Artykuły w czasopismach na temat „Ni(GeSn)”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 16 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Ni(GeSn)”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Quintero, Andrea, Patrice Gergaud, Jean-Michel Hartmann, Vincent Delaye, Vincent Reboud, Eric Cassan i Philippe Rodriguez. "Impact and behavior of Sn during the Ni/GeSn solid-state reaction". Journal of Applied Crystallography 53, nr 3 (14.04.2020): 605–13. http://dx.doi.org/10.1107/s1600576720003064.
Pełny tekst źródłaAbdi, S., S. Assali, M. R. M. Atalla, S. Koelling, J. M. Warrender i O. Moutanabbir. "Recrystallization and interdiffusion processes in laser-annealed strain-relaxed metastable Ge0.89Sn0.11". Journal of Applied Physics 131, nr 10 (14.03.2022): 105304. http://dx.doi.org/10.1063/5.0077331.
Pełny tekst źródłaCoudurier, Nicolas, Andrea Quintero, Virginie Loup, Patrice Gergaud, Jean-Michel Hartmann, Denis Mariolle, Vincent Reboud i Philippe Rodriguez. "Plasma surface treatment of GeSn layers and its subsequent impact on Ni / GeSn solid-state reaction". Microelectronic Engineering 257 (marzec 2022): 111737. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2022.111737.
Pełny tekst źródłaLi, H., H. H. Cheng, L. C. Lee, C. P. Lee, L. H. Su i Y. W. Suen. "Electrical characteristics of Ni Ohmic contact on n-type GeSn". Applied Physics Letters 104, nr 24 (16.06.2014): 241904. http://dx.doi.org/10.1063/1.4883748.
Pełny tekst źródłaQuintero, Andrea, Patrice Gergaud, Jean-Michel Hartmann, Vincent Reboud i Philippe Rodriguez. "Ni-based metallization of GeSn layers: A review and recent advances". Microelectronic Engineering 269 (styczeń 2023): 111919. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2022.111919.
Pełny tekst źródłaJheng, Li Sian, Hui Li, Chiao Chang, Hung Hsiang Cheng i Liang Chen Li. "Comparative investigation of Schottky barrier height of Ni/n-type Ge and Ni/n-type GeSn". AIP Advances 7, nr 9 (wrzesień 2017): 095324. http://dx.doi.org/10.1063/1.4997348.
Pełny tekst źródłaJunk, Yannik, Mingshan Liu, Marvin Frauenrath, Jean-Michel Hartmann, Detlev Gruetzmacher, Dan Buca i Qing-Tai Zhao. "Vertical GeSn/Ge Heterostructure Gate-All-Around Nanowire p-MOSFETs". ECS Meeting Abstracts MA2022-01, nr 29 (7.07.2022): 1285. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01291285mtgabs.
Pełny tekst źródłaQuintero, A., F. Mazen, P. Gergaud, N. Bernier, J. M. Hartmann, V. Reboud, E. Cassan i Ph Rodriguez. "Enhanced thermal stability of Ni/GeSn system using pre-amorphization by implantation". Journal of Applied Physics 129, nr 11 (21.03.2021): 115302. http://dx.doi.org/10.1063/5.0038253.
Pełny tekst źródłaZhang, Xu, Dongliang Zhang, Jun Zheng, Zhi Liu, Chao He, Chunlai Xue, Guangze Zhang, Chuanbo Li, Buwen Cheng i Qiming Wang. "Formation and characterization of Ni/Al Ohmic contact on n+-type GeSn". Solid-State Electronics 114 (grudzień 2015): 178–81. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2015.09.010.
Pełny tekst źródłaQuintero, Andrea, Patrice Gergaud, Joris Aubin, Jean-Michel Hartmann, Vincent Reboud i Philippe Rodriguez. "Ni/GeSn solid-state reaction monitored by combined X-ray diffraction analyses: focus on the Ni-rich phase". Journal of Applied Crystallography 51, nr 4 (23.07.2018): 1133–40. http://dx.doi.org/10.1107/s1600576718008786.
Pełny tekst źródłaLiu, Y., H. Wang, J. Yan i G. Han. "Reduction of Formation Temperature of Nickel Mono-Stanogermanide [Ni(GeSn)] by the Incorporation of Tin". ECS Solid State Letters 3, nr 2 (3.12.2013): P11—P13. http://dx.doi.org/10.1149/2.001402ssl.
Pełny tekst źródłaQuintero, Andrea, Patrice Gergaud, Jean-Michel Hartmann, Vincent Delaye, Nicolas Bernier, David Cooper, Zineb Saghi, Vincent Reboud, Eric Cassan i Philippe Rodriguez. "Analysis of Sn Behavior During Ni/GeSn Solid-State Reaction by Correlated X-ray Diffraction, Atomic Force Microscopy, and Ex-situ/In-situ Transmission Electron Microscopy". ECS Transactions 98, nr 5 (23.09.2020): 365–75. http://dx.doi.org/10.1149/09805.0365ecst.
Pełny tekst źródłaQuintero Colmenares, Andrea, Patrice Gergaud, Jean-Michel Hartmann, Vincent Delaye, Nicolas Bernier, David Cooper, Zineb Saghi, Vincent Reboud, Eric Cassan i Philippe Rodriguez. "(G03 Best Paper Award Winner) Analysis of Sn Behavior During Ni/GeSn Solid-State Reaction by Correlated X-ray Diffraction, Atomic Force Microscopy, and Ex-situ/In-situ Transmission Electron Microscopy". ECS Meeting Abstracts MA2020-02, nr 24 (23.11.2020): 1750. http://dx.doi.org/10.1149/ma2020-02241750mtgabs.
Pełny tekst źródłaNoroozi, M., M. Moeen, A. Abedin, M. S. Toprak i H. H. Radamson. "Effect of strain on Ni-(GeSn)x contact formation to GeSn nanowires". MRS Proceedings 1707 (2014). http://dx.doi.org/10.1557/opl.2014.559.
Pełny tekst źródłaQuintero, Andrea, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, David Cooper, Patrice Gergaud, Vincent Reboud i Philippe Rodriguez. "Use of Nanosecond Laser Annealing for Thermally Stable Ni(GeSn) Alloys". IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2023, 1. http://dx.doi.org/10.1109/jeds.2023.3332094.
Pełny tekst źródłaGantet, Claire. "Ni pédants, ni amateurs?" Gesnerus, 2016. http://dx.doi.org/10.24894/gesn-fr.2016.73010.
Pełny tekst źródła