Gotowa bibliografia na temat „Polycrystalline semiconductors”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Spis treści
Zobacz listy aktualnych artykułów, książek, rozpraw, streszczeń i innych źródeł naukowych na temat „Polycrystalline semiconductors”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Artykuły w czasopismach na temat "Polycrystalline semiconductors"
Russell, G. J. "Polycrystalline semiconductors". Contemporary Physics 27, nr 5 (wrzesień 1986): 473–77. http://dx.doi.org/10.1080/00107518608211025.
Pełny tekst źródłaKim, Sunjae, Minje Kim, Jihyun Kim i Wan Sik Hwang. "Plasma Nitridation Effect on β-Ga2O3 Semiconductors". Nanomaterials 13, nr 7 (28.03.2023): 1199. http://dx.doi.org/10.3390/nano13071199.
Pełny tekst źródłaNorris, Kate J., Junce Zhang, David M. Fryauf, Elane Coleman, Gary S. Tompa i Nobuhiko P. Kobayashi. "Growth of Polycrystalline Indium Phosphide Nanowires on Copper". MRS Proceedings 1543 (2013): 131–36. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.933.
Pełny tekst źródłaKa, O. "Electrical Transport in Polycrystalline Semiconductors". Solid State Phenomena 37-38 (marzec 1994): 201–12. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.37-38.201.
Pełny tekst źródłaSmith, David A., i C. S. Nichols. "Polycrystalline Semiconductors: Structure-Property Relationships". Solid State Phenomena 51-52 (maj 1996): 105–16. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.51-52.105.
Pełny tekst źródłaTYAGI, B. P., i K. SEN. "Effective mobility of polycrystalline semiconductors". International Journal of Electronics 58, nr 1 (styczeń 1985): 83–89. http://dx.doi.org/10.1080/00207218508939004.
Pełny tekst źródłaSharma, R. P., A. K. Shukla, A. K. Kapoor, R. Srivastava i P. C. Mathur. "Hopping conduction in polycrystalline semiconductors". Journal of Applied Physics 57, nr 6 (15.03.1985): 2026–29. http://dx.doi.org/10.1063/1.334390.
Pełny tekst źródłaJones, K. M., F. S. Hasoon, A. B. Swartzlander, M. M. Al-Jassim, T. L. Chu i S. S. Chu. "The morphology and microstructure of polycrystalline CdTe thin films for solar cell applications". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 50, nr 2 (sierpień 1992): 1384–85. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100131553.
Pełny tekst źródłaCAMPBELL, I. H., i D. L. SMITH. "ELECTRICAL TRANSPORT IN ORGANIC SEMICONDUCTORS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 11, nr 02 (czerwiec 2001): 585–615. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156401000952.
Pełny tekst źródłaPavlov, A. N., i I. P. Raevskii. "Piezoresistive effect in polycrystalline ferroelectric semiconductors". Physics of the Solid State 44, nr 9 (wrzesień 2002): 1748–53. http://dx.doi.org/10.1134/1.1507260.
Pełny tekst źródłaRozprawy doktorskie na temat "Polycrystalline semiconductors"
Burg, Tristan Kevin Materials Science & Engineering Faculty of Science UNSW. "Semiconducting properties of polycrystalline titanium dioxide". Publisher:University of New South Wales. Materials Science & Engineering, 2008. http://handle.unsw.edu.au/1959.4/41262.
Pełny tekst źródłaKarbasi, Hossein. "Deep level transient spectroscopy of heteroepitaxial polycrystalline diamond and aluminum nitride /". free to MU campus, to others for purchase, 1998. http://wwwlib.umi.com/cr/mo/fullcit?p9901245.
Pełny tekst źródłaJudson, Elizabeth Ann. "An analysis of preferred orientation in YBa₂ Cu₃ O₇ ₋ ₓ superconducting films deposited by CVD on single and polycrystalline substracts". Thesis, Georgia Institute of Technology, 1991. http://hdl.handle.net/1853/8562.
Pełny tekst źródłaGolego, Nickolay. "Thin-film polycrystalline titanium-oxygen semiconductors prepared by spray pyrolysis". Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 1998. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk2/ftp02/NQ33300.pdf.
Pełny tekst źródłaArmstrong, Jeffrey Lee. "Reaction of carbonyl-and nitrogen-containing molecules on Si(100) and fluxless solder re-flow on polycrystalline Cu surfaces /". Digital version accessible at:, 1998. http://wwwlib.umi.com/cr/utexas/main.
Pełny tekst źródłaMurphy, Robert Clayton. "Effects of material inhomogeneity on the terminal characteristics of polycrystalline silicon solar cells /". Digital version accessible at:, 1998. http://wwwlib.umi.com/cr/utexas/main.
Pełny tekst źródłaSong, Dengyuan Centre for Photovoltaic Engineering UNSW. "Zinc oxide TCOs (Transparent Conductive Oxides) and polycrystalline silicon thin-films for photovoltaic applications". Awarded by:University of New South Wales. Centre for Photovoltaic Engineering, 2005. http://handle.unsw.edu.au/1959.4/29371.
Pełny tekst źródłaAl-Ahmadi, Ahmad Aziz. "Fabrication and characterization of ZnO film by spray pyrolysis and ZnO polycrystalline sintered pellets doped with rear earth ions". Ohio : Ohio University, 2003. http://www.ohiolink.edu/etd/view.cgi?ohiou1175017625.
Pełny tekst źródłaKhadilkar, Unmesh. "Modeling and Characterization of Polycrystalline Mercuric Iodide Radiation Detectors". [Tampa, Fla. : s.n.], 2003. http://purl.fcla.edu/fcla/etd/SFE0000088.
Pełny tekst źródłaAlbin, David Scott. "Fabrication and structural, optical, and electrical characterization of multisource evaporated copper-gallium-selenide polycrystalline thin films". Diss., The University of Arizona, 1989. http://hdl.handle.net/10150/184745.
Pełny tekst źródłaKsiążki na temat "Polycrystalline semiconductors"
Möller, Hans J., Horst P. Strunk i Jürgen H. Werner, red. Polycrystalline Semiconductors. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-93413-1.
Pełny tekst źródłaHarbeke, Günther, red. Polycrystalline Semiconductors. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1985. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-82441-8.
Pełny tekst źródłaWerner, Jürgen H., i Horst P. Strunk, red. Polycrystalline Semiconductors II. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1991. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-76385-4.
Pełny tekst źródłaMöller, Hans J. Polycrystalline Semiconductors: Grain Boundaries and Interfaces. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1989.
Znajdź pełny tekst źródłaValeri, Ligatchev, red. Polycrystalline and spatially non-homogenous amorphous semiconductors. Hauppauge, N.Y: Nova Science Publishers, 2008.
Znajdź pełny tekst źródłaGünther, Harbeke, i International School on Material Science and Technology (1984 : Erice, Italy), red. Polycrystalline semiconductors: Physical properties and applications : proceedings of the International School at the Ettore Majorana Centre, Erice, Italy, July 1-15, 1984. Berlin: Springer-Verlag, 1985.
Znajdź pełny tekst źródłaInternational School of Materials Science and Technology (1984 Ettore Majorana Centre). Polycrystalline semiconductors: Physical properties and applications : proceedings of the International School of Materials Science and Technology at the Ettore Majorana Centre, Erice, Italy, July 1-15, 1984. Redaktor Harbeke Günther. Berlin: Springer-Verlag, 1985.
Znajdź pełny tekst źródłaPOLYSE 2000 (2000 Saint-Malo, France). Polycrystalline semiconductors VI: Materials, technologies, and large area electronics : proceedings of the sixth international conference, Saint Malo, September 3-7, 2000. Redaktor Bonnaud O. Switzerland: Scitec Publications Ltd., 2001.
Znajdź pełny tekst źródła1952-, Werner J. H., Strunk H. P. 1940- i International Conference on Polycrystalline Semiconductors: Grain Boundaries, Dislocations, and Heterointerfaces (1990 : Schwäbisch Hall, Germany), red. Polycrystalline semiconductors II: Proceedings of the Second International Conference, Schwäbisch Hall, Fed. Rep. of Germany, July 30-August 3, 1990. Berlin: Springer-Verlag, 1991.
Znajdź pełny tekst źródłaSymposium A, "Amorphous and Polycrystalline Thin-film Silicon Science and Technology" (2006 San Francisco, Calif.). Amorphous and polycrystalline thin-film silicon science and technology, 2006: Symposium held April 18-21, 2006 San Francisco, California U.S.A. Redaktor Wagner S. (Sigurd). Warrendale, Penn: Materials Research Society, 2007.
Znajdź pełny tekst źródłaCzęści książek na temat "Polycrystalline semiconductors"
Mach, R. "Electroluminescence in Polycrystalline Semiconductors". W Springer Series in Solid-State Sciences, 186–208. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1985. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-82441-8_11.
Pełny tekst źródłaHu, Hao, Jun Liu i Guangda Niu. "Perovskite Polycrystalline Film for X-Ray Imaging". W Metal-Halide Perovskite Semiconductors, 323–43. Cham: Springer International Publishing, 2023. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-26892-2_15.
Pełny tekst źródłaGrätzel, M. "Photocatalysis with Colloidal Semiconductors and Polycrystalline Films". W Photocatalysis and Environment, 367–98. Dordrecht: Springer Netherlands, 1988. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-009-3015-5_13.
Pełny tekst źródłaDonolato, C. "Beam Induced Current Characterization in Polycrystalline Semiconductors". W Springer Series in Solid-State Sciences, 138–54. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1985. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-82441-8_8.
Pełny tekst źródłaBorisenko, Victor E., i Peter J. Hesketh. "Crystallization, Impurity Diffusion, and Segregation in Polycrystalline Silicon". W Rapid Thermal Processing of Semiconductors, 93–111. Boston, MA: Springer US, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4899-1804-8_3.
Pełny tekst źródłaPizzini, S., N. Buttà i M. Acciarri. "Surface and Internal Surface Effects in Polycrystalline Semiconductors". W Springer Proceedings in Physics, 178–89. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1991. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-76385-4_24.
Pełny tekst źródłaSpachmann, J., E. Lüder, T. Kallfaß i W. Otterbach. "Thin Film Transistors and Light Sensors with Polycrystalline CdSe-Semiconductors". W Springer Proceedings in Physics, 262–67. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-93413-1_36.
Pełny tekst źródłaPizzini, S., F. Borsani, A. Sandrinelli, D. Narducci i F. Allegretti. "Effect of Impurity Segregation on the Electrical Properties of Grain Boundaries in Polycrystalline Silicon". W Point and Extended Defects in Semiconductors, 105–21. Boston, MA: Springer US, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4684-5709-4_8.
Pełny tekst źródłaKazmerski, L. L. "Atomic-Level Imaging and Microanalysis of Grain Boundaries in Polycrystalline Semiconductors". W Springer Proceedings in Physics, 96–107. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-93413-1_13.
Pełny tekst źródłaSchock, H. W. "Polycrystalline Compound Semiconductor Thin Films in Solar Cells". W Springer Proceedings in Physics, 246–56. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-93413-1_34.
Pełny tekst źródłaStreszczenia konferencji na temat "Polycrystalline semiconductors"
Keyes, B. M., K. A. Emery i R. K. Ahrenkiel. "Minority-carrier lifetime of compound semiconductors: Polycrystalline CdTe". W Photovoltaic advanced research and development project. AIP, 1992. http://dx.doi.org/10.1063/1.42907.
Pełny tekst źródłaMohaidat, J. M. "Inter-granular electrical transport in polycrystalline semiconductors via tunneling mechanism". W Proceedings of International Conference on Microelectronics (ICM'99). IEEE, 2000. http://dx.doi.org/10.1109/icm.2000.884853.
Pełny tekst źródłaHu, B. B., J. T. Darrow, N. M. Froberg, X. C. Zhang i D. H. Auston. "Generation of ultrafast electromagnetic radiation". W OSA Annual Meeting. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1990. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1990.fn1.
Pełny tekst źródłaSheik-Bahae, M., J. Wang, E. J. Canto-Said, R. De Salvo, D. J. Hagan i E. W. Van Stryland. "Four-wave-mixing two-photon coherence in semiconductors". W OSA Annual Meeting. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1993. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1993.fh.4.
Pełny tekst źródłaAlegre, M. P., M. P. Villar, D. Araújo, E. Bustarret, T. Capron, O. A. Williams, Gabriel Ferro i Paul Siffert. "TEM study of superconducting polycrystalline diamond". W 2010 WIDE BANDGAP CUBIC SEMICONDUCTORS: FROM GROWTH TO DEVICES: Proceedings of the E-MRS Symposium∗ F∗. AIP, 2010. http://dx.doi.org/10.1063/1.3518279.
Pełny tekst źródłaKosel, Peter B., D. Wu, A. M. Dalton, Amir A. Hanjani, S. F. Carr, P. R. Emmert i R. L. C. Wu. "UV/VIS photodetectors in wide-bandgap semiconductors: GaAs and polycrystalline diamond". W Photonics West '96, redaktorzy Gail J. Brown i Manijeh Razeghi. SPIE, 1996. http://dx.doi.org/10.1117/12.237698.
Pełny tekst źródłaJeong, K. S., Y. M. Kim, J. G. Park, S. D. Yang, Y. S. Kim, G. W. Lee, Jisoon Ihm i Hyeonsik Cheong. "Active-layer thickness effects related with microstructure, electrical properties and flicker noise in polycrystalline ZnO thin film transistors". W PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30th International Conference on the Physics of Semiconductors. AIP, 2011. http://dx.doi.org/10.1063/1.3666662.
Pełny tekst źródłaCorrales-Mendoza, I., Victor-Tapio Rangel-Kuoppa i A. Conde-Gallardo. "Transport properties of Nd[sub 1−x]Fe[sub x]OF polycrystalline films". W THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012. AIP, 2013. http://dx.doi.org/10.1063/1.4848274.
Pełny tekst źródłaVasilyev, S., V. Smolski, I. Moskalev, J. Peppers, M. Mirov, Y. Barnakov, D. Martyshkin, V. Fedorov, S. Mirov i V. Gapontsev. "Frontiers of Ultrafast Mid-IR Lasers Based on Polycrystalline TM:II-VI Semiconductors". W Advanced Solid State Lasers. Washington, D.C.: OSA, 2020. http://dx.doi.org/10.1364/assl.2020.aw4a.1.
Pełny tekst źródłaKobori, H., A. Hoshino, T. Taniguchi, T. Horie, Y. Naitoh i T. Shimizu. "Two-current spin-dependent conduction in polycrystalline LaMnO[sub 3] produced under oxygen gas flow". W THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012. AIP, 2013. http://dx.doi.org/10.1063/1.4848421.
Pełny tekst źródła