Artykuły w czasopismach na temat „PCM memory”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „PCM memory”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Arjomand, Mohammad, Amin Jadidi, Mahmut T. Kandemir, Anand Sivasubramaniam i Chita R. Das. "HL-PCM: MLC PCM Main Memory with Accelerated Read". IEEE Transactions on Parallel and Distributed Systems 28, nr 11 (1.11.2017): 3188–200. http://dx.doi.org/10.1109/tpds.2017.2705125.
Pełny tekst źródłaPriya, Bhukya Krishna, i N. Ramasubramanian. "Improving the Lifetime of Phase Change Memory by Shadow Dynamic Random Access Memory". International Journal of Service Science, Management, Engineering, and Technology 12, nr 2 (marzec 2021): 154–68. http://dx.doi.org/10.4018/ijssmet.2021030109.
Pełny tekst źródłaMacyna, Wojciech, i Michal Kukowski. "Adaptive Merging on Phase Change Memory". Fundamenta Informaticae 188, nr 2 (15.03.2023): 103–26. http://dx.doi.org/10.3233/fi-222144.
Pełny tekst źródłaJabarov, Elkhan, Byung-Won On, Gyu Choi i Myong-Soon Park. "R-Tree for phase change memory". Computer Science and Information Systems 14, nr 2 (2017): 347–67. http://dx.doi.org/10.2298/csis160620008j.
Pełny tekst źródłaHong, Jeong Beom, Young Sik Lee, Yong Wook Kim i Tae Hee Han. "Error-Vulnerable Pattern-Aware Binary-to-Ternary Data Mapping for Improving Storage Density of 3LC Phase Change Memory". Electronics 9, nr 4 (9.04.2020): 626. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9040626.
Pełny tekst źródłaDing, Feilong, Baokang Peng, Xi Li, Lining Zhang, Runsheng Wang, Zhitang Song i Ru Huang. "A review of compact modeling for phase change memory". Journal of Semiconductors 43, nr 2 (1.02.2022): 023101. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/2/023101.
Pełny tekst źródłaTang, Pu, Jing Xiao i Ming Tao. "Thermal Crosstalk Analysis of Phase Change Memory Considering Thermoelectric Effect and Thermal Boundary Resistance". Journal of Physics: Conference Series 2624, nr 1 (1.10.2023): 012020. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2624/1/012020.
Pełny tekst źródłaStern, Keren, Yair Keller, Christopher M. Neumann, Eric Pop i Eilam Yalon. "Temperature-dependent thermal resistance of phase change memory". Applied Physics Letters 120, nr 11 (14.03.2022): 113501. http://dx.doi.org/10.1063/5.0081016.
Pełny tekst źródłaSun, Hao, Lan Chen, Xiaoran Hao, Chenji Liu i Mao Ni. "An Energy-Efficient and Fast Scheme for Hybrid Storage Class Memory in an AIoT Terminal System". Electronics 9, nr 6 (17.06.2020): 1013. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9061013.
Pełny tekst źródłaShin, Dongsuk, Hakbeom Jang, Kiseok Oh i Jae W. Lee. "An Energy-Efficient DRAM Cache Architecture for Mobile Platforms With PCM-Based Main Memory". ACM Transactions on Embedded Computing Systems 21, nr 1 (31.01.2022): 1–22. http://dx.doi.org/10.1145/3451995.
Pełny tekst źródłaHo, Chien-Chung, Yu-Ming Chang, Yuan-Hao Chang, Hsiu-Chang Chen i Tei-Wei Kuo. "Write-aware memory management for hybrid SLC-MLC PCM memory systems". ACM SIGAPP Applied Computing Review 17, nr 2 (3.08.2017): 16–26. http://dx.doi.org/10.1145/3131080.3131082.
Pełny tekst źródłaHong, Feng, Jianquan Zhang, Shigui Qi i Zheng Li. "PCM-2R: Accelerating MLC PCM Writes via Data Reshaping and Remapping". Mobile Information Systems 2022 (16.07.2022): 1–19. http://dx.doi.org/10.1155/2022/9552517.
Pełny tekst źródłaDing, Feilong, Deqi Dong, Yihan Chen, Xinnan Lin i Lining Zhang. "Robust Simulations of Nanoscale Phase Change Memory: Dynamics and Retention". Nanomaterials 11, nr 11 (3.11.2021): 2945. http://dx.doi.org/10.3390/nano11112945.
Pełny tekst źródłaAntolini, Alessio, Eleonora Franchi Scarselli, Antonio Gnudi, Marcella Carissimi, Marco Pasotti, Paolo Romele i Roberto Canegallo. "Characterization and Programming Algorithm of Phase Change Memory Cells for Analog In-Memory Computing". Materials 14, nr 7 (26.03.2021): 1624. http://dx.doi.org/10.3390/ma14071624.
Pełny tekst źródłaArjomand, Mohammad, Mahmut T. Kandemir, Anand Sivasubramaniam i Chita R. Das. "Boosting access parallelism to PCM-based main memory". ACM SIGARCH Computer Architecture News 44, nr 3 (12.10.2016): 695–706. http://dx.doi.org/10.1145/3007787.3001211.
Pełny tekst źródłaLee, Jung-Hoon. "PCM Main Memory for Low Power Embedded System". IEMEK Journal of Embedded Systems and Applications 10, nr 6 (31.12.2015): 391–97. http://dx.doi.org/10.14372/iemek.2015.10.6.391.
Pełny tekst źródłaJung, Bo-Sung, i Jung-Hoon Lee. "High Performance PCM&DRAM Hybrid Memory System". IEMEK Journal of Embedded Systems and Applications 11, nr 2 (30.04.2016): 117–23. http://dx.doi.org/10.14372/iemek.2016.11.2.117.
Pełny tekst źródłaHARNSOONGNOEN, SANCHAI, CHIRANUT SA-NGIAMSAK i APIRAT SIRITARATIWAT. "OPTIMIZATION OF PHASE CHANGE MEMORY WITH THIN METAL INSERTED LAYER ON MATERIAL PROPERTIES". International Journal of Modern Physics B 23, nr 17 (10.07.2009): 3625–30. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979209063080.
Pełny tekst źródłaPriya, Bhukya Krishna, i N. Ramasubramanian. "Enhancing the Lifetime of a Phase Change Memory with Bit-Flip Reversal". Journal of Circuits, Systems and Computers 29, nr 14 (11.03.2020): 2050219. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126620502199.
Pełny tekst źródłaAkbarzadeh, Negar, Sina Darabi, Atiyeh Gheibi-Fetrat, Amir Mirzaei, Mohammad Sadrosadati i Hamid Sarbazi-Azad. "H3DM: A High-bandwidth High-capacity Hybrid 3D Memory Design for GPUs". Proceedings of the ACM on Measurement and Analysis of Computing Systems 8, nr 1 (16.02.2024): 1–28. http://dx.doi.org/10.1145/3639038.
Pełny tekst źródłaMohseni, Milad, Ahmed Alkhayyat, P. Balaji Srikaanth, Ali Jawad Alrubaie, Arnold C. Alguno, Rey Y. Capangpangan i Bhupesh Kumar Singh. "Analyzing Characteristics for Two-Step SET Operation Scheme for Improving Write Time in Nanoscale Phase-Change Memory (PCM)". Journal of Nanomaterials 2022 (9.09.2022): 1–20. http://dx.doi.org/10.1155/2022/6822884.
Pełny tekst źródłaLewis, Matthew, i Lucien N. Brush. "Impact of solid–liquid interfacial thermodynamics on phase-change memory RESET scaling". Nanotechnology 33, nr 20 (21.02.2022): 205204. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac512c.
Pełny tekst źródłaLei, Xin-Qing, Jia-He Zhu, Da-Wei Wang i Wen-Sheng Zhao. "Design for Ultrahigh-Density Vertical Phase Change Memory: Proposal and Numerical Investigation". Electronics 11, nr 12 (8.06.2022): 1822. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11121822.
Pełny tekst źródłaGonzalez-Alberquilla, Rodrigo, Fernando Castro, Luis Pinuel i Francisco Tirado. "CEPRAM: Compression for Endurance in PCM RAM". Journal of Circuits, Systems and Computers 26, nr 11 (3.04.2017): 1750167. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126617501675.
Pełny tekst źródłaQiao, Yang, Jin Zhao, Haodong Sun, Zhitang Song, Yuan Xue, Jiao Li i Sannian Song. "Pt Modified Sb2Te3 Alloy Ensuring High−Performance Phase Change Memory". Nanomaterials 12, nr 12 (10.06.2022): 1996. http://dx.doi.org/10.3390/nano12121996.
Pełny tekst źródłaZhang, Zhong Hua, San Nian Song, Zhi Tang Song, Le Li, Lan Lan Shen, Tian Qi Guo, Yan Cheng i in. "Performance Improvement of Phase Change Memory Cell by Using a Tantalum Pentoxide Buffer Layer". Materials Science Forum 848 (marzec 2016): 425–29. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.848.425.
Pełny tekst źródłaSong, Zhitang, Daolin Cai, Yan Cheng, Lei Wang, Shilong Lv, Tianjiao Xin i Gaoming Feng. "12-state multi-level cell storage implemented in a 128 Mb phase change memory chip". Nanoscale 13, nr 23 (2021): 10455–61. http://dx.doi.org/10.1039/d1nr00100k.
Pełny tekst źródłaYin, You, i Sumio Hosaka. "Crystal Growth Suppression by N-Doping into Chalcogenide for Application to Next-Generation Phase Change Memory". Key Engineering Materials 497 (grudzień 2011): 101–5. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.497.101.
Pełny tekst źródłaKim, Jeong-Geun, Shin-Dug Kim i Su-Kyung Yoon. "Q-Selector-Based Prefetching Method for DRAM/NVM Hybrid Main Memory System". Electronics 9, nr 12 (16.12.2020): 2158. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9122158.
Pełny tekst źródłaYun, Ji-Tae, Su-Kyung Yoon, Jeong-Geun Kim, Bernd Burgstaller i Shin-Dug Kim. "Regression Prefetcher with Preprocessing for DRAM-PCM Hybrid Main Memory". IEEE Computer Architecture Letters 17, nr 2 (1.07.2018): 163–66. http://dx.doi.org/10.1109/lca.2018.2841835.
Pełny tekst źródłaPourshirazi, Bahareh, Majed Valad Beigi, Zhichun Zhu i Gokhan Memik. "Writeback-Aware LLC Management for PCM-Based Main Memory Systems". ACM Transactions on Design Automation of Electronic Systems 24, nr 2 (21.03.2019): 1–19. http://dx.doi.org/10.1145/3292009.
Pełny tekst źródłaYoon, Su-Kyung, Jitae Yun, Jung-Geun Kim i Shin-Dug Kim. "Self-Adaptive Filtering Algorithm with PCM-Based Memory Storage System". ACM Transactions on Embedded Computing Systems 17, nr 3 (2.06.2018): 1–23. http://dx.doi.org/10.1145/3190856.
Pełny tekst źródłaEl-Hassan, Nemat H., Nandha Thulasiraman Kumar i Haider Abbas F. Almurib. "Modelling of wire resistance effect in PCM-based nanocrossbar memory". Journal of Engineering 2016, nr 10 (1.10.2016): 357–62. http://dx.doi.org/10.1049/joe.2016.0212.
Pełny tekst źródłaMeng, Yingjie, Yimin Chen, Kexin Peng, Bin Chen, Chenjie Gu, Yixiao Gao, Guoxiang Wang i Xiang Shen. "GeTe ultrathin film based phase-change memory with extreme thermal stability, fast SET speed, and low RESET power energy". AIP Advances 13, nr 3 (1.03.2023): 035205. http://dx.doi.org/10.1063/5.0138286.
Pełny tekst źródłaXu, Zhehao, Xiao Su, Sicong Hua, Jiwei Zhai, Sannian Song i Zhitang Song. "Non-volatile multi-level cell storage via sequential phase transition in Sb7Te3/GeSb6Te multilayer thin film". Nanotechnology 33, nr 7 (22.11.2021): 075701. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac3613.
Pełny tekst źródłaGafner, Yuri Ya, Svetlana L. Gafner i Daria A. Ryzhkova. "Estimating Ag-Cu Nanoalloy Applicability for PCM Data Recording". Solid State Phenomena 310 (wrzesień 2020): 47–52. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.310.47.
Pełny tekst źródłaYin, You, Rosalena Irma Alip, Yu Long Zhang, Ryota Kobayashi i Sumio Hosaka. "Multi-Level Storage in Lateral Phase Change Memory: From 3 to 16 Resistance Levels". Key Engineering Materials 534 (styczeń 2013): 131–35. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.534.131.
Pełny tekst źródłaNguyen, Huu Tan, Andrzej Kusiak, Jean Luc Battaglia, Cecile Gaborieau, Yanick Anguy, Roberto Fallica, Claudia Wiemer, Alessio Lamperti i Massimo Longo. "Thermal Properties of In-Sb-Te Thin Films for Phase Change Memory Application". Advances in Science and Technology 95 (październik 2014): 113–19. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.95.113.
Pełny tekst źródłaLiu, Guang Yu, Liang Cai Wu, Zhi Tang Song, Feng Rao, San Nian Song i Yan Cheng. "Stability of Sb2Te Crystalline Films for Phase Change Memory". Materials Science Forum 898 (czerwiec 2017): 1829–33. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.898.1829.
Pełny tekst źródłaYin, You, i Sumio Hosaka. "Proposed Phase-Change Memory with a Step-Like Channel for High-Performance Multi-State Storage". Key Engineering Materials 459 (grudzień 2010): 145–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.459.145.
Pełny tekst źródłaLin, Shu-Yen, i Shao-Cheng Wang. "Thermal-constrained memory management for three-dimensional DRAM-PCM memory with deep neural network applications". Microprocessors and Microsystems 89 (marzec 2022): 104444. http://dx.doi.org/10.1016/j.micpro.2022.104444.
Pełny tekst źródłaGrimonia, E., M. R. C. Andhika, M. F. N. Aulady, R. V. C. Rubi i N. L. Hamidah. "Thermal Management System Using Phase Change Material for Lithium-ion Battery". Journal of Physics: Conference Series 2117, nr 1 (1.11.2021): 012005. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2117/1/012005.
Pełny tekst źródłaFAN, Yu-Lei, i Xiao-Feng MENG. "Transaction Recovery Model of Databases Based on PCM and Flash Memory". Chinese Journal of Computers 36, nr 8 (18.03.2014): 1582–91. http://dx.doi.org/10.3724/sp.j.1016.2013.01582.
Pełny tekst źródłaRuan, Shenchen, Haixia Wang i Dongsheng Wang. "MAC : A Novel Systematically Multilevel Cache Replacement Policy for PCM Memory". Computer Applications: An International Journal 3, nr 2 (30.05.2016): 11–22. http://dx.doi.org/10.5121/caij.2016.3202.
Pełny tekst źródłaFu, Yinjin, Yutong Lu, Zhiguang Chen wu, Yang Wu i Nong Xiao. "Design and Simulation of Content-Aware Hybrid DRAM-PCM Memory System". IEEE Transactions on Parallel and Distributed Systems 33, nr 7 (1.07.2022): 1666–77. http://dx.doi.org/10.1109/tpds.2021.3123539.
Pełny tekst źródłaJunsangsri, Pilin, i Fabrizio Lombardi. "A New Comprehensive Model of a Phase Change Memory (PCM) Cell". IEEE Transactions on Nanotechnology 13, nr 6 (listopad 2014): 1213–25. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2014.2353992.
Pełny tekst źródłaCiocchini, Nicola, Marco Cassinerio, Davide Fugazza i Daniele Ielmini. "Modeling of Threshold-Voltage Drift in Phase-Change Memory (PCM) Devices". IEEE Transactions on Electron Devices 59, nr 11 (listopad 2012): 3084–90. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2012.2214784.
Pełny tekst źródłaBaek, Seungcheol, Hyung Gyu Lee, Chrysostomos Nicopoulos i Jongman Kim. "Designing Hybrid DRAM/PCM Main Memory Systems Utilizing Dual-Phase Compression". ACM Transactions on Design Automation of Electronic Systems 20, nr 1 (18.11.2014): 1–31. http://dx.doi.org/10.1145/2658989.
Pełny tekst źródłaMohseni, Milad, i Ahmad Habibized Novin. "A survey on techniques for improving Phase Change Memory (PCM) lifetime". Journal of Systems Architecture 144 (listopad 2023): 103008. http://dx.doi.org/10.1016/j.sysarc.2023.103008.
Pełny tekst źródłaYang, Zhe, Dayou Zhang, Jingwei Cai, Chuantao Gong, Qiang He, Ming Xu, Hao Tong i Xiangshui Miao. "Joule heating induced non-melting phase transition and multi-level conductance in MoTe2 based phase change memory". Applied Physics Letters 121, nr 20 (14.11.2022): 203508. http://dx.doi.org/10.1063/5.0127160.
Pełny tekst źródła