kuo-Hsiung Chu, Lung-Hsing Hsu, Wen-Chung Lee, Shih-Chen Chen, Chia-Wei Sun, Min-Hsiung Shih, Kung-Yen Lee i Hao-Chung Kuo. "Review of Silicon Carbide Processing for Power MOSFET". Crystals 12, nr 2 (11.02.2022): 245. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12020245.
Pełny tekst źródłaBaliga, B. Jayant, Woong Je Sung, Ki Jeong Han, J. Harmon, A. Tucker i S. Syed. "PRESiCETM: Process Engineered for Manufacturing SiC Electronic Devices". Materials Science Forum 924 (czerwiec 2018): 523–26. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.523.
Pełny tekst źródłaLuo, Qixiao. "Research on the advantages and development status of new material MOSFET". Highlights in Science, Engineering and Technology 33 (21.02.2023): 210–18. http://dx.doi.org/10.54097/hset.v33i.5313.
Pełny tekst źródłaMatocha, Kevin, Sujit Banerjee i Kiran Chatty. "Advanced SiC Power MOSFETs Manufactured on 150mm SiC Wafers". Materials Science Forum 858 (maj 2016): 803–6. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.803.
Pełny tekst źródłaChoi, Cheol-Woong, Jae-Hyeon So, Jae-Sub Ko i Dae-Kyong Kim. "Influence Analysis of SiC MOSFET’s Parasitic Capacitance on DAB Converter Output". Electronics 12, nr 1 (30.12.2022): 182. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12010182.
Pełny tekst źródłaZhu, Shengnan, Tianshi Liu, Junchong Fan, Arash Salemi, Marvin H. White, David Sheridan i Anant K. Agarwal. "A New Cell Topology for 4H-SiC Planar Power MOSFETs for High-Frequency Switching". Materials 15, nr 19 (27.09.2022): 6690. http://dx.doi.org/10.3390/ma15196690.
Pełny tekst źródłaWang, Teng, Xin Wan, Hu Jin, Hao Li, Yabin Sun, Renrong Liang, Jun Xu i Lirong Zheng. "Optimization of the Cell Structure for Radiation-Hardened Power MOSFETs". Electronics 8, nr 6 (28.05.2019): 598. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8060598.
Pełny tekst źródłaYun, Minghui, Miao Cai, Daoguo Yang, Yiren Yang, Jing Xiao i Guoqi Zhang. "Bond Wire Damage Detection Method on Discrete MOSFETs Based on Two-Port Network Measurement". Micromachines 13, nr 7 (7.07.2022): 1075. http://dx.doi.org/10.3390/mi13071075.
Pełny tekst źródłaChoi, Won Suk, Sung Mo Young, Richard L. Woodin, A. W. Witt i J. Shovlin. "A High Performance CCM PFC Circuit Using a SiC Schottky Diode and a Si SuperFETTM Switch". Materials Science Forum 600-603 (wrzesień 2008): 1235–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.1235.
Pełny tekst źródłaGreen, Ronald, Aivars J. Lelis i Daniel B. Habersat. "Charge Trapping in Sic Power MOSFETs and its Consequences for Robust Reliability Testing". Materials Science Forum 717-720 (maj 2012): 1085–88. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1085.
Pełny tekst źródłaAlbrecht, Matthaeus, Tobias Erlbacher, Anton Bauer i Lothar Frey. "Improving 5V Digital 4H-SiC CMOS ICs for Operating at 400°C Using PMOS Channel Implantation". Materials Science Forum 963 (lipiec 2019): 827–31. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.827.
Pełny tekst źródłaLichtenwalner, Daniel J., Shadi Sabri, Edward Van Brunt, Brett Hull, Sei Hyung Ryu, Philipp Steinmann, Amy Romero i in. "Accelerated Testing of SiC Power Devices under High-Field Operating Conditions". Materials Science Forum 1004 (lipiec 2020): 992–97. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1004.992.
Pełny tekst źródłaQiu, Guoqing, Kedi Jiang, Shengyou Xu, Xin Yang i Wei Wang. "Modeling and analysis of the characteristics of SiC MOSFET". Journal of Physics: Conference Series 2125, nr 1 (1.11.2021): 012051. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2125/1/012051.
Pełny tekst źródłavan Zeghbroeck, Bart, i Hamid Fardi. "Comparison of 3C-SiC and 4H-SiC Power MOSFETs". Materials Science Forum 924 (czerwiec 2018): 774–77. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.774.
Pełny tekst źródłaHan, Ki Jeong, B. Jayant Baliga i Woong Je Sung. "1.2 kV 4H-SiC Split-Gate Power MOSFET: Analysis and Experimental Results". Materials Science Forum 924 (czerwiec 2018): 684–88. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.684.
Pełny tekst źródłaPrado, Edemar O., Pedro C. Bolsi, Hamiltom C. Sartori i José R. Pinheiro. "Design of Uninterruptible Power Supply Inverters for Different Modulation Techniques Using Pareto Front for Cost and Efficiency Optimization". Energies 16, nr 3 (26.01.2023): 1314. http://dx.doi.org/10.3390/en16031314.
Pełny tekst źródłaQin, Mo, Xun, Zhang i Dong. "A Digital-Controlled SiC-Based Solid State Circuit Breaker with Soft Switch-Off Method for DC Power System". Electronics 8, nr 8 (26.07.2019): 837. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8080837.
Pełny tekst źródłaRahimo, Munaf. "Performance Evaluation and Expected Challenges of Silicon Carbide Power MOSFETs for High Voltage Applications". Materials Science Forum 897 (maj 2017): 649–54. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.649.
Pełny tekst źródłaPeters, Dethard, Reinhold Schörner, Peter Friedrichs i Dietrich Stephani. "SiC Power MOSFETs – Status, Trends and Challenges". Materials Science Forum 527-529 (październik 2006): 1255–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1255.
Pełny tekst źródłaZheng, Xueyan, Lifeng Wu, Yong Guan i Xiaojuan Li. "Analysis of the Degradation of MOSFETs in Switching Mode Power Supply by Characterizing Source Oscillator Signals". Mathematical Problems in Engineering 2013 (2013): 1–7. http://dx.doi.org/10.1155/2013/302563.
Pełny tekst źródłaFujihira, Keiko, Naruhisa Miura, Tomokatsu Watanabe, Yukiyasu Nakao, Naoki Yutani, Kenichi Ohtsuka, Masayuki Imaizumi, Tetsuya Takami i Tatsuo Oomori. "Realization of Low On-Resistance 4H-SiC Power MOSFETs by Using Retrograde Profile in P-Body". Materials Science Forum 556-557 (wrzesień 2007): 827–30. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.556-557.827.
Pełny tekst źródłaWu, Li-Feng, Yong Guan, Xiao-Juan Li i Jie Ma. "Anomaly Detection and Degradation Prediction of MOSFET". Mathematical Problems in Engineering 2015 (2015): 1–5. http://dx.doi.org/10.1155/2015/573980.
Pełny tekst źródłaXiong, Yali, Xu Cheng, Xiangcheng Wang, Pavan Kumar, Lina Guo i Z. John Shen. "Performance Analysis of Trench Power MOSFETs in High-Frequency Synchronous Buck Converter Applications". International Journal of Power Management Electronics 2008 (9.06.2008): 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2008/412175.
Pełny tekst źródłaDhar, Sarit, Shurui Wang, John R. Williams, Sokrates T. Pantelides i Leonard C. Feldman. "Interface Passivation for Silicon Dioxide Layers on Silicon Carbide". MRS Bulletin 30, nr 4 (kwiecień 2005): 288–92. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2005.75.
Pełny tekst źródłaZhao, Jian H. "Silicon Carbide Power Field-Effect Transistors". MRS Bulletin 30, nr 4 (kwiecień 2005): 293–98. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2005.76.
Pełny tekst źródłaTayade, Vinod Pralhad, i Swapnil Laxman Lahudkar. "Implementation of 20 nm Graphene Channel Field Effect Transistors Using Silvaco TCAD Tool to Improve Short Channel Effects over Conventional MOSFETs". Advances in Technology Innovation 7, nr 1 (5.10.2021): 18–29. http://dx.doi.org/10.46604/aiti.2021.8098.
Pełny tekst źródłaLiu, Hongyu, Jianing Li, Yuanjie Lv, Yuangang Wang, Xiaoli Lu, Shaobo Dun, Tingting Han i in. "Improved electrical performance of lateral β-Ga2O3 MOSFETs utilizing slanted fin channel structure". Applied Physics Letters 121, nr 20 (14.11.2022): 202101. http://dx.doi.org/10.1063/5.0119694.
Pełny tekst źródłaHoffmann, Felix, Stefan Schmitt i Nando Kaminski. "Comparison of the H3TRB Performance of Silicon and Silicon Carbide Power Modules". Materials Science Forum 1062 (31.05.2022): 487–92. http://dx.doi.org/10.4028/p-7j50kd.
Pełny tekst źródłaSHENAI, K., K. F. GALLOWAY i R. D. SCHRIMPF. "THE EFFECTS OF SPACE RADIATION EXPOSURE ON POWER MOSFETS: A REVIEW". International Journal of High Speed Electronics and Systems 14, nr 02 (czerwiec 2004): 445–63. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156404002454.
Pełny tekst źródłaMatacena, Ilaria, Luca Maresca, Michele Riccio, Andrea Irace, Giovanni Breglio i Santolo Daliento. "Experimental Analysis of C-V and I-V Curves Hysteresis in SiC MOSFETs". Materials Science Forum 1062 (31.05.2022): 669–75. http://dx.doi.org/10.4028/p-bzki64.
Pełny tekst źródłaMbonane, Sandile H., i Viranjay Srivastava. "Class-B Power Amplifier with Si-Based Double-Gate MOSFET: A Circuit Perspective". Key Engineering Materials 907 (21.01.2022): 50–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.907.50.
Pełny tekst źródłaMüting, Johanna, Bhagyalakshmi Kakarla i Ulrike Grossner. "Comprehensive and Detailed Study on the Modeling of Commercial SiC Power MOSFET Devices Using TCAD". Materials Science Forum 897 (maj 2017): 553–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.553.
Pełny tekst źródłaKatsueda, Mineo, i Tetsuo Iijima. "Switching power losses of power MOSFETs". Electrical Engineering in Japan 105, nr 6 (1985): 136–42. http://dx.doi.org/10.1002/eej.4391050616.
Pełny tekst źródłaBarbagallo, Carmelo, Santi Agatino Rizzo, Giacomo Scelba, Giuseppe Scarcella i Mario Cacciato. "On the Lifetime Estimation of SiC Power MOSFETs for Motor Drive Applications". Electronics 10, nr 3 (30.01.2021): 324. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10030324.
Pełny tekst źródłaKim, Tae-Woo. "Effects of Equivalent-Oxide-Thickness and Fin-Width Scaling on In0.53Ga0.47As Tri-Gate Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistors with Al2O3/HfO2 for Low-Power Logic Applications". Electronics 9, nr 1 (26.12.2019): 29. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9010029.
Pełny tekst źródłaEkanayake, Gihan, Mahesh Patil, Jae-Hyeong Seo i Moo-Yeon Lee. "Numerical Study on Heat Transfer Characteristics of the 36V Electronic Control Unit System for an Electric Bicycle". Energies 11, nr 10 (20.09.2018): 2506. http://dx.doi.org/10.3390/en11102506.
Pełny tekst źródłaSatyanarayana, B. V. V., i M. Durga Prakash. "Design and Analysis of Heterojunction Tunneling Transistor (HETT) based Standard 6T SRAM Cell". International Journal of Engineering & Technology 7, nr 3.29 (24.08.2018): 8. http://dx.doi.org/10.14419/ijet.v7i3.29.18450.
Pełny tekst źródłaBansal, Deepika, Bal Chand Nagar, Brahamdeo Prasad Singh i Ajay Kumar. "Low Power Wide Fan-in Domino OR Gate Using CN-MOSFETs". International Journal of Sensors, Wireless Communications and Control 10, nr 1 (7.02.2020): 55–62. http://dx.doi.org/10.2174/2210327909666190207163639.
Pełny tekst źródłaKaplar, R. J., D. R. Hughart, S. Atcitty, J. D. Flicker, S. DasGupta i M. J. Marinella. "Performance and Reliability Characterization of 1200 V Silicon Carbide Power MOSFETs at High Temperatures". Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2013, HITEN (1.01.2013): 000275–80. http://dx.doi.org/10.4071/hiten-wp11.
Pełny tekst źródłaXie, Li Jun, Jin Yuan Li i Kun Shan Yu. "Study on Loss Calculation for Inverter Based on 1200V SiC MOSFET". Applied Mechanics and Materials 672-674 (październik 2014): 906–13. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.672-674.906.
Pełny tekst źródła