Artykuły w czasopismach na temat „Polycrystalline semiconductors”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Polycrystalline semiconductors”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Russell, G. J. "Polycrystalline semiconductors". Contemporary Physics 27, nr 5 (wrzesień 1986): 473–77. http://dx.doi.org/10.1080/00107518608211025.
Pełny tekst źródłaKim, Sunjae, Minje Kim, Jihyun Kim i Wan Sik Hwang. "Plasma Nitridation Effect on β-Ga2O3 Semiconductors". Nanomaterials 13, nr 7 (28.03.2023): 1199. http://dx.doi.org/10.3390/nano13071199.
Pełny tekst źródłaNorris, Kate J., Junce Zhang, David M. Fryauf, Elane Coleman, Gary S. Tompa i Nobuhiko P. Kobayashi. "Growth of Polycrystalline Indium Phosphide Nanowires on Copper". MRS Proceedings 1543 (2013): 131–36. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.933.
Pełny tekst źródłaKa, O. "Electrical Transport in Polycrystalline Semiconductors". Solid State Phenomena 37-38 (marzec 1994): 201–12. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.37-38.201.
Pełny tekst źródłaSmith, David A., i C. S. Nichols. "Polycrystalline Semiconductors: Structure-Property Relationships". Solid State Phenomena 51-52 (maj 1996): 105–16. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.51-52.105.
Pełny tekst źródłaTYAGI, B. P., i K. SEN. "Effective mobility of polycrystalline semiconductors". International Journal of Electronics 58, nr 1 (styczeń 1985): 83–89. http://dx.doi.org/10.1080/00207218508939004.
Pełny tekst źródłaSharma, R. P., A. K. Shukla, A. K. Kapoor, R. Srivastava i P. C. Mathur. "Hopping conduction in polycrystalline semiconductors". Journal of Applied Physics 57, nr 6 (15.03.1985): 2026–29. http://dx.doi.org/10.1063/1.334390.
Pełny tekst źródłaJones, K. M., F. S. Hasoon, A. B. Swartzlander, M. M. Al-Jassim, T. L. Chu i S. S. Chu. "The morphology and microstructure of polycrystalline CdTe thin films for solar cell applications". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 50, nr 2 (sierpień 1992): 1384–85. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100131553.
Pełny tekst źródłaCAMPBELL, I. H., i D. L. SMITH. "ELECTRICAL TRANSPORT IN ORGANIC SEMICONDUCTORS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 11, nr 02 (czerwiec 2001): 585–615. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156401000952.
Pełny tekst źródłaPavlov, A. N., i I. P. Raevskii. "Piezoresistive effect in polycrystalline ferroelectric semiconductors". Physics of the Solid State 44, nr 9 (wrzesień 2002): 1748–53. http://dx.doi.org/10.1134/1.1507260.
Pełny tekst źródłaHKH. "Polycrystalline semiconductors; physical properties and applications". Materials Research Bulletin 21, nr 5 (maj 1986): 645–46. http://dx.doi.org/10.1016/0025-5408(86)90122-4.
Pełny tekst źródłaHossein-Babaei, Faramarz, Saeed Masoumi i Amirreza Noori. "Linking thermoelectric generation in polycrystalline semiconductors to grain boundary effects sets a platform for novel Seebeck effect-based sensors". Journal of Materials Chemistry A 6, nr 22 (2018): 10370–78. http://dx.doi.org/10.1039/c8ta02732c.
Pełny tekst źródłaLombos, B. A. "Deep levels in semiconductors". Canadian Journal of Chemistry 63, nr 7 (1.07.1985): 1666–71. http://dx.doi.org/10.1139/v85-279.
Pełny tekst źródłaMcKenan, Stuart, M. Grant Norton i C. Barry Carter. "Low-energy surfaces and interfaces in aluminum nitride". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 48, nr 4 (sierpień 1990): 350–51. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100174886.
Pełny tekst źródłaBuono, C., F. Schipani, M. A. Ponce i C. M. Aldao. "Intergranular barrier height fluctuations in polycrystalline semiconductors". physica status solidi c 14, nr 5 (15.03.2017): 1700069. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201700069.
Pełny tekst źródłaBuono, C., F. Schipani, M. A. Ponce i C. M. Aldao. "Intergranular barrier height fluctuations in polycrystalline semiconductors". physica status solidi c 14, nr 5 (15.03.2017): 1700069. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201700069.
Pełny tekst źródłaBuono, C., F. Schipani, M. A. Ponce i C. M. Aldao. "Intergranular barrier height fluctuations in polycrystalline semiconductors". physica status solidi c 14, nr 5 (15.03.2017): 1700069. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201700069.
Pełny tekst źródłaMcKernan, S., i C. B. Carter. "Structure of Grain Boundaries in Polycrystalline Semiconductors". Solid State Phenomena 37-38 (marzec 1994): 67–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.37-38.67.
Pełny tekst źródłaGarcia‐Cuenca, M. V., J. L. Morenza i J. M. Codina. "On the Hall effect in polycrystalline semiconductors". Journal of Applied Physics 58, nr 2 (15.07.1985): 1080–82. http://dx.doi.org/10.1063/1.336313.
Pełny tekst źródłaKesselring, R., A. W. K�lin i F. K. Kneub�hl. "Mid-infrared nonlinear phenomena in polycrystalline semiconductors". Applied Physics B Photophysics and Laser Chemistry 55, nr 5 (listopad 1992): 437–45. http://dx.doi.org/10.1007/bf00325184.
Pełny tekst źródłaDutta, J., D. Bhattacharyya, S. Chaudhuri i A. K. Pal. "Photoconductivity in polycrystalline semiconductors: Grain boundary effects". Solar Energy Materials and Solar Cells 36, nr 4 (kwiecień 1995): 357–68. http://dx.doi.org/10.1016/0927-0248(94)00187-1.
Pełny tekst źródłaBueno, Paulo R., José A. Varela i Elson Longo. "Admittance and dielectric spectroscopy of polycrystalline semiconductors". Journal of the European Ceramic Society 27, nr 13-15 (styczeń 2007): 4313–20. http://dx.doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2007.02.155.
Pełny tekst źródłaWang, Yi-Fei, Hiroaki Iino i Jun-ichi Hanna. "Fabrication of planarly-oriented polycrystalline thin films of smectic liquid crystalline organic semiconductors". Soft Matter 13, nr 37 (2017): 6499–505. http://dx.doi.org/10.1039/c7sm01303e.
Pełny tekst źródłaMayén-Hernández, Sandra Andrea, David Santos-Cruz, Francisco de Moure-Flores, Sergio Alfonso Pérez-García, Liliana Licea-Jiménez, Ma Concepción Arenas-Arrocena, José de Jesús Coronel-Hernández i José Santos-Cruz. "Optical, Electrical and Photocatalytic Properties of the Ternary SemiconductorsZnxCd1-xS,CuxCd1-xSandCuxZn1-xS". International Journal of Photoenergy 2014 (2014): 1–8. http://dx.doi.org/10.1155/2014/158782.
Pełny tekst źródłaNguyen, Viet Huong, Ulrich Gottlieb, Anthony Valla, Delfina Muñoz, Daniel Bellet i David Muñoz-Rojas. "Electron tunneling through grain boundaries in transparent conductive oxides and implications for electrical conductivity: the case of ZnO:Al thin films". Materials Horizons 5, nr 4 (2018): 715–26. http://dx.doi.org/10.1039/c8mh00402a.
Pełny tekst źródłaRajbhandari, A., K. Manandhar i R. R. Pradhananga. "Mott-Schottky Analysis of Laboratory Prepared Ag2S-AgI Membrane Electrode". Journal of Nepal Chemical Society 28 (23.05.2013): 89–93. http://dx.doi.org/10.3126/jncs.v28i0.8113.
Pełny tekst źródłaDimitriadis, C. A. "The mobility of polycrystalline semiconductors under optical illumination". Journal of Physics D: Applied Physics 18, nr 11 (14.11.1985): 2241–46. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/18/11/013.
Pełny tekst źródłaPalmer, Bruce J., i Roy Gordon. "Frequency-dependent conductivity in polycrystalline metals and semiconductors". Physical Review B 40, nr 17 (15.12.1989): 11549–60. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.40.11549.
Pełny tekst źródłaYan, Yanfa, Wan-Jian Yin, Yelong Wu, Tingting Shi, Naba R. Paudel, Chen Li, Jonathan Poplawsky i in. "Physics of grain boundaries in polycrystalline photovoltaic semiconductors". Journal of Applied Physics 117, nr 11 (21.03.2015): 112807. http://dx.doi.org/10.1063/1.4913833.
Pełny tekst źródłaLandry, C. C., i A. R. Barron. "Synthesis of Polycrystalline Chalcopyrite Semiconductors by Microwave Irradiation". Science 260, nr 5114 (11.06.1993): 1653–55. http://dx.doi.org/10.1126/science.260.5114.1653.
Pełny tekst źródłaPavlov, A. N., i I. P. Raevski. "Nonlinear charge transport phenomena in polycrystalline ferroelectrics-semiconductors". Ferroelectrics 214, nr 1 (czerwiec 1998): 157–69. http://dx.doi.org/10.1080/00150199808220253.
Pełny tekst źródłaŠamaj, L. "Recombination processes at grain boundaries in polycrystalline semiconductors". Physica Status Solidi (a) 100, nr 1 (16.03.1987): 157–67. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211000118.
Pełny tekst źródłaŠamaj, L. "The lifetime of minority carriers in polycrystalline semiconductors". Physica Status Solidi (a) 101, nr 1 (16.05.1987): 137–41. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211010115.
Pełny tekst źródłaXu, Chencheng, Byungsul Min i Rolf Reineke-Koch. "Extended Tauc–Lorentz model (XTL) with log-normal distributed bandgap energies for optical permittivity in polycrystalline semiconductors". AIP Advances 12, nr 11 (1.11.2022): 115007. http://dx.doi.org/10.1063/5.0119256.
Pełny tekst źródłaMaji, Nilay, Bishnu Chakraborty i Tapan Kumar Nath. "Experimental demonstration of electrical spin injection into semiconductor employing conventional three-terminal and non-local Hanle devices using spin gapless semiconductor as ferromagnetic injector". Applied Physics Letters 122, nr 9 (27.02.2023): 092404. http://dx.doi.org/10.1063/5.0133013.
Pełny tekst źródłaRau, U., i Jens Werner. "An Analytical Model for Rectifying Contacts on Polycrystalline Semiconductors". Solid State Phenomena 67-68 (kwiecień 1999): 553–58. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.67-68.553.
Pełny tekst źródłaGould, R. O. "Polycrystalline semiconductors: physical properties and applicationsedited by G. Harbeke". Acta Crystallographica Section A Foundations of Crystallography 43, nr 1 (1.01.1987): 160. http://dx.doi.org/10.1107/s0108767387099641.
Pełny tekst źródłaOZAWA, Yoshihito, Tatsuro YOSHIDA i Hisashi SATO. "709 Studies on the mechanical properties of polycrystalline semiconductors". Proceedings of Autumn Conference of Tohoku Branch 2010.46 (2010): 209–10. http://dx.doi.org/10.1299/jsmetohoku.2010.46.209.
Pełny tekst źródłaAntonucci, P. L., A. S. Aric�, N. Giordano i V. Antonucci. "Polycrystalline iron sulphide based semiconductors for solar energy conversion". Advanced Performance Materials 2, nr 2 (czerwiec 1995): 145–59. http://dx.doi.org/10.1007/bf00711268.
Pełny tekst źródłaGreuter, F., i G. Blatter. "Electrical properties of grain boundaries in polycrystalline compound semiconductors". Semiconductor Science and Technology 5, nr 2 (1.02.1990): 111–37. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/5/2/001.
Pełny tekst źródłaFishchuk, I. I. "Theory of the AC Hall effect in polycrystalline semiconductors". Journal of Physics: Condensed Matter 6, nr 14 (4.04.1994): 2747–50. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/6/14/012.
Pełny tekst źródłaGavrilenko, V. I. "Electronic Structure and Optical Properties of Polycrystalline Cubic Semiconductors". physica status solidi (b) 139, nr 2 (1.02.1987): 457–66. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2221390213.
Pełny tekst źródłaIaseniuc, O., M. Iovu, S. Rosoiu, M. Bardeanu, L. B. Enache, G. Mihai, O. Bordianu i in. "Structural analysis of As-S-Sb-Te polycrystalline nanostructured semiconductors". Chalcogenide Letters 19, nr 11 (30.11.2022): 841–46. http://dx.doi.org/10.15251/cl.2022.1911.841.
Pełny tekst źródłaCuervo Farfán, Javier A., Críspulo E. Deluque Toro, Carlos A. Parra Vargas, David A. Landínez Téllez i Jairo Roa-Rojas. "Experimental and theoretical determination of physical properties of Sm2Bi2Fe4O12 ferromagnetic semiconductors". Journal of Materials Chemistry C 8, nr 42 (2020): 14925–38. http://dx.doi.org/10.1039/d0tc02935a.
Pełny tekst źródłaAlyami, Mohammed, i Satam Alotibi. "Physical Properties of E143 Food Dye as a New Organic Semiconductor Nanomaterial". Nanomaterials 13, nr 13 (29.06.2023): 1974. http://dx.doi.org/10.3390/nano13131974.
Pełny tekst źródłaMasuda-Jindo, Kinichi, i Y. Fujita. "Atomic Simulation Study of Gettering and Passivation in Polycrystalline Semiconductors". Solid State Phenomena 51-52 (maj 1996): 27–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.51-52.27.
Pełny tekst źródłaMandowski, A., i J. Swiatek. "Monte Carlo Simulation of Charge Carriers' Trapping in Polycrystalline Semiconductors". Solid State Phenomena 51-52 (maj 1996): 367–72. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.51-52.367.
Pełny tekst źródłaPRASAD, B., i N. M. RAVINDRA. "Minority-carrier life-time in polycrystalline semiconductors—some analytical considerations". International Journal of Electronics 60, nr 3 (marzec 1986): 381–94. http://dx.doi.org/10.1080/00207218608920794.
Pełny tekst źródłaMaldovan, Martin. "Thermal energy transport model for macro-to-nanograin polycrystalline semiconductors". Journal of Applied Physics 110, nr 11 (grudzień 2011): 114310. http://dx.doi.org/10.1063/1.3665211.
Pełny tekst źródłaLyu, Pin. "Intergrain magnetoresistance via spin-polarized tunneling in polycrystalline ferromagnetic semiconductors". Journal of Magnetism and Magnetic Materials 268, nr 1-2 (styczeń 2004): 251–56. http://dx.doi.org/10.1016/s0304-8853(03)00507-9.
Pełny tekst źródła