Artykuły w czasopismach na temat „Nanosecond laser annealing”
Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych
Sprawdź 50 najlepszych artykułów w czasopismach naukowych na temat „Nanosecond laser annealing”.
Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.
Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.
Przeglądaj artykuły w czasopismach z różnych dziedzin i twórz odpowiednie bibliografie.
Pilipovich, V. A., V. L. Malevich, G. D. Ivlev i V. V. Zhidkov. "Dynamics of nanosecond laser annealing of silicon". Journal of Engineering Physics 48, nr 2 (luty 1985): 228–33. http://dx.doi.org/10.1007/bf00871878.
Pełny tekst źródłaCasiez, L., N. Bernier, J. Chrétien, J. Richy, D. Rouchon, M. Bertrand, F. Mazen i in. "Recrystallization of thick implanted GeSn layers with nanosecond laser annealing". Journal of Applied Physics 131, nr 15 (21.04.2022): 153103. http://dx.doi.org/10.1063/5.0085107.
Pełny tekst źródłaLarrey, Vincent, Arthur Arribehaute, Brendon Caulfield, Pablo Acosta Alba, Christophe Morales, Paul Noël, Mathieu Opprecht, Frank Fournel, Didier Landru i Francois Rieutord. "Nanosecond Laser Irradiation for Interface Bonding Characterization". ECS Meeting Abstracts MA2023-02, nr 33 (22.12.2023): 1589. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02331589mtgabs.
Pełny tekst źródłaZhvavyi, S. P., i O. L. Sadovskaya. "Nanosecond Laser Annealing of Implanted Silicon: Simulation of Dynamics". Physica Status Solidi (a) 112, nr 1 (16.03.1989): K19—K22. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211120166.
Pełny tekst źródłaGerlinger, Kathinka, Bastian Pfau, Martin Hennecke, Lisa-Marie Kern, Ingo Will, Tino Noll, Markus Weigand i in. "Pump–probe x-ray microscopy of photo-induced magnetization dynamics at MHz repetition rates". Structural Dynamics 10, nr 2 (marzec 2023): 024301. http://dx.doi.org/10.1063/4.0000167.
Pełny tekst źródłaPark, Sang Yeon, Younggon Choi, Yong Hyeok Seo, Hojun Kim, Dong Hyun Lee, Phuoc Loc Truong, Yongmin Jeon i in. "355 nm Nanosecond Ultraviolet Pulsed Laser Annealing Effects on Amorphous In-Ga-ZnO Thin Film Transistors". Micromachines 15, nr 1 (5.01.2024): 103. http://dx.doi.org/10.3390/mi15010103.
Pełny tekst źródłaAlloyeau, Damien, Christian Ricolleau, Cyril Langlois, Yann Le Bouar i Annick Loiseau. "Flash laser annealing for controlling size and shape of magnetic alloy nanoparticles". Beilstein Journal of Nanotechnology 1 (22.11.2010): 55–59. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.1.7.
Pełny tekst źródłaCoelho, João M. P., Catarina Silva, Andreia Ruivo i António Pires de Matos. "Infrared Nanosecond Laser Radiation in the Creation of Gold and Copper Nanoparticles". Materials Science Forum 730-732 (listopad 2012): 915–19. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.730-732.915.
Pełny tekst źródłaDeng, Ying, Anthony Pelton i R. A. Mayanovic. "Comparison of Vanadium Oxide Thin Films Prepared Using Femtosecond and Nanosecond Pulsed Laser Deposition". MRS Advances 1, nr 39 (2016): 2737–42. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2016.311.
Pełny tekst źródłade Silva, Milantha, Seiji Ishikawa, Takamaro Kikkawa i Shinichiro Kuroki. "Low Resistance Ohmic Contact Formation on 4H-SiC C-Face with NbNi Silicidation Using Nanosecond Laser Annealing". Materials Science Forum 858 (maj 2016): 549–52. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.549.
Pełny tekst źródłaAcosta Alba, Pablo, Joris Aubin, Sylvain Perrot, Fulvio Mazzamuto, Adeline Grenier i Sébastien Kerdilès. "Solid phase recrystallization induced by multi-pulse nanosecond laser annealing". Applied Surface Science Advances 3 (marzec 2021): 100053. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsadv.2020.100053.
Pełny tekst źródłaBhaumik, Anagh, i Jagdish Narayan. "Nano-to-micro diamond formation by nanosecond pulsed laser annealing". Journal of Applied Physics 126, nr 12 (28.09.2019): 125307. http://dx.doi.org/10.1063/1.5118890.
Pełny tekst źródłaMariño, Mariana, Philippe Breuil, Mathilde Rieu, Damien Jamon, Jean-Michel Rampnoux, Jean-Paul Viricelle i Florence Garrelie. "Simulation of nanosecond IR laser annealing of cerium gadolinium oxide". Journal of the European Ceramic Society 38, nr 11 (wrzesień 2018): 3875–80. http://dx.doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2018.04.035.
Pełny tekst źródłaKovalenko, A. F. "Annealing of Glassy and Ceramic Materials by Nanosecond Laser Pulses". Glass and Ceramics 75, nr 5-6 (wrzesień 2018): 242–45. http://dx.doi.org/10.1007/s10717-018-0064-z.
Pełny tekst źródłaPyo, Jeongsang, Hyun Yeol Ryu, Jinhong Park, Minbaek Lee i Han-Youl Ryu. "Laser-Power Dependence of Poly-Silicon Crystallization Using 355-nm Nanosecond Laser Annealing". Journal of the Korean Physical Society 76, nr 12 (czerwiec 2020): 1116–20. http://dx.doi.org/10.3938/jkps.76.1116.
Pełny tekst źródłaLevytskyi, S. M. "MECHANISMS OF INDIUM MASS TRANSFER IN Cd(Zn)Te UNDER THE ACTION OF NANOSECOND LASER PULSES". Optoelektronìka ta napìvprovìdnikova tehnìka 58 (21.12.2023): 178–86. http://dx.doi.org/10.15407/iopt.2023.58.178.
Pełny tekst źródłaRuffino, F., L. Romano, E. Carria, M. Miritello, M. G. Grimaldi, V. Privitera i F. Marabelli. "A Combined Ion Implantation/Nanosecond Laser Irradiation Approach towards Si Nanostructures Doping". Journal of Nanotechnology 2012 (2012): 1–6. http://dx.doi.org/10.1155/2012/635705.
Pełny tekst źródłaNikov, Ru, Ro Nikov, N. Nedyalkov, A. Dikovska i K. Grochowska. "Laser annealing of bimetal porous structures produced by PLD in open air". Journal of Physics: Conference Series 2240, nr 1 (1.03.2022): 012045. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2240/1/012045.
Pełny tekst źródłaEliceiri, Matthew, Yoonsoo Rho, Runxuan Li i Costas P. Grigoropoulos. "Pulsed laser induced atomic layer etching of silicon". Journal of Vacuum Science & Technology A 41, nr 2 (marzec 2023): 022602. http://dx.doi.org/10.1116/6.0002399.
Pełny tekst źródłaNedyalkov, Nikolay, Mihaela Koleva, Nadya Stankova, Rosen Nikov, Mitsuhiro Terakawa, Yasutaka Nakajima, Lyubomir Aleksandrov i Reni Iordanova. "Laser-assisted fabrication of gold nanoparticle-composed structures embedded in borosilicate glass". Beilstein Journal of Nanotechnology 8 (21.11.2017): 2454–63. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.8.244.
Pełny tekst źródłaBugaev, Kirill O., Anastasia A. Zelenina i Vladimir A. Volodin. "Vibrational Spectroscopy of Chemical Species in Silicon and Silicon-Rich Nitride Thin Films". International Journal of Spectroscopy 2012 (2.10.2012): 1–5. http://dx.doi.org/10.1155/2012/281851.
Pełny tekst źródłaFrauenrath, Marvin, Pablo Acosta Alba, Anne-Marie Papon i Jean-Michel Hartmann. "Nanosecond Laser Annealing of In-Situ Boron-Doped Ge Layers for Dopant Activation". ECS Transactions 109, nr 4 (30.09.2022): 303–16. http://dx.doi.org/10.1149/10904.0303ecst.
Pełny tekst źródłaKlinger, D., E. Łusakowska i D. Żymierska. "Nano-structure formed by nanosecond laser annealing on amorphous Si surface". Materials Science in Semiconductor Processing 9, nr 1-3 (luty 2006): 323–26. http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2006.01.027.
Pełny tekst źródłaZhou, Yigang, Jiantao Zhou, Zhiqiang Tian, Fang Dong, Sheng Liu i Jiangang Wang. "Improving the crystal quality of AlN films by nanosecond laser annealing". Journal of Manufacturing Processes 84 (grudzień 2022): 1519–25. http://dx.doi.org/10.1016/j.jmapro.2022.11.009.
Pełny tekst źródłaFrauenrath, M., P. Acosta Alba, O. Concepción, J. H. Bae, N. Gauthier, E. Nolot, M. Veillerot, N. Bernier, D. Buca i J. M. Hartmann. "Nanosecond laser annealing of pseudomorphic GeSn layers: Impact of Sn content". Materials Science in Semiconductor Processing 163 (sierpień 2023): 107549. http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107549.
Pełny tekst źródłaNtemogiannis, Dimitrios, Panagiotis Floropoulos, Vagelis Karoutsos, Spyridon Grammatikopoulos, Panagiotis Poulopoulos i Dimitris Alexandropoulos. "Plasmonic Nanostructuring by Means of Industrial-Friendly Laser Techniques". Photonics 10, nr 4 (30.03.2023): 384. http://dx.doi.org/10.3390/photonics10040384.
Pełny tekst źródłaSilva, Catarina, João M. P. Coelho, Andreia Ruivo, Maria Luísa Botelho i António Pires de Matos. "Nanosecond Near-Infrared Laser Discoloration of Gamma Irradiated Silicate Glasses". Materials Science Forum 730-732 (listopad 2012): 123–28. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.730-732.123.
Pełny tekst źródłaВолодин, В. А., Г. К. Кривякин, Г. Д. Ивлев, С. Л. Прокопьев, С. В. Гусакова i А. А. Попов. "Кристаллизация плeнок аморфного германия и многослойных структур a-Ge/a-Si под действием наносекундного лазерного излучения". Физика и техника полупроводников 53, nr 3 (2019): 423. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2019.03.47298.8997.
Pełny tekst źródłaDaubriac, R., P. Acosta Alba, C. Marcenat, S. Lequien, T. D. Vethaak, F. Nemouchi, F. Lefloch i S. Kerdilès. "Superconducting Polycrystalline Silicon Layer Obtained by Boron Implantation and Nanosecond Laser Annealing". ECS Journal of Solid State Science and Technology 10, nr 1 (1.01.2021): 014004. http://dx.doi.org/10.1149/2162-8777/abdc41.
Pełny tekst źródłaKerdilès, Sébastien, Pablo Acosta-Alba, Anne-Sophie Royet, Jessica Lassarre, Cédric Perrot, François Aussenac, Laurent Brunet i Claire Fenouillet-Beranger. "Ultraviolet Nanosecond Laser Annealing for Low Temperature 3D-Sequential Integration Gate Stack". ECS Transactions 93, nr 1 (22.10.2019): 19–22. http://dx.doi.org/10.1149/09301.0019ecst.
Pełny tekst źródłaGupta, Siddharth, Ritesh Sachan, Anagh Bhaumik i Jagdish Narayan. "Enhanced mechanical properties of Q-carbon nanocomposites by nanosecond pulsed laser annealing". Nanotechnology 29, nr 45 (11.09.2018): 45LT02. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/aadd75.
Pełny tekst źródłaSADRNEZHAAD, S. K., NOUSHIN YASAVOL, MANSOUREH GANJALI i SOHRAB SANJABI. "Property change during nanosecond pulse laser annealing of amorphous NiTi thin film". Bulletin of Materials Science 35, nr 3 (czerwiec 2012): 357–64. http://dx.doi.org/10.1007/s12034-012-0293-7.
Pełny tekst źródłaIvlev, G. D., i V. L. Malevich. "On Phase Transitions Stimulated in Amorphized Silicon by Nanosecond Pulsed Laser Annealing". Physica Status Solidi (a) 103, nr 2 (16.10.1987): K87—K91. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211030244.
Pełny tekst źródłaScandurra, Antonino, Francesco Ruffino i Maria Grazia Grimaldi. "Graphene Paper-Gold Nanostructured Electrodes Obtained by Laser Dewetting for High Sensitive Non-Enzymatic Glucose Sensing". Proceedings 15, nr 1 (19.06.2019): 1. http://dx.doi.org/10.3390/proceedings2019015001.
Pełny tekst źródłaCHEN, Cui-fen, Tie-min ZHANG, Zi-lin WANG, Lian-cong GAO, Chang SU, Ke WANG, An-chen WANG, Zhong-mei HUANG, Wei-qi HUANG i Hong-yan PENG. "Annealing effect on photoluminescence in silicon quantum dots prepared by nanosecond pulsed laser". Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays 37, nr 6 (2022): 703–8. http://dx.doi.org/10.37188/cjlcd.2022-0078.
Pełny tekst źródłaBhaumik, Anagh, i Jagdish Narayan. "Direct conversion of carbon nanofibers into diamond nanofibers using nanosecond pulsed laser annealing". Physical Chemistry Chemical Physics 21, nr 13 (2019): 7208–19. http://dx.doi.org/10.1039/c9cp00063a.
Pełny tekst źródłaKlinger, D., J. Auleytner, D. Żymierska, B. Kozankiewicz, A. Barcz, L. Nowicki i A. Stonert. "Evolution of defect structure of Ge-implanted Si crystal during nanosecond laser annealing". European Physical Journal Applied Physics 27, nr 1-3 (lipiec 2004): 149–53. http://dx.doi.org/10.1051/epjap:2004133.
Pełny tekst źródłaFrauenrath, Marvin, Pablo Acosta Alba, Anne-Marie Papon i Jean-Michel Hartmann. "Nanosecond Laser Annealing of In-Situ Boron-Doped Ge Layers for Dopant Activation". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, nr 32 (9.10.2022): 1228. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321228mtgabs.
Pełny tekst źródłaFrechilla, Alejandro, Mari Napari, Nives Strkalj, Eduardo Barriuso, Kham Niang, Markus Hellenbrand, Pavel Strichovanec i in. "Spatially selective crystallization of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 films induced by sub-nanosecond laser annealing". Applied Materials Today 36 (luty 2024): 102033. http://dx.doi.org/10.1016/j.apmt.2023.102033.
Pełny tekst źródłaNemoto, Keisuke, i Yasutaka Hanada. "Etching-Assisted Ablation of the UV-Transparent Fluoropolymer CYTOP Using Various Laser Pulse Widths and Subsequent Microfluidic Applications". Micromachines 9, nr 12 (15.12.2018): 662. http://dx.doi.org/10.3390/mi9120662.
Pełny tekst źródłaDaubriac, Richard, Rémi Demoulin, Sebastien Kerdiles, Pablo Acosta Alba, Jean-Michel Hartmann, Jean-Paul Barnes, Pawel Michałowski i in. "Impact of Nanosecond Laser Annealing on the Electrical Properties of Highly Boron-Doped Ultrathin Strained Si0.7Ge0.3 Layers". ECS Meeting Abstracts MA2022-01, nr 29 (7.07.2022): 1279. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01291279mtgabs.
Pełny tekst źródłaSafronov, Ivan S., Aleksandra A. Neplueva i Ivan V. Ushakov. "Mechanical Properties of Laser Treated Thin Sample of an Amorphous-Nanocrystalline Metallic Alloy Depending on the Initial Annealing Temperature". Defect and Diffusion Forum 410 (17.08.2021): 489–94. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.410.489.
Pełny tekst źródłaTabata, Toshiyuki. "Nucleation and crystal growth in HfO2 thin films by UV nanosecond pulsed laser annealing". Applied Physics Express 13, nr 1 (9.12.2019): 015509. http://dx.doi.org/10.7567/1882-0786/ab5ce2.
Pełny tekst źródłaKim, Jin-Hyun, Hyung-Min Ji, Manh-Cuong Nguyen, An Hoang-Thuy Nguyen, Sang-Woo Kim, Jong-Yeon Baek, Jiyoung Kim i Rino Choi. "Low-temperature dopant activation using nanosecond ultra-violet laser annealing for monolithic 3D integration". Thin Solid Films 735 (październik 2021): 138864. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2021.138864.
Pełny tekst źródłaDagault, Lea, Pablo Acosta-Alba, Sébastien Kerdilès, Jean-Paul Barnes, Jean-Michel Hartmann, Patrice Gergaud, Than Tra Nguyen, Adeline Grenier, Joris Aubin i Fuccio Cristiano. "Composition and Strain Evolution of Undoped Si0.8Ge0.2 Layers Submitted to UV-Nanosecond Laser Annealing". ECS Transactions 86, nr 7 (20.07.2018): 29–39. http://dx.doi.org/10.1149/08607.0029ecst.
Pełny tekst źródłaNedyalkov, N., N. E. Stankova, M. E. Koleva, R. Nikov, M. Grozeva, E. Iordanova, G. Yankov, L. Aleksandrov, R. Iordanova i D. Karashanova. "Optical properties modification of gold doped glass induced by nanosecond laser radiation and annealing". Optical Materials 75 (styczeń 2018): 646–53. http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2017.10.032.
Pełny tekst źródłaBoneberg, J., J. Bischof i P. Leiderer. "Nanosecond time-resolved reflectivity determination of the melting of metals upon pulsed laser annealing". Optics Communications 174, nr 1-4 (styczeń 2000): 145–49. http://dx.doi.org/10.1016/s0030-4018(99)00660-4.
Pełny tekst źródłaLi, C. I., N. Breil, T. Y. Wen, S. Y. Liu, M. S. Hsieh, S. J. Yen, C. W. Chang i in. "p-Type MOSFET Contact Resistance Improvement by Conformal Plasma Doping and Nanosecond Laser Annealing". IEEE Electron Device Letters 40, nr 2 (luty 2019): 307–9. http://dx.doi.org/10.1109/led.2019.2890950.
Pełny tekst źródłaChun, Doo-Man, Chi-Vinh Ngo i Kyong-Min Lee. "Fast fabrication of superhydrophobic metallic surface using nanosecond laser texturing and low-temperature annealing". CIRP Annals 65, nr 1 (2016): 519–22. http://dx.doi.org/10.1016/j.cirp.2016.04.019.
Pełny tekst źródłaShin, Hyunsu, Minhyung Lee, Eunjung Ko, Hwa-yoen Ryu, Seran Park, Eunha Kim i Dae-Hong Ko. "Dopant Activation of In Situ Phosphorus‐Doped Silicon Using Multi‐Pulse Nanosecond Laser Annealing". physica status solidi (a) 217, nr 12 (5.03.2020): 1900988. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201900988.
Pełny tekst źródła