Kliknij ten link, aby zobaczyć inne rodzaje publikacji na ten temat: Nanostructured Oxide Semiconductors.

Książki na temat „Nanostructured Oxide Semiconductors”

Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych

Wybierz rodzaj źródła:

Sprawdź 50 najlepszych książek naukowych na temat „Nanostructured Oxide Semiconductors”.

Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.

Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.

Przeglądaj książki z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.

1

Teherani, Ferechteh Hosseini. Oxide-based materials and devices: 24-27 January 2010, San Francisco, California, United States. Bellingham, WA: SPIE, 2010.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
2

J, Rogers David, Ferechteh Hosseini Teherani i D. C. Look. Oxide-based materials and devices III: 22-25 January 2012, San Francisco, California, United States. Redaktor SPIE (Society). Bellingham, Wash: SPIE, 2012.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
3

C, Jagadish, i Pearton S. J, red. Zinc oxide bulk, thin films and nanostructures: Processing, properties and applications. Amsterdam: Elsevier, 2006.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
4

Tsu-Jae, King, Materials Research Society Meeting i Symposium on CMOS Front-End Materials and Process Technology (2003 : San Francisco, Calif.), red. CMOS front-end materials and process technology: Symposium held April 22-24, 2003, San Francisco, California, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2003.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
5

I, Gardner Mark, i Materials Research Society, red. Novel materials and processes for advanced CMOS: Symposium held December 2-4, 2002, Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2003.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
6

Sudipta, Seal, Materials Research Society Meeting i Symposium on Semiconductor Materials for Sensing (2004 : Boston, Mass.), red. Semiconductor materials for sensing: Symposium held November 29-December 2, 2004, Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2005.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
7

CMOS nanoelectronics: Analog and RF VLSI circuits. New York: McGraw-Hill, 2011.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
8

Nano-semiconductors: Devices and technology. Boca Raton, FL: CRC Press, 2012.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
9

Nano-CMOS gate dielectric engineering. Boca Raton: CRC Press, 2012.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
10

International, Symposium on Advanced Materials (11th 2009 Islamabad Pakistan), i International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (2010 Tokyo Institute of Technology). Advanced materials XI: Selected, peer reviewed papers from the 11th International Symposium on Advanced Materials, 08-12 August, 2009, Islamabad, Pakistan. Stafa-Zurich, Switzerland: Trans Tech Publications, 2010.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
11

Uchida, Ken, Nobuyuki Sugii, Kiyoshi Takeuchi i Toshirō Hiramoto. Shūseki nanodebaisu. Tōkyō: Maruzen, 2009.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
12

Katsutoshi, Komeya, Matsuo Yohtaro, Goto Takashi, Nihon Seramikkusu Kyōkai i Nihon Gakujutsu Shinkōkai. Kōbutsu Shinkatsuyō Dai 124 Iinkai., red. Innovation in ceramic science and engineering: Selected, peer reviewed papers from the 3rd International Symposium on Advanced Ceramics, Grand Copthorne Waterfront Hotel, December 11-15, 2006, Singapore. Stafa-Zurich, Switzerland: Trans Tech Publications, 2007.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
13

Zhuiykov, Serge. Nanostructured Semiconductors. Elsevier Science & Technology, 2018.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
14

Nanostructured Semiconductors. Elsevier Science & Technology, 2018.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
15

Rogers, David, Ferechteh Teherani i David Look. Oxide-Based Materials and Devices VIII. SPIE, 2018.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
16

Zhuiykov, Serge. Nanostructured Semiconductor Oxides for the Next Generation of Electronics and Functional Devices: Properties and Applications. Elsevier Science & Technology, 2017.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
17

Zhuiykov, Serge. Nanostructured Semiconductor Oxides for the Next Generation of Electronics and Functional Devices: Properties and Applications. Elsevier Science & Technology, 2014.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
18

Nanostructured Semiconductors in Porous Alumina Matrices. Taylor & Francis Group, 2019.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
19

Vakhrushev, Alexander V., Rishat G. Valeev, Aleksey Yu Fedotov i Dmitrii I. Petukhov. Nanostructured Semiconductors in Porous Alumina Matrices. Taylor & Francis Group, 2021.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
20

Scalise, Emilio. Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices: Insights from First-Principles Simulations. Springer London, Limited, 2014.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
21

Tabata, Hitoshi, i Seiichi Miyazaki. Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics. Trans Tech Publications, Limited, 2011.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
22

Tabata, Hitoshi, i Seiichi Miyazaki. Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics. Trans Tech Publications, Limited, 2011.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
23

Guo, Jing, i Mark Lundstrom. Nanoscale Transistors: Device Physics, Modeling and Simulation. Springer London, Limited, 2006.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
24

Jing, Guo, red. Nanoscale Transistors: Device Physics, Modeling and Simulation. Gardners Books, 2010.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
25

Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures: Processing, Properties, and Applications. Elsevier Science, 2006.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
26

(Editor), Chennupati Jagadish, i Stephen J. Pearton (Editor), red. Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures: Processing, Properties, and Applications. Elsevier Science, 2006.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
27

Yang, Yi, i Sun Xiaowei. ZnO Nanostructures and Their Applications. Jenny Stanford Publishing, 2016.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
28

Yang, Yi, i Sun Xiaowei. ZnO Nanostructures and Their Applications. Jenny Stanford Publishing, 2016.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
29

ZnO Nanostructures and Their Applications. Taylor & Francis Group, 2011.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
30

Vakhrushev, Alexander V., Rishat G. Valeev, Aleksey Yu Fedotov i Dmitrii I. Petukhov. Nanostructured Semiconductors in Porous Alumina Matrices: Modeling, Synthesis, and Properties. Apple Academic Press, Incorporated, 2019.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
31

CMOS Front-End Materials and Process Technology: Volume 765. Materials Research Society, 2003.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
32

Lockwood, David J., Leonid Tsybeskov, Christophe Delerue, Masakazu Ichikawa i Anthony W. van Buuren. Group IV Semiconductor Nanostructures - 2006. University of Cambridge ESOL Examinations, 2014.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
33

McGlynn, E., M. O. Henry i J. P. Mosnier. ZnO wide-bandgap semiconductor nanostructures: Growth, characterization and applications. Redaktorzy A. V. Narlikar i Y. Y. Fu. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordhb/9780199533053.013.14.

Pełny tekst źródła
Streszczenie:
This article describes the growth, characterization and applications of zinc oxide (ZnO) wide-bandgap semiconductor nanostructures. It first introduces the reader to the basic physics and materials science of ZnO, with particular emphasis on the crystalline structure, electronic structure, optical properties and materials properties of ZnO wide-bandgap semiconductors. It then considers some of the commonly used growth methods for ZnO nanostructures, including vapor-phase transport, chemical vapor deposition, molecular beam epitaxy, pulsed-laser deposition, sputtering and chemical solution methods. It also presents the results of characterization of ZnO nanostructures before concluding with a discussion of some promising areas of application of ZnO nanostructures, such as field emission applications; electrical, optical/photonic applications; and applications in sensing, energy production, photochemistry, biology and engineering.
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
34

Wong, Hei. Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering. Taylor & Francis Group, 2017.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
35

Wong, Hei. Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering. Taylor & Francis Group, 2017.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
36

Wong, Hei. Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering. Taylor & Francis Group, 2017.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
37

Wong, Hei. Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering. Taylor & Francis Group, 2013.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
38

Wong, Hei. Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering. Taylor & Francis Group, 2017.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
39

Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices: Insights from First-Principles Simulations. Springer, 2014.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
40

Scalise, Emilio. Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices: Insights from First-Principles Simulations. Springer International Publishing AG, 2016.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
41

Analog Filters in Nanometer CMOS Springer Series in Advanced Microelectronics. Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH &, 2013.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
42

Light, Water, Hydrogen: The Solar Generation of Hydrogen by Water Photoelectrolysis. Springer, 2007.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
43

Group IV Semiconductor Nanostructures: 2006: Symposium Held November 27-December 1, 2006, Boston, Massachusetts, U.S.A. (Materials Research Society Symposium Proceedings). Materials Research Society, 2007.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
44

Zinc Oxide and Related Materials: Symposium Held November 27-30, 2006. Boston, Massachusetts, U.S.A. (Materials Research Society Symposium Proceedings). Materials Research Society, 2007.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
45

Nanostructured Semiconductor Oxides for the Next Generation of Electronics and Functional Devices. Elsevier, 2014. http://dx.doi.org/10.1016/c2013-0-16486-0.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
46

Zimmermann, Horst, i Mohamed Atef. Optoelectronic Circuits in Nanometer CMOS Technology. Springer London, Limited, 2016.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
47

Zimmermann, Horst, i Mohamed Atef. Optoelectronic Circuits in Nanometer CMOS Technology. Springer, 2016.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
48

Zimmermann, Horst, i Mohamed Atef. Optoelectronic Circuits in Nanometer CMOS Technology. Springer, 2018.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
49

Fundamentals Of Nanoscaled Field Effect Transistors. Springer-Verlag New York Inc., 2013.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
50

Guo, Jing, i Mark Lundstrom. Nanoscale Transistors: Device Physics, Modeling and Simulation. Springer, 2005.

Znajdź pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
Oferujemy zniżki na wszystkie plany premium dla autorów, których prace zostały uwzględnione w tematycznych zestawieniach literatury. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać unikalny kod promocyjny!

Do bibliografii