Artykuły w czasopismach na temat „Non-Volatile Main Memory (NVMM)”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Non-Volatile Main Memory (NVMM)”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
OMORI, Yu, i Keiji KIMURA. "Non-Volatile Main Memory Emulator for Embedded Systems Employing Three NVMM Behaviour Models". IEICE Transactions on Information and Systems E104.D, nr 5 (1.05.2021): 697–708. http://dx.doi.org/10.1587/transinf.2020edp7092.
Pełny tekst źródłaCheng, Wen, Chunyan Li, Lingfang Zeng, Yingjin Qian, Xi Li i André Brinkmann. "NVMM-Oriented Hierarchical Persistent Client Caching for Lustre". ACM Transactions on Storage 17, nr 1 (2.02.2021): 1–22. http://dx.doi.org/10.1145/3404190.
Pełny tekst źródłaKawata, Hirotaka, Gaku Nakagawa i Shuichi Oikawa. "Using DRAM as Cache for Non-Volatile Main Memory Swapping". International Journal of Software Innovation 4, nr 1 (styczeń 2016): 61–71. http://dx.doi.org/10.4018/ijsi.2016010105.
Pełny tekst źródłaHaywood Dadzie, Thomas, Jiwon Lee, Jihye Kim i Hyunok Oh. "NVM-Shelf: Secure Hybrid Encryption with Less Flip for Non-Volatile Memory". Electronics 9, nr 8 (13.08.2020): 1304. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9081304.
Pełny tekst źródłaKhan, Mohammad Nasim Imtiaz, i Swaroop Ghosh. "Comprehensive Study of Security and Privacy of Emerging Non-Volatile Memories". Journal of Low Power Electronics and Applications 11, nr 4 (24.09.2021): 36. http://dx.doi.org/10.3390/jlpea11040036.
Pełny tekst źródłaLi, Xiaochang, i Zhengjun Zhai. "UHNVM: A Universal Heterogeneous Cache Design with Non-Volatile Memory". Electronics 10, nr 15 (22.07.2021): 1760. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10151760.
Pełny tekst źródłaWang, Tse-Yuan, Chun-Feng Wu, Che-Wei Tsao, Yuan-Hao Chang, Tei-Wei Kuo i Xue Liu. "Rethinking the Interactivity of OS and Device Layers in Memory Management". ACM Transactions on Embedded Computing Systems 21, nr 4 (31.07.2022): 1–21. http://dx.doi.org/10.1145/3530876.
Pełny tekst źródłaBez, Roberto, Emilio Camerlenghi i Agostino Pirovano. "Materials and Processes for Non-Volatile Memories". Materials Science Forum 608 (grudzień 2008): 111–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.608.111.
Pełny tekst źródłaShen, Zongjie, Chun Zhao, Yanfei Qi, Ivona Z. Mitrovic, Li Yang, Jiacheng Wen, Yanbo Huang, Puzhuo Li i Cezhou Zhao. "Memristive Non-Volatile Memory Based on Graphene Materials". Micromachines 11, nr 4 (25.03.2020): 341. http://dx.doi.org/10.3390/mi11040341.
Pełny tekst źródłaLiu, Gang, Leying Chen i Shimin Chen. "Zen". Proceedings of the VLDB Endowment 14, nr 5 (styczeń 2021): 835–48. http://dx.doi.org/10.14778/3446095.3446105.
Pełny tekst źródłaKim, Jeong-Geun, Shin-Dug Kim i Su-Kyung Yoon. "Q-Selector-Based Prefetching Method for DRAM/NVM Hybrid Main Memory System". Electronics 9, nr 12 (16.12.2020): 2158. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9122158.
Pełny tekst źródłaIevtukh, V. A., A. N. Nazarov, V. I. Turchanikov i V. S. Lysenko. "Nanocluster NVM Cells Metrology: Window Formation, Relaxation and Charge Retention Measurements". Advanced Materials Research 718-720 (lipiec 2013): 1118–23. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.718-720.1118.
Pełny tekst źródłaBahn, Hyokyung, i Kyungwoon Cho. "Implications of NVM Based Storage on Memory Subsystem Management". Applied Sciences 10, nr 3 (3.02.2020): 999. http://dx.doi.org/10.3390/app10030999.
Pełny tekst źródłaZhang, Zhou, Zhaole Chu, Peiquan Jin, Yongping Luo, Xike Xie, Shouhong Wan, Yun Luo i in. "PLIN". Proceedings of the VLDB Endowment 16, nr 2 (październik 2022): 243–55. http://dx.doi.org/10.14778/3565816.3565826.
Pełny tekst źródłaZhuge, Qingfeng, Hao Zhang, Edwin Hsing-Mean Sha, Rui Xu, Jun Liu i Shengyu Zhang. "Exploring Efficient Architectures on Remote In-Memory NVM over RDMA". ACM Transactions on Embedded Computing Systems 20, nr 5s (31.10.2021): 1–20. http://dx.doi.org/10.1145/3477004.
Pełny tekst źródłaZou, Yu, Amro Awad i Mingjie Lin. "DirectNVM: Hardware-accelerated NVMe SSDs for High-performance Embedded Computing". ACM Transactions on Embedded Computing Systems 21, nr 1 (31.01.2022): 1–24. http://dx.doi.org/10.1145/3463911.
Pełny tekst źródłaYu, Songping, Nong Xiao, Mingzhu Deng, Fang Liu i Wei Chen. "Redesign the Memory Allocator for Non-Volatile Main Memory". ACM Journal on Emerging Technologies in Computing Systems 13, nr 3 (13.05.2017): 1–26. http://dx.doi.org/10.1145/2997651.
Pełny tekst źródłaChen, Shimin, i Qin Jin. "Persistent B + -trees in non-volatile main memory". Proceedings of the VLDB Endowment 8, nr 7 (luty 2015): 786–97. http://dx.doi.org/10.14778/2752939.2752947.
Pełny tekst źródłaChen, Jie, Ron C. Chiang, H. Howie Huang i Guru Venkataramani. "Energy-aware writes to non-volatile main memory". ACM SIGOPS Operating Systems Review 45, nr 3 (11.01.2012): 48–52. http://dx.doi.org/10.1145/2094091.2094104.
Pełny tekst źródłaSHU, Jiwu, Youmin CHEN, Qingda HU i Youyou LU. "Development of system software on non-volatile main memory". SCIENTIA SINICA Informationis 51, nr 6 (13.05.2021): 869. http://dx.doi.org/10.1360/ssi-2019-0128.
Pełny tekst źródłaHou, Fangyong, i Hongjun He. "Ultra simple way to encrypt non-volatile main memory". Security and Communication Networks 8, nr 7 (4.08.2014): 1155–68. http://dx.doi.org/10.1002/sec.1071.
Pełny tekst źródłaWang, Ying, Wen-Qing Jia, De-Jun Jiang i Jin Xiong. "A Survey of Non-Volatile Main Memory File Systems". Journal of Computer Science and Technology 38, nr 2 (30.03.2023): 348–72. http://dx.doi.org/10.1007/s11390-023-1054-3.
Pełny tekst źródłaWalden, Candace, Devesh Singh, Meenatchi Jagasivamani, Shang Li, Luyi Kang, Mehdi Asnaashari, Sylvain Dubois, Bruce Jacob i Donald Yeung. "Monolithically Integrating Non-Volatile Main Memory over the Last-Level Cache". ACM Transactions on Architecture and Code Optimization 18, nr 4 (31.12.2021): 1–26. http://dx.doi.org/10.1145/3462632.
Pełny tekst źródłaAlshboul, Mohammad, Hussein Elnawawy, Reem Elkhouly, Keiji Kimura, James Tuck i Yan Solihin. "Efficient Checkpointing with Recompute Scheme for Non-volatile Main Memory". ACM Transactions on Architecture and Code Optimization 16, nr 2 (czerwiec 2019): 1–27. http://dx.doi.org/10.1145/3323091.
Pełny tekst źródłaHakert, Christian, Kuan-Hsun Chen, Horst Schirmeier, Lars Bauer, Paul R. Genssler, Georg von der Brüggen, Hussam Amrouch, Jörg Henkel i Jian-Jia Chen. "Software-Managed Read and Write Wear-Leveling for Non-Volatile Main Memory". ACM Transactions on Embedded Computing Systems 21, nr 1 (31.01.2022): 1–24. http://dx.doi.org/10.1145/3483839.
Pełny tekst źródłaDu, Jiayi, Yan Wang, Qingfeng Zhuge, Jingtong Hu i Edwin H. M. Sha. "Efficient Loop Scheduling for Chip Multiprocessors with Non-Volatile Main Memory". Journal of Signal Processing Systems 71, nr 3 (12.10.2012): 261–73. http://dx.doi.org/10.1007/s11265-012-0703-5.
Pełny tekst źródłaOu, Qiao-Feng, Bang-Shu Xiong, Lei Yu, Jing Wen, Lei Wang i Yi Tong. "In-Memory Logic Operations and Neuromorphic Computing in Non-Volatile Random Access Memory". Materials 13, nr 16 (10.08.2020): 3532. http://dx.doi.org/10.3390/ma13163532.
Pełny tekst źródłaKuznetsov, Sergey Dmitrievich. "In anticipation of native DBMS architectures based on non-volatile main memory". Proceedings of the Institute for System Programming of the RAS 32, nr 1 (2020): 153–80. http://dx.doi.org/10.15514/ispras-2020-32(1)-9.
Pełny tekst źródłaLuo, Huizhang, Qingfeng Zhuge, Liang Shi, Jian Li i Edwin H. M. Sha. "Accurate age counter for wear leveling on non-volatile based main memory". Design Automation for Embedded Systems 17, nr 3-4 (wrzesień 2013): 543–64. http://dx.doi.org/10.1007/s10617-014-9141-x.
Pełny tekst źródłaBarbon, Claudio, Vitaliy Bilovol, Emiliano Javier Di Liscia i Bibiana Arcondo. "Eutectic Sb7.4Te92.6 thin film for non-volatile phase-change memories". Microelectronics International 36, nr 4 (7.10.2019): 171–75. http://dx.doi.org/10.1108/mi-03-2019-0016.
Pełny tekst źródłaWu, Kai, i Dong Li. "Unimem: Runtime Data Management on Non-Volatile Memory-Based Heterogeneous Main Memory for High Performance Computing". Journal of Computer Science and Technology 36, nr 1 (styczeń 2021): 90–109. http://dx.doi.org/10.1007/s11390-020-0942-z.
Pełny tekst źródłaPan, Chen, Shouzhen Gu, Mimi Xie, Yongpan Liu, Chun Jason Xue i Jingtong Hu. "Wear-Leveling Aware Page Management for Non-Volatile Main Memory on Embedded Systems". IEEE Transactions on Multi-Scale Computing Systems 2, nr 2 (1.04.2016): 129–42. http://dx.doi.org/10.1109/tmscs.2016.2525999.
Pełny tekst źródłaRehman, Shania, Muhammad Farooq Khan, Sikandar Aftab, Honggyun Kim, Jonghwa Eom i Deok-kee Kim. "Thickness-dependent resistive switching in black phosphorus CBRAM". Journal of Materials Chemistry C 7, nr 3 (2019): 725–32. http://dx.doi.org/10.1039/c8tc04538k.
Pełny tekst źródłaHuang, Yazhi, Tiantian Liu i Chun Jason Xue. "Register allocation for write activity minimization on non-volatile main memory for embedded systems". Journal of Systems Architecture 58, nr 1 (styczeń 2012): 13–23. http://dx.doi.org/10.1016/j.sysarc.2011.09.001.
Pełny tekst źródłaFanciulli, Marco, Michele Perego, Caroline Bonafos, A. Mouti, S. Schamm i G. Benassayag. "Nanocrystals in High-k Dielectric Stacks for Non-Volatile Memory Applications". Advances in Science and Technology 51 (październik 2006): 156–66. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.51.156.
Pełny tekst źródłaSaranti, Konstantina, i Shashi Paul. "Two-Terminal Non-Volatile Memory Devices Using Silicon Nanowires as the Storage Medium". Advances in Science and Technology 95 (październik 2014): 78–83. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.95.78.
Pełny tekst źródłaZanotti, Tommaso, Francesco Maria Puglisi i Paolo Pavan. "Energy-Efficient Non-Von Neumann Computing Architecture Supporting Multiple Computing Paradigms for Logic and Binarized Neural Networks". Journal of Low Power Electronics and Applications 11, nr 3 (6.07.2021): 29. http://dx.doi.org/10.3390/jlpea11030029.
Pełny tekst źródłaKappert, Holger, Sebastian Braun, Michael Alfring, Norbert Kordas, Andreas Kelberer, Stefan Dreiner i Rainer Kokozinski. "High Temperature EEPROM Using a Differential Approach for High Reliability". Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2017, HiTEN (1.07.2017): 000042–0000045. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4491.2017.hiten.42.
Pełny tekst źródłaLiu, Hai-Kun, Di Chen, Hai Jin, Xiao-Fei Liao, Binsheng He, Kan Hu i Yu Zhang. "A Survey of Non-Volatile Main Memory Technologies: State-of-the-Arts, Practices, and Future Directions". Journal of Computer Science and Technology 36, nr 1 (styczeń 2021): 4–32. http://dx.doi.org/10.1007/s11390-020-0780-z.
Pełny tekst źródłaMittal, Sparsh, i Jeffrey S. Vetter. "A Survey of Software Techniques for Using Non-Volatile Memories for Storage and Main Memory Systems". IEEE Transactions on Parallel and Distributed Systems 27, nr 5 (1.05.2016): 1537–50. http://dx.doi.org/10.1109/tpds.2015.2442980.
Pełny tekst źródłaMakarova, E. E., V. V. Amelichev, D. V. Kostyuk, D. V. Vasilyev, Y. V. Kazakov i E. P. Orlov. "Research of Test Cells of Power-independent Magnetoresistive Memory". Nano- i Mikrosistemnaya Tehnika 23, nr 3 (22.06.2022): 154–58. http://dx.doi.org/10.17587/nmst.24.154-158.
Pełny tekst źródłaTsoy, M. O., i D. M. Alfonso. "Developing modules for local storage and handling of cache memory defects information in a processor with non-volatile memory". Radio industry (Russia) 30, nr 4 (23.12.2020): 111–18. http://dx.doi.org/10.21778/2413-9599-2020-30-4-111-118.
Pełny tekst źródłaTang, Peng, Junlong Chen, Tian Qiu, Honglong Ning, Xiao Fu, Muyun Li, Zuohui Xu, Dongxiang Luo, Rihui Yao i Junbiao Peng. "Recent Advances in Flexible Resistive Random Access Memory". Applied System Innovation 5, nr 5 (21.09.2022): 91. http://dx.doi.org/10.3390/asi5050091.
Pełny tekst źródłaAbad, Pablo, Pablo Prieto, Valentin Puente i Jose-Angel Gregorio. "AC-WAR: Architecting the Cache Hierarchy to Improve the Lifetime of a Non-Volatile Endurance-Limited Main Memory". IEEE Transactions on Parallel and Distributed Systems 27, nr 1 (1.01.2016): 66–77. http://dx.doi.org/10.1109/tpds.2015.2390225.
Pełny tekst źródłaBuhari, Bello Alhaji, Afolayan Ayodele Obiniyi, Sahalu B. Junaidu i Armand F. Donfack Kana. "Trends in Remote User Authentication Based on Smart Card and External Memory". International Journal of Security and Privacy in Pervasive Computing 14, nr 1 (1.01.2022): 1–10. http://dx.doi.org/10.4018/ijsppc.307148.
Pełny tekst źródłaAsifuzzaman, Kazi, Rommel Sánchez Verdejo i Petar Radojković. "Performance and Power Estimation of STT-MRAM Main Memory with Reliable System-level Simulation". ACM Transactions on Embedded Computing Systems 21, nr 1 (31.01.2022): 1–25. http://dx.doi.org/10.1145/3476838.
Pełny tekst źródłaBYUN, SIWOO, MOONHAENG HUH i HOYOUNG HWANG. "FLASH MEMORY LOCK MANAGEMENT FOR PORTABLE INFORMATION SYSTEMS". International Journal of Cooperative Information Systems 15, nr 03 (wrzesień 2006): 461–79. http://dx.doi.org/10.1142/s0218843006001438.
Pełny tekst źródłaVindum, Simon Friis, i Lars Birkedal. "Spirea: A Mechanized Concurrent Separation Logic for Weak Persistent Memory". Proceedings of the ACM on Programming Languages 7, OOPSLA2 (16.10.2023): 632–57. http://dx.doi.org/10.1145/3622820.
Pełny tekst źródłaKhan, Asif. "(Invited) Ferroelectric Field-Effect Transistors as High-Density, Ultra-fast, Embedded Non-Volatile Memories". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, nr 15 (9.10.2022): 805. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-0215805mtgabs.
Pełny tekst źródłaClaverie, A., Caroline Bonafos, G. Ben Assayag, S. Schamm, N. Cherkashin, V. Paillard, P. Dimitrakis i in. "Materials Science Issues for the Fabrication of Nanocrystal Memory Devices by Ultra Low Energy Ion Implantation". Defect and Diffusion Forum 258-260 (październik 2006): 531–41. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.258-260.531.
Pełny tekst źródła