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Rozprawy doktorskie na temat „Photoluminescence - Nanostructures”

Autor: Grafiati
Data publikacji: 7 września 2023
Data aktualizacji: 31 lipca 2025

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Sun, Ye. "Synthesis and photoluminescence of ZnO nanostructures." Thesis, University of Bristol, 2007. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.440141.

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Feng, Lin. "Photoluminescence studies of single zinc oxide nanostructures /." View abstract or full-text, 2010. http://library.ust.hk/cgi/db/thesis.pl?PHYS%202010%20FENG.

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Toft, Ian. "Fibre optic micro-photoluminescence of quantum nanostructures." Thesis, University of Cambridge, 2006. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.614103.

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Chauvin, Nicolas. "Spectroscopie de la boîte quantique unique dans les systèmes InAs sur InP et InAs sur GaAs émettant à 1,3 µm : application aux sources localisées." Lyon, INSA, 2006. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2006ISAL0051/these.pdf.

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Streszczenie:
Les boîtes quantiques soulèvent actuellement un vif intérêt dans le domaine du traitement quantique de l'information qui nécessite l'utilisation de photons uniques pour la cryptographie ou le calcul quantique. Il est donc nécessaire de comprendre la physique des boîtes quantiques uniques InAs/GaAs et InAs/InP émettant dans la gamme spectrale 1,3 à 1,5 µm, longueurs d'onde adaptées pour la transmission dans les fibres optiques. Dans cette thèse, nous avons étudié le système exciton-biexciton, la structure fine, l'impact de la température ainsi que les excitons chargés pour une boîte quantique u
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Küster, Achim [Verfasser]. "Photoluminescence of nanostructures in droplet-etched nanoholes / Achim Küster." München : Verlag Dr. Hut, 2018. http://d-nb.info/1172582041/34.

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Van, Hattem Barbara. "Orientation-dependent magneto-photoluminescence of excitons confined in semiconductor nanostructures." Thesis, University of Cambridge, 2015. https://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.708560.

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Filippov, Stanislav. "Micro-photoluminescence and micro-Raman spectroscopy of novel semiconductor nanostructures." Doctoral thesis, Linköpings universitet, Funktionella elektroniska material, 2015. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-123939.

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Streszczenie:
Low-dimensional semiconductor structures, such as one-dimensional nanowires (NWs) and zerodimensional quantum dots (QDs), are materials with novel fundamental physical properties and a great potential for a wide range of nanoscale device applications. Here, especially promising are direct bandgap II-VI and III-V compounds and related alloys with a broad selection of compositions and band structures. For examples, NWs based on dilute nitride alloys, i.e. GaNAs and GaNP, provide both an optical active medium and well-shaped cavity and, therefore, can be used in a variety of advanced optoelectron
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Sousa, Nobre Sónia de. "Hybrides Organiques/Inorganiques Nanostructurés Photoluminescents." Montpellier 2, 2009. http://www.theses.fr/2009MON20212.

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Les travaux rapportés ont pour objet la caractérisation des propriétés structurales et de photoluminescence d'une série d'hybrides organiques-inorganiques. Leurs matrices comportent des groupements urée capables d'autoassemblage reliant le réseau silicate et un fragment organique. L'origine et les transferts d'énergie conduisant à l'émission de lumière ont été étudiés dans le cas des hybrides à base de polyéthers, contenant ou non des ions métalliques Eu3+ et préalablement caractérisés au laboratoire, afin de dresser une toile de fond théorique pour aider l'interprétation des données expérimen
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Noé, Pierre-Olivier. "Elaboration et caractérisation de matériaux nanostructurés à base de silicium comme source de lumière pour la photonique." Thesis, Grenoble, 2013. http://www.theses.fr/2013GRENY006.

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Streszczenie:
Le silicium est reconnu comme étant un mauvais émetteur de lumière à cause de son gap indirect. Diverses stratégies ont été développées pour améliorer son rendement d'émission, le Si constituant le matériau de choix pour la photonique. Ce manuscrit présente l'élaboration et la caractérisation de matériaux originaux à base de silicium afin de proposer des solutions alternatives pour améliorer les propriétés d'émission de lumière du Si. Ce travail est divisé en 4 parties avec tout d'abord une revue de l'état de l'art de l'émission de lumière dans le Si et les bases sur les mécanismes de recombin
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Maabou, Serge. "Eau surfondue et (bi)polarons dans les nanostructures." Angers, 2006. http://www.theses.fr/2006ANGE0023.

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Streszczenie:
Nous étudions par dynamique moléculaire la présence des hétérogénéités dynamiques dans l'eau surfondue. Nous utilisons le récent modèle TIP5P de Mahoney et Jorgensen qui est aujourd'hui le potentiel qui reproduit le mieux les propriétés de l'eau que nous étudions. Les résultats de nos simulations sont en bon accord avec ceux obtenus expérimentalement ce qui nous a permis de valider notre programme. Par la suite, nous montrons l'existence d'hétérogénéités dynamiques dans l'eau surfondue. Nous avons étudié les agrégations dynamiques des molécules de mobilités différentes. Nous observons l'agréga
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Adams, Richard Andrew. "Time resolved photoluminescence studies of the lasing mechanisms in II-VI semiconductors." Thesis, University of Oxford, 1996. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.360020.

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Morales-Masis, Monica. "Fabrication and Study of ZnO Micro- and Nanostructures." Wright State University / OhioLINK, 2007. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=wright1181846044.

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Agreda, Adrian. "Electrical control of the nonlinear properties of plasmonic nanostructures." Thesis, Bourgogne Franche-Comté, 2020. http://www.theses.fr/2020UBFCK010.

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Streszczenie:
Ce travail rassemble les technologies de nanoélectronique et de nano-photonique pour créer un dispositif électro-plasmonique dont les propriétés optiques linéaires et non linéaires sont contrôlées électriquement. Ici, nous présentons la première démonstration de la modulation de photoluminescence non linéaire par des moyens électriques dans un cas d'étude simple. A cette fin, les nanoantennes plasmoniques sont interfacées avec des connexions électriques induisant des régions localisées d’accumulation et de déplétion d'électrons et affectant ainsi la réponse optique. De plus, une analyse complè
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Gryczynski, Karol Grzegorz. "Electrostatic Effects in III-V Semiconductor Based Metal-optical Nanostructures." Thesis, University of North Texas, 2012. https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc115090/.

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Streszczenie:
The modification of the band edge or emission energy of semiconductor quantum well light emitters due to image charge induced phenomenon is an emerging field of study. This effect observed in quantum well light emitters is critical for all metal-optics based light emitters including plasmonics, or nanometallic electrode based light emitters. This dissertation presents, for the first time, a systematic study of the image charge effect on semiconductor–metal systems. the necessity of introducing the image charge interactions is demonstrated by experiments and mathematical methods for semiconduct
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Ternon, Céline. "Nanostructures luminescentes à base de silice et de silicium : de l'élaboration par pulvérisation magnétron réactive à la modélisation de la photoluminescence." Caen, 2002. http://www.theses.fr/2002CAEN2057.

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Streszczenie:
Ce travail présente le développement d'une méthode originale d'élaboration basée sur la pulvérisation magnétron réactive d'une cible de silice pour l'obtention de matériaux luminescents à base de silicium. Les paramètres d'élaboration (gaz et température) permettent le contrôle de la composition du matériau déposé (SiO2, composite Si-SiO2 ou Si). Deux types de structures ont été élaborés et étudiés : Les composites Si-SiO2 où des nanocristaux de silicium sont noyés dans une matrice de silice : Un processus expérimental est développé afin d'accroître l'intensité de photoluminescence de ces maté
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Peng, Ying. "Functional Photopolymer Materials for High-resolution 3D Lithography and Nano-optics." Thesis, Troyes, 2017. http://www.theses.fr/2017TROY0039.

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Streszczenie:
Les nanostructures photoluminescentes à forte efficacité d’émission présentent un intérêt majeur en nano-optique. En particulier, les boîtes quantiques (BQs) sont d’excellents candidats pour obtenir des sources de photons uniques, lorsqu’elles sont insérées dans des cavités photoniques appropriées. Ainsi, l’intégration de ces nano-émetteurs avec un contrôle spatial parfait constitue un réel défi. Dans cette thèse, nous avons développé un photopolymère greffé sur des BQs de différentes couleurs d’émission, pour la photolithographie 3D à très haute résolution spatiale. Nous avons ainsi fabriqué
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Nepal, Neeraj. "Deep ultraviolet photoluminescence studies of Al-rich AlGaN and AlN epilayers and nanostructures." Diss., Manhattan, Kan. : Kansas State University, 2006. http://hdl.handle.net/2097/221.

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Selles, Julien. "Spectroscopie optique de nanostructures GaN/AlN insérées dans des microcavités planaires et des microdisques." Thesis, Montpellier, 2015. http://www.theses.fr/2015MONTS236/document.

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Streszczenie:
Cette thèse porte sur l'interaction lumière-matière au sein de nanostructures placées dans des cavités optiques à base de semi-conducteurs nitrures. A l'aide d'expériences de micro-photoluminescence dans l'ultra-violet, nous étudions les propriétés optiques de boîtes quantiques GaN/AlN dans des microcavités planaires et celles de puits quantiques GaN/AlN insérés dans des microdisques AlN.Afin d'améliorer la collection du faible signal de photoluminescence de boîtes quantiques uniques, nous utilisons des microcavités planaires pour modifier le diagramme d'émission d'une boîte quantique. Le dess
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Kahouli, Abdelkarim. "Nanostructures GaN pour l'émission dans l'ultraviolet." Nice, 2012. http://www.theses.fr/2012NICE4105.

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Streszczenie:
Ce travail concerne la croissance par épitaxie sous jets moléculaires, les propriétés structurales et optiques de nanostructures GaN polaires (0001) et semi-polaires (11 2 2) dans une matrice d’Al0,5Ga0,5N. Le but de ce travail est d’améliorer l’efficacité radiative des nitrures dans le domaine UV. Nous avons tout d’abord étudié la croissance et les propriétés de boîtes quantiques GaN/Al0,5Ga0,5N polaires. Ces structures ont la particularité d’être soumises à un fort champ électrique interne de l’ordre de 3500 kV/cm. Ce champ est responsable du décalage vers le rouge des énergies de transition
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Eloi, Fabien. "Étude de la luminescence de nanocristaux semi-conducteurs couplés avec des structures plasmoniques à températures ambiante et cryogénique." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016SACLV117/document.

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Streszczenie:
Les nanocristaux semi-conducteurs colloïdaux possèdent des propriétés photo-physiques qui en font des objets de choix pour des applications variées, comme le marquage biologique, le photovoltaïque ou encore l'optique quantique. Dans cette thèse, nous étudions les modifications, introduites par des réseaux d'or, de la fluorescence de nanocristaux CdSe/CdS à coquille épaisse. Nous présentons tout d'abord les propriétés fondamentales de ces nanocristaux de CdSe/CdS puis la manière dont leurs propriétés d'émission peuvent être contrôlées par l'environnement électromagnétique, en détaillant en part
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Salem, Bassem. "Spectroscopie optique des îlots quantiques d'InAs/InP (001) pour la réalisation de composants optoélectroniques émettant à 1. 55 µm." Lyon, INSA, 2003. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2003ISAL0027/these.pdf.

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Streszczenie:
Nous avons étudié de manière exhaustive les propriétés de luminescence d'îlots quantiques auto-organisés d'InAs/InP(001), fabriqués par épitaxie par jets moléculaires selon le mode de croissance Stranski-Krastanov. Notre Objectif était de mieux comprendre les propriétés optiques de ces nanostructures, en particulier les propriétés spécifiques liées au degré de confinement des porteurs. Ces îlots ont été caractérisés dans des tructures à un plan et à multi-plans par : photoluminescence (PL) en fonction de la température et de la puissance d'excitation de PL (PLE), PL résolue en temps et enfin p
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Laura, M. Robinson. "USING TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY TO EXAMINE EXCITON DYNAMICS IN II-VI SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES." University of Cincinnati / OhioLINK, 2001. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=ucin980259259.

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Dohnalovà, Kater̆ina. "Study of optical amplification in silicon based nanostructures." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2007. https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2007/DOHNALOVA_Katerina_2007.pdf.

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Streszczenie:
Le but principal de ce travail fut de préparer un matériau photo-luminescent à base de nano-cristaux de Silicium dans une matrice de silice (SiO2) de qualité optique suffisante pour permettre l'observation d'un gain optique. Des nano-cristaux de silicium peu oxydés de tailles comprises entre 2 et 3 nm ont été obtenus par abrasion électrochimique de wafer de silicium. Les nano-cristaux avec une concentration variable permettant l'observation de leur émission stimulée sont dilués dans une matrice de silice obtenue par procédé sol-gel. Un dispositif optique dit "de zone à longueur variable" ("Var
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Bruhn, Benjamin. "Fabrication and characterization of single luminescing quantum dots from 1D silicon nanostructures." Doctoral thesis, KTH, Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP, 2012. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-102524.

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Streszczenie:
Silicon as a mono-crystalline bulk semiconductor is today the predominant material in many integrated electronic and photovoltaic applications. This has not been the case in lighting technology, since due to its indirect bandgap nature bulk silicon is an inherently poor light emitter.With the discovery of efficient light emission from silicon nanostructures, great new interest arose and research in this area increased dramatically.However, despite more than two decades of research on silicon nanocrystals and nanowires, not all aspects of their light emission mechanisms and optical properties a
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Torre, y. Ramos Jorge De La. "Etudes des propriétés optoélectroniques de structures et de composants à base de nanostructures de Si." Lyon, INSA, 2003. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2003ISAL0098/these.pdf.

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Streszczenie:
Actuellement le silicium est le semiconducteur de base de la microélectronique grâce notamment à la grande échelle d'intégration et les faibles coûts de production. Cependant, à l'heure actuelle, la miniaturisation de composants microélectroniques est confrontée à des forts problèmes puisque selon les prédictions, dans une dizaine d'années les longueurs de transmission dépasseront les 90 km dans une seule puce et la transmission d'information représentera un gros handicap à cause des problèmes de retardement de propagation des signaux et de dissipation de chaleur. Dans ce contexte, une microph
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Torre, y. Ramos Jorge De La Brémond Georges Souifi Abdelkader. "Etudes des propriétés optoélectroniques de structures et de composants à base de nanostructures de Si." Villeurbanne : Doc'INSA, 2004. http://docinsa.insa-lyon.fr/these/pont.php?id=de_la_torre.

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Syed, Abdul Samad. "Growth and Characterization of ZnO Nanostructures." Thesis, Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, 2011. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-72956.

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Streszczenie:
A close relation between structural and optical properties of any semiconductor material does exist. An adequate knowledge and understanding of this relationship is necessary for fabrication of devices with desired optical properties. The structural quality and hence the optical properties can be influenced by the growth method and the substrate used. The aim of this work was to investigate the change in optical properties caused by growth techniques and substrate modification. To study the influence of growth technique on optical properties, ZnO nanostructures were grown using atmospheric pre
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Lombez, Laurent. "Injection optique et injection électrique de spin dans des nanostructures semiconductrices." Toulouse, INSA, 2007. http://eprint.insa-toulouse.fr/archive/00000265/.

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Streszczenie:
Ce mémoire est une contribution à l’étude, par spectroscopie de photoluminescence, des propriétés de spin dans les nanostrctures semiconductrices, en vue d’applications pour l’électronique de spin. Nous analysons les propriétés de spin des électrons dans les matériaux nitrures dilués massif GaAsN et puits quantiques InGaAsN/GaAs. Nous observons, à température ambiante, une lente décroissance de la polarisation circulaire de la luminescence ainsi qu’un fort taux de polarisation en spin es électrons dans la bande de conduction. L’origine de ces résultats est liée au mécanisme de recombinaison dé
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Musa, Ishaq. "Propriétés optiques de nanostructures et composites de polymères à base d'oxyde de zinc." Nantes, 2011. http://archive.bu.univ-nantes.fr/pollux/show.action?id=15e243b4-2dfe-49f7-9172-f8c9e9b62259.

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Streszczenie:
Cette thèse porte principalement sur l'étude de certaines propriétés optiques de nanostructures d'oxyde de zinc (ZnO) sous forme de nanocristaux, de films minces, et en tant que composant nanométrique dans des composites à base de polymères conducteurs. La première partie du mémoire décrit la synthèse de ces matériaux qui a été effectuée à l'Institut des Matériaux Jean Rouxel, par différentes méthodes. Une étude poussée de la caractérisation morphologique et structurale est effectuée au moyen de la microscopie électronique et de la diffraction des rayons X, appuyée par quelques expériences de
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Wen, Xiaoming, and n/a. "Ultrafast spectroscopy of semiconductor nanostructures." Swinburne University of Technology, 2007. http://adt.lib.swin.edu.au./public/adt-VSWT20070426.110438.

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Streszczenie:
Semiconductor nanostructures exhibit many remarkable electronic and optical properties. The key to designing and utilising semiconductor quantum structures is a physical understanding of the detailed excitation, transport and energy relaxation processes. Thus the nonequilibrium dynamics of semiconductor quantum structures have attracted extensive attention in recent years. Ultrafast spectroscopy has proven to be a versatile and powerful tool for investigating transient phenomena related to the relaxation and transport dynamics in semiconductors. In this thesis, we report investigations into th
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DE, SILVA LANDEWATTE A. AJITH. "OPTICAL PROPERTIES OF ORGANIC NANOSTRUCTURES GROWN BY ORGANIC MOLECULAR BEAM DEPOSITION." University of Cincinnati / OhioLINK, 2006. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=ucin1141059599.

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Baral, Susil. "Fundamental Studies of Photothermal Properties of a Nanosystem and the Surrounding Medium Using Er3+ Photoluminescence Nanothermometry." Ohio University / OhioLINK, 2017. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=ohiou1493301965290212.

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Khan, Aurangzeb. "Synthesis, Characterization and Luminescence Properties of Zinc Oxide Nanostructures." Ohio University / OhioLINK, 2006. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=ohiou1150470597.

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Перекрестов, Вячеслав Іванович, Вячеслав Иванович Перекрестов, Viacheslav Ivanovych Perekrestov, et al. "Formation of Porous ZnO Nanosystems for Potential Use in Sensor Electronics." Thesis, Sumy State University, 2013. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35193.

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Streszczenie:
The semiconducting ZnO is a very promising material for applications in UV light emitters, optical de-tectors, solar cells, piezoelectric transducers, transparent electronics, gas sensors etc. It is known that physical properties, and as a result areas of applications, are strongly determined by morphology and size of the material’s structural elements. Therefore, the development of a technology that allows formation of nanoporous metal oxide structures with a high surface to volume ratio is of great interest nowadays. The aim of this work was to develop technology for selective formation of p
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Olivares, Flores José. "Etude des propriétés optiques de boîtes quantiques d'InAs / InP (001) et d'un nouvel alliage InGaTIAs à base de thallium." Lyon, INSA, 2001. http://www.theses.fr/2001ISAL0039.

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Streszczenie:
Nous étudierons deux axes importants concernant d'une part les propriétés et caractéristiques optiques de boîtes quantiques d'InAs pour la réalisation de laser fonctionnant à 1. 55micromètre et la possibilité d'élaborer de nouveaux alliages à base de thallium pour la photodétection infrarouge dans la gamme 1-10 micromètre. Nous mènerons une étude optique de ces boîte et fils quantiques d'AnAs épitaxiés par jets moléculaires sur substrat InP(001). L'intérêt de nos recherches étant de mieux comprendre ces objets et principalement les propriétés optiques très spécifiques de ces nanostructures lié
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Kent, Thomas Frederick. "III-Nitride Nanostructures for Optoelectronic and Magnetic Functionalities: Growth, Characterization and Engineering." The Ohio State University, 2014. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=osu1408564155.

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Ardyanian, Mahdi Vergnat Michel. "Structure et propriétés optiques d'oxydes de germanium contenant des nanostructures de germanium et influence de leur dopage à l'erbium." [S.l.] : [s.n.], 2007. http://www.scd.uhp-nancy.fr/docnum/SCD_T_2007_0050_ARDYANIAN.pdf.

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Ardyanian, Mahdi. "Structure et propriétés optiques d’oxydes de germanium contenant des nanostructures de germanium et influence de leur dopage à l’erbium." Nancy 1, 2007. http://docnum.univ-lorraine.fr/public/SCD_T_2007_0050_ARDYANIAN.pdf.

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Streszczenie:
Ce travail porte sur la caractérisation structurale et optique de couches minces d’oxyde de germanium GeOx, de multicouches GeOx/SiO2 et de l’influence du dopage à l’erbium dans des couches minces GeOx:Er. Les films ont été préparés par évaporation d’une poudre de GeO2 et dépôt sur des substrats maintenus à 100°C. Les films sont sous-stœchiométriques avec une composition égale à GeO1,5. Sous l’effet de recuits thermiques, il se produit une démixtion des films selon la réaction GeOx => GeO2 + Ge, ce qui a pour effet de générer des agrégats amorphes de germanium dans une matrice de GeO2. Les
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Wang, Dake Park Minseo. "Optical spectroscopy of wide-band-gap semiconductors raman and photoluminescence of gallium nitride, zinc oxide and their nanostructures /." Auburn, Ala., 2006. http://repo.lib.auburn.edu/2006%20Fall/Dissertations/WANG_DAKE_24.pdf.

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Jbeli, Anouar. "Dynamique de photoluminescence dans les boîtes quantiques auto-assemblées InGaAs/GaAs : propriétés de spin et couplage électronique inter-boîte." Toulouse, INSA, 2003. http://www.theses.fr/2003ISAT0015.

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Streszczenie:
Le présent mémoire est une contribution à l'étude des propriétés électroniques des boîtes quantiques semiconductrices "auto-assemblées" du type InGaAs/GaAs. Les propriétés de spin et les conséquences du couplage électronique entre boîtes sur les propriétés optiques sont étudiées par spectroscopie de photoluminescence résolue en temps à l'échelle picoseconde. L'enregistrement de la dynamique de polarisation linéaire de la photoluminescence réalisée dans des conditions d'excitation strictement résonante sur l'état fondamental les boîtes permet de démontrer le blocage de la relaxation de spin dan
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Marty, Renaud. "Réponse optique de nanostructures plasmoniques complexes." Toulouse 3, 2011. http://thesesups.ups-tlse.fr/1502/.

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Streszczenie:
Ce travail de thèse a porté sur l'étude de l'interaction entre une onde électromagnétique et des nanostructures plasmoniques complexes ou hybrides à différentes échelles d'espace et de temps. D'un point de vue théorique, nous nous sommes intéressés à la réponse optique de nanostructures de métaux nobles caractérisée par des résonances plasmon de surface (RPS). Nous avons montré que les interactions entre nanostructures plasmoniques modifient la localisation et l'exaltation de l'intensité et se traduisent par un décalage spectral des RPS. Nous avons alors calculé la densité de charges et identi
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Palacios, Higueras Raquel. "Fabrication and characterization of polymer micro- and nanostructures by template-based method." Doctoral thesis, Universitat Rovira i Virgili, 2010. http://hdl.handle.net/10803/8478.

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Streszczenie:
La fabricación de micro- y nanoestructuras orgánicas ha recibido un creciente interés debido a sus potenciales aplicaciones en campos como los sensores, las células solares y los diodos emisores de luz. En este trabajo, se ha desarrollado la técnica "template-based method", la cual consiste en la infiltración de un polímero en un molde poroso para obtener una estructura que sea su replica inversa. Dicha técnica ha sido utilizada empleando diferentes condiciones experimentales. El silicio macroporoso y la alumina nanoporosa han sido utilizados como moldes. Se fabricaron micro- y nanoestructuras
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Raddenzati, Aurélien. "Optimisation du transport électronique dans le silicium cristallin (c-Si) en présence de nanostructures." Electronic Thesis or Diss., Mulhouse, 2017. https://www.learning-center.uha.fr/.

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Streszczenie:
Une des limitations dans l'exploitation généralisée de l'énergie photonique principalement d'origine solaireest la limitation du rendement des cellules photovoltaiques (pv) qui ne peut être améliorée aujourd’hui au planindustriel, qu’en utilisant des matériaux chers, rares voire dangereux. Le matériau le plus abondant le moinstoxique à la fabrication et au recyclage, qui aujourd’hui est le moins cher et le mieux maîtriséindustriellement est le silicium, mais la part du spectre lumineux convertible en électricité reste incomplètece qui pour conséquence de limiter le rendement.L’introduction de
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Kalinic, Boris. "Synthesis and characterization of plasmonic nanostructures with controlled geometry for photonic applications." Doctoral thesis, Università degli studi di Padova, 2014. http://hdl.handle.net/11577/3423850.

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Streszczenie:
The purpose of the present thesis is the study of the interaction of plasmonic and pre-plasmonic nanostructures with an emitter in close proximity. The investigation was carried out following different approaches but always with the aim of inserting the experimental results in the frame- work of new or existing theoretical models in order to better understand the photophysical nature of the interaction. To this aim in the framework of this thesis different nanoarchitectures have been synthesised and coupled to Er-doped silica layers. The choice of Erbium as emitting source was driven by the gr
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Calvo, Vincent. "Etude optique d'ilôts monomoléculaires de CdTe (ZnTe) dans une matrice de ZnTe (CdTe). Effet d'auto-organisation." Montpellier 2, 1998. http://www.theses.fr/1998MON20160.

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Streszczenie:
Nous avons etudie les proprietes de plans fractionnaires de znte (respectivement cdte) dans des puits quantiques cdte/cdznte (respectivement znte/znmgte) par spectroscopie optique directe et piezomodulee. Les heterostructures ont ete realisees dans un bati d'epitaxie par jets moleculaires sur des surfaces nominales (001). Pour ces systemes a fort desaccord de maille cristalline, la fraction de couche se distribue en ilots d'une monocouche atomique d'epaisseur avec des dimensions laterales de quelques nanometres. Par l'etude d'excitons dans ces heteroepitaxies, nous mettons en evidence la crois
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DE, LA TORRE Jorge. "Etudes des propriétés opto-électroniques de structures et de composants à base de nanostructures de Si." Phd thesis, INSA de Lyon, 2003. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00006823.

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Streszczenie:
Actuellement le silicium est le semiconducteur de base de la microélectronique grâce notamment à la grande échelle d'intégration et les faibles coûts de production. Cependant, à l'heure actuelle, la miniaturisation de composants microélectroniques est confrontée à des forts problèmes puisque selon les prédictions, dans une dizaine d'années les longueurs de transmission dépasseront les 90 km dans une seule puce et la transmission d'information représentera un gros handicap à cause des problèmes de retardement de propagation des signaux et de dissipation de chaleur. Dans ce contexte, une microph
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Preisler, Vanessa. "Interaction porteur-phonons dans les boîtes quantiques InAs / GaAs : polarons électroniques et polarons excitoniques." Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00090546.

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Streszczenie:
Cette thèse présente une étude des électrons, trous, et excitons confinés dans des boîtes quantiques InAs/GaAs, en prenant en compte leur couplage avec les phonons longitudinaux optiques (LO) du réseau cristallin. Nous montrons que les porteurs confinés dans les boîtes quantiques sont en régime de couplage fort avec ces phonons, et que la conséquence de ce couplage est la formation de particules mixtes porteur-phonon, appelées polarons.<br /><br />Dans un premier temps, l'interaction électron-phonon ainsi que trou-phonon est étudiée expérimentalement par spectroscopie dans l'infrarouge lointai
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Thota, Venkata Ramana Kumar. "Tunable Optical Phenomena and Carrier Recombination Dynamics in III-V Semiconductor Nanostructures." Ohio University / OhioLINK, 2016. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=ohiou1451807323.

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Federspiel, Francois. "Etude optique du transfert d'énergie entre une nanostructure semiconductrice unique et un feuillet de graphène." Thesis, Strasbourg, 2015. http://www.theses.fr/2015STRAE015/document.

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Streszczenie:
Mes travaux de thèse portent sur l’interaction de type FRET (tranfert d’énergie résonant de Förster) entre une nanostructure semiconductrice colloïdale individuelle et le graphène. La première partie concerne l’établissement de la théorie du FRET et ce pour plusieurs types de nanostructures. Vient ensuite la partie expérimentale, à commencer par le montage optique ainsi que les méthodes d’analyse, tant pour la spectroscopie que pour la photoluminescence. Par la suite, nous décrivons les résultats obtenus pour divers types de nanocristaux sphériques en interaction directe avec le graphène (incl
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Botsoa, Jacques. "Synthèse de nanostructures de Carbure de Silicium et étude de leurs propriétés optiques." Lyon, INSA, 2008. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2008ISAL0102/these.pdf.

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Streszczenie:
Le carbure de silicium (SiC) est considéré aujourd’hui comme un matériau semi-conducteur clé dans le développement d’une électronique spécifique à haute température, haute puissance et hautes fréquences. Cependant, dans le domaine de l’optoélectronique, ce matériau n’a généré qu’un intérêt mitigé à cause de la nature indirecte de sa bande interdite qui est responsable d’une faible luminescence à température ambiante. Cependant, à l’instar du silicium, la nanostructuration de ce matériau implique un renforcement considérable de ses propriétés d’émission de lumière. Nous proposons ainsi dans cet
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