Artykuły w czasopismach na temat „P-type GaAs”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „P-type GaAs”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Fuyuki, Takuma, Shota Kashiyama, Kunishige Oe i Masahiro Yoshimoto. "Interface States in p-Type GaAs/GaAs1-xBixHeterostructure". Japanese Journal of Applied Physics 51, nr 11S (1.11.2012): 11PC02. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.51.11pc02.
Pełny tekst źródłaStichtenoth, D., K. Wegener, C. Gutsche, I. Regolin, F. J. Tegude, W. Prost, M. Seibt i C. Ronning. "P-type doping of GaAs nanowires". Applied Physics Letters 92, nr 16 (21.04.2008): 163107. http://dx.doi.org/10.1063/1.2912129.
Pełny tekst źródłaXie, Zhijian, i S. A. Lyon. "Ballistic transport in p-type GaAs". Applied Physics Letters 75, nr 14 (4.10.1999): 2085–87. http://dx.doi.org/10.1063/1.124924.
Pełny tekst źródłaNathan, M. I., W. P. Dumke, K. Wrenner, S. Tiwari, S. L. Wright i K. A. Jenkins. "Electron mobility in p‐type GaAs". Applied Physics Letters 52, nr 8 (22.02.1988): 654–56. http://dx.doi.org/10.1063/1.99395.
Pełny tekst źródłaMoutonnet, D. "Photochemical pattern on p-type GaAs". Materials Letters 6, nr 1-2 (listopad 1987): 34–36. http://dx.doi.org/10.1016/0167-577x(87)90097-8.
Pełny tekst źródłaDong, Boqun, Andrei Afanasev, Rolland Johnson i Mona Zaghloul. "Enhancement of Photoemission on p-Type GaAs Using Surface Acoustic Waves". Sensors 20, nr 8 (24.04.2020): 2419. http://dx.doi.org/10.3390/s20082419.
Pełny tekst źródłaBagraev, Nikolai T. "Metastable Surface Defects in p-Type GaAs". Materials Science Forum 143-147 (październik 1993): 543–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.143-147.543.
Pełny tekst źródłaIto, Hiroshi, i Tadao Ishibashi. "Surface Recombination Velocity in p-Type GaAs". Japanese Journal of Applied Physics 33, Part 1, No.1A (15.01.1994): 88–89. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.33.88.
Pełny tekst źródłaLodha, Saurabh, i David B. Janes. "Metal/molecule/p-type GaAs heterostructure devices". Journal of Applied Physics 100, nr 2 (15.07.2006): 024503. http://dx.doi.org/10.1063/1.2210569.
Pełny tekst źródłaKidalov, V. V. "Optical properties of p-type porous GaAs". Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics 8, nr 4 (15.12.2005): 118–20. http://dx.doi.org/10.15407/spqeo8.04.118.
Pełny tekst źródłaSchmitz, K. M., K. L. Jiao, R. Sharma, W. A. Anderson, G. Rajeswaran, L. R. Zheng, M. W. Cole i R. T. Lareau. "Microstructural analysis of Pd-based ohmic contacts to p-type GaAs". Journal of Materials Research 6, nr 3 (marzec 1991): 553–59. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1991.0553.
Pełny tekst źródłaSILVA-ANDRADE, F., F. CHÁVEZ, F. TENORIO, N. MORALES, J. I. BECERRA PONCE DE LEON, R. PEÑA-SIERRA i Y. E. BRAVO-GARCÍA. "GROWTH AND CHARACTERIZATION OF p-Type GaAs LAYERS USING ATOMIC HYDROGEN AS A REAGENT". Modern Physics Letters B 15, nr 17n19 (20.08.2001): 809–12. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984901002580.
Pełny tekst źródłaГалиев, Г. Б., Е. А. Климов, А. Н. Клочков, В. Б. Копылов i C. C. Пушкарев. "Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток \LT-GaAs/GaAs : Si\, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А". Физика и техника полупроводников 53, nr 2 (2019): 258. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2019.02.47110.8918.
Pełny tekst źródłaFuyuki, Takuma, Shota Kashiyama, Kunishige Oe i Masahiro Yoshimoto. "Interface States in p-Type GaAs/GaAs$_{1-x}$Bi$_{x}$ Heterostructure". Japanese Journal of Applied Physics 51 (20.11.2012): 11PC02. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.51.11pc02.
Pełny tekst źródłaSharmin, Mehnaz, Shamima Choudhury, Nasrin Akhtar i Tahmina Begum. "Optical and Transport Properties of p-Type GaAs". Journal of Bangladesh Academy of Sciences 36, nr 1 (17.06.2012): 97–107. http://dx.doi.org/10.3329/jbas.v36i1.10926.
Pełny tekst źródłaJia, Y. Q., Hans Jürgen von Bardeleben, Didier Stiévenard i Christian Delerue. "Intrinsic Defects in Electron Irradiated p-Type GaAs". Materials Science Forum 83-87 (styczeń 1992): 965–70. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.83-87.965.
Pełny tekst źródłaTang, R‐S, S. B. Saban, J. S. Blakemore i M. L. Gray. "Melt‐grown p‐type GaAs with iron doping". Journal of Applied Physics 73, nr 11 (czerwiec 1993): 7416–21. http://dx.doi.org/10.1063/1.354006.
Pełny tekst źródłaAboelfotoh, M. O., M. A. Borek i J. Narayan. "Ohmic contact to p-type GaAs using Cu3Ge". Applied Physics Letters 75, nr 25 (20.12.1999): 3953–55. http://dx.doi.org/10.1063/1.125505.
Pełny tekst źródłaAs, D. J., D. Schikora, A. Greiner, M. Lübbers, J. Mimkes i K. Lischka. "p- andn-type cubic GaN epilayers on GaAs". Physical Review B 54, nr 16 (15.10.1996): R11118—R11121. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.54.r11118.
Pełny tekst źródłaSalehzadeh, O., X. Zhang, B. D. Gates, K. L. Kavanagh i S. P. Watkins. "p-type doping of GaAs nanowires using carbon". Journal of Applied Physics 112, nr 9 (listopad 2012): 094323. http://dx.doi.org/10.1063/1.4759368.
Pełny tekst źródłaLin, M. E., G. Xue, G. L. Zhou, J. E. Greene i H. Morkoç. "p‐type zinc‐blende GaN on GaAs substrates". Applied Physics Letters 63, nr 7 (16.08.1993): 932–33. http://dx.doi.org/10.1063/1.109848.
Pełny tekst źródłaJiang, H., R. G. Elliman i J. S. Williams. "P-type doping of GaAs by carbon implantation". Journal of Electronic Materials 23, nr 4 (kwiecień 1994): 391–96. http://dx.doi.org/10.1007/bf02671219.
Pełny tekst źródłaReemtsma, J. H., K. Heime, W. Schlapp i G. Weimann. "p-type ohmic contacts to AlGaAs/GaAs heterostructures". Superlattices and Microstructures 4, nr 2 (styczeń 1988): 197–99. http://dx.doi.org/10.1016/0749-6036(88)90035-3.
Pełny tekst źródłaLi, Jingqi, Xiaofeng Chen, Gheorghe Iordache, Nini Wei i Husam N. Alshareef. "Characteristics of Vertical Carbon Nanotube Field-Effect Transistors on p-GaAs". Nanoscience and Nanotechnology Letters 11, nr 9 (1.09.2019): 1239–46. http://dx.doi.org/10.1166/nnl.2019.2998.
Pełny tekst źródłaSong, Yue, Xin Yan, Xia Zhang, Xiao Long Lv, Jun Shuai Li, Yong Qing Huang i Xiao Min Ren. "Growth and Characterization of Radial pn Junction Gaas Nanowire by MOCVD". Advanced Materials Research 457-458 (styczeń 2012): 165–69. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.457-458.165.
Pełny tekst źródłaNozaki, Shinji, Ryuji Miyake, Takumi Yamada, Makoto Konagai i Kiyoshi Takahashi. "GaAs PN Diodes with Heavily Carbon-Doped P-Type GaAs Grown by MOMBE". Japanese Journal of Applied Physics 29, Part 2, No. 10 (20.10.1990): L1731—L1734. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.29.l1731.
Pełny tekst źródłaGfroerer, T. H., D. G. Hampton, P. R. Simov i M. W. Wanlass. "AX-type defects in zinc-doped GaAs(1−x)P(x) on GaAs". Journal of Applied Physics 107, nr 12 (15.06.2010): 123719. http://dx.doi.org/10.1063/1.3436590.
Pełny tekst źródłaHeuring, W., E. Bangert, K. Grötsch, G. Landwehr, G. Weimann, W. Schlapp, J. H. Reemtsma i K. Heime. "Influence of warping on quantum oscillations in p-type GaAs-(GaAl)As heterostructures". Surface Science 229, nr 1-3 (kwiecień 1990): 76–79. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(90)90838-y.
Pełny tekst źródłaNaz, Nazir A., Umar S. Qurashi i M. Zafar Iqbal. "Deep levels in α-irradiated p-type MOCVD GaAs". Physica B: Condensed Matter 401-402 (grudzień 2007): 503–6. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2007.09.009.
Pełny tekst źródłaLi, Bang, Xin Yan, Xia Zhang i Xiaomin Ren. "Growth and characteristics of p-type doped GaAs nanowire". Journal of Semiconductors 39, nr 5 (18.04.2018): 053004. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/39/5/053004.
Pełny tekst źródłaKraak, W., N. Ya Minina, A. M. Savin, A. A. Ilievsky, I. V. Berman i C. B. Sorensen. "Persistent photoconductivity in p-type Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As heterostructures". Nanotechnology 12, nr 4 (28.11.2001): 577–80. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/12/4/341.
Pełny tekst źródłaMajid, A., M. Zafar Iqbal, A. Dadgar i D. Bimberg. "Deep levels in rhodium-doped p-type MOCVD GaAs". Physica B: Condensed Matter 340-342 (grudzień 2003): 362–66. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.074.
Pełny tekst źródłaGrbić, Boris, Renaud Leturcq, Thomas Ihn, Klaus Ensslin, Dirk Reuter i Andreas D. Wieck. "Aharonov–Bohm oscillations in p-type GaAs quantum rings". Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 40, nr 5 (marzec 2008): 1273–75. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2007.08.129.
Pełny tekst źródłaBalkan, A. N., B. K. Ridley i I. Goodridge. "Free and bound excitons in p-type GaAs MQW". Semiconductor Science and Technology 1, nr 5 (1.11.1986): 338–42. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/1/5/009.
Pełny tekst źródłaLu, Yicheng, T. S. Kalkur i C. A. Paz de Araujo. "Rapid Thermal Alloyed Ohmic Contacts to p‐Type GaAs". Journal of The Electrochemical Society 136, nr 10 (1.10.1989): 3123–29. http://dx.doi.org/10.1149/1.2096412.
Pełny tekst źródłaCifuentes, N., H. Limborço, E. R. Viana, D. B. Roa, A. Abelenda, M. I. N. da Silva, M. V. B. Moreira, G. M. Ribeiro, A. G. de Oliveira i J. C. González. "Electronic transport in p-type Mg-doped GaAs nanowires". physica status solidi (b) 253, nr 10 (23.06.2016): 1960–64. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201600204.
Pełny tekst źródłaRamos, L. E., G. M. Sipahi, L. M. R. Scolfaro, R. Enderlein i J. R. Leite. "Minibands of p-type δ-doping superlattices in GaAs". Superlattices and Microstructures 22, nr 4 (grudzień 1997): 437–42. http://dx.doi.org/10.1006/spmi.1997.0467.
Pełny tekst źródłaGrbić, Boris, Renaud Leturcq, Klaus Ensslin, Dirk Reuter i Andreas D. Wieck. "Single-hole transistor in p-type GaAs∕AlGaAs heterostructures". Applied Physics Letters 87, nr 23 (5.12.2005): 232108. http://dx.doi.org/10.1063/1.2139994.
Pełny tekst źródłaDeenapanray, Prakash N. K., V. A. Coleman i C. Jagadish. "Electrical Characterization of Impurity-Free Disordered p-Type GaAs". Electrochemical and Solid-State Letters 6, nr 3 (2003): G37. http://dx.doi.org/10.1149/1.1543335.
Pełny tekst źródłaZhou, Y., J. H. Jiang i M. W. Wu. "Electron spin relaxation in p-type GaAs quantum wells". New Journal of Physics 11, nr 11 (20.11.2009): 113039. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/11/11/113039.
Pełny tekst źródłaWen, X. M., L. V. Dao, J. A. Davis, P. Hannaford, S. Mokkapati, H. H. Tan i C. Jagadish. "Carrier dynamics in p-type InGaAs/GaAs quantum dots". Journal of Materials Science: Materials in Electronics 18, S1 (7.04.2007): 363–65. http://dx.doi.org/10.1007/s10854-007-9241-5.
Pełny tekst źródłaMacháč, P., i J. Náhlík. "Preparation of p-type GaAs layers for ohmic contact". Journal of Materials Science: Materials in Electronics 6, nr 2 (kwiecień 1995): 115–17. http://dx.doi.org/10.1007/bf00188195.
Pełny tekst źródłaKonagai, Makoto, Takumi Yamada, Takeshi Akatsuka, Shinji Nozaki, Ryuji Miyake, Koki Saito, Taichi Fukamachi, Eisuke Tokumitsu i Kiyoshi Takahashi. "Metallic p-type GaAs and InGaAs grown by MOMBE". Journal of Crystal Growth 105, nr 1-4 (październik 1990): 359–65. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(90)90386-y.
Pełny tekst źródłaTromans, Desmond, Gordon G. Liu i Fred Weinberg. "The pitting corrosion of p-type GaAs single crystals". Corrosion Science 35, nr 1-4 (styczeń 1993): 117–25. http://dx.doi.org/10.1016/0010-938x(93)90141-3.
Pełny tekst źródłaSapriel, J., J. Chavignon, F. Alexandre, R. Azoulay, B. Sermage, K. Rao i M. Voos. "Above bandgap luminescence of p-type GaAs epitaxial layers". Solid State Communications 79, nr 6 (sierpień 1991): 543–46. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(91)90048-z.
Pełny tekst źródłaGislason, H. P., B. H. Yang, J. Pétursson i M. Linnarsson. "Radiative recombination in n‐type and p‐type GaAs compensated with Li". Journal of Applied Physics 74, nr 12 (15.12.1993): 7275–87. http://dx.doi.org/10.1063/1.354993.
Pełny tekst źródłaChaqmaqchee, Faten A. "A Comparative Study of Electrical Characterization of P-Doped Distributed Bragg Reflectors Mirrors for 1300 nm Vertical Cavity Semiconductor Optical Amplifiers". ARO-THE SCIENTIFIC JOURNAL OF KOYA UNIVERSITY 9, nr 1 (3.06.2021): 89–94. http://dx.doi.org/10.14500/aro.10741.
Pełny tekst źródłaButcher, KSA, D. Alexiev i TL Tansley. "Minority Carrier Diffusion Lengths for High Purity Liquid Phase Epitaxial GaAs". Australian Journal of Physics 46, nr 2 (1993): 317. http://dx.doi.org/10.1071/ph930317.
Pełny tekst źródłaSin, Yong Kun, i Hideaki Horikawa. "High-Power InGaAs-GaAs-InGaP Strained Quantum Well Lasers on P-Type GaAs Substrate". Japanese Journal of Applied Physics 34, Part 1, No. 5A (15.05.1995): 2318–23. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.34.2318.
Pełny tekst źródłaYang, Quan-kui, Ai-zhen Li i Jian-xin Chen. "Investigation of Hole Mobility in GaInP/(In)GaAs/GaAs p-Type Modulation Doped Heterostructures". Chinese Physics Letters 16, nr 1 (1.01.1999): 50–52. http://dx.doi.org/10.1088/0256-307x/16/1/018.
Pełny tekst źródła