Zaloguj się

Gotowe bibliografie tematyczne / Phase change memory GST / Książki

Książki na temat „Phase change memory GST”

Kliknij ten link, aby zobaczyć inne rodzaje publikacji na ten temat: Phase change memory GST.

Autor: Grafiati

Data publikacji: 25 maja 2024

Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych

Wybierz rodzaj źródła:

Sprawdź 23 najlepszych książek naukowych na temat „Phase change memory GST”.

Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.

Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.

Przeglądaj książki z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.

1

Redaelli, Andrea, red. Phase Change Memory. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-69053-7.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

2

1976-, Chen Yiran, red. Nonvolatile memory design: Magnetic, resistive, and phase change. Boca Raton, FL: Taylor & Francis, 2012.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

3

Lan, Rui. Thermophysical Properties and Measuring Technique of Ge-Sb-Te Alloys for Phase Change Memory. Singapore: Springer Singapore, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-15-2217-8.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

4

Durable Phase-Change Memory Architectures. Elsevier, 2020. http://dx.doi.org/10.1016/s0065-2458(20)x0004-0.

Pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

5

Asadinia, Marjan, i Hamid Sarbazi-Azad. Durable Phase-Change Memory Architectures. Elsevier Science & Technology, 2020.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

6

Asadinia, Marjan, i Hamid Sarbazi-Azad. Durable Phase-Change Memory Architectures. Elsevier Science & Technology Books, 2020.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

7

Muralimanohar, Naveen, Moinuddin K. Qureshi, Sudhanva Gurumurthi i Bipin Rajendran. Phase Change Memory: From Devices to Systems. Springer International Publishing AG, 2011.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

8

Qureshi, Moinuddin K., Sudhanva Gurumurthi i Bipin Rajendran. Phase Change Memory: From Devices to Systems. Morgan & Claypool Publishers, 2011.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

9

Qureshi, Moinuddin K., Sudhanva Gurumurthi i Bipin Rajendran. Phase Change Memory: From Devices to Systems. Morgan & Claypool Publishers, 2011.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

10

Redaelli, Andrea. Phase Change Memory: Device Physics, Reliability and Applications. Springer, 2018.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

11

Redaelli, Andrea. Phase Change Memory: Device Physics, Reliability and Applications. Springer, 2017.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

12

Chen, Yiran, i Hai Li. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change. Taylor & Francis Group, 2017.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

13

Li, Hai. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change. Taylor & Francis Group, 2011.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

14

Chen, Yiran, i Hai Li. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change. Taylor & Francis Group, 2017.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

15

Chen, Yiran, i Hai Li. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change. Taylor & Francis Group, 2017.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

16

Chen, Yiran, i Hai Li. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change. Taylor & Francis Group, 2017.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

17

Chen, Yiran, i Hai Li. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change. Taylor & Francis Group, 2017.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

18

Lan, Rui. Thermophysical Properties and Measuring Technique of Ge-Sb-Te Alloys for Phase Change Memory. Springer, 2020.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

19

Bernasconi, Marco, Carlo Massobrio, Jincheng Du i Philip S. Salmon. Molecular Dynamics Simulations of Disordered Materials: From Network Glasses to Phase-Change Memory Alloys. Springer, 2015.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

20

Bernasconi, Marco, Carlo Massobrio, Jincheng Du i Philip S. Salmon. Molecular Dynamics Simulations of Disordered Materials: From Network Glasses to Phase-Change Memory Alloys. Springer, 2015.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

21

Lan, Rui. Thermophysical Properties and Measuring Technique of Ge-Sb-Te Alloys for Phase Change Memory. Springer Singapore Pte. Limited, 2021.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

22

Bernasconi, Marco, Carlo Massobrio, Jincheng Du i Philip S. Salmon. Molecular Dynamics Simulations of Disordered Materials: From Network Glasses to Phase-Change Memory Alloys. Springer, 2016.

Znajdź pełny tekst źródła

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

23

Tiwari, Sandip. Phase transitions and their devices. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198759874.003.0004.

Pełny tekst źródła

Streszczenie:

Phase transitions as a collective response of an ensemble, with appearance of unique stable properties spontaneously, is critical to a variety of devices: electronic, magnetic, optical, and their coupled forms. This chapter starts with a discussion of broken symmetry and its manifestation in the property changes in thermodynamic phase transition and the Landau mean-field articulation. It then follows it with an exploration of different phenomena and their use in devices. The first is ferroelectricity—spontaneous electric polarization—and its use in ferroelectric memories. Electron correlation effects are explored, and then conductivity transition from electron-electron and electron-phonon coupling and its use in novel memory and device forms. This is followed by development of an understanding of spin correlations and interactions and magnetism—spontaneous magnetic polarization. The use and manipulation of the magnetic phase transition in disk drives, magnetic and spin-torque memory as well as their stability is explored. Finally, as a fourth example, amorphous-crystalline structural transition in optical, electronic, and optoelectronic form are analyzed. This latter’s application include disk drives and resistive memories in the form of phase-change as well as those with electochemical transport.

Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.

Oferujemy zniżki na wszystkie plany premium dla autorów, których prace zostały uwzględnione w tematycznych zestawieniach literatury. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać unikalny kod promocyjny!