Gotowa bibliografia na temat „P-type GaAs”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Spis treści
Zobacz listy aktualnych artykułów, książek, rozpraw, streszczeń i innych źródeł naukowych na temat „P-type GaAs”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Artykuły w czasopismach na temat "P-type GaAs"
Fuyuki, Takuma, Shota Kashiyama, Kunishige Oe i Masahiro Yoshimoto. "Interface States in p-Type GaAs/GaAs1-xBixHeterostructure". Japanese Journal of Applied Physics 51, nr 11S (1.11.2012): 11PC02. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.51.11pc02.
Pełny tekst źródłaStichtenoth, D., K. Wegener, C. Gutsche, I. Regolin, F. J. Tegude, W. Prost, M. Seibt i C. Ronning. "P-type doping of GaAs nanowires". Applied Physics Letters 92, nr 16 (21.04.2008): 163107. http://dx.doi.org/10.1063/1.2912129.
Pełny tekst źródłaXie, Zhijian, i S. A. Lyon. "Ballistic transport in p-type GaAs". Applied Physics Letters 75, nr 14 (4.10.1999): 2085–87. http://dx.doi.org/10.1063/1.124924.
Pełny tekst źródłaNathan, M. I., W. P. Dumke, K. Wrenner, S. Tiwari, S. L. Wright i K. A. Jenkins. "Electron mobility in p‐type GaAs". Applied Physics Letters 52, nr 8 (22.02.1988): 654–56. http://dx.doi.org/10.1063/1.99395.
Pełny tekst źródłaMoutonnet, D. "Photochemical pattern on p-type GaAs". Materials Letters 6, nr 1-2 (listopad 1987): 34–36. http://dx.doi.org/10.1016/0167-577x(87)90097-8.
Pełny tekst źródłaDong, Boqun, Andrei Afanasev, Rolland Johnson i Mona Zaghloul. "Enhancement of Photoemission on p-Type GaAs Using Surface Acoustic Waves". Sensors 20, nr 8 (24.04.2020): 2419. http://dx.doi.org/10.3390/s20082419.
Pełny tekst źródłaBagraev, Nikolai T. "Metastable Surface Defects in p-Type GaAs". Materials Science Forum 143-147 (październik 1993): 543–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.143-147.543.
Pełny tekst źródłaIto, Hiroshi, i Tadao Ishibashi. "Surface Recombination Velocity in p-Type GaAs". Japanese Journal of Applied Physics 33, Part 1, No.1A (15.01.1994): 88–89. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.33.88.
Pełny tekst źródłaLodha, Saurabh, i David B. Janes. "Metal/molecule/p-type GaAs heterostructure devices". Journal of Applied Physics 100, nr 2 (15.07.2006): 024503. http://dx.doi.org/10.1063/1.2210569.
Pełny tekst źródłaKidalov, V. V. "Optical properties of p-type porous GaAs". Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics 8, nr 4 (15.12.2005): 118–20. http://dx.doi.org/10.15407/spqeo8.04.118.
Pełny tekst źródłaRozprawy doktorskie na temat "P-type GaAs"
Klochan, Oleh V. Physics Faculty of Science UNSW. "Ballistic transport in one-dimensional p-type GaAs devices". Awarded by:University of New South Wales, 2007. http://handle.unsw.edu.au/1959.4/35186.
Pełny tekst źródłaGrbić, Boris. "Hole transport and spin-orbit coupling in p-type GaAs nanostructures". kostenfrei, 2007. http://e-collection.ethbib.ethz.ch/view/eth:29710.
Pełny tekst źródłaClarke, Warrick Robin Physics Faculty of Science UNSW. "Quantum interaction phenomena in p-GaAs microelectronic devices". Awarded by:University of New South Wales. School of Physics, 2006. http://handle.unsw.edu.au/1959.4/32259.
Pełny tekst źródłaSaha, Uttam Kumar. "Photoluminescence and kinetic of MOCVD grown P-type GaAs:Nd and Nd-implanted semi-insulating GaAs". Ohio University / OhioLINK, 1996. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=ohiou1178044230.
Pełny tekst źródłaLiu, Gordon Gang. "Electrochemical behaviour of gallium arsenide". Thesis, University of British Columbia, 1991. http://hdl.handle.net/2429/30080.
Pełny tekst źródłaApplied Science, Faculty of
Materials Engineering, Department of
Graduate
Rahbi, Rania. "Etude de la diffusion de l'hydrogène et des interactions hydrogène accepteur dans gaas de type p". Paris 7, 1991. http://www.theses.fr/1991PA077075.
Pełny tekst źródłaJOURDAN, NICOLAS. "Etude des dopants de type p pour l'epitaxie par jets moleculaires de transistors bipolaires a heterostructure gaas/gaa1as". Paris 7, 1991. http://www.theses.fr/1991PA077047.
Pełny tekst źródłaBenarfa, Houria. "Proprietes de photoluminescence de gaas : contribution a l'etude de gaas heteroepitaxie sur (ca,sr)f2 par la technique des jets moleculaires". Toulouse, INSA, 1986. http://www.theses.fr/1986ISAT0019.
Pełny tekst źródłaPant, Bharat Raj. "A Comparative Study on P-type Nickel Oxide and N-type Zinc Oxide for Gas Sensor Applications". University of Toledo / OhioLINK, 2018. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=toledo1525473245395728.
Pełny tekst źródłaMadhavi, S. "Carrier Mobility And High Field Transport in Modulation Doped p-Type Ge/Si1-xGex And n-Type Si/Si1-xGex Heterostructures". Thesis, Indian Institute of Science, 2000. http://hdl.handle.net/2005/294.
Pełny tekst źródłaCzęści książek na temat "P-type GaAs"
Heuring, W., E. Bangert, G. Landwehr, G. Weimann i W. Schlapp. "p-Type GaAs-(GaAI)As Heterostructures in Tilted Magnetic Fields: Theory and Experiments". W High Magnetic Fields in Semiconductor Physics II, 190–93. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-83810-1_30.
Pełny tekst źródłaLandwehr, G. "Transport Properties of p-Type GaAs-(GaAl)As Heterojunctions in High Magnetic Fields". W Springer Series in Solid-State Sciences, 295–303. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1987. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-83114-0_44.
Pełny tekst źródłaPerraud, S., C. David i Z. Z. Wang. "Nanomeasure of Esaki Negative Resistance on p-Type GaAs(110) Surfaces". W Solid State Phenomena, 835–38. Stafa: Trans Tech Publications Ltd., 2007. http://dx.doi.org/10.4028/3-908451-30-2.835.
Pełny tekst źródłaOssau, W., T. L. Kuhn, E. Bangert i G. Weimann. "The H-Band Luminescence of p-Type GaAs-(GaAl)As Heterostructures in High Magnetic Fields". W High Magnetic Fields in Semiconductor Physics II, 268–77. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-83810-1_41.
Pełny tekst źródłaReményi, G., G. Landwehr, W. Heuring, G. Weimann i W. Schlapp. "Fractional Quantum Hall Effect of p-Type GaAs-(GaAl)As Heterostructures in the Millikelvin Range". W Springer Series in Solid-State Sciences, 166–72. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1987. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-83114-0_25.
Pełny tekst źródłaIwasa, Y., N. Miura, S. Takeyama i T. Ando. "Hole Cyclotron Resonance in p-Type GaAs-AlGaAs Superlattices in High Magnetic Fields". W Springer Series in Solid-State Sciences, 274–77. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1987. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-83114-0_40.
Pełny tekst źródłaLohner, A., M. Woerner, T. Elsaesser i W. Kaiser. "Hot Hole Capture by Shallow Acceptors in p-Type GaAs Studied by Picosecond Infrared Spectroscopy". W Ultrafast Phenomena VIII, 416–17. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-84910-7_131.
Pełny tekst źródłaOno, M., N. Nishioka, M. Morifuji i C. Hamaguchi. "Temperature Dependence of Resonant Tunneling Characteristics in a p-type GaAs/AlAs Double-Barrier Structure". W Springer Proceedings in Physics, 835–36. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2001. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-59484-7_396.
Pełny tekst źródłaSzmulowicz, Frank, Gail J. Brown, William C. Mitchel, H. C. Liu, L. Li, M. Buchanan, Z. R. Wasilewski i C. H. Lin. "Calculation and Photoresponse Measurements of the Long-Wavelength IR Absorption in P-Type GaAs/AlGaAs Quantum Wells and Type-II InAs/InGaSb Superlattices". W Intersubband Transitions in Quantum Wells: Physics and Devices, 76–83. Boston, MA: Springer US, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-5759-3_11.
Pełny tekst źródłaMal, Indranil, Asish Hazra, D. P. Samajdar i T. D. Das. "Investigation of Electronic and Optical Properties of GaSbBi/GaAs Type-II Quantum Wells Using 14-Band k · p Hamiltonian". W Springer Proceedings in Physics, 1013–20. Cham: Springer International Publishing, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-97604-4_155.
Pełny tekst źródłaStreszczenia konferencji na temat "P-type GaAs"
Barnes, Peter A., Joongseo Park i John B. Crofton. "Nonalloyed contacts to p-type GaAs". W OE/LASE'93: Optics, Electro-Optics, & Laser Applications in Science& Engineering, redaktor R. Aaron Falk. SPIE, 1993. http://dx.doi.org/10.1117/12.146540.
Pełny tekst źródłaSzmulowicz, Frank, i Gail J. Brown. "Whither P-type GaAs/AlGaAs QWIP?" W Symposium on Integrated Optoelectronic Devices, redaktorzy Gail J. Brown i Manijeh Razeghi. SPIE, 2002. http://dx.doi.org/10.1117/12.467659.
Pełny tekst źródłaCifuentes, N., H. Limborco, M. V. B. Moreira, G. M. Ribeiro, A. G. de Oliveira, M. I. N. da Silva, J. C. Gonzalez, Daniel B. Roa, Emilson R. Viana i A. Abelenda. "Electronic transport in p-type doped GaAs nanowires". W 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/sbmicro.2016.7731333.
Pełny tekst źródłaXu, Zhiwei, Jury V. Vandyshev, Gary W. Wicks, Philippe M. Fauchet, Mike J. Shaw, Milan Jaros, Bruce A. Richman, Chris W. Rella i H. Alan Schwettman. "Second harmonic generation in p-type GaAs quantum wells". W OE/LASE '94, redaktorzy Gottfried H. Doehler i Emil S. Koteles. SPIE, 1994. http://dx.doi.org/10.1117/12.175709.
Pełny tekst źródłaMajid, A. "Deep levels in Ruthenium doped p-type MOCVD GaAs". W PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS-27. AIP, 2005. http://dx.doi.org/10.1063/1.1994034.
Pełny tekst źródłaMissaoui, A., L. Beji i A. Bouazizi. "Optical Study of Porous p-type GaAs by Spectroscopic Ellipsometry". W 2nd International Conference on Transparent Optical Networks "Mediterranean Winter" 2008. ICTON-MW'08. IEEE, 2008. http://dx.doi.org/10.1109/ictonmw.2008.4773114.
Pełny tekst źródłaBoland, Jessica L., A. Casadei, G. Tutuncouglu, F. Matteini, C. Davies, F. Gaveen, F. Amaduzzi i in. "Increased photoconductivity lifetimes in GaAs nanowires via n-type and p-type shell doping". W 2016 41st International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves (IRMMW-THz). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/irmmw-thz.2016.7758574.
Pełny tekst źródłaCho, Taehee, Hyungsuk Kim, Songcheol Hong i Youngse Kwon. "Superior Detectivity of (111) GaAs/AlGaAs p-Type QW Infrared Photodetector". W 1995 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1995. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1995.pd-5-6.
Pełny tekst źródłaBOGDANOV, E. V., A. A. ILIEVSKY, N. YA. MININA, A. M. SAVIN, O. P. HANSEN, C. B. SORENSEN i W. KRAAK. "NEGATIVE AND PERSISTENT POSITIVE PHOTOCONDUCTIVITY IN P-TYPE Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As". W Reviews and Short Notes to NANOMEETING-2001. WORLD SCIENTIFIC, 2001. http://dx.doi.org/10.1142/9789812810076_0019.
Pełny tekst źródłaGrbić, B., R. Leturcq, T. Ihn, K. Ensslin, D. Reuter i A. D. Wieck. "Hole transport in p-type GaAs quantum dots and point contacts". W PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. AIP, 2007. http://dx.doi.org/10.1063/1.2730121.
Pełny tekst źródłaRaporty organizacyjne na temat "P-type GaAs"
McCormick, Larry D. Scanning Tunneling Microscopy Etching of Micrometer Level Features on P-Type GaAs. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, marzec 1989. http://dx.doi.org/10.21236/ada209216.
Pełny tekst źródłaTracy, Lisa A., John L. Reno i Terry W. Hargett. Fabrication and Characterization of a Single Hole Transistor in p-type GaAs/AlGaAs Heterostructures. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), wrzesień 2015. http://dx.doi.org/10.2172/1221866.
Pełny tekst źródłaChu, Jerome T., i Sheng S. Li. Investigation of Normal Incidence High Performance P-Type Strained Layer InGaAs/AlGaAs and GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, czerwiec 1997. http://dx.doi.org/10.21236/ada325634.
Pełny tekst źródłaDutra, Lauren M., James Nonnemaker, Nathaniel Taylor, Ashley Feld, Brian Bradfield, John Holloway, Edward (Chip) Hill i Annice Kim. Visual Attention to Tobacco-Related Stimuli in a 3D Virtual Store. RTI Press, maj 2020. http://dx.doi.org/10.3768/rtipress.2020.rr.0036.2005.
Pełny tekst źródłaAwschalom, M., i R. K. T. Haken. Dependence of charge collection distributions and dose on the gas type filling the ionization chamber for a p(66)Be(49) clinical neutron beam. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), styczeń 1985. http://dx.doi.org/10.2172/5345986.
Pełny tekst źródłaAwschalom, Miguel, i R. Ten Haken. Dependence of Charge Collection Distributions and Dose of the Gas Type Filling the Ionization Chamber for a p(66)-Be(49) Clinical Neutron Beam. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), styczeń 1985. http://dx.doi.org/10.2172/1156255.
Pełny tekst źródła